集成电路物理设计库
集成电路设计3-版图设计

版图设计的重要性
1
版图设计是集成电路制造过程中的关键环节,它 决定了集成电路的性能、功能和可靠性。
2
通过版图设计,可以将电路设计转化为实际制造 的物理结构,从而实现电路设计的目标。
3
版图设计的精度和质量直接影响到集成电路的性 能和制造良率,因此需要高度的专业知识和技能。
在芯片内部加入自测试模块,实现自动测试和 故障诊断。
可测性增强
通过增加测试访问端口和测试控制逻辑,提高芯片的可测性。
05
集成电路版图设计的挑 战与解决方案
设计复杂度挑战
总结词
随着集成电路规模不断增大,设计复杂 度呈指数级增长,对设计效率提出巨大 挑战。
VS
详细描述
随着半导体工艺的不断进步,集成电路设 计的规模越来越大,晶体管数量成倍增加 ,导致设计复杂度急剧上升。这不仅增加 了设计时间和成本,还对设计精度和可靠 性提出了更高的要求。
03
还需要考虑存储器的功耗和散热问题,以确保在各种应用场景下的稳 定运行。
04
高密度存储器版图设计需要具备高容量、高速、低功耗和高可靠性等 特点,以满足大数据、云计算等领域的需求。
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04
还需要考虑散热设计,以确保在高负载情况下CPU的 稳定运行。
案例二:低功耗MCU版图设计
低功耗MCU版图设计需要重点 关注功耗优化,采用低功耗工 艺和电路技术,如CMOS工艺
、低功耗逻辑门等。
还需要考虑低电压供电和电源 管理设计,以确保MCU在各种 应用场景下的稳定运行。
设计过程中需要优化芯片内部 结构和电路布局,降低芯片的
集成电路设计中的物理设计技术研究

集成电路设计中的物理设计技术研究一、概述集成电路设计是一门涉及面广、难度较大的学科,在设计制造的过程中,物理设计技术是一项重要的环节。
物理设计技术主要是指如何将逻辑设计转化成实际可制造、可测试的芯片布局和连线,其在集成电路设计中起到至关重要的作用。
本文主要围绕集成电路设计中物理设计技术的相关研究展开,介绍了物理设计技术的基本概念、发展历史、应用领域、技术体系以及未来的发展趋势。
二、基本概念物理设计技术是指利用计算机辅助设计软件和相关工具,将电路逻辑设计转化为电路物理结构、布局和连线,使得设计师能够有效地进行电路物理实现。
物理设计技术主要包括以下几个方面:1.物理实现:将电路逻辑设计转化为电路物理结构、布局和连线。
2.芯片布局:布局是指在芯片表面上对电路元件进行确定的位置和尺寸安排,布局的精度直接影响电路性能的提高和芯片的尺寸缩小。
3.布线规划:布线规划是指根据电路元件的分布情况,确定电路的联接方式和路由方案,以避免布线产生的电磁干扰和信号延迟。
4.半导体制造技术:半导体制造技术是将电路布局和连线实现到硅片表面上的一项核心技术,也是决定芯片性能和成本的关键因素。
三、发展历史物理设计技术随着集成电路的发展而逐渐形成,并不断地得到完善和改进。
从1958年第一块集成电路问世以来,物理设计技术始终是一个紧贴电路发展前沿的学科。
60年代末至70年代初,计算机辅助设计技术逐渐应用于集成电路设计中,物理设计技术随之应运而生。
该时期的物理设计技术主要是基于手工绘图和人工设计。
80年代至90年代末,随着计算机软件和硬件技术的发展,集成电路设计技术逐渐走向高度自动化和智能化。
物理设计技术得到了极大的发展,同时集成电路设计工具也得到了巨大的提升,如今大型EDA(电子设计自动化)集成电路设计工具已经基本上实现了高度自动化设计。
21世纪以来,物理设计技术得到了进一步的发展,从传统的2.5D布局设计转向了3D块级物理设计,这些都为集成电路设计提供了更强的支持,以实现更高的芯片集成度、更高的可靠性和更低的功耗。
集成电路物理设计库

1.集成电路物理设计库集成电路物理设计库(PDK 和标准单元库)作为芯片制造商、EDA供应商、芯片设计者之间的桥梁。
开发工作必备的资源较多:工艺信息、集成电路设计方法和EDA 技术。
