模拟电子技术基础试卷-第二章复习
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础第二章例题习题
【例2-1】理想二极管电路如例2-1图所示，试判断二极管是导通还是截止？并求输出电压U A0。
解：为了判断二极管在电路中是导通的还是截止，首先假设将二极管断开，确定二极管两端的电位差；然后根据二极管两端加的是正向电压还是反向电压判定二极管是否导通，若二极管两端的电位差为正向电压且大于阈值电压，则二极管导通，若二极管两端的电位差为反向电压，则二极管截止；若电路中出现两个或两个以上二极管，则判断承受正向电压较大的二极管优先导通，再按照上述方法判断其余的二极管是否导通。
本例中，对于例2-1图(a)所示电路, 当二极管D 断开后，V 4)9()5(A B BA =−−−=−=U U U ，所以二极管D 导通，V 5A0−=U 。
对于例2-1图(b) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3)12()9(11B A AB =−−−=−=U U UV 6)15()9(22B A AB =−−−=−=U U U ，由于12AB AB U U >，所以二极管2D 先导通，2D 导通后V 15A0−=U ，这时V 3)12()15(11B A AB −=−−−=−=U U U ，所以二极管1D 最终处于截止状态。
对于例2-1图(c) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3912A B A B 11=−=−=U U U , V 1910A B A B 22=−=−=U U U ，由于A B A B 21U U >，因此，二极管1D 优先导通，1D 导通后，V 12A0=U ，此时，V -21210A B A B 22=−=−=U U U ，所以二极管2D 最终处于截止状态。
5V例2-1图【例2-2】例2-2(a)图所示电路中的二极管是硅管，①若二极管为理想二极管，则流过二极管中的电流是多少？②如果二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？③若U ＝20V ，且二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？ 解：由例2-2图(a)所示电路①若二极管为理想二极管，二极管D 因受正向电压而导通，U D ＝0V ，二极管中的电流为 mA 82.1107.461D =×==R U I ②如果二极管正向导通压降为0.7V 先判断二极管是导通还是截止。
模拟电子技术复习试题二
模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时，晶体二极管的I s将_________，V D(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA，I C为1mA，I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=3V，则该管工作在_________区。
模拟电子技术基础 王英主编教材 第2章作业参考答案
第2章作业参考答案一、选择题1. B2. B3. B4. B5. A6. C7. C8. D9. A 10. B 13.B 14.B 15.C 19.C 24.A 25.B 26.C 27.C 28.B 29.C二简答与计算题31.解：（1）偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=（12-0.7）/240=0.047 mA集电极电流IC=βIB =40×0.047=1.88 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=12-1.88×3=6.36 V（2）在静态时（ui=0）C1上的电压为0.7V（等于UBE），靠近晶体管基极端为正极；C2上的电压为6.36V（等于UCE），靠近晶体管集电极端为正极（3）若使UCE=3V，则RB =β(UCC-UBE)/(UCC - UCE)=40(12-0.7)/(12-3)=50.2 kΩ若使IC =1.5 mA，则RB=β(UCC-UBE)/ IC=40(12-0.7)/1.5=301.3 KΩ（4）若UCC =10V，UCE =5V，IC=2，β=40，则RC=(UCC - UCE)/ IC=(10-5)/2=2.5 KΩRB=β(UCC-UBE)/ IC=40(10-5)/2=100 KΩ32.解：偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=[-6-(-0.2)]/200=-0.029 mA集电极电流IC=βIB =50×(-0.029)=-1.45 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=-6-(-1.45)×2=-3.1 V33.解：（1）IB= IC/β=1.55/50=0.031 mA，IE =(1+β) IB=(1+50) ×0.031=1.581 mA 由IE =（VB-UBE）/RE 得VB =IE RE+ UBE=1.581×2+0.7=3.862 V由VB = I2 RB2 得RB2 = VB/ I2=3.862/0.31≈12 KΩ（令I2= 10IB）由I2≈UCC/( RB1+RB2) 得RB1≈ UCC/ I2-RB2≈15/0.31-12.45≈36 KΩ（2）因直流通路中电容相当于断路，故RE有或无旁路电容时，静态工作点无变化。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
模拟电子第二章复习习题及答案
第二章半导体二极管及其基本电路自测题一、填空题1. 1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
2. 2.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
