固体物理第四章_晶体的缺陷汇编
研究生固体物理 第四章 晶体中的缺陷和扩散

所需的能量。 由于u1 < u2 ,uf ,所以,在一般情况下,空位是晶
体中主要的热缺陷。
二、热缺陷的运动 1. 空位的运动
E1 E1:空位运动所需越过的势垒
空位运动的频率:
E1 1 10 exp k BT
E 1 0 exp 3 k BT
q a sh 2k BT
离子向右运动的漂移速度
E 1 v d 0 a exp 3 k BT
弱场条件,即
q a sh 2k BT
q a sh 2k BT q a 2k BT
Q lnD(T ) lnD0 RT
Q tg R
lnD
0 1/T
Q Rtg
二、扩散的微观机制 d 圆柱体高:d d 底面面积:dS=1
1
> 2
由面1向面2流动的净原子流密度:
1 1 2 1 n1 n2 d 1 d 2 dn ja 6 6 6 dx
以正填隙离子为例 设其电荷为q,外电场:
U(x)
i
x qa/2
离子在电场中受的力:F=q,
附加电势能:U(x)=-qx
0
离子运动需越过的势垒:
向左: E 1 q a 2 向右: E 1 q a 2 a E
向右 离子越过势垒的频率
E 1 q a 2 1 exp 6 0 k BT
1: 空位越过势垒向邻近位置运动的频率 10:空位试图越过势垒的频率(原子振动频率)
或
E1 1 10 exp k BT
晶体缺陷

图5.6金属单晶体拉伸后的实物照片
图5.7 滑移带形成示意图
4.2.1.2 滑移系(slip system)
4.2.1.3 滑移的临界分切应力
图5.8 计算分切应力的分析图
图5.9 镁晶体拉伸的屈服应力 与晶体取向的关系
表5.4 一些金属发生滑移的临界分切应力
4.2.2 位错理论的产生
4.2.2.1 理论切变强度(Theoretical Shear Strength)的估算
(3.7)
C’=n’/N’=A’exp(-△E’v/kT)
N’为晶体中间隙位置总数 n’为间隙原子数 △E’v为间隙原子的形成能 点缺陷平衡浓度的影响因素: △Ev
(3.8)
T
离子晶体点缺陷的形成能≫ △E’v > △Ev
3.1.2 点缺陷的运动 点缺陷 形成 点缺陷
例如
金属晶体的电阻增加,体积膨胀,密度减小 离子晶体的导电性改善 过饱和点缺陷(淬火空位,辐照缺陷)可提高金属的屈服强度
4.2.2.1 位错概念的引入
根据塑性变形的晶体学性、不均匀性和滑移行为是逐渐扩展等特 点,人们设想在晶体中会存在某些缺陷,这些缺陷可以使形变过 程在局部地方发生、扩展,而不需要2个晶面作整体的相对刚性滑 动,这样就有可能降低晶体滑移所需要的力。
为了符合塑性形变的特点,这些缺陷至少必需满足如下3个条件:
电荷缺陷
Vch并发缺陷——空位进入到正离子空位上 Fch并发缺陷——某电子受激活而逸出,脱离原 子核束缚变成载流子进入到负离子的空位上, 在它原来位置上留下空位(正孔)
这种缺陷常在卤化碱晶体中出现,对其导电性有明显的 影响。因为失去电子的位置就留下了电子空穴,得到电 子的位置就使之负电量增加,从而造成晶体内电场的改 变,引起周围势失
固体物理第四章_晶体的缺陷

习题测试1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理2论值小,是何原因?4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?5.金属淬火后为什么变硬?6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?12.一个空位花费多长时间才被复合掉?13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?17.离子晶体的导电机构有几种?习题解答1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X射线衍射测定的晶格常数相对变化量, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式>.溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl2论值小,是何原因?[解答]由于离子的半径(0.99)比离子的半径(1.33)小得不是太多, 所以离子难以进入KCl晶体的间隙位置, 而只能取代占据离子的位置. 但比高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据离子的一个将引起相邻的一个变成空位. 也就是说, 加入的CaCl越多, 空位就越多. 又因为的原子量(40.08)与的2溶液引起空位, 将导致KCl 原子量(39.102)相近, 所以在KCl溶液中加入适量的CaCl2晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为, 则由(4.47)矢可得,,,.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即<,<. 由问题1.已知, 所以有<, <. 另外, 由于和的离子半径不同, 质量不同, 所以一般, .也就是说, 一般. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数,空位机构自扩散系数.