从2006 年开始,电子设计平台与共性技术研究室基于中芯国际、上海宏力、上海华虹的65nm、90nm、0.13um 和0.35um 等工艺节点,开发出一系列功能完善、器件类型丰富、设计合理及参数正确的PDK 和标准单元库,并建立了相应的设计参考流程。
在实现PDK 完整功能的基础上,相关研发团队从设计者角度优化参数化单元的CDF 参数,并采用结构化的方式开发Pcell 和批处理方式验证Pcell,保证了开发流程的高效性和可靠性。
同时,对标准单元进行了OPC 校正,移向掩膜分析(PSM),分辨率增强(RET)等DFM 优化分析;光学模拟仿真结果证实了优化后的标准单元边缘放置误差(EPE)平均减小了5%,即优化后的标准单元库具有更高的可靠性、准确性和可制造性。
经过验证,每套PDK 和标准单元库都能灵活准确的支持电路设计。
能够根据芯片设计者的需求提供专业PDK 设计服务和芯片设计技术支持。
在此基础上,建立了一套完善的设计开发流程。
电子设计平台与共性技术研究室开发的集成电路物理设计库的工艺设计包(PDK:Process Design Kit)应用于数模混合IC 设计,其包含的内容是和全定制流程紧密结合在一起的。
PDK 库主要包括以下内容:(1)器件模型(Device Model):由Foundry 提供的仿真模型文件;(2)Symbols & View:用于原理图设计的符号,参数化的设计单元都通过了SPICE 仿真的验证;(3)组件描述格式(CDF:Component Description Format) & Callback:器件的属性描述文件,定义了器件类型、器件名称、器件参数及参数调用关系函数集Callback、器件模型、器件的各种视图格式等;(4)参数化单元(Pcell:Parameterized Cell):它由Cadence 的SKILL 语言编写,其对应的版图通过了DRC 和LVS 验证,方便设计人员进行原理图驱动的版图(SDL:Schematic Driven Layout)设计流程;(5)技术文件(Technology File):用于版图设计和验证的工艺文件,包含GDSII 的设计数据层和工艺层的映射关系定义、设计数据层的属性定义、在线设计规则、电气规则、显示色彩定义和图形格式定义等;(6)物理验证规则文件(PV Rule File):包含版图验证文件集(DRC/LVS/RC)。
集成电路版图设计cadence设计流程

集成电路版图设计cadence设计流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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《超大规模集成电路物理设计:从图分割到时序收敛》随笔

《超大规模集成电路物理设计:从图分割到时序收敛》读书笔记目录一、内容概览 (1)二、关于本书的背景知识介绍 (2)三、内容概览 (3)3.1 主要章节概述 (4)3.2 重点概念解析 (6)四、详细读书笔记 (7)五、本书中的关键观点和论点分析 (8)5.1 关于超大规模集成电路物理设计的关键观点 (10)5.2 书中论点的深度分析 (11)六、比较与评价 (13)6.1 本书与其他相关书籍的比较 (14)6.2 本书的优点与不足评价 (15)七、实践应用与案例分析 (16)7.1 书中理论在实际设计中的应用 (18)7.2 案例分析 (19)八、总结与心得体会 (21)8.1 本书的主要收获和启示 (22)8.2 个人对超大规模集成电路物理设计的未来展望 (23)一、内容概览《超大规模集成电路物理设计:从图分割到时序收敛》是一本深入探讨超大规模集成电路(VLSI)物理设计过程的著作。
本书从图分割的基本原理出发,详细阐述了集成电路设计的各个阶段,包括布局、布线、时序分析和验证等。
在图分割部分,本书介绍了如何将复杂的集成电路设计问题简化为更易于处理的子问题。
