三星的nand flash的命名规则

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nand flash 分bin标准

NAND Flash分bin标准主要依据芯片的规格、性能和可靠性等指标进行分类。

以下是一些常见的NAND Flash分bin标准：
1.速度等级：根据NAND Flash芯片的读写速度进行分类。

例如，根据不同的工作频率或数据传
输速率，可以将芯片分为低速、中速和高速等不同等级。

2.容量等级：根据NAND Flash芯片的存储容量进行分类。

例如，根据不同的存储单元密度，可
以将芯片分为小容量、中容量和大容量等不同等级。

3.可靠性等级：根据NAND Flash芯片的寿命、数据保持能力、耐擦写次数等可靠性指标进行分
类。

例如，根据不同的质量标准或工作温度条件，可以将芯片分为普通级、工业级和汽车级等不同等级。

4.应用场景：根据NAND Flash芯片的应用场景进行分类。

例如，根据不同的使用环境、工作温
度范围、数据安全性要求等，可以将芯片分为消费级、工业级、汽车级和航空级等不同等级。

不同的分bin标准可能由不同的厂商或组织制定，因此具体的分bin标准和规格可能会有所不同。

在选择NAND Flash芯片时，需要根据实际需求和应用场景选择符合相应分bin标准的芯片。

闪存颗粒命名规则

闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。

2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。

第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。

5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。

封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。

6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。

内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。

请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。

内存芯片型号

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

闪存简介

K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)
K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）
K4×××××：DRAM
K3×××××：Mask Rom
K2×××××：FRAM
K1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)
HY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIX
HY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIX
HY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
HY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
HY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIX
第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8. 16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8
通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了
编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns速度，单颗容量 128MB。工作电压2.4～2.9V。
Hynix HY27UH088G2M 1G y
Hynix HY27UH088GDM 1G n
Hynix HY27UH08AG5M 2G n
Hynix HY27UH08AGDM 2G n
Hynix HY27UF084G2M 512M y
Hynix HY27UG088G5M 1GB n
* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)

三星电容命名规则

规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。

三星内存编号命名揭秘

三星内存编号命名揭秘!三星内存编号揭秘（一）三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。

请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。

下面，就给大家分别解释。

首先来解释一下四段号码的大概含义。

A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。

B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。

例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。

如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。

C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。

该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。

其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。

D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。

该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。

其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。

这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。

E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。

该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。

其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。

三星固态颗粒命名规则

三星固态颗粒命名规则
根据我所了解，三星固态颗粒的命名规则通常遵循以下几个方面：
1. 产品系列和型号：三星固态颗粒通常具有不同的产品系列，比如860系列、970系列等。

每个产品系列又会有不同的型号，例如860 EVO、860 PRO等。

型号通常与产品的性能和特点相关。

2. 存储容量：固态颗粒的存储容量通常以单位为GB（千字节），TB（兆字节）或者GB（吉字节）表示。

常见的存储容量有250GB、500GB、1TB等。

3. 接口类型：固态颗粒的接口类型通常有SATA、PCIe、NVMe等。

接口类型决定了固态颗粒的数据传输速度和连接方式。

综上所述，三星固态颗粒的命名通常包括产品系列、型号、存储容量和接口类型等相关信息。

请注意，以上仅为一般规则，具体命名可能还会根据产品的特殊情况而有所变动。

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三星的pure nand flash的命名规则如下：
K 9 ×××××××× - ××××
×××
1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density
12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE
6~7. organization
00 : NONE
08 : x8
16 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V
R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)
T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V
V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. "─"
12. Package
A : COB
B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free)
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free)
J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217)
L : LGA
M : TLGA
N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R
S : SMART MEDIA
T : TSOP2
U : COB (MMC)
V : WSOP
W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial
I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
3 : Wafer Level 3
14. Bad Block
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing
Separately)
17~18. Customer "Customer List Reference"。