晶体生长理论部分优秀课件
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【精品】南京大学-晶体生长课件-Chapter 1-绪论ppt课件

体的特征
晶体的概念
晶体— 晶体(Crystal)是指内部质点(原子、离子或分子)在三维空
间周期性地重复排列构成的固体物质。这种质点在三维空间周期性地重 复排列也称格子构造,所以,晶体就是具有格子构造的固体。 X射线衍 射结构表明:晶体内部的原子、离子在三维空间周期性地重复排列。这 就找到了晶体的本质特性。
如何理解?
格子构造(=空间点阵)是什么? (next…)
是固体, 而非液体或气体
即晶体内部的质点排列具有周期性(长程有序, long-range order); 在原子近邻具有的周期性,叫短程有序(shortrange order), 液体具有短程有序;气体既无长程,也无 短程有序。
金刚石的晶体结构 周期性排列示意图 KBe2BO3F2(KBBF) 晶体的表面周期性
金刚石三维周期性示意图
氯化钠的晶格结构
氯化钠三维周期性
氯化钠周期性结构
晶体与非晶体的区别:
自然界中的固体物质可以分为晶体和非晶体两大类。 其中,晶体是指那些内部质点(原子、离子或分子)在三维 空间周期性地重复排列构成的固体物质。 与此相反,内 部质点在三维空间无规律地排列的固体物质为非晶体或 非晶态(Non-crystal)。
玻璃、松香、沥青、橡胶、塑料等都是非晶体,它们 没有规则的几何形状,虽然我们可以通过加工而使其具 有某种规则的外形。非晶体的各种物理性质,在各个方 向上都是相同的,即各向同性。非晶体没有固定的熔点 ,在熔化过程中,随着温度的升高,它首先变软,然后 逐渐由稠变稀,经历一个软化过程。这些特征和晶体是 不同的。
,顾名思义,就是大自然亿万年而天然形成的晶体。这些天 然晶体有红宝石、蓝宝石等珍贵的宝石,也有食盐、石英等 常见的晶体,也有黄铁矿、磁铁矿、菱锰矿、金红石等矿物 晶体,普普通通的砂石泥土等常见的物质,以及金属、雪花 、牙齿骨骼、多种生物组织等都是晶体。
南京大学-晶体生长课件-Chapter 6-晶体生长理论

第六章 晶体生长理论模型
§6.1. 晶体生长理论简介
1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno) 发表了《论固体中自然含有的固体》,自此以来,开始了 晶体生长理论探索的篇章。经过各国科学家的精心研究,晶体生长理论已经有了长足的发展, 出现了各种各样的不同理论及模型。如晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论和负离子 配位多面体生长基元模型4个阶段,目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现代晶体 生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响,使人们越来越接近于揭开晶体生长的神 秘面纱。
从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型,晶体生长理论在不断地发展并趋 于完善,主要体现在以下几个方面:从宏观到微观,从经验统计分析到定性预测,从考虑晶体 相到考虑环境相,从考虑单一的晶体相到考虑晶体相和环境相。晶体生长的定量化,并综合考 虑晶体和环境相,以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向。
(1)布拉维法则:法国晶体学家A.Bravais于1850年利用群论推导出具有一定对称性的空间点阵 只有14种,分属于7大晶系;1866年,Bravais又论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系, 提出实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维法则阐明了晶 面发育的基本规,但是它只能预测同种晶体的一种形态, 即晶体的理想生长形态, 无法解释同种晶体 在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。布拉维法法则只给出了晶体内部结构与生长 形态之间的关系, 完全忽略了生长条件对生长形态的作用。