通过图论和计算机辅助设计(CAD)技术,作者提出了一系列高效的图分割算法,从而为后续的物理设计过程奠定了坚实的基础。
在布局阶段,本书重点讨论了如何根据电路结构和约束条件选择合适的布局算法。
作者详细分析了不同布局策略的优缺点,并提出了针对复杂电路的优化方法。
布线是集成电路设计中的关键步骤之一,本书介绍了多种布线算法,包括基于启发式的布线方法、基于物理约束的布线方法和基于人工智能技术的布线方法等。
作者还探讨了布线过程中的优化问题和挑战。
时序分析是确保集成电路正常工作的关键环节,本书详细阐述了时序分析的基本原理和方法,包括静态时序分析、动态时序分析和时序收敛等。
作者通过理论分析和实例验证,介绍了如何有效地进行时序分析和优化,以确保设计的集成电路具有良好的时序性能。
集成电路设计的EDA系统概述

集成电路设计实例
要点一
总结词
集成电路设计是EDA系统的核心应用之一,通过使用EDA 系统,设计师可以完成集成电路的物理设计、验证和优化 。
要点二
详细描述
集成电路设计实例包括微处理器芯片、数字信号处理芯片 等复杂集成电路。EDA系统提供了集成电路物理设计、布 局布线、DRC/LVS检查等功能,确保了集成电路设计的正 确性和可靠性,缩短了产品上市时间。
随着云计算技术的发展,EDA系统将更加 云化,能够提供更加灵活和高效的设计服 务。
协同设计
可定制化设计
随着多项目和跨领域协同设计的需求增加 ,EDA系统将更加注重协同设计功能的建 设和完善。
随着集成电路设计的多样化和个性化需求 增加,EDA系统将更加注重可定制化设计 功能的建设和完善。
05
EDA系统的应用实例
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物理设计
布图规划
根据电路设计和仿真结果,进行版图规划,确定元件布局和布线策略。
布线设计
根据布图规划结果,进行实际的布线设计,生成物理版图。
布图规划
自动布线
布线优化
支持自动布线功能,提高布线效率和准确性。
对布线结果进行优化,降低信号延迟和功耗。
验证和测试
形式验证
通过数学方法验证电路设计的正确性。
系统复杂性高
EDA系统的功能和模块越来越多,系 统复杂性也越来越高,使用和维护的 难度也随之增加。
数据安全风险
EDA系统涉及大量的设计数据和知识 产权,需要采取有效的安全措施以保 障数据安全。
未来的发展趋势
智能化设计
云化服务
随着人工智能和机器学习技术的发展, EDA系统将更加智能化,能够自动学习和 优化设计过程。
第10章-数字集成电路物理设计方法
20
功耗分析
• 静态功耗分析
– 利用时序库提供的器件功耗数据进行计算 – 利用物理库提供的金属物理工艺数据分析电压降和电迁移效应 – 能提供平均功耗的预估值,迅速简洁
• 动态功耗分析
– 需要提供设计的仿真数据 – VCD文件(Value Change Format):文件太大造成使用不便 – TCF文件(Toggle Count Format):结果比较粗糙,与实际情况存在差异 – CPF文件(Common Power Format):适用于功能验证、RTL综合、形式 验证、布局布线约束
7
数字集成电路物理设计流程
• 250nm工艺物理设计流程
– Timing-Driven Design, TDD – Timing-Driven Routing – Power Grid – Zero Skew
– Static Timing Analysis, STA
– Worst Case, WC – Best Case, BC – In-Place Optimization, IPO – Design Rule Violation, DRV
– Standard Design Constraints, SDC
13
展平式物理设计
自底向上的展平式设计流程及调用关系
14
硅虚拟原型设计
• 布图
– 考虑将整个设计进行分割
• 布线
– 采用快速近似的实验布线(Trial Routing)
– 所需时间约为详细布线的1/10
