半导体的基础知识教案
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电压较低时，由于外电场较弱，还不足以克服PN结内电场 对多数载流了扩散运动的阻力，所以正向电流很小，几乎为 零。此时二极管呈现出很大的电阻。
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1.2 半导体二极管
2.反向特性 图1-10所示曲线②部分为反向特性。二极管两端加上反向
电压时，由于少数载流子漂移而形成的反向电流很小，且在 一定的电压范围内基本上不随反向电压而变化，处于饱和状 态，所以这一段电流称为反向饱和电流IR。硅管的反向饱和 电流约在1μA至几十微安，锗管的反向饱和电流可达几百微 安，如图1-10的OC(OC’)段所示。 3.反向击穿特性 如图1-10中曲线③部分所示，当反向电压增加到一定数值 时，反向电流急剧增大，这种现象称为一极管的反向击穿。 此时对应的反向击穿电压用UBR表示。
1.4.2 晶体三极管的工作原理
三极管有两个按一定关系配置的PN结。由于两个PN结之间 的互相影响，使三极管表现出和单பைடு நூலகம்PN结不同的特性。三 极管最主要的特性是具有电流放大作用。下面以NPN型二极 管为例来分析。
1.电流放大作用的条件 三极管的电流放大作用，首先取决于其内部结构特点，即发
射区掺杂浓度高、集电结面积大，这样的结构有利于载流子 的发射和接收。而基区薄且掺杂浓度低，以保证来自发射区 的载流子顺利地流向集电区。其次要有合适的偏置。三极管 的发射结类似于二极管，应正向偏置，使发射结导通，以控 制发射区载流子的发射。而集电结则应反向偏置，以使集电 极具有吸收由发射区注入到基区的载流子的能力，从而形成 集电极电流。
1.1 半导体基础知识
1.1.1本征半导体
不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。最 常用的本征半导体是锗和硅品体，它们都是四价元素，在其 原子结构模型的最外层轨道上各有四个价电子。在单品结构 中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有， 形成了如图1-1所示的共价键结构，图中的+4表示四价元素 原子核和内层电子所具有的净电荷。本征半导体在温度 T=0K(热力学温度)目没有其他外部能量作用时，其共价键 中的价电子被束缚得很紧，不能成为自由电子，这时的半导 体不导电，在导电性能上相当于绝缘体。但是，当半导体的 温度升高或给半导体施加能量(如光照)时，就会使共价键中 的某些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自 由电子，同时在共价键中留下一个空位，这个现象称为本征 激发，如图1-2所示，自由电子是本征半导体中可以参与导 电的一种带电粒子，叫做载流子。
大学物理半导体教案
课时安排：2课时教学目标：1. 理解半导体的基本概念、导电性能及其应用。
2. 掌握半导体材料的特性，包括本征半导体、杂质半导体以及PN结的形成。
3. 理解PN结的单向导电特性，并学会分析二极管的基本电路。
4. 了解半导体三极管的结构、工作原理以及放大作用。
教学内容：一、半导体基础知识1. 半导体的定义、导电性能及其特点。
2. 本征半导体与杂质半导体的区别。
3. 半导体材料的能带结构。
二、PN结的形成与特性1. PN结的形成过程。
2. PN结的特性：单向导电性、反向截止特性。
3. PN结的伏安特性曲线。
三、半导体二极管1. 二极管的基本结构、符号及主要参数。
2. 二极管的伏安特性曲线及主要参数。
3. 二极管的应用电路：整流、稳压、限幅等。
四、半导体三极管1. 三极管的结构、符号及分类。
2. 三极管的工作原理：放大作用。
3. 三极管的放大电路：共发射极、共基极、共集电极。
教学过程：第一课时：一、导入新课1. 通过生活中的实例，如手机、电脑等，引入半导体的概念。
2. 提问：什么是半导体？它有哪些特点？二、讲授新课1. 半导体基础知识：介绍半导体的定义、导电性能及其特点。
2. 本征半导体与杂质半导体的区别：讲解本征半导体、杂质半导体以及能带结构。
三、课堂练习1. 让学生分析不同半导体材料的导电性能差异。
2. 讨论半导体的应用领域。
第二课时：一、复习导入1. 回顾上节课所学内容，提问：什么是PN结？PN结有哪些特性？二、讲授新课1. PN结的形成与特性：讲解PN结的形成过程、单向导电性、反向截止特性。
2. PN结的伏安特性曲线：分析PN结的伏安特性曲线，讲解其主要参数。
三、讲授新课1. 半导体二极管：介绍二极管的基本结构、符号及主要参数。