该定律给出了晶体生长形态具体求解方法虽然, 运动学理论能够通过定量计算给出晶体的生 长形态但有一个重要的假设, 即某一生长系统中驱动力场是均匀的这实质上忽视了环境相和生长 条件对晶体生长形态的作用另一方面, 应用运动学定律, 通过计算得出晶体的生长形态, 必须首先 得到法向生长速率与晶面取向的关系, 这实际上是十分困难的从而大大限制了理论的实际应用利 用该定律能够定量计算出晶体的生长形态。
§6.1. 晶体生长理论简介
1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno) 发表了《论固体中自然含有的固体》,自此以来,开始了 晶体生长理论探索的篇章。经过各国科学家的精心研究,晶体生长理论已经有了长足的发展, 出现了各种各样的不同理论及模型。如晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论和负离子 配位多面体生长基元模型4个阶段,目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现代晶体 生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响,使人们越来越接近于揭开晶体生长的神 秘面纱。
从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型,晶体生长理论在不断地发展并趋 于完善,主要体现在以下几个方面:从宏观到微观,从经验统计分析到定性预测,从考虑晶体 相到考虑环境相,从考虑单一的晶体相到考虑晶体相和环境相。晶体生长的定量化,并综合考 虑晶体和环境相,以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向。
(1)布拉维法则:法国晶体学家A.Bravais于1850年利用群论推导出具有一定对称性的空间点阵 只有14种,分属于7大晶系;1866年,Bravais又论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系, 提出实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维法则阐明了晶 面发育的基本规,但是它只能预测同种晶体的一种形态, 即晶体的理想生长形态, 无法解释同种晶体 在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。布拉维法法则只给出了晶体内部结构与生长 形态之间的关系, 完全忽略了生长条件对生长形态的作用。
该定律给出了晶体生长形态具体求解方法虽然, 运动学理论能够通过定量计算给出晶体的生 长形态但有一个重要的假设, 即某一生长系统中驱动力场是均匀的这实质上忽视了环境相和生长 条件对晶体生长形态的作用另一方面, 应用运动学定律, 通过计算得出晶体的生长形态, 必须首先 得到法向生长速率与晶面取向的关系, 这实际上是十分困难的从而大大限制了理论的实际应用利 用该定律能够定量计算出晶体的生长形态。
晶体生长机理优秀课件

• 应用
激光频率转换、四波混频、光束转向、图象放 大光信息处理、激光对抗和核聚变等研究领域。
• 现状:
我国该领域领先
(3)电光晶体
• 定义:
光通过有外加场的晶体时,光随着外加场 的变化发生如偏转、偏振面旋转等而达到控 制光传播的目的。这类晶体为电光晶体。
• 应用:
光通讯、光开关、大屏幕显示、光储存、 光雷达和光计算机等。
• 应用:
红外热释电探测器、红外热释电摄像管等。
(7)压电晶体
• 定义:
通过拉伸或压缩使晶体产生极化,导致晶 体表面电荷的现象称为压电效应,这类晶体 为压电晶体。
• 应用:
滤波器、谐振器、光偏转器、测压元件等。
(8)闪烁晶体
• 定义:
当射线或放射性粒子通过晶体时,晶体会 发出荧光脉冲,这类晶体为闪烁晶体。
分类(按组分分)
A)基质晶体(载体)中掺入激活离子(发光中心Nd3+,Cr3+ , Ho3+ ,Dy2+ )。输出的波长从紫外(~0.17m)到中红外 (~5.15 m )。如:红宝石Al2O3:Cr3+,掺钕钇铝石榴石 YAG:Nd3+等。
B)化学计量激光晶体,这种晶体的激化离子就是晶体组成之 一。其特点:高效、低值,功率小。
• 要求:
在使用的波长范围内,对光的吸收和散射要小、 电阻率要大、介电损耗角要小、化学稳定、机械和 热性能好、半波电压低等。
(4)声光晶体
• 定义:
超声波通过晶体时,在晶体中产生随时间变化 的压缩和膨胀区域,使晶体的折射率发生周期性变 化,形成超声导致的折射率光栅,当光通过折射率 周期性变化的晶体时,将受到光栅的衍射,产生声 光相互作用。这类晶体为声光晶体。
晶体生长ppt

性能关系
晶体缺陷与晶体的物理性质之间存在密切关系。例如,位错 密度越高,材料的强度和韧性越差;空位浓度越高,材料的 导电性越差等。通过对晶体缺陷的控制和优化,可以改善材 料的性能。
03
晶体生长的化学基础
化学键与晶体结构
共价键
01
共价键是原子间通过共享电子对而形成的强相互作用力,它决
定了晶体的结构和化学性质。
固相生长是指通过固态物质之间的反应或扩散过 程,形成新的固态晶体的过程,包括机械研磨法 、热压烧结法等。
晶体生长的应用
1
晶体生长在材料科学和物理学领域具有广泛的 应用价值,如制备高性能材料、制造光学器件 、制备半导体材料等。
2
在能源领域,晶体生长技术也被广泛应用于太 阳能电池、燃料电池等新能源器件的制造过程 中。
04
晶体生长方法
气相生长法
物理气相沉积法
包括真空蒸发、激光烧蚀等,通过 在真空中蒸发原料,使原料原子或 分子沉积在基底表面形成晶体。
化学气相沉积法
通过化学反应的方式,使用气体原 料在基底表面形成晶体。
气相生长法的优点
可以生长出高质量、大尺寸的单晶 ,同时具有高沉积速率。
气相生长法的缺点
需要高真空设备,生产成本较高, 且生长速度较慢。
3
同时,晶体生长技术还可以应用于生物医学领 域,如制备生物材料、药物传递等。
02
晶体生长的物理基础
晶体的结构与性质
晶体结构
晶体具有格子构造,原子或分子在空间中按照一定的规律重复排列。不同的 晶体结构具有不同的物理性质,如硬度、导电性、光学特性等。
晶体对称性
晶体具有对称性,即晶体的形状和内部结构可以在空间中重复出现。这种对 称性也影响了晶体的物理性质。
晶体缺陷与晶体的物理性质之间存在密切关系。例如,位错 密度越高,材料的强度和韧性越差;空位浓度越高,材料的 导电性越差等。通过对晶体缺陷的控制和优化,可以改善材 料的性能。
03
晶体生长的化学基础
化学键与晶体结构
共价键
01
共价键是原子间通过共享电子对而形成的强相互作用力,它决
定了晶体的结构和化学性质。
固相生长是指通过固态物质之间的反应或扩散过 程,形成新的固态晶体的过程,包括机械研磨法 、热压烧结法等。
晶体生长的应用
1
晶体生长在材料科学和物理学领域具有广泛的 应用价值,如制备高性能材料、制造光学器件 、制备半导体材料等。
2
在能源领域,晶体生长技术也被广泛应用于太 阳能电池、燃料电池等新能源器件的制造过程 中。
04
晶体生长方法
气相生长法
物理气相沉积法
包括真空蒸发、激光烧蚀等,通过 在真空中蒸发原料,使原料原子或 分子沉积在基底表面形成晶体。
化学气相沉积法
通过化学反应的方式,使用气体原 料在基底表面形成晶体。
气相生长法的优点
可以生长出高质量、大尺寸的单晶 ,同时具有高沉积速率。
气相生长法的缺点
需要高真空设备,生产成本较高, 且生长速度较慢。
3
同时,晶体生长技术还可以应用于生物医学领 域,如制备生物材料、药物传递等。
02
晶体生长的物理基础
晶体的结构与性质
晶体结构
晶体具有格子构造,原子或分子在空间中按照一定的规律重复排列。不同的 晶体结构具有不同的物理性质,如硬度、导电性、光学特性等。
晶体对称性
晶体具有对称性,即晶体的形状和内部结构可以在空间中重复出现。这种对 称性也影响了晶体的物理性质。
南京大学晶体生长课件Chapter晶体生长动力学演示文稿

47种几何单形
• 一般说来,对于一个单形的描述,要注意晶面的数目、形状、 相互关系、晶面与对称要素的相对位置及单形的横切面等。
• 单形的晶面数目、形状(包括晶面、横切面的形状)常是命名 的主要依据。
• 记住一些单形名称的方法:
• 1、面类
等轴晶系:
2、柱类
1、四面体组
3、单锥类
2、八面体组
4、双锥类
and c are the FFT patterns of the corresponding HRTEM images, and inset in Fig. d is the SAED pattern taken from the [010]-zone axis. The {100} and (101) facets are indicated in Fig. c, and surface steps lying on the {100} planes are indicated in Fig. d.