– 与最终结果在性能上的差距为5%~10% – 快速的设计收敛评估
– Design for Testability, DFT
– On-Chip Variation, OCV
CMOS模拟集成电路设计ch2器件物理 共42页
ID =0
6
2. 线性区 triode or linear region
当 V G S V T H ,且 V D S V G S V T H 时 MOSFET 处于线性区
7
Derivation of I/V Characteristics
I Qd v Q d W o(V x C G S V T)H Q d ( x ) W o ( V x G C V S ( x ) V T )H
1
ID
2L
25
亚阈值导电性(弱反型)
在初步分析MOSFET的时候,我们假设当VGS < VTH时, 器件会突然关断,即ID会立即减小到零;但实际上当VGS 略小于VTH 时,有一个“弱”的反型层存在,ID大小随
VGS下降存在一个“过程”,与VGS呈指数关系:
26
2.4 MOS器件电容
分析高频交流特性时 必须考虑寄生电容的影响 根据物理结构,可以把 MOSFET的寄生电容分为:
模拟CMOS集成电路设计
第 2 章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念
漏(D: drain)、 栅(G: gate)、
G
源(S: source)、衬底(B: bulk)
S
MOSFET:一个低功耗、高效率的开关
D
2
MOS符号
模拟电路中常用符号
数字电路中常用
MOSFET是一个四端器件
3
2.2 MOS的I/V特性
2. 右图中MOSFET的过饱和电压是多少?管子处于什么工 作区?
R
Vb=1V
Vds=0.5V
40
3. 如图所示,Vin随时间线性增加。在不考虑沟调效应,需考 虑体效应的前提下,画出Vout随时间的曲线。
集成电路EDA与验证技术课件:物理层设计工具IC Compiler
物理层设计工具IC Compiler
2.设置逻辑库 ICC中针对逻辑库的设置主要是search_path, target_library,link_library这三个系统变量及命令 set_min_library。其中search_path是一个查找目录,需要包 含所有逻辑库文件所在的目录,这样在设置targe_library和 link_library中的db文件时,只需文件名即可,不需要再加上 其存放的路径。
物理层设计工具IC Compiler
6.读入SDC文件 前面已经介绍过,门级网表只是描述了设计中各个单元 之间的电路连接关系,SDC文件则是保证电路功能正确运行 的约束文件。该步骤就是运行命令行,将SDC文件读入该设 计所使用的命令:
read_sdc $sdc_file check_timing
7.6 布局 7.7 时钟树综合 7.8 布线 7.9 芯片ECO与DFM 7.10 小结
பைடு நூலகம்
物理层设计工具IC Compiler
7.1 IC Compiler(ICC)工具发展历史
ICC与Encounter是两大EDA软件巨头博弈的产物。它们 的发展历史,也可以看作微电子EDA业界风云变幻的历史。
早在20世纪80年代后期,微电子EDA厂商即呈现出两 强对峙的局面:Synopsys基本垄断了前端技术,占有将近六 成市场;Cadence基本垄断了后端技术与验证技术,占有将 近八成的市场。
物理层设计工具IC Compiler
图7.9 读入设计网表
物理层设计工具IC Compiler
通过该步骤,设计的网表就读入到已经打开的 $my_mw_lib设计库中。Layout窗口就会将设计所要用到的 所有单元都堆在坐标原点处。读入设计网表之后的Layout窗 口如图7.10所示。
stdcell library 指标
stdcell library 指标
stdcell library 是一个包含标准单元模型的库,用于集成电路设计中的仿真、布局和物理设计等。
