集成电路设计基础概论
集成电路CADPPT课件.ppt
算法描述、系统描述 物理域：掩膜单元，标准单元，宏单元，模
块，芯片
集成电路设计
集成电路设计中典型的Y型图 设计域：电路级，逻辑级，寄存器传输级，
算法级，系统级
半定制设计方法
全定制设计方法
（1）电路设计人员首先进行功能设计，得到设 计思路
按电路功能来分 模拟、数字、数模混合
按电路结构 半导体集成电路 混合集成电路（薄膜IC，厚膜IC等）
按器件结构分类 双极型集成电路 MOS集成电路（NMOS，PMOS，CMOS）
IC分类
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 按集成电路规模分类 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI
在Cadence软件中手工绘制集成电路版图
LVS是指从版图中提取出网表，与逻辑/电路设 计得到的网表进行比较，检查两者是否一致。
然后，进行后仿真（post simulation）
全定制设计方法
后仿真 将版图中的参数提取出来后，再进行模拟仿真，
与前仿真对比。
全定制设计方法
（4）集成电路的加工制造 将设计好的版图，通过工艺加工，形成集成电
操作 知识（☆） 理论
思维方式
微电子、电子科学与技术、计算机科学与技术、 通讯、自动控制专业
第三次技术革命 最具有新技术革命代表性的是以微电子技术为 核心的电子信息技术。 计算机、通讯的基础是微电子
微电子技术发展的理论基础是19世纪末到20 世纪30年代期间建立起来的现代物理学
微电子学的特点
微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中 包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成 电路及系统设计、测试等多方面的内容；涉及 了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理 学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机 辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个领 域。
集成电路设计与集成系统专业完全解析
集成电路设计与集成系统专业（本科、学制四年)Integrated Circuit Design & Integrated System一、专业简介集成电路设计和应用是多学科交叉高技术密集的学科，是现代电子信息科技的核心技术，是国家综合实力的重要标志。
“集成电路设计和集成系统”是国家教育部2003年最新设立的本科专业之一。
目前国内外对集成电路设计人才需求旺盛。
本专业主要以培养高层次、应用型、复合型的芯片设计工程人才为目标，为计算机、通信、家电和其它电子信息领域培养既具有系统知识又具有集成电路设计基本知识，同时具有现代集成电路设计理念的新型研究人才和工程技术人员。
二、培养目标和培养范围培养目标：本专业以集成电路设计能力为目标，培养掌握微电子和集成电路基本理论、现代集成电路设计专业基础知识和基本技能，掌握集成电路设计的EDA工具，熟悉电路、计算机、信号处理、通信等相关系统知识，能够满足集成电路设计领域及相关行业工作需求，从事集成电路设计和集成系统的研究、开发和应用。
具有一定创新能力的适应现代化建设和当前急需的高级技术人才。
培养范围：本专业学生将具有以下方面的知识与能力：1、扎实的数理基础和外语能力；2、充实的社会科学知识，在文、史、哲、法、社会和政经等领域有一定的修养；3、模拟、数字电路基本原理与设计的硬件应用能力；4、信息系统的基本理论、原理与设计应用能力；5、计算机和网络的基本原理及软硬件应用能力；6、微电子及半导体器件基本理论知识；7、集成电路基本理论与原理以及集成电路设计与制造基本知识；8、集成电路设计、制造和EDA技术的基本知识与应用能力。
三、就业方向集成电路以及电子整机设计及制造等领域从事科研、教学、科技开发、生产管理和行政管理等工作；继续深造攻读电子信息类学科的硕士学位。
四、主干课程电路分析基础、信号课组、电子线路课组、计算机课组、微电子课组、电磁场与电磁波、电子设计自动化、集成电路分析与设计、集成电路工艺和版图设计、超大规模集成电路设计、VLSI测试技术、数字系统组成原理和设计技术、嵌入式系统设计、VLSI信号处理等。
2017级集成电路设计与集成系统专业培养方案文字稿
杭州电子科技大学2017级集成电路设计与集成系统专业培养方案一、专业名称：集成电路设计与集成系统（Integrated Circuit Design & Integrated System）专业代码：080710T 招生专业大类：电子信息类二、培养目标本专业培养适应经济建设和社会科技发展需要的，具有国际视野、良好的科学素养和职业道德，在集成电路相关领域从事科学研究、工程技术开发、生产管理与行政管理等工作的高素质专门人才。
集成电路设计与集成系统专业期待毕业生五年以后达到以下目标：1）具有良好修养和职业素养，在工作中具有社会责任感、良好的职业道德和敬业精神；2）能运用所学的专业知识和技术，对实际工作中遇到的集成电路设计与集成系统相关问题进行分析，设计技术方案设计并能解决实际工程问题；3）在电子信息相关领域从事产品设计测试、技术研发、项目管理或教学科研工作；4）具有不断学习适应社会发展和行业竞争的能力；5）在团队工作中，能分工合作，具有良好的领导、组织能力。
三、毕业要求本专业学生的毕业要求如下：1）知识：能够将数学、自然科学、专业基础和专业知识用于解决复杂的集成电路工程问题。
2）分析：能够应用数学、自然科学和集成电路科学的基本原理，识别、表达、并通过文献研究分析复杂的集成电路工程问题，以获得有效结论。
3）设计：能够设计针对集成电路复杂工程问题的解决方案，设计满足特定需求的集成电路和系统，并能够在设计环节中体现创新意识，考虑社会、健康、安全、法律、文化以及环境等因素。
4）研究：能够基于科学原理并采用科学方法对集成电路的复杂工程问题进行研究，包括设计实验、分析与解释数据、并通过信息综合得到合理有效的结论。