第三十三页,共126页。
第三十四页,共126页。
HRTEM images of a single ZnZrO3 particle from the ZnZrO3 powders synthesized at different Zn/Zr molar ratios. (c) Zn/Zr = 3.0, and (d) Zn/Zr = 4.0. Insets in Figs. a
第五页,共126页。
第六页,共126页。
假想的某晶体截面图
在晶体中任意给定晶面(hkl)的生长速 度(在其垂直方向上的移动速率)Rhkl 与
该晶面的原子层间距 dhkl 成反比
第七页,共126页。
第八页,共126页。
《晶体生长理论》ppt课件

提纯
多次区熔的过程
○ 在凝固界面,对于k<1的杂质,由于分凝作用将部分被
排斥到熔区,并向后携带
○ 在熔化界面,锭料的熔化带入新的杂质,并从熔化界面向凝
固界面运动〔杂质倒流〕,其结果是使整个熔区杂质浓度添加
○ 随着区熔次数的添加,尾部杂质越来越多,浓度梯度越来越
陡,杂质倒流越严重
极限分布
○ 经过多次区熔提纯后,杂质分布形状到达一个
如Cu-Ni相图 :
相图分析:2个点、2条线、3个区。
测定方法:热分析法〔最常用〕。
③二元合金相图的建立——热分析法建立相图的过程
▲配制系列成分的铜镍合金
▲测出它们的冷却曲线,得到临
界点
▲把这些点标在T—成分坐标上
▲将具有一样意义的点衔接成线,
标明各区域内所存在的相, 即得到
Cu-Ni合金相图
2、分凝景象与分凝系数
④ l →大,Cs→小,提纯效果好⇒l越大越好
⑤ 极限分布时(K一定):
⑥ l →大,B →小, A →大,Cs(x)→大, 提纯效果差
⑦
⇒l越小越好
⑧ 运用:前几次用宽熔区,后几次用窄熔区。
②熔区的挪动速度
BPS公式:
Keff
K0
f
D
1K0e
K0
f越小,keff越接近k0,提纯效果好, 区熔次数少, 但是过低速
〔资料中的杂质量本来很少〕
由于存在分凝景象,正常凝固后锭条中的杂质分布不再是均匀的,
会出现三种情况:
K<1的杂质,杂质向尾部集中;
K>1的杂质,杂质向头部集中;
K≈1的杂质,根本上坚持原有的均匀分布的方式
正常凝固过程中,Cs沿锭长的分布
1
多次区熔的过程
○ 在凝固界面,对于k<1的杂质,由于分凝作用将部分被
排斥到熔区,并向后携带
○ 在熔化界面,锭料的熔化带入新的杂质,并从熔化界面向凝
固界面运动〔杂质倒流〕,其结果是使整个熔区杂质浓度添加
○ 随着区熔次数的添加,尾部杂质越来越多,浓度梯度越来越
陡,杂质倒流越严重
极限分布
○ 经过多次区熔提纯后,杂质分布形状到达一个
如Cu-Ni相图 :
相图分析:2个点、2条线、3个区。
测定方法:热分析法〔最常用〕。
③二元合金相图的建立——热分析法建立相图的过程
▲配制系列成分的铜镍合金
▲测出它们的冷却曲线,得到临
界点
▲把这些点标在T—成分坐标上
▲将具有一样意义的点衔接成线,
标明各区域内所存在的相, 即得到
Cu-Ni合金相图
2、分凝景象与分凝系数
④ l →大,Cs→小,提纯效果好⇒l越大越好
⑤ 极限分布时(K一定):
