材料科学基础第三章晶体缺陷

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3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按 缺
例:空位、间隙原子、杂质原子等
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.

例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.

例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等
1、 固溶体的分类
(1) 按杂质原子的位置分: 置换型固溶体—杂质原子进入晶格中正常结点位置而取代基
质中的原子。例MgO-CoO形成Mg1-xCoxO固溶体。 间隙型固溶体—杂质原子进入晶格中的间隙位置。
有时俩
(2)按杂质原子的固溶度x分: 无限(连续)固溶体—溶质和溶剂任意比例固溶(x=0~1)。
多相系统
均一单相系统
Compounds AmBn
原子间相互反应生成
均一单相系统
结构
各自有各自的结构
A structure
structure
+ B structure
结构与基质相同 A structure
结构既不同于A也不同于B New structure
化学计量 A/B
不定
固溶比例不定
m:n 整数比或接近整数比的一定范围内
四、固溶体Solid solution(杂质缺陷)
1、固溶体的分类 2、置换型固溶体 3、间隙型固溶体 4、形成固溶体后对晶体性质的影响 5、固溶体的研究方法
①固溶体:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。 例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO
基质 溶剂 主晶相
杂质 溶质 掺杂剂
萤石CaF2(F-空位)

上海交通大学 材料科学基础第三章 晶体缺陷ppt课件

上海交通大学 材料科学基础第三章 晶体缺陷ppt课件
ppt课件 23
混合位错
混合位错:滑移矢量既不平行业不垂直于位错线, 而是与位 错线相交成任意角度。 一般混合位错为曲线形式, 故每一点的滑移矢量 式相同的, 但其与位错线的交角却不同。 ppt课件
24
各种位错的柏氏矢量
ppt课件
25
柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
ppt课件
G tm 0.1G 2
13
t m 0.01 0.1G
计算中的假设
• 1。完整晶体,没有缺陷 • 2。整体滑动 • 3。正弦曲线(0.01-0.1G)
问题出在假设1和2上!应是局部滑移!
日常生活和大自然的启示=〉
ppt课件 14
有缺陷晶体的局部滑动
小宝移大毯!
毛毛虫的蠕动
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
ppt课件 二维缺陷 (two-dimensional defect) 3
课程安排
点缺陷 课 程 安 排 (第1周)
位错几何 (第1、2周)
位错力学
(第2周)
位错运动、实际晶体中的位错(第3、4周) 表面与界面 (第4、5周) 课堂讨论 (第5周)
Ee e W
Ees
m e
R
r
x z dr t dx
0 r r
b
R
b
0
Gx Gb 2 R zdr x dx ln 2 1 4 1 r0
Gb R ln 4 r0
e e s e

材料科学基础第3章

材料科学基础第3章

3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列 变形,原子行列间相互滑移,即不再符合理想 晶格的有序排列,由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点: 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行,故其滑移不限于单一的滑移面上,所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

材料科学基础 第三章 晶体缺陷 (七)解读

材料科学基础 第三章 晶体缺陷 (七)解读

图 离子晶体表面的双电层
3.3.1 外 表 面
表面 (crystal surface)
偏离平衡位置的并造成表层点阵畸变的且影响到邻 近的能量比内部高的几层高能量的原子层。
表面能(γ):晶体表面单位面积自由能的增加
dW dS
T L
被割断的结合键数目 能量 形成单位新表面 每个键
根据晶界两侧晶粒位相差的不同可分为小角度晶界和 大角度晶界。亚晶界属于小角度晶界。
图 晶界与亚晶界示意图
3.3.2 晶界和亚晶界
确定晶界位置用:二维点阵中晶界位置可用 两个晶粒的位向差 θ和晶界相对于一个点阵某 一平面的夹角 φ来确定。根据相邻晶粒之间位 向差θ角的大小不同可将晶界分为两类: 按θ的大小分类: 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
依附界面,长大依靠界面迁移;因此,界面的结构和特性
影响凝固和相变过程; 由于界面的重要影响,受到广泛的重视,成为材料科学的 重要组成内容。
3.3.3 孪晶界
孪晶( twin )的定义:
孪晶是指两个晶体(或一个晶体
的两部分)沿一个公共晶面构成 镜面对称的位向关系,这两个 晶体就称为“孪晶(twin)”,此 公共晶面就称孪晶面。
(7)晶界具有不同与晶内的物理性质。
亚晶界属与小角度晶界,为各种亚结构的交界,大小 和尺寸与热加工条件有关。
亚晶界
5、界面对材料性能的影响
界面是晶体中的面缺陷,对晶体材料的性质和转变过程有重要影响;
界面阻碍位错运动,引起界面强化,提高材料的强度。界面阻碍变
形,使变形分布均匀、提高材料的塑性,强度、塑性的提高相应使 材料韧性也得到改善。因此,界面的增加,得到细晶组织,可大大 改善材料的力学性能; 界面具有高的能量,化学介质不稳定,产生晶界腐蚀,故影响材料