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, <,<, 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是, 平均来说, 填隙原子要跳步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间.由以上两式得>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时, 它才扩散一步, 所需等待的时间是. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率, 晶体结构(晶格常数), 激活能()三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间后变成填隙原子, 又平均花费时间后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间.因为>>,所以填隙原子自扩散系数近似反比于. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷,这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. 离子晶体中有4种缺陷: 填隙离子, 填隙离子, 空位, 空位. 也就是说, 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. 离子晶体中, 空位附近都是负离子, 空位附近都是正离子. 由此可知,空位的移动实际是负离子的移动, 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, 填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向一致, 而填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向相反.。
第四章 固体物理-晶体缺陷

点缺陷
• Frenkel 缺陷 、Schottky缺陷、填隙原子缺陷 成对出现 只有空位 只有填隙原子
线缺陷
刃位错:刃位错的构成象似一把刀劈柴似的,把半个原子面夹到完整晶体中,这半 个面似刀刃,因而得名。它的特点是:原子只在刃部的一排原子是错排的,位错线 垂直于滑移方向。
F H A’
b
刃位错
A
B
有N个原子的体系,如果有n1个空位,每个原子旁有 空位的几率为n1/N,因此因空位引起的单位时间内的 原子迁移几率为(扩散率):q = n1q’/N。将(4.6) 和(4.4)代入有:
q n 01e
(u1 E1 ) / kT
( 4.15 )
将(4.15)代入(4.9)有:
1 2 (u1 E1 ) / kT D1 n 01e 6 即 D1 D01e Q1 / kT
( 4.16 ) ( 4.17 )
1 2 D01 n 01, Q1 N ( ), A u1 E1 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
二、填隙原子机制
当原子由正常位置进入间隙位置之后,可以比较容易在 两个间隙中发生移动,从而产生扩散。
从正常位置跳入间隙位置的所需能量为u2,跳入几率为:
B’
E
螺位错:当晶体中存在螺位错时,原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯 。它的特点是:原子只在靠近阶梯的部分排错一列原子,位错线和位移方向平行。
A’
螺位错
A B
A’
b
A’
B
A
C
面位错 晶界和堆垛层错
§4.2 热缺陷数目的统计方法
热缺陷是处在不断产生、不断运动和不断复合的热运动 平衡过程中。
固体物理-第4章-晶体中的缺陷和扩散-4

(成对出现)
4、杂质原子 在材料制备中,有控制地在晶体中引入杂质原子
A、杂质原子取代基质原子而占据格点位置,称替代式杂质。
(二者相接近或前者大一些)
B、杂质原子占据格点间的间隙位置,称填隙式杂质。
(杂质原子比基质原子小)
点缺陷的运动 1、空位的运动
空位运动势场示意图
原子结合成晶体的源动力:原子间的吸引力. 理想晶体的生长
问题4:当初如何提出位错概念?位错滑移如何理解?
Ax A d
a
x a 2
xa 2
弹性形变
范性形变 原子不能回到原来位置,易到A
即发生滑移
Ax A
d a
?有问题
最初认为: 滑移是相邻两晶面整体的相对刚性滑移
则可计算:使其滑移的最小切应力: c
第四章 晶体中的缺陷和扩散
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体不存在
缺陷举例: 如晶体表面、晶粒间界、人为掺杂等
如金刚石
空位
点缺陷 填隙原子 (0维)
杂质原子
刃位错
线缺陷
晶体缺陷的基本类型 (1维)
(按维度或尺寸分类)
螺位错
大角晶界
晶粒间界
面缺陷
小角晶界
(2维) 堆垛间界(层错)
问题1:点缺陷的定义、分类、运动及其对晶体性能影响?
若某一晶面A丢失,则原子面排列: ABCABCBCABC………..
问题7:一定温度下,系统达统计平衡时,
热缺陷(空位.间隙原子)数目?