⑥ l →大,B →小, A →大,Cs(x)→大, 提纯效果差
⑦
⇒l越小越好
⑧ 运用:前几次用宽熔区,后几次用窄熔区。
②熔区的挪动速度
BPS公式:
Keff
K0
f
D
1K0e
K0
f越小,keff越接近k0,提纯效果好, 区熔次数少, 但是过低速
〔资料中的杂质量本来很少〕
由于存在分凝景象,正常凝固后锭条中的杂质分布不再是均匀的,
会出现三种情况:
K<1的杂质,杂质向尾部集中;
K>1的杂质,杂质向头部集中;
K≈1的杂质,根本上坚持原有的均匀分布的方式
正常凝固过程中,Cs沿锭长的分布
1
微电子材料课件CH3-晶体生长概论

21
经典成核理论
➢经典成核理论是基于热力学的分析,基本 思想是把成核视为过饱和蒸汽或溶质的凝 聚;
➢设两个分子碰撞形成晶胚,从分子到晶胚 的变化看成一个体系。
22
经典成核理论
体系吉布斯自由能的改变包括:
1、气相转变为晶胚(固相),体积减小,体积自由能减少, 设体积自由能改变为△GV。 2、晶胚的生成,会形成一个固-气界面,需要一定的表面能, 其改变为△GS。
➢ 原矿物晶粒逐渐变大,如由细粒方解石组成的石灰岩与岩 浆接触时,受热再结晶成为由粗粒方解石组成的大理岩;
细粒方解石
大理岩
5
3. 由固相变为固相:
➢ 固溶体分解,一定温度下固溶体可以分离成为几种独 立矿物;
➢ 变晶,矿物在定向压力方向上溶解,而在垂直于压力 方向上结晶,因而形成一向延长或二向延展的变质矿 物,如角闪石、云母晶体等;
29
➢ 当r<r*时,体系的自由能增加,晶 胚难以生成,即消失的机率大于长 大的机率。
18
气相中的均匀成核
➢晶胚有两种发展趋势: 1)继续长大,形成稳定的晶核; 2)重新拆散,分开为单个分子。
19
液相中的均匀成核
➢晶体熔化后的液态结构是长程无序的; ➢在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序
的原子集团; ➢它们此消彼长,出现结构起伏或叫相起伏。
20
液相中的均匀成核
➢当温度降到结晶温度时,这些原子集团就可 能成为均匀成核的“胚芽”,称为晶胚。
27
G
4r 2
4 3
r 3g v
✓因为△GV比△GS变化快, 所以△G增加到极大值 △ G* 后 就 会 开 始 下 降 , 与△G* 相对应的晶胚半 径称临界半径r*。
经典成核理论
➢经典成核理论是基于热力学的分析,基本 思想是把成核视为过饱和蒸汽或溶质的凝 聚;
➢设两个分子碰撞形成晶胚,从分子到晶胚 的变化看成一个体系。
22
经典成核理论
体系吉布斯自由能的改变包括:
1、气相转变为晶胚(固相),体积减小,体积自由能减少, 设体积自由能改变为△GV。 2、晶胚的生成,会形成一个固-气界面,需要一定的表面能, 其改变为△GS。
➢ 原矿物晶粒逐渐变大,如由细粒方解石组成的石灰岩与岩 浆接触时,受热再结晶成为由粗粒方解石组成的大理岩;
细粒方解石
大理岩
5
3. 由固相变为固相:
➢ 固溶体分解,一定温度下固溶体可以分离成为几种独 立矿物;
➢ 变晶,矿物在定向压力方向上溶解,而在垂直于压力 方向上结晶,因而形成一向延长或二向延展的变质矿 物,如角闪石、云母晶体等;
29