第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础

第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础



陷,如Fe1-xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。
特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大
小而变化。是一种半导体材料。
4. 其它原因,如电荷缺陷,辐照缺陷等
6


3.1 点缺陷

1. 基本概念:如果在任何方向上缺陷区的尺寸


都远小于晶体或晶粒的线度,因而可以忽略

不计,那么这种缺陷就叫做点缺陷。 点缺陷
T 100K 300K 500K 700K 900K 1000K n/N 10-57 10-19 10-11 10-8.1 10-6.3 10-5.7
14
3.1
点 4. 点缺陷的产生

陷 ➢ 平衡点缺陷:热振动中的能力起伏。 ➢ 过饱和点缺陷:外来作用,如高温淬火、辐 照、冷加工等。
15
3.1
点 5. 点缺陷的运动:迁移、复合-浓度降低;聚集
需的能量,叫空位移动能Em。自扩散激活能 相当于空位形成能与移动能的总和。
17
3.1
6. 点缺陷与材料行为

缺 (1)结构变化:晶格畸变(如空位引起晶格收

缩,间隙原子引起晶格膨胀,置换原子可引
起收缩或膨胀。);形成其他晶体缺陷(如
过饱和的空位可集中形成内部的空洞,集中
一片的塌陷形成位错。)
(2)性能变化:物理性能:如电阻率增大,密 度减小。力学性能:屈服强度提高(间隙原 子和异类原子的存在会增加位错的运动阻 力。)加快原子的扩散迁移
位错运动导致晶体滑移的方向;该矢量的模|b|表示
了畸变的程度,即位错强度。
② 柏氏矢量的守恒性:柏氏矢量与回路起点及其具体途 径无关。一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化 (直线、曲折线或闭合的环状),也不管位错线上各 处的位错类型是否相同,其各部位的柏氏矢量都相同; 而且当位错在晶体中运动或者改变方向时,其柏氏矢 量不变,即一根位错线具有唯一的柏氏矢量。

材料科学基础第三章 晶体缺陷

材料科学基础第三章 晶体缺陷

贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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晶体缺陷【材料科学基础】

晶体缺陷【材料科学基础】

14
大角度晶界
¾ ¾ 9 9
大角度晶界的结构较复杂,其中原子排列较不规则。 有关大角度晶界的结构,人们曾提出许多模型: 早期:认为晶界是由一层很薄(几个原子间距)的非晶 质组成。 后来: 过渡结构模型:晶界原子分布同时受两相邻晶粒位向的 影响,处于折中位置。 小岛结构模型:晶界中的一部分原子与其相邻两边界的 点阵匹配排列,成为好区;有的部分(岛屿)原子排列 较混乱,成为坏区。好区与坏区交替相间组成晶界。

相界能低(畸变非常小)。
36
半共格相界
定义:两相结构相近而原子 间距相差较大,在相界面上 出现了一些刃位错。(界面 上两相原子部分匹配) 相界能较高(有畸变)。相 界面上的原子共格关系主要 通过一组刃位错调整和维持。

37

半共格相界上位错间距D取决于相界处两相匹配晶 面的错配度(δ) 。 相界两侧原子的不匹配程度
19
晶界的性质
晶界能:形成单位面积晶界时所增加的能量。 ¾ 小角度晶界的晶界能: 小角度晶界的能量主要来自位错能量(形成位错的 能量和将位错排成有关组态所作的功),而位错密 度又决定于晶粒间的位向差,所以,小角度晶界能 也和位向差有关:

20
可见,小角度晶界的界面能随位向差增加而增大。
21
大角度晶界的晶界能: 9 基本恒定,约在0.25~1.0J/m2范围内,与晶粒 之间的位向差无关。 9 晶界能可以界面张力的形式来表现,且可以通过界 面交角的测定求出它的相对值。三个晶粒相交于一 点,界面张力达到平衡时:
9
界面结构:溶质原子在大角度晶界中偏聚严重。
27
¾ ¾ ¾ ¾ ¾
晶界的其它特性: 晶界的扩散激活能约为晶内的一半,晶界处原子的 扩散速度比在晶内快得多。 随温度升高,保温时间延长,晶界发生迁移,晶粒 要长大,晶界平直化;晶界可能熔化(过烧)。 新相易在晶界处优先形核(晶界能量高,原子活动 能力大)。 晶界具有较低的抗腐蚀能力。 晶界阻碍位错运动,使金属具有较高的塑变抗力。
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够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
图 不同形状的刃型位错
3).滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在 其它面上不能滑移。由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量 互相垂直,因此,由它们所构成的平面只有一个。 4).晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生弹性畸 变,既有切应变,又有正应变。就正刃型位错而言,滑移面 上方点阵受到压应力,下方点阵受到拉应力;负刃型位错与 此相反。 5).在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的 平均能量。但该区只有几个原子间距宽,畸变区是狭长的管 道,所以刃型位错是线缺陷。
2)计算空位浓度
ne 1.4410 Ce exp 23 N 1.3810 773
19
e
13.5 6
1.4 10
即在500℃时,每106个原子中才有1.4个空位。
例2:Nb的晶体结构为bcc,其晶格常 数为0.3294nm, 密度为8.57g/cm3,试求每106Nb中 解:设单个晶胞内空位分数为x, 所含的空位数目。 2(1 x) Ar 3

晶体中的点缺陷(a) 肖特基空位
(b) 弗仑克尔空位
空位的两种类型:
离位原子迁移到晶体的表面上,这样形成的空位通常称为肖
特基缺陷;
可迁移到晶体点阵的间隙中,这样的空位称弗仑克尔缺陷。
§3.1.2 点缺陷的运动及平衡浓度
1.点缺陷的平衡浓度
a.
晶体中点缺陷的存在,一方面造成点阵畸变,使晶
体的内能升高,增大了晶体的热力学不稳定性;另一 方面,由于增大了原子排列的混乱程度,并改变了其 周围原子的振动频率,又使晶体的熵值增大。熵值越 大,晶体便越稳定。
Ev Ev ne N A exp N exp kT kT
19 1.4410 28 8.4910 exp / m 3 1.381023 773
1.2 10 / m
23
3
2.位错的基本类型

位错可分为刃性位错和螺型位错。
图 刃型位错与螺型位错
(1)刃型位错
图 含有刃型位错的晶体
刃型位错的概念:
在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面,犹如插入的
刀刃一样,EF称为刃型位错线。位错线附近区域发生了原子 错排,因此称为“刃型位错” 。 把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错,用 符号“┻”表示,反之为负刃型位错,用“┳”表示。 含有多余半原子面的晶体受压,原子间距小于正常点阵常 数;不含多余半原子面的晶体受张力,原子间距大于正常点 阵常数。 位错在晶体中引起的畸变在位错线中心处最大,随着离位 错中心距离的增大,晶体的畸变逐渐减小 。
点缺陷的存在使晶体体积膨胀,密度减小。
点缺陷引起电阻的增加,这是由于晶体中存在点缺陷
时,对传导电子产生了附加的电子散射,使电阻增大。
空位对金属的许多过程有着影响,特别是对高温下进
行的过程起着重要的作用。
金属的扩散、高温塑性变形的断裂、退火、沉淀、 表面化学热处理、表面氧化、烧结等过程都与空位的
存在和运动有着密切的联系。
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算: 1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为
第一节 点缺陷
§3.1.1 点缺陷的类型及形成
点缺陷的定义
点缺陷:在三维方向上尺寸都很小(远小于晶体或晶粒的
线度)的缺陷。
1.点缺陷的类型
常见的基本点缺陷有空位、间隙原子和置换(杂质)原子。 1.空位:正常结点位置出现的原子或离子的空缺;
2.间隙原子:指原子进入正常格点位置之间的空隙位置; 3. 置换原子:位于晶体点阵位置的异类原子 。
主讲:赵建果
本章要求掌握的主要内容
一.需掌握的概念和术语 1、点缺陷、Schottky空位、Frankel空位、间隙原子、置换 原子 2、线缺陷、刃型位错、螺型位错、混合型位错、伯氏矢量、 位错运动、滑移、(双)交滑移、多滑移、攀移、交割、割 阶、扭折、塞积;位错应力场、应变能、线张力、作用在 位错上的力、位错密度、位错源、位错生成、位错增殖、 位错分解与合成、位错反应、全位错、不全位错、堆垛层 错 3、面缺陷、表面、界面、界面能、晶界、相界 4、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一 般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
第二节 线缺陷