当外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
3. 3.在常温下，硅二极管的门限电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V，锗二极管的门限电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。
5.在本征半导体中，自由电子浓度空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度空穴浓度。
6. 6.使PN结正偏的方法是：将P区接电位，N区接电位。
正偏时PN结处于状态，反偏时PN结处于状态。
7.7.空间电荷区中不存在，只有不能移动的离子，其中靠近P区的是离子，靠近N区的是离子。
所建电场有利于运动，阻碍运动。
8.8.反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于状态，该状态是_____二级管的工作状态，是二极管的故障状态。
10.10.理想二级管正向导通时，其压降为V；反向截止时，其中电流为A。
这两种状态相当于一个。
11.11.稳压二极管工作时，其反向电流必须在范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
12.12.用万用表R×100Ω或R×1kΩ档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管极，红表笔接的是二极管极。
二、选择题1. 1.对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）a．多数载流子；b．少数载流子；c．既有多数载流子又有少数载流子。
2. 2.当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）a．增加；b．减少；c．不变。
3. 3.用万用表的R×100Ω或R×1kΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测试结果（）a．增加；b．减少；c．不变。
4. 4.面接触型二极管适用于（）a．高频检波电路；b．工频整流电路。
5. 5.当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为U D=0.7V。
模拟电子技术基础第二章练习题
模拟电⼦技术基础第⼆章练习题注意：答案仅供参考！⼀、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件，⽽场效应管属于电压控制器件。
2. 放⼤器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和⾮线性失真。
3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时，其电压增益将变⼤；若负载电阻R L 变⼩时，其电压增益将变⼩。
4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩；产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤；若两种失真同时产⽣，其原因是输⼊信号太⼤。
5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。
6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真；Q 点选得过⾼会导致饱和失真。
7.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =，V CE （sat ）=,当β=50，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ；若换上⼀个当β=80，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ，三级管⼯作在饱和状态。
8.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = k Ω，R C = 4 k Ω。
9.对于下图所⽰电路，已知VCC =12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=,现要求静态电流ICQ =3mA，则R= 12 kΩ。
10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40，VBE =，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ = ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升⾼时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放⼤系数β增⼤，穿透电流ICEO 增加，当IB不变时，发射结正向压降|UBE| 减⼩。
12.若下图所⽰放⼤电路在冬天调试时能正常⼯作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增⼤，这时发⽣的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于夏天室温升⾼后，三级管的 ICBO 、 V和β三个参数的变化，引起⼯作点上移；输出波形幅度增⼤，则是因为β参数随温度升⾼⽽增⼤所造成，输出波形幅度增⼤也是引起失真的⼀个原因。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电子基础试卷2及答案
模拟电子基础试卷2及答案《模拟电子技术》模拟试题2一、每个问题20分，每个空白1分1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
2.在有源滤波器中，运算放大器在工作区工作；在迟滞比较器中，运算放大器在工作区工作。