➢ 当r<r*时,体系的自由能增加,晶 胚难以生成,即消失的机率大于长 大的机率。
18
气相中的均匀成核
➢晶胚有两种发展趋势: 1)继续长大,形成稳定的晶核; 2)重新拆散,分开为单个分子。
19
液相中的均匀成核
➢晶体熔化后的液态结构是长程无序的; ➢在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序
的原子集团; ➢它们此消彼长,出现结构起伏或叫相起伏。
20
液相中的均匀成核
➢当温度降到结晶温度时,这些原子集团就可 能成为均匀成核的“胚芽”,称为晶胚。
27
G
4r 2
4 3
r 3g v
✓因为△GV比△GS变化快, 所以△G增加到极大值 △ G* 后 就 会 开 始 下 降 , 与△G* 相对应的晶胚半 径称临界半径r*。
《晶体的生长》课件

《晶体的生长》ppt课件
目录
• 晶体简介 • 晶体生长的原理 • 晶体生长的方法 • 晶体生长的实验技术 • 晶体生长的应用实例 • 未来展望与挑战
01 晶体简介
晶体的定义
晶体是由原子、分子 或离子按照一定的规 律排列而成的固体物 质。
晶体的内部原子或分 子的排列方式决定了 晶体的物理和化学性 质。
界面反应与扩散
界面过程涉及界面反应和 扩散过程,研究晶体生长 过程中界面物质交换和化 学反应的规律。
界面动力学与控制
界面过程还探讨界面动力 学与控制因素,分析不同 条件下界面形态变化的动 力学过程和机制。
03 晶体生长的方法
熔体生长法
总结词
通过将原料加热至熔化后进行冷却结晶的方法。
详细描述
熔体生长法是一种常见的晶体生长方法,通过将原料加热至熔化,然后控制冷却 速度和温度梯度,使熔体中的原子或分子重新排列成晶体结构。这种方法适用于 制备大尺寸、高质量的单晶材料,如硅单晶和锗单晶等。
LED晶体材料的生长与应用
总结词
LED晶体材料是制造LED灯的关键材料,具有高效、节能、环保等特点,广泛应用能够将电能转化为光能的半导体材料。通过控制LED晶体材料的生 长和掺杂过程,可以获得具有特定能带结构和光学性质的LED晶体。LED晶体在照明、
技术创新
通过技术创新,改进晶体生长设备、 工艺和流程,提高晶体生长效率和产 量。
自动化与智能化
引入自动化和智能化技术,实现晶体 生长过程的远程监控、自动调节和控 制,提高生产效率和产品质量。
环境友好型的晶体生长方法
环保意识
随着环保意识的提高,环境友好型的 晶体生长方法成为研究重点,以减少 对环境的负面影响。
晶体具有规则的几何 外形和内部结构,其 原子排列具有周期性 。
目录
• 晶体简介 • 晶体生长的原理 • 晶体生长的方法 • 晶体生长的实验技术 • 晶体生长的应用实例 • 未来展望与挑战
01 晶体简介
晶体的定义
晶体是由原子、分子 或离子按照一定的规 律排列而成的固体物 质。
晶体的内部原子或分 子的排列方式决定了 晶体的物理和化学性 质。
界面反应与扩散
界面过程涉及界面反应和 扩散过程,研究晶体生长 过程中界面物质交换和化 学反应的规律。
界面动力学与控制
界面过程还探讨界面动力 学与控制因素,分析不同 条件下界面形态变化的动 力学过程和机制。