主要的指标包括:
1. 门电路模型:库包含常用的门电路模型,如AND、OR、NOT、NAND、NOR 和XOR 门等。
2. D触发器:库包含由逻辑门和电容组成的D 触发器模型。
3. 模拟参数:库中包含模拟参数,如时序、电容、阻抗等参数,用于进行集成电路设计的仿真和分析。
4. 矩阵参数:库中包含矩阵参数,如电路传输矩阵(S 参数)和散射矩阵(Y 参数),用于描述电路的转移和反射特性。
5. 物理特性:库中包含物理特性,如晶体管尺寸、通道长度、电源电压等,用于评估集成电路的功耗和性能等。
6. 可靠性参数:库中包含可靠性参数,如损耗功率、温度和电压等,用于评估集成电路的可靠性和寿命。
7. 布局和物理特性:库中包含布局和物理特性,如器件尺寸和间距,用于进行
集成电路的布局和物理设计。
8. 设计流程:库中包含标准的集成电路设计流程和设计方法,用于帮助设计人员更加高效地进行集成电路的设计和开发。
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1.集成电路物理设计库集成电路物理设计库(PDK 和标准单元库)作为芯片制造商、EDA 供应商、芯片设计者之间的桥梁。
开发工作必备的资源较多:工艺信息、集成电路设计方法和 EDA 技术。
从 2006 年开始,电子设计平台与共性技术研究室基于中芯国际、上海宏力、上海华虹的 65nm、90nm、 0.13um 和 0.35um 等工艺节点,开发出一系列功能完善、器件类型丰富、设计合理及参数正确的 PDK 和标准单元库,并建立了相应的设计参考流程。
在实现 PDK 完整功能的基础上,相关研发团队从设计者角度优化参数化单元的 CDF 参数,并采用结构化的方式开发 Pcell 和批处理方式验证 Pcell,保证了开发流程的高效性和可靠性。
同时,对标准单元进行了 OPC 校正,移向掩膜分析(PSM),分辨率增强(RET)等 DFM 优化分析;光学模拟仿真结果证实了优化后的标准单元边缘放置误差(EPE)平均减小了 5%,即优化后的标准单元库具有更高的可靠性、准确性和可制造性。
经过验证,每套 PDK 和标准单元库都能灵活准确的支持电路设计。
能够根据芯片设计者的需求提供专业PDK 设计服务和芯片设计技术支持。
在此基础上,建立了一套完善的设计开发流程。
电子设计平台与共性技术研究室开发的集成电路物理设计库的工艺设计包(PDK:Process Design Kit)应用于数模混合 IC 设计,其包含的内容是和全定制流程紧密结合在一起的。
PDK 库主要包括以下内容:(1)器件模型(Device Model):由 Foundry 提供的仿真模型文件;(2)Symbols & View:用于原理图设计的符号,参数化的设计单元都通过了 SPICE 仿真的验证;(3)组件描述格式(CDF:Component Description Format) & Callback:器件的属性描述文件,定义了器件类型、器件名称、器件参数及参数调用关系函数集 Callback、器件模型、器件的各种视图格式等;(4)参数化单元(Pcell:Parameterized Cell):它由 Cadence 的 SKILL 语言编写,其对应的版图通过了 DRC 和 LVS 验证,方便设计人员进行原理图驱动的版图(SDL:Schematic Driven Layout)设计流程;(5)技术文件(Technology File):用于版图设计和验证的工艺文件,包含 GDSII 的设计数据层和工艺层的映射关系定义、设计数据层的属性定义、在线设计规则、电气规则、显示色彩定义和图形格式定义等;(6)物理验证规则文件(PV Rule File):包含版图验证文件集(DRC/LVS/RC)。
而集成电路物理设计库的标准单元库应用于大规模数字 IC 设计,从前端功能仿真到后端版图实现支撑着整个数字 IC 设计流程。
标准单元库研究的主要内容包括:(1)网表信息文件:包含标准单元的器件尺寸和节点连接关系。