线缺陷就是在两个方向上尺寸很小,在一个方向上尺 寸很大的缺陷。 线缺陷是各种类型的位错。 位错是晶体内部一种有规律的管状畸变区。原子发生 错排的范围,在一个方向上尺寸较大,而另外两个方 向上尺寸较小,是一个直径为3~5个原子间距,长几 百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 最简单的位错是刃型位错和螺型位错。
(2)螺型位错
(a)立体图; (b)顶视图 图 螺型位错的原子组态

螺型位错原子模型及其形成示意
螺型位错的结构特征 无额外的半原子面,原子错排呈轴对称,分右旋和左旋螺 型位错; 位错线一定是直线,与滑移矢量平行,位错线移动方向与 晶体滑移方向垂直; 滑移面不是唯一的,包含螺型位错线的平面都可以作为它 的滑移面; 位错周围点阵也发生弹性畸变,但只有平行于位错线的切 应变而无正应变,即不引起体积的膨胀和收缩; 位错畸变区也是几个原子间距宽度,同样是线位错。
螺型位错与刃型位错的区别
(1)螺型位错中不存在多余半原子面,而是垂直于 位错线的原子平面发生了螺旋状的扭曲。 (2)螺位错线的b与其位错线相平行,而刃位错线的 b与其位错线相互垂直,这是区别螺位错与刃位的主 要依据。 (3)螺型位错可分为左螺型位错和右螺型位错,与 正负刃位错不同,左右螺型位错是不能相互转化的, 不管从哪个方向看,旋转的方向是不会变的。 (4)刃型位错的位错线可以是直线、折线和缺陷而 螺型位错的位错线只能是直线。
n C A exp(Ev / kT ) N n 平衡空位数 N 阵点总数 Ev 每增加一个空位的能量 变化 K 玻尔兹曼常数 A 与振动熵有关的常数
2.点缺陷的运动
点缺陷并非固定不动,而是处在不断改变位置的运动过程
中。
空位周围的原子,由于热振动能量的起伏,有可能获得足
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点 缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点缺陷的
浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺
陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。

空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能 增加为u,所以内能增加 U nu ,故内能增加是线性的。 2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
点缺陷从一个平衡位置到另一个平衡位置的移动,必须 获得足够的能量来克服周围势垒的障碍,故称这一增大 的能量为点缺陷的迁移能 E 。
m
Sm Em 0 Z exp( ) exp( ) kT k
0 为点缺陷周围原子的振动频率
Z 为点缺陷周围原子的配位数
S m 为点缺陷的迁移熵
§3.1.3 点缺陷对性能的影响
图 理想晶体的滑移模型和刃型位错的滑移过程





1939年伯格斯提出用伯氏矢量来表征位错的特性,同 时引入螺型位错。 1947年柯垂耳利用溶质原子与位错的交互作用解释了 低碳钢的屈服现象。 1950年弗兰克与瑞德同时提出了位错增殖机制F—R 位错源。 50年代后,透射电镜直接观测到了晶体中位错的存在、 运动、增殖。 今天,位错理论已经成为塑性变形及强化的理论基础。
8.96×106g/m3)
解:首先确定1m3体积内原子Cu原子总数 (已知Cu的摩尔质量MCu=63.54g/mol, 500 ℃ 下Cu的密度为8.96×106g/m3).
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