各类内存条DDR2和DDR3的区别
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V 电压的LVTTL标准。
DDR2的详解RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。
与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。
DDR2和DDR3有什么区别
DDR2和DDR3有什么区别导语：DDR2和DDR3有什么区别呢？以下是店铺为大家精心整理的知识，欢迎大家参考！一、DDR2与DDR3内存的特性区别：1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL，Burst Length)由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM)：1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
DDR2，DDR3和DDR4RAM（内存）有什么区别？
DDR2，DDR3和DDR4RAM（内存）有什么区别？RAM是随机存取存储器(Random Access Memory)的缩写，是计算机用于运行进程的短期存储位置。
在购买一台新电脑时，除了（RAM）内存的大小之外，你可能不会过多考虑它。
但是并不是所有的内存都是一样的。
不同代的RAM提供不同的速度，只能与某些系统兼容。
以下是DDR2和DDR3 RAM与较新的DDR4 RAM的区别。
什么是DDR RAM?如果您不熟悉RAM，您可能不知道“DDR”是什么意思。
这个缩写表示双数据速率。
简单来说，以两倍的数据速率运行意味着RAM可以在每个时钟周期中传输两次数据。
您可能知道，计算机上的所有数据都是数字的，这意味着它由1 (on)或0 (off)表示。
一个时钟周期由CPU信号从off到on再返回来表示。
这通常是从中间点开始测量的，如下图所示。
这种双数据速率是对旧的SDR(单数据速率)RAM的重大升级，后者每个时钟周期只运行一次。
最初的DDR RAM在2000年开始普遍可用，与SDR RAM一样，现在已经过时了。
实际上，现在所有可用的RAM都是DDR。
但是为什么这几代RAM会改变呢?DDR世代介绍原来的DDR RAM被DDR2、DDR3和现在的DDR4取代。
这些都是具有更快速度和其他改进的相同技术的后代，并且都是相同的物理尺寸。
这并不奇怪，因为许多计算标准都是随着时间的推移而发展的。
但是您可能想知道DDR2和DDR3从何而来，以及它们为何出现。
与计算机一起使用的RAM的产生与处理器和主板的发展密切相关。
当像英特尔这样的公司推出新的CPU技术时，他们需要新的主板芯片组。
这是一套电子元件，它使计算机的所有部分都能正常通信。
新一代的RAM是使用最新芯片组所必需的。
这就是我们在第一代之后看到DDR2、DDR3和DDR4 RAM的原因。
如果没有这些改进，我们就无法将RAM放到新的系统中。
重要的是，RAM不是向后或向前兼容的。
内存条的分类和区别
内存条的分类和区别内存条之间的种类的区别，本质上是速度不同，越新的内存种类速度越快。
然后，为了保证不插错，物理插槽也有不同。
下图是DDR三代内存的外观上的不同的对比。
1、DDR1代，最高到533。
2、DDR2代，最高到1066。
3、DDR3代，最高到2400左右。
4、DDR4代，从2400开始起步。
内存主要看主频1代DDR266，DDR333,DDR400. 2代DDR533, DDR667,DDR800。
3代DDR1033,DDR1066,DDR1333等内存条种类之间的区别 DDR2与DDR的区别与DDR相比，D DR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的D RAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DD R内存的2.5V不同。
DDR2的定义： DDR2（Double Data R ate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
SDDDR1DDR2DDR3内存外观区别
《内存区别》SD、DDR1、DDR2、DDR3内存外观区别（附图）SD：两个缺口、单面84针脚、双面168针脚DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8VDDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5VDDR1 DDR2 DDR3内存的区别对比DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM 的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
目前DDR已经发展到了第三代,下面来看一下几代内存的区别:外观不同之处/showpic. html - blogid=01000bvy&url=/43fdfd51303a8参数不同之处电压 VDD/VDDQ 2.5V/2.5V 1.8V/1.8V(±0.1) 1.5V/1.5V(±0.075)I/O接口SSTL_25 SSTL_18 SSTL_15数据传输率(Mbps) 200～400 400～800 800～2000256M～4G 512M～8G容量标准64M～1GMemory Latency(ns) 15～20 10～20 10～15CL值 1.5/2/2.5/3 3/4/5/6 5/6/7/8预取设计(Bit) 2 4 8逻辑Bank数量2/4 4/8 8/16突发长度2/4/8 4/8 8封装TSOP FBGA FBGA引脚标准184Pin 240Pin 240Pin。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别
内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思，有什么区别DDR 全称是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM），也就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR 内存是目前主流的电脑存储器，现在市面上有DDR2、DDR3 和DDR4 这 3 种类型。
最大的区别就是断口不同了◎DDR2 内存：DDR 是现在的主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。
DDR2 内存其实是DDR 内存的第二代产品，与第一代DDR 内存相比，DDR2 内存拥有两倍以上的内存预读取能力，达到了4bit 预读取。
DDR2 内存能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
DDR2 已经逐渐被淘汰，但在二手电脑市场可能还会看到。
◎DDR3 内存：相比于DDR2 有更低的工作电压，且性能更好、更为省电。
从DDR2的4bit 预读取升级为8bit 预读取，DDR3内存使用了0.08μm 制造工艺，其核心工作电压从DDR2 的1.8V 降至 1.5V，相关数据预测DDR3 比DDR2 节省30% 的功耗。
在目前的多数家用电脑中，都在使用DDR3 内存。
◎DDR4 内存：DDR4 内存是目前最新一代的内存规格，DDR4 相比于DDR3 最大的性能提升有以下3 点。
16bit 预读取机制，相对于DDR3 8bit 预读取，在同样内核频率下理论速度是DDR3 的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。
小提示：从工作原理上说，内存包括随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和高速缓存（Cache）。
平常所说的内存通常是指随机存储器，它既可以从中读取数据，也可以写入数据，当电脑电源关闭时，存于其中的数据会丢失；只读存储器的信息只能读出，一般不能写入，即使停电，这些数据也不会丢失，如BIOS ROM；高速缓存在电脑中通常指CPU的缓存。
二代和三代内存区别
无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz 167MHz 200MHz 等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。
为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400 DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800 DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600 所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定了延迟了，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。