(2)Verilog/VHDL 模型:提供 verilog/VHDL 模型,行为级网表,用于 verilog/VHDL 网表仿真。
(3)Symbols 模型:符号库模型文件,供原理图工具,综合工具的电路图显示。
(4)GDSII:具有标准单元的 layout 信息,提供给 layout 设计工具,如 Astro、ICC、Virtuoso,laker 等。
(5)LEF:定义布局布线的设计规则和晶圆厂的工艺信息,标准单元的物理信息(单元的放置区域,对称性,面积大小供布局时使用),单元输入输出端口的布线层、几何形状、不可布线区域以及天线效应参数供布线使用;(6).lib 综合库模型:包含工艺信息,标准单元时延、面积、功耗信息,可用于的 DC、PT、Astro、ICC 等工具;(7)Fastacsn:用于生成测试向量的,综合之后插入 DFT 扫描链时使用;(8)噪声库:信号完整性分析。
2.知识产权IP核库电子设计平台与共性技术研究室通过多年开展的 IP 技术,积累经验,与国内外主要代工厂和 IP 供应商建立了良好的合作关系,并已开展 IP 库建设的研究。
该库的建设能够提升 IP 服务能力,促进专用电路的 IP 转化,并为 IP 集成应用提供指导。
IP 模型提取技术针对时序模型、功耗模型、物理模型、接口逻辑模型、天线模型和仿真模型等。
通过对知识产权 IP 核库的深入研究,该项技术方法产业化,能够在很大程度上解决现在国内 IP 应用面临的很多问题,包括 IP 价格过高,IP 查询不便,质量无保证,接口不标准,使用不便等问题。
知识产权 IP 核库的建立,真正促进 IC 设计业发展,通过 IP 设计、IP 标准、IP 标准等方面的方法学的运用,帮助企业开发、包装、整合 IP 资源,建立可供交换和复用的 IP 库,降低中小企业进入行业的门槛。
3.32nm以下设备关键技术研究和创新设备技术探索02专项项目“32nm 以下设备关键技术研究和创新设备技术探索”取得重大进展,突破了等离子体浸没注入、激光退火、原子层沉积、薄层对流清洗、中性粒子刻蚀、光子筛无掩模光刻、二氧化碳超临界清洗和常压等离子体去胶八种新原理装备的核心技术。
同时,本项目的研究成果已应用于黑硅太阳能电池和超浅结制造,纳米C3N4、TiO2、AL2O3和HfO2薄膜生长,及Smart-Cut制备二维电子材料等多项技术研究。
其中,多晶黑硅太阳能电池转换效率达到16.8%,高于同批次普通电池0.5个百分点;原子层沉积设备已开始产业化推广,并开展了多片式PEALD设备开发;高效率固态射频电源核心技术获得突破,500W电源实现小批量试产。
此外,该项目中的多项技术已与相关企业进行了技术合作,开展产业化开发和推广。
本项目的开展使微电子所占据了国内新原理IC装备技术创新的制高点,并在国际上实现了与现有设备厂商在创新技术领域互相竞争的态势,在IC装备领域拥有了自己的一席之地。
32nm 以下关键设备4.有机基板实验线依托微电子所系统封装技术研究室(九室)牵头承担的 02 重大专项“高密度三维系统级封装的关键技术研究”项目,目前国内设备最完善、技术水平最高的先进封装实验室在微电子所初步建成(如图30 所示),主要包括:有机基板实验室、微组装实验室、可靠性与失效分析实验室、电学测试实验室、设计与仿真实验室等,其中有机基板试验线已经通过验收开始试运行,现已成功在 FR4 板上制作出15um/15um 线宽线距的光刻图形(如图所示),在此基础上成功采用半加成工艺制作出线宽线距为 10m/20um 的铜电路图形(如图所示)。
此项技术使微电子所初步具备了加工高密度三维封装基板的能力,以及参与研究开发高端三维封装基板国际竞争的技术基础,标志着微电子所高端封装基板的实验室电路加工能力达到世界先进水平。
先进封装实验室设备(部分)线宽线距 15um/15um 的光刻胶图形线宽线距 10um/20um 铜电路截面照片5.NeeMo 关爱系列NeeMo 是高科技的个人 GPS 追踪定位装置,灵敏度高,设备采用双模定位,GPS 卫星与 GSM 基站定位配合使用,技术更加完善,保证室内室外随时在线。