03 晶体生长的方法
熔体生长法
总结词
通过将原料加热至熔化后进行冷却结晶的方法。
详细描述
熔体生长法是一种常见的晶体生长方法,通过将原料加热至熔化,然后控制冷却 速度和温度梯度,使熔体中的原子或分子重新排列成晶体结构。这种方法适用于 制备大尺寸、高质量的单晶材料,如硅单晶和锗单晶等。
LED晶体材料的生长与应用
总结词
LED晶体材料是制造LED灯的关键材料,具有高效、节能、环保等特点,广泛应用能够将电能转化为光能的半导体材料。通过控制LED晶体材料的生 长和掺杂过程,可以获得具有特定能带结构和光学性质的LED晶体。LED晶体在照明、
技术创新
通过技术创新,改进晶体生长设备、 工艺和流程,提高晶体生长效率和产 量。
自动化与智能化
引入自动化和智能化技术,实现晶体 生长过程的远程监控、自动调节和控 制,提高生产效率和产品质量。
环境友好型的晶体生长方法
环保意识
随着环保意识的提高,环境友好型的 晶体生长方法成为研究重点,以减少 对环境的负面影响。
晶体具有规则的几何 外形和内部结构,其 原子排列具有周期性 。
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1、晶体定向的相关概念
1)晶轴及轴单位
q晶轴
为给晶体定向,在晶体上所建立的坐标轴称为晶轴。 晶轴是设想的贯穿晶体中心的直线,利用它们可以确
定晶体中各晶面、晶棱和单形的方位。
q轴单位
各晶轴上的度量单位称为轴单位(常用a b c表示)。
2)晶体定向晶轴数目的确定
取决于晶系的类型(对称特点) 三方晶系及六方晶系为4个晶轴(分别用X、Y 、U、Z轴表 示),其它晶系为3个晶轴(用X、Y 、Z 轴表示)。
在四晶轴定向中
α = β= y轴∧ z轴= z轴∧ x轴= μ轴∧ z轴=90° γ= x轴∧ y轴= y轴∧ μ轴= μ轴∧ x轴=120 °
2、晶轴的选择原则
v晶体中晶轴选择与其内部晶胞划分一致,晶体中三根晶 轴的方向应平行于晶胞三根棱的方向,轴单位等于晶胞 的三根棱长,即晶体行列结点间距a0、b0、 c0。
q层生长理论的缺陷
把晶体的生长过程简单化,所描述的晶体生 长过程只有在理想情况下才能出现。
三、布拉维法则
1)布拉维法则内容
在1855年,法国结晶学家布拉维(A.Bravis)从晶体具 有空间格子构造的几何概念出发,论述了实际晶面与空间 格子构造中面网之间的关系(布拉维法则):
即实际晶体的晶面常常平行面网中结点密度最大的面网。
2)关于布拉维法则的几点说明
q晶体生长时,面网上的结点密度与该面网在垂直方向的 生长速度成反比。
q面网密度小的晶面(BC)在生长过程中生长速度快, 最后被面网密度大的、生长速度慢的相邻晶面(AB\CD) 所遮盖;
q晶体上最终保留下来的晶面都是一些面网密度大的晶 面---布拉维法则的实质。
q理论的不足:该法则比较粗略,忽视了晶体生长环
晶体生长理论部分
注解:关于层生长理论
q溶液中质点堆积到晶芽的不同位置上时,所受引力大小
不同,质点将优先堆积到引力最强的位置上,以便释放 出可能多的能量,而使晶体的内能达到最小;
q 晶体生长过程中,在晶体上可能存在三面凹入角,两 面凹入角,一般位置.