3．在三极管多级放大电路中，已知au1＝20，au2＝－10，au3＝1，则可知其接法分别为：au1是放大器，au2是放大器，au3是放大器。
4.在双输入单输出的差分放大器电路中，发射极re的公共电阻对信号的放大没有影响，并抑制信号。
差分放大器的共模抑制比Kcmr=。
a5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为放大倍数为，截止频率为。
2001? Jf200，那么这个滤波器是带通带的滤波器6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。
7.二极管的主要特性如下。
二、选择题（10分）1.P型半导体通过在本征半导体中掺杂（）形成。
a、3价元素b、4价元素c、5价元素d、6价元素2、pn结v―i特性的表达示为（）vd/vtvdi？i（e？1）i？i（e？1）dsdsa、b、vd/vtvd/vti?ie?1i?edsc、d、d3.与每个单级放大电路相比，多级放大电路的通带（）a、宽B、窄C和不变D与每个单级放大电路无关4、某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入12kω的负载电阻后，输出电压降为3v，这说明放大电路的输出电阻为（）a、10kωb、2kωc、4kωd、3kω5、三极管工作于放大状态的条件是（）a、发射极结正偏压、集电极结反向偏压B、发射极结正偏压、集电极结正偏压C、发射极结反向偏压、集电极结正偏压D、发射极结反向偏压、集电极结反向偏压6。
三极管电流源电路的特点如下：a、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小b、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大c、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小d、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大7.绘制三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应为（）a，短路B，开路C，不改变D和电流源8、带射极电阻re的共射放大电路，在并联交流旁路电容ce后，其电压放大倍数将（）a、减小b、增大c、不变d、变为零9、多级放大电路的级数越多，则其（）a、放大系数越大，通带越窄，放大系数越大，通带越宽，放大系数越小，通带越宽，放大系数越小，通带越窄。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2．ICQ＝3mA，
UCEQ＝3V
3．首先出现底部失真 4．Rb 应增大。
(10 分)[3][答案] 1．β≈100 2．IBQ≈30μA 作直流负载线， ICQ≈3mA UCEQ≈6V
i C mA 6
I CQ
Q I BQ
0
UCEQ
12
u CE V
Rc //RL 1.5k 3． RL
1．画出微变等效电路图；
、输入电阻 R 、输出电阻 R 。 2．计算电压放大倍数 A o u i
R g2 9.1M C1
Rd 10k
VDD ( 15V) C2
ui
R g1 1M Ri Ro
uo
RL 20k
(10 分)[37]已知图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导
g m ＝2mS， rds 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
(5 分)[6] (5 分)[7]A0500017_004_16 题目文档没有找到！ (6 分)[8]放大电路如图所示。为能不失真地放大 100Hz～1kHz 的 正弦信号 Rc 、 Rb 、C1、C2 应选表中哪一组数值为宜? a组
Rc Rb
b组 10 k 1 M
10 μF 10 μF
V CC ( 10V) Rc
iC mA +V CC (+15V) Rb 240k Rc 1.5k C2 12 10 8 uo RL 1.5k 6 4 2 0 5 10 120A 100A 80A 60A 40A IB =20A 15 u CE V
ui
C1
(3 分)[14]放大电路和示波器测得输出电压 uO 的波形如图所示， 试问该放大电路产生了什么失真（饱和、截止）？为消除失真应 采取什么措施？
(U /U ) 、输入电阻 R 、输出电阻 R ； 2．求电压放大倍数 A o u o i i 。 3．当负载电阻 RL 开路时，求电压放大倍数 A u
+V CC (+12V) R b2 C1 RL 5.1k Rc 5.1k C2
ui
R b1 20k Ri
Re 3k
uo Ce Ro
+V CC Rb C1 ui uo RL Rc C2
(6 分)[39]在室温为 20 ℃的实验室中调试好的放大电路（电路如 图所示）的最大不失真幅值达 5V，该放大器放在 40℃的高温车
间中工作后，发现最大不失真输出幅值明显减小了。试分析其原 因，并说明当输入电压逐渐增大，输出电压波形首先出现顶部削 平还是底部削平失真？为满足高温环境要求， 电路上应作什么改 进？
ui t uo t (b)
(3 分)[33]比较图示的几个放大电路， 哪一个输入电阻最大？哪一 个输入电阻最小？
+12V 3k 1M 3k +12V 1M 3k +12V
uo ui 1M Ri (a) 1k
ui
1k Ri (b)
uo
ui
1k Ri (c)
uo
(5 分)[34]定性画出图示三个电路输出电压波形 （设电路在线性条 件下工作，电容的容抗忽略不计） 。
+V CC (+12V) Rb 280k Rc 3k C2 5 4 VT ui C1 uo RL 3k 3 2 1 0 2 4 6 8 10 i C mA 100A 80A 60A 40A IB =20A 12 u CE V
(6 分)[11]用一个 PNP 管组成如图所示的共射放大电路， 在图中用 正确的符号和极性填补管子 VT、电源 VCC、电解电容 C1、C2（标 明极性） 。