2. 二极管的伏安特性曲线及主要参数：分析二极管的伏安特性曲线，讲解其主要参数。
3. 二极管的应用电路：讲解整流、稳压、限幅等应用电路。
四、课堂练习1. 让学生分析二极管在电路中的作用。
第三节 半导体物理教案
(一)教材人教社九年义务教育初中物理第二册(二)教学目的1．常识性了解什么叫半导体和常见的半导体材料．2．常识性了解半导体具有的三种特殊的电学性能．(三)教具演示实验：四节干电池，量程是5毫安的电流表，锗晶体二极管（2ap型）一只，玻璃外壳的三极管（如3ax型）一只，开关一个，导线若干．(四)教学过程1．复习提问：(1)什么是导体，什么是绝缘体？(2)怎样比较材料导电性能的好坏？（比较长度、横截面积和温度都相同的情况下，不同材料制成导体的电阻大小．）2．引入新课翻开课本看几种材料制成的长1米、横截面积1毫米2的导线在20℃时的电阻是10-1～10-2欧．举几个绝缘5的例子，长1米、横截面积是1毫米2的木材在20℃时的电阻约是10-14～1018欧，玻璃的电阻是1016～1020欧，橡胶的电阻是1018～1021欧．由比较可见，在相同条件下，绝缘体的电阻比导体的电阻大十万亿（1013）倍以上．3．进行新课(1)什么叫半导体？导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化镓等．半导体在科学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用．（例如：电视、半导体收音机、电子计算机等）这是什么原因呢？下面介绍它所具有的特殊的电学性能．(2)半导体的一些电学特性①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化．用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化．②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小．用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化．按图9连好电路，不要给学生画出电路图，告诉学生电路中的d中有半导体锗，让学生观察常温下电流表的示数（示数很小），再用手捏住d，或用点燃的火柴接近d，观察此时电流表示数（示数明显增大）．比较前后两次电流表示数，说明半导体的电阻随温度升高而减小．③光敏性，有的半导体在光照下电阻大为减小．用途：制成光敏电阻，用于对光照反映灵敏的自动控制设备中．先做实验，电路图见图10．用四节干电池串联作电源．图中三极管用玻璃外壳的三极管（例如3ax81），把外壳上的漆刮去，将三极管的发射极e、集电极c连入电路中．在没有光照时，观察电流表的示数（示数很小），再用手电筒光照到管内锗片（pn结上），观察电流表的示数变化（示数明显变大）．比较前后两次电流表示数，说明半导体受到光照后电阻将大大减小．4．小结这堂课讲授了什么是半导体，一些常见的半导体材料，半导体的三种电学特性，正是由于半导体具有许多特殊的电学性质，所以它有着广泛的应用．(五)说明1．半导体这一内容，只要求做到常识性了解，不要讲得过深过难．这一部分知识是科学常识，又将学习第十五章有用的电子元件做准备，所以虽然是选学内容，还是讲讲为好．2．半导体的热敏性和光敏性，最好是通过实验的观察得出结论，使学生获得感性知识，还可以提高学习兴趣．。
光电功教案——半导体材料的应用
光电功教案——半导体材料的应用一、教学目标1. 让学生了解半导体材料的基本概念和性质。
2. 使学生掌握半导体材料在光电功应用中的关键技术。
3. 培养学生的实验操作能力和创新思维。
二、教学内容1. 半导体材料的基本概念和性质半导体的定义半导体的分类半导体的导电原理2. 半导体材料在光电功应用中的关键技术光电探测器光电转换效率光电器件的性能指标三、教学方法1. 采用讲授法，讲解半导体材料的基本概念、性质及其在光电功应用中的关键技术。
2. 利用演示实验，让学生直观地了解半导体材料的特性和应用。
3. 开展小组讨论，引导学生深入思考半导体材料在光电领域的潜在应用。
四、教学准备1. 教材或教学资源：《光电功》相关章节。
2. 教具：PPT、投影仪、演示实验器材。
3. 学具：笔记本、实验报告模板。
五、教学过程1. 导入：通过一个光电探测器的工作原理视频，引发学生对半导体材料在光电功应用中的兴趣。
2. 新课讲解：a. 讲解半导体材料的基本概念和性质。
b. 介绍半导体材料在光电功应用中的关键技术。
3. 演示实验：展示一个光电探测器的工作原理实验，让学生直观地了解半导体材料的特性。