由于引力与质点数量成正比、与距离的平方成反比,
质点向晶芽上堆积时,将优先落在三面凹入角,其次是 两面凹入角,最后是一般位置。
v晶轴选择时,首先选择对称轴为晶轴,当对称轴数量不 足或无对称轴时,则选对称面法线方向为晶轴。
v如果对称轴和对称面的法线不足或无对称轴时,则选择 较发育的晶棱方向为晶轴。
v选出的晶轴位置应相互垂直或尽可能互相垂直。
3、晶体常数(轴率和轴角)
晶胞常数中的a0、b0、c0都是用x射线测定的实际长度
值,由于晶体定向的目的主要是确定晶面的方向,而不在 于确定其具体位置,因此只要知道三个轴单位的比值就可 以了。
表示晶面在空间的相对位置的符号,称为晶面符号。
2)关于晶面符号的说明
q晶面符号种类很多,通常采用英国人米勒尔(W.Hmiler) 于1839年所创的符号,也称为米氏符号。
q米氏符号用晶面在三个晶轴上的截矩系数的倒数比来 表示。
例如:如果晶面ABC在x、y、z三个晶轴上的截距分别为 2a、3b、6C。
q轴率:定义轴单位a0、b0 、c0的连比值a:b:c为轴率。
q晶体常数:定义轴率a:b:c及轴角αβγ总称为晶体常数,
它表示坐标系特征的一组常数。
4)各晶系的晶体定向方法
由于各晶系对称特点不同,晶轴的选择方法和晶体常 数的特点也不同。
q在等轴、四方、斜方、单斜和三斜晶系中采用三轴定向;
q小知识: 1780年,法国学者克兰乔发明了接触测角仪。其老师法国学者罗美德 利尔(Romé De L‘Isle)利用这种测角仪进行了20多年的晶体测角工作,测量了
500多种矿物晶体的形状,肯定了面角守恒定律的普遍意义。
五、晶体定向和晶面符号
一)晶体定向
晶体定向在矿物鉴定、矿物形态、内部构造和物理性 质的研究工作中具有重要的意义。 晶体定向:在晶体上建立一个三维空间坐标系统,在晶体 上选择坐标轴和确定每个轴上的度量单位。
轴排列顺序,一般写成(h k I L)。
Ø在读晶面符号时按照字面顺序读出。
Ø当晶面平行于某一晶轴时,则看成晶面与该晶轴在无限 远处相交,其截矩系数为∞,此晶面在此晶轴上的晶面指 数就为0。
的高次轴L3、L6(或Li6)为Z轴;
在垂直Z轴平面内选择三个正端互成120°交角的L2 或对称面的法线方向或适当的晶棱方向作为水平晶轴x、y、 u轴。此时轴角α=β=90 °,γ= 120°。
二)晶面符号与单形符号
1、晶面符号(简称面号) 1)晶面符号概念
晶体定向后,各晶面在空间的相对位置就可确定,
系数2、3、6称为截距系数(通常用p、q、r表示),其
倒数比为3:2:1,则记作(321)为该晶面的米氏符号, 小括号内的数字称为晶面指数。
q确定米氏符号时,应注意以下几点
Ø晶面指数排列有统一的规定顺序:
ü 对三轴定向:按照x y z轴排列,表示为(h k l);
ü 对三方、六方晶系的四轴定向者,指数按照x y u z
境对晶面生长速度的影响。
四、面角守恒定律
在晶体生长过程中由于受到外部条件的影响,同种晶 面发育的形状和大小不同,从而形成偏离理想晶体状态的 的歪晶,因此在很长的历史年代,人们没能掌握晶体形态
的规律。
在1669年,丹麦学者斯丹诺(N.Steno)在对石英和赤
铁矿的研究发现(面角守恒定律):
即同种物质的所有晶体,对应晶面间的角度守恒。
q理想晶体的生长过程
在晶芽的基础上,落入质点根据引力大小落在相应位 置,长完一条行列再长相邻的行列,长满一层面网再长相 邻的面网,整个面网成层向外平移。 q当晶体停止生长时,其最外层的面网就是实际晶面。
每两个相邻面网相交的公共行列就是实际晶棱。
q整个晶体被晶面包围,形成占有一定空间的封闭几何多 面体形态,表现出晶体的 自限性。
q三轴定向时,晶轴的表示方法
前后轴为x轴,左右轴为y轴,直立轴为z轴,各轴的 交点为晶体的中心。
正负规定:
各晶轴由中心向前、向右及向上的方向为正,反之为负。
3)轴角
各晶轴之间有一定的夹角关系,结晶学中规定两个晶 轴正端的夹角称为轴角,分别用α、β、γ表示。
在三晶轴定向中
α=y∧z轴
β= z轴∧ x轴, γ= x轴∧ y轴