5）使用现代工具：能够针对集成电路复杂工程问题，开发、选择与使用恰当的加工工艺、仪器设备、仿真软件等资源及工具，包括对集成电路复杂工程问题的预测与模拟，并能够理解其局限性。
6）工程与社会：能够基于集成电路工程相关背景知识进行合理分析，评价集成电路专业工程实践和复杂工程问题解决方案对社会、健康、安全、法律以及文化的影响，并理解应承担的责任。
微电子学概论复习题及答案(详细版)
第一章 绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路3．微电子学的特点是什么？微电子学：电子学的一门分支学科微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。
微电子学中的空间尺度通常是以微米(m, 1m ＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。
微电子学是信息领域的重要基础学科微电子学是一门综合性很强的边缘学科涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等4．列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。
集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
5．用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。
微电子学概论
第一章绪论1.1946年第一台计算机：ENIAC2.1947年12月23日第一个晶体管:巴丁、肖克莱、布拉顿3.集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能4.达默第一个提出集成电路的设想，1958年德克萨斯仪器公司基尔比研制除了第一块集成电路5.集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律6.集成电路按器件结构类型分类：a)双极集成电路：主要由双极晶体管构成a)NPN型双极集成电路b)PNP型双极集成电路b)金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成1.NMOS2.PMOS3.CMOS(互补MOS)c)双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂7.按结构形式的分类：单片集成电路：a)它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路b)在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅，除此之外还有GaAs等混合集成电路：c)厚膜集成电路d)薄膜集成电路8.按电路功能分类：↗数字集成电路(Digital IC)：它是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路↗模拟集成电路(Analog IC)：它是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路✍线性集成电路：又叫做放大集成电路，如运算放大器、电压比较器、跟随器等✍非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路↗数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ：例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等第三章第四章1.集成电路的集成度，功耗延迟积，特征尺寸是描述集成电路性能的几个重要指标2.特征尺寸：指集成电路中半导体器件的最小尺度3.图形转换：光刻：光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机；4.光刻胶：光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变5.正胶：曝光后可溶；负胶：曝光后不可溶；6.几种常见的光刻方法：接触式光刻，接近式曝光，投影式曝光，i.超细线条光刻技术b)甚远紫外线(EUV)c)电子束光刻d)X射线e)离子束光刻7.化学汽相淀积(CVD)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程CVD技术特点：a)具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点b)CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等2单晶硅的化学汽相淀积(外延)：一般地，将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片 二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源c)低温CVD氧化层：低于500℃d)中等温度淀积：500～800℃e)高温淀积：900℃左右多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。
集成电路设计 语言
集成电路设计语言
集成电路设计语言。
集成电路设计语言是指用于描述和设计集成电路的语言，它是电子设计自动化工具中的重要组成部分。
集成电路设计语言可以分为硬件描述语言（HDL）和硬件验证语言（HVL）两大类。
硬件描述语言是一种用于描述数字电路行为的语言，它可以描述数字电路的功能和结构，包括逻辑门、寄存器、计数器等。
常见的硬件描述语言有Verilog和VHDL，它们被广泛应用于数字电路的设计和仿真。
硬件验证语言则是用于验证集成电路设计的语言，它可以描述测试用例、约束和仿真环境。