4. 小组讨论：让学生围绕半导体材料在光电领域的潜在应用展开讨论，并提出自己的见解。
5. 课堂小结：总结本节课的重点内容，强调半导体材料在光电功应用中的重要作用。
6. 布置作业：让学生结合课堂所学，编写一份关于半导体材料在光电功应用的实验报告。
六、教学拓展1. 引导学生了解半导体材料在其他领域的应用，如微电子、光电子、能源等。
2. 介绍半导体材料的发展趋势和我国在半导体领域的研究成果。
七、课堂互动1. 提问环节：在学习过程中，学生可以随时向老师提问，老师应及时解答。
2. 讨论环节：在讲解半导体材料的应用时，老师可以组织学生进行小组讨论，分享彼此的见解。
八、教学评估1. 课堂表现：观察学生在课堂上的参与程度、提问和回答问题的积极性等。
2. 作业完成情况：评估学生对课堂所学知识的掌握程度，以及实验报告的质量。
九年级物理§19.2《半导体》教案
第二节半导体教学目标：1．知道身边形形色色的材料中按导电性不同可分为：导体、半导体、绝缘体三大类。
2．初步了解半导体的一些特点。
3．了解半导体材料的发展对社会的影响。
教学重难点：重点：1、知道材料根据导电性的不同分为三类。
2、知道半导体二极管具有单向导电性，半导体三极管可以放大电信号。
3、知道半导体在生活中应用。
难点：掌握材料根据导电性不同的分类及半导体二极管的单向导电性。
教学准备：电源、灯泡、导线、若干待测材料（如铜、铁、铝等导体，酸、碱、盐的水溶液，纯水、自来水，玻璃、橡胶、铅笔杆、塑料圆珠笔杆等）、接线板、接线柱（或带导线的金属夹）、开关、电阻、半导体二极管、光电二极管、热敏电阻、发光二极管、三极管及集成电路、酒精灯、电磁继电器。
教学设计：种类作用原因联系2、实验探究：物质的导电性仪器与器材：电源、灯泡、导线、带导线的金属夹(俗称鳄鱼夹)、待测材料如硬币、铅笔芯、水湿木材、橡皮擦，塑料尺等(可以用其他材料代替，另教师提供部分待测材料)．实验参考电路，如右图所示3、导体和绝缘体并没有绝对界限如右图甲，闭合开关灯不亮．用酒精灯给玻璃加热到红炽状态，小灯泡发光(如图乙)．这一现象说明了什么?玻璃在通常情况下是相当好的绝缘体．当对其加热到红炽状态时，小灯泡发光，表明玻璃变成导体了。
二、半导体元件1、展示各种半导体元件：半导体二极管、光电二极管、热敏电阻、发光二极管、三极管及集成电路等2、演示实验：探究半导体二极管单向导电特性仪器与器材：电源、半导体二极管V、电阻R、灯泡、导线、接线板、接线柱．等．学会设计判断导体与绝缘体的实验装置电路图，并用身边材料进行实验绝缘体在一定条件下可以变成导体！1、观察教师展示的各种半导体元件，并对照课本P166内容，初步认识各种半导体元件及其某些特点。
2、明确实验的器材、电路及步骤。
对实验观察、记录，分析得出实验结论。
（半导体二极管仅允许电流从其正极流入，这种特性叫做半导体二极管的单向导电性）。
半导体集成电路教学教案
• 掺杂
• 平坦化与抛光
• 测试与封装
光刻工艺与刻蚀工艺
光刻工艺的原理与应用
• 光刻胶与光源的选择
• 曝光与显影过程
• 刻蚀与去除光刻胶
刻蚀工艺的原理与应用
• 干法刻蚀与湿法刻蚀
• 反应离子刻蚀（RIE）与深反应离子刻蚀（DRIE）
• 刻蚀气体与条件的选择
薄膜沉积与掺杂工艺
薄膜沉积的原理与应用
半导体集成电路在人工智能与机器学习领域的应用
• 深度学习神经网络与计算机视觉
• 语音识别与自然语言处理
半导体集成电路在物联网与智能家居领域的应用
• 传感器与执行器
• 通信与数据处理
半导体集成电路在新能源与环保领域的应用
• 太阳能电池与燃料电池
• 节能与减排技术
⌛️
谢谢观看
THANK YOU FOR WATCHING
• 筛选合格芯片与不合格芯片
• 性能测试（如速度测试、功耗测试）
• 评估芯片的可靠性
• 可靠性测试（如热循环测试、振动测试）
05
半导体集成电路应用与前景
半导体集成电路在通信领域的应用
通信电路的基本构成
• 信号处理电路
• 信号传输电路
• 信号接收电路
半导体集成电路在通信领域的应用
• 基带处理器与射频处理器
掺杂工艺的原理与应用
• 化学气相沉积（CVD）
• 扩散掺杂与离子注入掺杂
• 物理气相沉积（PVD）
• 掺杂材料与能量的选择
• 电泳沉积与喷涂沉积
• 掺杂浓度的控制
04
半导体集成电路封装与测试
集成电路封装技术概述
集成电路封装的目的与作用
半导体的基础知识教案