c组 10 k 100 k
0.1 μF 0.1 μF
d组 10 k 1 M
0.1 μF 0.1 μF
10 k 100 k
10 μF 10 μF
C1 C2
Rb C1 ui
C2
uo
(6 分)[9]放大电路如图所示,为能不失真地放大 100HZ～1kHZ 的正
弦信号， Rb2 、 Rb1 、 、C1、C2、Ce 应选表中哪一组数值? a组
(10 分)[18]已知图示电路中晶体管的β ＝110， rbb 100 ，UBEQ＝ 0.7V。 1．要求电路的静态电压 U CEQ ＝4.5V，则 Rb 应取多大？
、 2． 计算该放大电路的电压放大倍数 A 输入电阻 Ri 、 输出电阻 Ro 。 u
+V CC (+10V) Rc 2k Rb uI V BB 1.2V uO
过 Q 作交流负载线，斜率为
1 ， 1.5k
作图得 Uom＋≈4.5V，Uom－≈5.5V，
最大不失真输出电压幅值
Uom＝4.5V
(10 分)[4][答案] 1．IBQ≈40μA 2．作直流负载线如图所示，ICQ≈2mA UCEQ≈5V
iC mA 6 5 4 3 2 1 0 5 10 Q 120A 100A 80A 60A 40A IB =20A 15 u CE V
(10 分 )[28] 射极跟随器及晶体管输出特性如图所示，设 U BEQ ＝ 0.6V，电容足够大，对交流信号可视为短路。 1．确定晶体管的β 值，估算 I BQ 的值； 2．画出直流负载线，确定 I CQ 、 U CEQ 的值； 3．画出交流负载线，确定上述条件下正弦输出电压最大跟随幅 度。
i C mA +V CC (+12V) 6 5 4 C2 Re 2k uo RL 6k 3 2 1 0 2 4 6 8 10 60A 50A 40A 30A 20A IB =10A 12 u CE V
3．作交流负载线，Uom＋≈5V， Uom－≈UCEQ－UCES≈4.5V， 取 Uom＝Uom－＝4.5V
(6 分)[5][答案]
(5 分)[6][答案] 05|02|1|05|A0500017_004_16|346 ^^放大电路如图所示。为能进行不失真地放大， R1 、 R2 的数值应 取表中哪一组？ a组
、输入电阻 R 、输出电阻 R 。 2．计算电压放大倍数 A o u i
+VDD (+12V) Rd 6.8k C1 uo Cs Ro RL 15k
C2
ui
Rg 1M Ri
Rs 2k
(10 分)[36]已知图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导
g m ＝5mS， rds 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
Ri
Ro
(12 分)[22]已知图示电路中晶体管 β ＝50，rbb ' 100 ， UBEQ＝0.7V。 判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。 1． Rb ＝10 k ，
Rc ＝1 k
2． Rb ＝510 k
Rc ＝5.1 k
如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点 I BQ 、 I CQ 、
+V CC +V CC +V CC
ui
uo
ui
uo
ui
uo
ui O uo O (a) t O t O
ui t uo t (b) O O
ui t uo t (c)
(10 分)[35]已知图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导
g m ＝1mS， rds 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
1．画出微变等效电路图；
Rb 180k
C1 ui
(4 分)[29]分压式工作点稳定电路如图所示，回答以下问题： 1． 该电路对静态参数 I BQ 、I CQ 、U CEQ 是否都有稳定作用？若不是， 则说明对哪些参数有稳定作用？
、 R 是否有稳定作用？ 2．该电路对动态参数 A u i
+V CC R b2 C1 Rc C2
Rb2 Rb1
b组 39 k 10 k
0.1 μF 0.1 μF
c组 10 k 39 k
10 μF 10 μF 100 μF
d组 39 k 10 k
10 μF 10 μF 100 μF
10 k 39 k
0.1 μF 0.1 μF
C1 C2 Ce
1 μF
1 μF
+V CC (+10V) R b2 C1 Rc 3k C2
+V CC Rb C1 Rs uS uO RL Rc C2
uS t uO t
(3 分)[15]放大电路和示波器测得输出电压 uO 的波形如图所示， 试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真？为消除失真应 调整电路哪个参数？该参数应增大还是减小？
+V CC Rb C1 Rs uS uO RL uO t Rc C2 t uS
ui
R b1
Re
Ce
uo
(6 分)[30]共集放大电路如图所示，画出简化 h 参数等效电路图，
和输入电阻 R 的计算公式。 写出电压放大倍数 A u i
+V CC Rb C1 C2 ui
Re Ri
uo
(5 分)[31]放大电路与输入电压波形如图所示， 定性画出输出电压 uO 和 c 、e 极间电压 u CE 对应于 u i 的波形图（在线性范围内） 。
V CC Rb C1 ui uo RL Rc C2
====================答案==================== 答案部分，(卷面共有 39 题,314.0 分,各大题标有题量和总分) 一、非客观题(39 小题,共 314.0 分) (10 分)[1][答案] 1．IBQ＝20μA，作图如下：
ui +V CC Rb C1 u CE ui C2 O u CE O t O uO t t
Re
uO
(4 分)[32]定性画出图示两个电路的输出电压波形 （设电路工作在 线性区，电容的容抗忽略不计） 。
+VDD Rd C1 uo C2 C1 C2 Rs +VDD