热力学平衡条件
平衡状态下晶体内的热缺陷数目
系统自由能F U TS 最小
F n T
0
热缺陷的数目
1、肖脱基缺陷(或空位)浓度
固体物理 第四章 晶体中的缺陷

实际 理论
位错滑移
原因:存在于晶体内部的位错极大地降低了产生滑 移所需的临界应力. 一部分原子先运动 其它原子相继运动
(形成位错)
晶体沿滑移面的整体滑移
二、刃位错(棱位错)的滑移
位错线附近原子结构已有明显畸变,使原子处于不稳 定状态,施加较小的切变力 ,畸变后的原子将在滑 τ 移面上平行于切变力方向移动;当位错线移出,在晶 体表面形成一个原子台阶。
3、堆积层错
就是指正常堆垛顺序中引入不正常顺序堆 垛的原子面而产生的一类面缺陷。
抽出型层错
插入型层错
3)杂质缺陷
由外加杂质的引入所产生的缺陷,亦称为组成缺陷。 杂质缺陷的浓度与温度无关。 为了有目的地改善器件性能,人为地引入杂质原子。 例如: 硅半导体中:
掺入一个硼原子 105 个硅原子 电导率增加 103倍
红宝石激光器中:
刚玉晶体 Al2O3 形成发光中心 铬离子 Cr
4) 由于形成点缺陷需向晶体提供附加的能量,因而引起附加 比热容。
5) 点缺陷还影响其它物理性质:如扩散系数、内耗、介电常 数等。
§4.2 空位、填隙原子的运动和统计计算 一、空位、填隙原子的运动 空位和填隙原子的跳跃依靠热涨落,与温度紧密相关。 以填隙原子为例说明。 势 能 势能ε约为几个eV
掺入微量
3、点缺陷对材料性能的一般影响
原因:无论哪种点缺陷的存在,都会使其附近的原子稍微 偏离原结点位置才能平衡,即造成小区域的晶格畸变。
效果:
1) 改变材料的电阻 电阻来源于离子对传导电子的散射。在完 整晶体中,电子基本上是在均匀电场中运动,而在有缺陷 的晶体中,在缺陷区点阵的周期性被破坏,电场急剧变化, 因而对电子产生强烈散射,导致晶体的电阻率增大。 2) 加快原子的扩散迁移 空位可作为原子运动的周转站。 3) 形成其他晶体缺陷 过饱和的空位可集中形成内部的空洞,集 中一片的塌陷形成位错。
固体物理4章晶体缺陷

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二、色心
定义:色心是一种非化学计量比引起的空位缺陷。 特征:该空位能够吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色,因而称
它们为色心,最简单的色心是F心(来自德语”Farbe”,颜色)。
F心:是离子晶体中的一个负离子空位束缚一个电子构成的点缺陷。 形成过程:是碱卤晶体在相应的过量碱金属蒸汽中加热,例如:
NaCl晶体在Na蒸汽中加热后呈黄色;KCl晶体在K蒸汽中加热后呈紫 色;LiF在Li蒸汽中加热后呈粉红色。
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F心的着色原理:在于加热过程中过量的碱金属原子进入晶体占据碱
金属格点位置。晶体为保持电中性,会产生相应数目的负离子空位。同时 ,处于格点的碱金属原子被电离,失去的电子被带正电的负离子空位所束 缚,从而在空位附近形成F心,如图4-3,F心可以看成是束缚在负离子空 位处的一种“电子陷阱”。
V心:与F心相对的色心,又称空穴色心பைடு நூலகம்是离子晶体的负电中心束缚
一个带正电的“空穴”所组成的点缺陷。
形成过程:当碱卤晶体在过量的卤素蒸汽中加热后,由于大量的卤素
进入晶体,为保持电中性,在晶体中出现了正离子空位,形成负电中心。 这种负电中心可以束缚一个带正电的“空穴”所组成的体系称为V心。
V心和F心在结构上是碱卤晶体中两种最简单的缺陷。在有色心存在的晶 体中,A、B两种元素的比例已偏离严格的化学计量比。所以色心也是一 种非化学计量引起的缺陷。
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点缺陷类型示意图
(a)Frenkel缺陷; (b) Schottky缺陷; (c)反Schottky缺陷
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(4)空位的形成能
固体物理-第四章

➢晶体缺陷的主要类型
➢电子缺陷
✓ 碱卤晶体中的电子缺陷(色心)
极化子
点
晶格畸变的范围接近于晶格常数尺度的称之为小极化子,
缺 晶格畸变的范围如果较大(线度为晶格常数的许多倍),这
陷 时的极化子为大极化子。能够作为点缺陷来讨论的只能是小
极化子。极化子的模型可使我们对于晶体电阻率随温度变化