半导体的基础知识教案第一章：半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章：双极型晶体管（BJT）3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章：场效应晶体管（FET）4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章：半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章：半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM（随机存取存储器）的原理与应用解释ROM（只读存储器）的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存（NAND/NOR）的原理与应用介绍固态硬盘（SSD）的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章：太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章：半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章：半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章：半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一：半导体的定义与特性重点环节二：半导体的分类与制备重点环节三：PN结与二极管重点环节四：双极型晶体管（BJT）重点环节五：场效应晶体管（FET）重点环节六：半导体存储器重点环节七：太阳能电池与光电子器件重点环节八：半导体传感器重点环节九：半导体激光器与光通信重点环节十：半导体技术与未来趋势全文总结和概括：本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析，包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。
半导体基础知识教案
半导体基础知识教案教案：半导体基础知识一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性。
2.认识半导体器件的分类和特点。
3.理解PN结的形成原理。
4.掌握半导体材料的基本性质和载流子的性质。
5.能够解释N型和P型半导体的形成过程及其特点。
二、教学重点1.半导体的基本概念和特性。
2.PN结的形成原理和性质。
三、教学难点1.半导体材料的基本性质和载流子的性质。
2.N型和P型半导体的形成过程及其特点。
四、教学过程1.导入（10分钟）通过展示一些常见的电子器件，引导学生思考半导体在电子器件中的作用，并提出相关问题。
2.讲解半导体的基本概念和特性（30分钟）（1）什么是半导体？（2）半导体的特性：导电性介于导体和绝缘体之间，自由载流子密度较低，导电性可通过控制去控制。
（3）半导体的晶体结构：满足共价键结构，可分为三维晶体和二维薄膜。
3.讲解PN结的形成原理和性质（40分钟）（1）PN结的形成原理：在P型和N型半导体相接触时，P型区域的空穴会向N型区域扩散，而N型区域的电子会向P型区域扩散，从而形成PN结。
（2）PN结的特性：具有整流作用，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
4.讲解半导体材料的基本性质和载流子的性质（40分钟）（1）半导体材料的基本性质：硅和锗是常见的半导体材料，它们的常见性质包括禁带宽度和载流子浓度等。
（2）载流子的性质：包括载流子类型、载流子浓度和载流子迁移率等。
5.解释N型和P型半导体的形成过程及其特点（40分钟）（1）N型半导体的形成：掺杂少量的五价元素，如砷、锑等，形成多余电子，增加了电子浓度，形成N型半导体。
（2）N型半导体的特点：导电性主要由电子提供，因此电子迁移到P 型区域发挥导电作用。
（3）P型半导体的形成：掺杂少量的三价元素，如硼、铝等，形成多余空穴，增加了空穴浓度，形成P型半导体。
（4）P型半导体的特点：导电性主要由空穴提供，空穴迁移到N型区域发挥导电作用。
6.总结与讨论（20分钟）总结半导体的基本概念、特性以及PN结的形成原理和性质。
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半导体的导电性：在外电场作用下，自由电子产生定向移动,形成电子电流;另一方面，价电子也按一定方向依次填补空穴,即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。
载流子:由此可见,半导体中存在着两种载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴.本征半导体中自由电子与空穴是同时成对产生的,因此,它们的浓度是相等的。