如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。
至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上。
不能兼容。
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各类内存条DDR2和DDR3的区别电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。
内存条的作用内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。
通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
其是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。
当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU 的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。
内存条类型和接口一、DIMM（双inline记忆模块，双列直插内存模块）SDRAM接口；SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构，如下图。
金手指没面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入接口时，错误将内存反方向插入导致烧毁。
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。
与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
二、DDR内存，DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构，金手指每面有92pin，如下图所示（DDR内存金手指上只有一个卡口）有184针的DDR内存（DDR SDRAM）SDRAM 内存条[/caption]芯片和模块标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-16001600 MB/sDDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 MB/sDDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/sDDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列传输 PC-3200 3200 MB/s利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时脉。
DDR I/II内存运作时脉：实际时脉*2。
（由于两笔资料同时传输，200MHz内存的时脉会以400MHz运作。
）内存带宽=内存速度*8 Byte标准公式：内存除频系数=时脉／200→*速算法：外频*（除频频率／同步频率）（使用此公式将会导致4%的误差）三、DDR2内存，DDR2接口为240pin DIMM结构，如下图。
金手指每面有120pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口。
但是卡口的位置与DDR内存不同，因此DDR内存条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。
因此不用担心插错的问题。
一款装有散热片的DDR2 1G内存条DDR内存插槽DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。
从JEDEC 组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。
DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。
最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
各类DDR2内存条的技术参数标准名称 I/O 总线时钟频率周期存储器时钟频率数据速率传输方式模块名称极限传输率位宽DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行传输 PC2-3200 3200MB/s 64位DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行传输 PC2-4200 PC2-4300 4266 MB/s 64 位DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行传输 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输PC2-8500PC2-8600 8533 MB/s 64 位现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性。
四、DDR3内存条第三代双倍资料率同步动态随机存取内存（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为DDR3 SDRAM），是一种电脑内存规格。
它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
A-DATA出品的DDR3内存条（DDR SDRAM）[/caption]各类DDR2内存条的技术参数标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率位元宽DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列传输PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-10 600 10.6 GiB/s 64 位元DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列传输 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列传输PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列传输PC3-17000 64 位元DDR2和DDR3的区别逻辑Bank数量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2GB容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
封装（Packages），DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
突发长度（BL，Burst Length），由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing），就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提升。
DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL 有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数──写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
新增功能──重置（Reset），重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。
在Reset 期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。
所有内部的程式装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
新增功能──ZQ校准，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚透过一个命令集，经由片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与终结电阻器（ODT，On-Die Termination）的终结电阻值。