NeeMo 语音中心让你和 NeeMo 设备自如语音互动,并且 NeeMo 具有摔倒功能,老人出现意外跌倒,Neemo 立刻声音报警,提醒周围的人,并且即刻向监护人手机发送警告信息与当前位置信息。
具有全面的进入离开等安全管理操作及随时随地的提醒你家人位置情况的服务NeeMo 心电监护系列:NeeMo 心电监护系统产品适用于心脏活动不稳定的病人如心肌梗死或心律失常等患者的监护。
设备能随时了解心脏活动的状况,心脏活动异常时及时报警,给您随时随地的关爱和呵护。
功能讲解图及设备解析图设备网络服务设备网络功能概述6.牙科实时监控系统Teemo 是一个超薄可重复使用的传感器形状适合牙弓,并连接到您现有的 PC 的 USB 端口。
评估咬合力量很简单,只要有病人咬上传感器,计算机将显示时机和力量数据分析,当咬合不平衡时,会产生牙齿疼痛、修复过的牙齿的断裂、牙周病、牙齿脱落、头痛、颞下颌关节障碍、牙床萎缩和松动、牙齿磨损、敏感度增加。
根据 Teemo 提供的咬合信息来帮助牙医去修复牙齿和治疗牙病,使咬合平衡。
Teemo可以查看患者的所有咬合记录,这样对比下来,有助于牙医和患者看到牙齿的修复过程。
该项目技术主要包括三部分:1、包括柔性传感器阵列的制作;2、高速数据扫描,传输以及处理的电路的设计;3、相关牙科压力检测处理和软件算法的开发。
RFID传感器及支架设备手柄和支架及组装图7.可视多传感器姿态检测终端可视多传感器姿态检测终端是集成电路先导工艺研发中心基于ARM11 硬件平台,集成了姿态传感器、摄像头、雷达、温度传感器、LCD 液晶显示屏等模块于一体,在软件平台上实现了摄像、温度测量、测距,以及姿态信息的综合显示的检测终端。
该终端主要功能包括:4.3 寸大屏幕信息显示、温度监测、三维运动状态检测、视频采集与处理、超声测距。
该终端具有:全触摸屏操作,安全便捷;外观简单实用;多传感器数据融合和可扩展应用的特点。
适用于智能交通系统中的物流运输车辆,尤其是危险品运输,冷链物流等特殊物流行业应用,结合不同行业的业务特点实现车辆三维姿态检测(侧翻检测)、温度监测、测距、视频采集等功能,保证行车安全的同时提高物流运输的质量,提高行业工作效率,增强企业竞争力。
可视多传感器姿态检测终端8.集成磁性传感器集成磁性传感器以对运动物体的感知和检测为应用目标,完成非晶丝的高精度磁阻传感器系统功能设计,并结合高精度加速度传感器,陀螺传感器,GPS 模块,微处理器组成系统,实现了由微处理器对运动物体的姿态,行进方向,移动位移进行计算,实现精密定位。
该传感器具有以下功能:运动物体姿态检测、运动物体前进方向检测、运动物体位移检测、运动物体高度检测和运动物体位置检测的功能。
并具有多传感器数据融合、体积小、高精度、低功耗、全方位感知和检测运动物体的状态的特点。
本产品通过集成多种传感器实现对运动物体的前进方向、位移、高度、三维姿态、位置的检测,从而确定该运动物体的实时状态,可应用于航空航天、医疗康复、生物工程、军事体育等多个应用领域的多个场景,其各个子成果也有着多种应用领域,具有广阔的市场前景和社会经济效益。
集成磁性传感器9.红外热像仪光学读出非制冷红外热像采用新型光学读出方式,无需复杂的微读出电路,拥有低成本优势,可在社会各领域大规模普及应用。
其工作原理图如下:光读出红外热像仪原理图基于 MEMS 工艺的第三代 FPA 采用无基底、多回折、间隔镀金等诸多独家专利技术,使该红外热像仪拥有高温度分辨率等性能优势,其温度分辨率已达到热性红外热像仪的典型值(≈100mK),其理论分辨率可以进一步达到制冷红外热像仪的典型值(≈10mK);纯机械式的 FPA 设计完全避免了电学元素,通过简单的工艺复制即可方便的制作出超大阵列的 FPA(≥1024x1024),再结合基于空间滤波技术的并行式光学读出方法,使该红外热像仪拥有实现超大阵列 FPA 的技术优势。