的函数关系作更为深刻的阐述。晶体的电阻率实际上不仅仅
是由于晶格振动对电子的作用,而是晶格振动对极化子作用
的结果。
➢晶体缺陷的主要类型
缺
类
陷 的
分
点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷
➢晶体缺陷的主要类型
线缺陷(一维缺陷)
➢ 位错线
当晶格的周期性的破坏是发生在晶体内部一条线的周围近邻,这
线 就称为线缺陷。位错就是典型的线缺陷,在这条线的附近,原子的排 缺 列偏离了严格的周期性,好像原子所处的位置有了错误似的,这条线 陷 叫做位错线。
Ga-Si ;③ 红宝石: Al2O3(刚玉晶体)掺Cr2O3形成, Cr3+-Al3+
➢晶体缺陷的主要类型
➢电子缺陷
电子缺陷:在固体晶格中,由于本征点缺陷或杂质点缺陷
点 缺
的存在,晶格的周期性势场局部地受到破坏,在这 些局部地区,电子的能态同晶体中其它部分的能态 有所不同,将这类缺陷统称为电子缺陷。
陷
➢晶体缺陷的主要类型
✓ 小角晶界
┻
┻
可以看成为一些刃型位错的排列。
┻
面
如一个简单立方的晶体,它的两部分的交界面(010)面,
缺 这两部分绕[001] 轴有一小角θ的倾斜,如图所示,纸面代表
陷 (001)面,那么,在θ角以外的左右两部分 ,都是完整的
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1、弗仑克尔(Frenkel)缺陷
由一个正常原子同时产生一个填隙原子和一个空位 的缺陷。正常格点上的原子,无时无刻不在作围绕 平衡点的振动。由于存在热振动的涨落,振幅大的 原子就会摆脱平衡位置而进入原子间隙位置。 弗仑克尔缺陷是成 对产生的。空位和 填隙原子是原子热 运动引起的,又称 为热缺陷。
4
§4.1 晶体缺陷的基本类型
本章主要讨论单晶的缺陷:多晶体是由许多小晶粒 构成,每个晶粒可看成是小单晶。晶粒间界不仅原 子排列混乱,而且是杂质聚集的地方。因此晶粒间 界是一种性质复杂的晶体缺陷。
一、点缺陷
晶体中的填隙原子、空位、俘获电子的空位、杂质 原子等。这些缺陷约占一个原子尺寸,引起晶格周 期性在一到几个原胞范围内发生紊乱。
C B
A
D
肖特基缺陷
最表面上的原子就位移到一个新的位置。晶体内这 种不伴随填隙原子产生的空位,称作肖特基缺陷。
7
(1)肖特基缺陷数目越多,晶体的质量密度越小
由于肖特基缺陷产生时,伴随表面原子的增多,空 位增多。
(2)温度不太高时,肖特基缺陷数目比弗仑克尔 缺陷大得多 形成填隙原子时,原子挤入间隙位置所需的能量 比产生肖特基空位所需能量要大。
小角晶界 的刃位错
实际晶体的小角 倾斜现象可以看 成是由一系列刃 位错排列造成的
17
2、螺位错
螺位错 线
把晶体沿ABCD面切开到 BC线,使切开两部分晶体 相对滑移一个晶格,然后 粘牢。 经过滑移,除了BC线附近 的部分原子,其它绝大部 分原子基本保持原正常晶 格的排列。称BC原子链
为螺位错。
18
注意:(1)BC线附近 其它原子的位错可能比 BC原子链的位错大, 但BC是错位和未错位 的分界线。 (2)存在螺位错时, 原来与BC垂直的晶面, 由于滑移面两边晶面的 相对位移、变成螺旋梯 形式的结构。
8
3、替位式杂质原子 在晶体生长、半导体材料及电子陶瓷材料制备, 常常有目的加入少量杂质原子,使其形成替位式 杂质。 在Pb(ZrxTi1-x)O3铁电陶瓷中加入La、Nd、Bi 等“软性”物质,这些原子占据Pb的位置,提高 该铁电材料的介电常数,降低其机械品质因数Qm
(mechanical quanlity factor):压电振子在谐振时储存的 机械能与在一个周期内损耗的机械能之比。
2
扩散的宏观规律和微观机理:
(1)在平衡时,热缺陷的数目是一定的。点缺陷 是原子热运动造成的,缺陷的扩散不仅受晶格周 期性的约束,还会发生复合的现象。产生与复合 平衡。
(3)杂质原子扩散系数比晶体原子自扩散系数大。
(3)离子沿外场方向的扩散构成了离子晶体导电。
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本章主要内容
4.1 缺陷的基本类型 4.2 位错缺陷的性质 4.3 热缺陷的统计理论 4.4 缺陷的扩散 4.5 离子晶体的热缺陷在外场 中的迁移
刃位错
A
未滑动的晶面
EC
F
B
滑动前的晶格
D
刃位错的晶格
刃位错: F原子链。ຫໍສະໝຸດ EF是晶体的挤压区与未挤压区的分界线:
F以下原子间距变大,原子间有较强吸引力;