载流子的浓度:价电子在热运动中获得能量摆脱共价键的束缚，产生电子—空穴对。
同时自由电子在运动过程中失去能量，与空穴相遇,使电子-空穴对消失，这种现象称为复合。
在一定的温度下，载流子的产生与复合过程是相对平衡的，即载流的浓度是一定的。
本征半导体中的载流子浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关，当本征半导体所处环境温度升高或有光照射时，其内部载流子数增多,导电能力随之增强。
所以半导体载流子的浓度对温度十分敏感。
上述特点称为本征半导体的热敏性和光敏性,利用这些特点可以制成半导体热敏元件和光敏元件。
半导体的导电性能与载流子的浓度有关，但因本征载流子在常温下的浓度很低，所以它们的导电能力很差．当我们人为地、有控制地掺入少量的特定杂质时,其导电性将产生质的变化。
二、杂质半导体
在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素（叫杂质元素),就形成杂质半导体,其导电能力将大大增强。
因掺入杂质不同，杂质半导体可分为空穴(Ｐ)型和电子（N)型半导体两类。
１、P型半导体
在硅（或锗)的晶体内掺入少量三价元素(如硼元素）.硼原子只有３个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。
这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子，具有导电性能.在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子（多子)，自由电子为少数载流子（少子)．导电以空穴为主,故此类半导体称为空穴(P)型半导体。
2、N型半导体
在纯净的半导体硅(或锗)中掺入微量五价元素（如磷元素)后,就可成为N型半导体。
在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,自由电子为多数载流子（多子）;空穴为少数载流子(少子),导电以电子为主，故此类半导体称为电子（N)型半导体。
总结半导体的特点：
1．导电能力介于导体与绝缘体之间
2.受外界光和热的刺激时,导电能力会产生显著变化.
３。
在纯净半导体中，加入微量的杂质，导电能力急剧增强．
三、ＰN结的形成及特性
1.PＮ结的形成
在一块完整的晶片上，通过一定的掺杂工艺,一边形成Ｐ型半导体,另一边形成N型半导体。
在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层，称为空间电荷区,并产生内电场，其方向
是从N 区指向Ｐ区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止，使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即ＰN 结。
因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。
2。
ＰN 结的单向导电特性
在PN 结两端外加电压,称为给PN 结以偏置电压. 1） PN 结正向偏置
给ＰN 结加正向偏置电压,即P 区接电源正极，N 区接电源负极，此时称PN 结为正向偏置(简称正偏），如图1。
6所示。
由于外加电源产生的外电场的方向与P Ｎ结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使ＰＮ结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN 结处于正向导通状态。
图1．6 PN 结加正向电压 图1．7 PN 结加反向电压
2) PN 结反向偏置
给P Ｎ结加反向偏置电压，即N 区接电源正极,P 区接电源负极,称P Ｎ结反向偏置(简称反偏),如图1。
7所示。
由于外加电场与内电场的方向一致，因而加强了内电场，使ＰＮ结加宽,阻碍了多子的扩散运动。
在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流，称为反向电流.此时P Ｎ结内几乎无电流流过,P Ｎ结处于反向截止状态。
综上所述，PN 结具有单向导电性，即加正向电压时导通,加反向电压时截止
＋＋＋＋－－－－
空穴(少数)
电子(少数)
变厚
P N
内电场外电场
A
I R
R
U
＋＋＋＋＋＋＋＋
－－－－－－－－＋
－
＋＋＋＋
－－－－
空穴(多数)
电子(多数)
变薄
P
N
内电场
外电场
mA
＋
－I
R
U。