常见的硬件验证语言有SystemVerilog和e语言，它们可以帮助工程师进行验证和调试，确保设计的正确性和稳定性。
集成电路设计语言的发展使得工程师可以更加高效地进行集成电路设计和验证工作，大大提高了设计的准确性和可靠性。
随着技术的不断进步，集成电路设计语言也在不断演进，为集成电路设计
和验证提供了更加强大和灵活的工具和方法。
总之，集成电路设计语言在当今的集成电路设计领域中扮演着重要的角色，它为工程师提供了强大的工具和方法，帮助他们更好地完成集成电路设计和验证工作，推动了集成电路技术的不断发展和进步。
机械工业出版社【范本模板】
电力系统分析
B0806227
电力系统规划
B0806228
电力系统继电保护 B0806229
电力系统微机保护 B0806230
电力系统自动装置 B0806231
电力系统综合设计 B0806232
电力系统运行与控制 B0806233
电力系统自动化
B0806234
选题名称
微特电机原理及应用
电机设计 电机控制技术
指南号 B0804001 B0804002 B0804003 B0804004 B0804005 B0804006 B0804007 B0804008 B0804009 B0804010 B0804011 B0804012 B0804013 B0804014 B0804015 B0804016
测控技术与仪器
电子信息专业英语
数字图像处理
指南号 B0806501 B0806502
B0806503
B0806504
光电信息工程
选题名称
指南号
应用光学 物理光学 光电子技术基础/光电
子学
B0806509 B0806510
B0806511
光电成像原理与技术 B0806512
17
选题名称 光电检测技术
信息光学
工程光学基础
Photoshop 基础与实例
游戏动画制作
Flash 基础与实例
游戏动画设计与制作
3ds max 基础与实例
动画模型设计
Illustrator 基础与实例
三维动画基础设计基础
CorelDRAW 基础与实例
三维动画基础设计应用
Premiere Pro 基础与实例
三维动画后期特效基础
After Effects 基础与实例
专业介绍,电子信息类_十二大专业介绍
专业介绍,电⼦信息类_⼗⼆⼤专业介绍⼀、电⼦信息类电⼦信息类⼤类专业包括电⼦信息⼯程、通信⼯程、电⼦科学与技术、信息对抗技术、集成电路设计与集成系统、光电信息科学与⼯程、电磁场与⽆线技术、交通运输（民航信息⼯程）、⽣物医学⼯程9个本科专业。
在培养过程中根据学⽣兴趣以及就业形势，再选择不同专业⽅向进⾏培养。
⼆、电⼦信息⼯程培养⽬标电⼦信息⼯程专业主要培养在电⼦⼯程、信息⼯程、电磁场与微波技术、应⽤电⼦技术和计算机通信技术等⽅⾯具有扎实的理论基础，宽⼴的知识⾯，有较强的创新能⼒、科学研究能⼒和⼯程实践能⼒的⾼级⼯程技术⼈才。
主要课程电路分析基础、模拟电⼦技术、数字电⼦技术、信号与系统、通信电路原理、电磁场与微波技术、微机原理与接⼝技术、数字信号处理、数字语⾳处理与编码、数字图像处理、现代电⼦线路设计、嵌⼊式系统、DSP技术及应⽤、软件基础与数据结构、信息论基础、电⼦测量原理等专业基础课和专业课程。
实践训练是本专业的重要特⾊，除常规课程实验模块和课程设计外，还设有多种综合专业实践训练（电⼦⼯程设计、信号与信息处理综合训练、⽹络⾳视频通信实践等）、各种级别的课外专业竞赛和校外实习基地实习。
毕业去向本专业就业前景⼗分⼴阔，毕业⽣可进⼊电⼦信息领域从事科研开发、⼯程设计、⽣产制造、系统运⾏管理和发展⽅向决策等⼯作。
三、电⼦科学与技术(本科类)培养⽬标为电⼦科学与技术专业领域，特别是微电⼦与光电⼦电路、器件、集成电路的设计与制造技术领域培养具有扎实的理论基础，宽⼴的知识⾯，能够⽤系统的观点分析、综合和处理科学技术问题，进⾏科学研究、技术开发和应⽤研究的⾼级⼯程技术⼈才。
主要课程电路理论与应⽤的系列课程、计算机技术系列课程、信号与系统、电磁场理论、数字系统与逻辑设计、数字信号处理、数字通信原理、通信电路与系统、半导体物理、微电⼦器件原理、微电⼦⼯艺原理等。
毕业去向本专业毕业⽣可在国家机关、电信、国防、科研机构、学校、⼯⼚等企事业单位从事电⼦材料与元器件、集成电路和集成电⼦系统线路的研究、设计、制造、运营、开发及设备维护与使⽤等⼯作。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
18
4.3 MESFET工艺与HEMT工艺
MESFET是第一代GaAs晶体管 类型和工 艺标识，是 GaAs 单片集成电路技术的基 础，现在是 GaAs VLSI 的主导工艺。
HEMT工艺是最先进的GaAs集成电路工艺。 MESFET和HEMT两者的工作原理和工艺
7
双极型集成电路基本制造工艺步骤
（1）衬底选择 对于典型的PN结隔离双极集成电路，
衬底一般选用 P型硅。芯片剖面如图。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
8
双极型集成电路基本制造工艺步骤
（2）第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻 一般来讲，由于双极型集成电路中各
元器件均从上表面实现互连，所以为了减
2019/9/10
《集成电路设计基础》
2
本次课内容
第4章 集成电路特定工艺
4.1 引言 4.2 双极型集成电路的基本制造工艺 4.3 MESFET工艺与HEMT工艺 4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺
2019/9/10
《集成电路设计基础》
3
4.1 引言
2019/9/10
《集成电路设计基础》
22
MESFET工艺
（2）由于肖特基势垒的耗尽区延伸进入有源层， 使得沟道的厚度变薄。根据零偏压情况下沟道夹 断的状况，可形成两种类型的MESFET：增强型 和耗尽型。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
16