F的左右晶格被挤压,原子间的排斥力增大。
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例:实际晶体的小角倾斜 晶体由倾斜角很小的两部分晶体结合而成。为了使 结合部的原子尽可能地规则排列,就得每隔一定距 离多生长出一层原子面,这些多生长出来的半截原 子面的顶端原子链就是刃错位。
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莫罗关系(λ∝ a2) F心的空位也可看成电子的陷阱。势阱宽度取离 子尺寸,设晶格常数为a,陷阱宽度为a/2。该束 缚电子的能量为:
En
m为电子质量,n为整数
2 2 n 2
a 2 2 m( ) 2
2 2 n 2
2ma 2
n=1 n=2
基态 第一激发态
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电子从基态跃迁到第一激发态需吸收的能量
弗仑克尔缺陷
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空位
填隙原 子
2、肖特基(Schottky)缺陷
某格点上的原子,由于热振动 的涨落,某时刻它的振幅变得 很大,会将最近邻原子挤跑, 自己占据这一最近邻格点,在 它原来的位置留下一个空位。 由于该原子把能量传递给了挤 跑的原子,挤跑的原子也能将 下一个原子挤跑,…。
表面上 的原子
正常原子格 点位置变为 空位
En
2 2 n 2
2ma 2
3 2ma 2
2
2
为吸收光子的角频率
吸收光的波长与晶格常数平方成正比。 离子尺寸越小 ,F心吸收光的波长就越短; 反之,越长。
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F心吸收能量峰Ef (eV)的实验值 F
Li Na K Rb Cs 4.94 4.60 2.79 2.34 1.84
第四章 晶体的缺陷
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体是不 存在的,实际晶体中或多或少都存在缺陷。
晶体缺陷:点、线和面缺陷(几何形态)。 晶体缺陷对于晶体的各种性质产生十分重要的 作用。特别是,一般晶体中都存在着微观缺陷, 它们可以决定性地影响晶体的基本性质。
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缺陷对晶体性质的影响: 金属延展性的大小 晶体生长的快慢 扩散与缺陷:在较高温度时,原子通过“扩散” 的方式在晶体中移动。在固态中,结构或成份等 物理和化学变化往往都是通过扩散进行的,因此, 扩散现象有很重要的意义。而扩散过程与晶体的 微观缺陷有密切的联系。
添加Fe、Co、Mn等“硬性”添加物后,这些 原子占据Zr或Ti的格点,显著提高该铁电材料的 机械品质因数。
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4、色心 能吸收光的点缺陷
完善的卤化碱晶体是无色透明的。众多的 色心缺陷能使晶体呈现一定的颜色。
例如:F心,把卤化碱晶体在相应的碱金 属蒸气中加热,然后骤冷到室温,则原来透明 的晶体就出现了颜色。
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Cl
3.16 2.66 2.20 1.97
Br
2.68 2.26 1.97 1.76
I
2.01 1.78 1.70
二 、线缺陷
沿一平面,晶体的一部分相对于另一部分发 生滑移时,在滑移部分与未滑移部分的交界处, 晶格容易发生错位,这种缺陷称为位错。 典型的位错有两种:刃位错、螺位错
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1、刃位错
NaCl:黄色;KCl:紫色;LiF:粉红色。
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F心就是一个卤素负离子空位加上一个束缚电子
Excited state (2p) h F absorption Ground state (1s)
卤化碱晶体在相应的碱金属蒸气中加热冷却过 程中,碱金属扩散进入晶体,并以+1价离子占 据正常晶格位置,晶格中出现负离子空位。于 是原来在碱金属原子的一个电子被带正电负离 子空位俘获而束缚在它周围。 其电子能级可粗略采用类氢离子模型处理: 1s2p。