双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（7） 第五次光刻——引线接触孔光刻 此次光刻的掩模版图形如图所示。2Fra bibliotek19/9/10
《集成电路设计基础》
17
双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（8）第六次光刻——金属化内连线光刻 反刻铝形成金属化内连线后的芯片复合图及剖面图如图。
制造基础基本相同。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
19
MESFET工艺
下图将示出GaAs MESFET的基本结构。 在半绝缘 (Semi-isolating，s.i.)GaAs衬底 上的N型GaAs 薄层为有源层。这一层 可 以 采 用 液 相 外 延 (LPE) 、 汽 相 外 延 (VPE)或分子束外延(MBE)三种外延方 法沉积形成，也可以通过离子注入形 成。
硅HBT工艺和BiCMOS工艺，SOI材料的CMOS 工 艺 ， GaAs 基 /InP 基 的 MESFET 工 艺 、 HEMT 工艺和HBT工艺等。目前应用最广泛的特定工 艺是CMOS工艺。在CMOS工艺中，又可细分 为DRAM工艺、逻辑工艺、模拟数字混合集成 工艺，RFIC工艺等。
2019/9/10
少寄生的集电极串联电阻效应，在制作
元器件的外延层和衬底之间需要作N+隐 埋层。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
9
第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
从上表面引出第一次光刻的掩模版图形 及隐埋层扩散后的芯片剖面见图。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
10
双极型集成电路基本制造工艺步骤
（3）外延层淀积 外延层淀积时应该考虑的设计参数主要有：
剖面图如图所示。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
14
双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（6）第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
此次光刻还包括集电极、N型电阻 的接触孔和外延层的反偏孔。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
15
第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
N+发射区扩散孔的掩模图形及N+发射区 扩散后的芯片剖面图如图所示。
《集成电路设计基础》
NMOS
PMOS
纵向NPN EB C
N+ N+ P－-epi P+- SUB
P+ P+ N阱
N+- BL
N+
N+
P N阱
N+- BL
山东大学 信息学院
刘志军
上次课内容
第3章 集成电路工艺简介 3.1 引言 3.2 外延生长工艺 3.3 掩模的制版工艺 3.4 光刻工艺 3.5 掺杂工艺 3.6 绝缘层形成工艺 3.7 金属层形成工艺
《集成电路设计基础》
5
4.2 双极型集成电路的基本制造工艺
在双极型集成电路的基本制造工艺中， 要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺 流程图如下图所示。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
6
典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
2019/9/10
《集成电路设计基础》
2019/9/10
《集成电路设计基础》
20
MESFET工艺
Source Metallization
Gate
Metallization
Gatelength Channel
Drain Metallization Epitaxial Active Layer
S.i. GaAs Substrate
2019/9/10
外延层电阻率ρ epi和外延层厚度Tepi。外延
层淀积后的芯片剖面如图。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
11
双极型集成电路基本制造工艺步骤
（4）第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许
多孤立的外延层岛，以实现各元件间的 电隔离。
目前最常用的隔离方法是反偏PN结隔 离。一般P型衬底接最负电位，以使隔离 结处于反偏，达到各岛间电隔离的目的。
所谓 特定工艺，常常是指以一种 材料为衬底、一种或几种类型的晶体 管为主要的有源器件；辅以一定类型 的无源器件；以特定的简单电路为基 本单元；形成应用于一个或多个领域 中各种电路和系统的工艺。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
4
特定工艺
这些特定工艺包括： 硅基的双极型工艺、CMOS、BiCMOS、锗
2019/9/10
《集成电路设计基础》
12
第 二 次 光 刻 ——P+ 隔 离 扩 散 孔 光 刻
隔离扩散孔的掩模版图形及隔离扩散后的 芯片剖面图如图所示。
2019/9/10
《集成电路设计基础》
13
双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（5）第三次光刻——P型基区扩散孔光刻
基区扩散孔的掩模版图形及基区扩散后的芯片
《集成电路设计基础》
21
MESFET工艺
（1）有源层上面两侧的金属层通常是金 锗合金, 通过沉积形成, 与有源层形成 源极和漏极的欧姆接触。这两个接触区 之间的区域定义出有源器件, 即MESFET 的电流沟道。MESFET通常具有对称的源 漏结构。沟道中间区域上的金属层通常 是金或合金, 与有源层形成栅极的肖特 基接触。