模拟电路典型例题讲解
模拟电子技术二极管典型例题讲解
【例1-1】分析图所示电路的工作情况，图中I为电流源，I=2mA。
设20℃时二极管的正向电压降U D=660mV，求在50℃时二极管的正向电压降。
该电路有何用途？电路中为什么要使用电流源？【相关知识】二极管的伏安特性、温度特性，恒流源。
【解题思路】推导二极管的正向电压降，说明影响正压降的因素及该电路的用途。
【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数，可以用于温度的测量。
其温度系数–2mV/℃。
20℃时二极管的正向电压降U D=660mV50℃时二极管的正向电压降U D=660 –（2´30）=600 mV因为二极管的正向电压降U D是温度和正向电流的函数，所以应使用电流源以稳定电流，使二极管的正向电压降U D仅仅是温度一个变量的函数。
【例1-2】电路如图(a)所示，已知，二极管导通电压。
试画出u I与u O的波形，并标出幅值。
图(a)【相关知识】二极管的伏安特性及其工作状态的判定。
【解题思路】首先根据电路中直流电源与交流信号的幅值关系判断二极管工作状态；当二极管的截止时，u O=u I；当二极管的导通时，。
【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示，即开启电压U on和导通电压均为0.7V。
由于二极管D1的阴极电位为＋3V，而输入动态电压u I作用于D1的阳极，故只有当u I高于＋3.7V时 D1才导通，且一旦D1导通，其阳极电位为3.7V，输出电压u O=＋3.7V。
由于D2的阳极电位为－3V，而u I作用于二极管D2的阴极，故只有当u I低于－3.7V时D2才导通，且一旦D2导通，其阴极电位即为－3.7V，输出电压u O=－3.7V。
当u I在－3.7V到＋3.7V之间时，两只管子均截止，故u O=u I。
u I和u O的波形如图(b)所示。
图(b)【例1-3】某二极管的反向饱和电流，如果将一只1.5V的干电池接在二极管两端，试计算流过二极管的电流有多大？【相关知识】二极管的伏安特性。
电路模拟分析专项练习题
电路模拟分析专项练习题
问题一
在一个简单的直流电路中，有一块电源以6伏的电压提供电流。
电源连接一个10欧姆的电阻。
请计算通过电路的电流大小。
解答一
根据欧姆定律，我们可以使用以下公式来计算通过电路的电流：
I = V / R
其中，I是电流，V是电压，R是电阻。
将给定的数值代入公式中，得到：
I = 6伏 / 10欧姆 = 0.6安
所以，通过电路的电流大小为0.6安。
问题二
在问题一中的电路中，假设电源的电压保持不变，现在连接一
个额外的20欧姆的电阻。
请计算通过电路的新电流大小。
解答二
根据欧姆定律，我们可以使用相同的公式来计算通过电路的电流：
I = V / R
将给定的数值代入公式中，得到：
I = 6伏 / (10欧姆 + 20欧姆) = 6伏 / 30欧姆 = 0.2安
所以，通过电路的新电流大小为0.2安。
问题三
在问题二中的电路中，假设现在将电源的电压调整为12伏。
请计算通过电路的新电流大小。
解答三
根据欧姆定律，我们可以使用相同的公式来计算通过电路的电流：
I = V / R
将给定的数值代入公式中，得到：
I = 12伏 / 30欧姆 = 0.4安
所以，通过电路的新电流大小为0.4安。
以上为电路模拟分析专项练习题的解答。
模拟电路典型例题讲解
态范围，所以，不会出现非线性失真。 （5）输入信号的两个频率分量为 f1=1kHz，f2=10MHz，fL＜f1＜fH ，f2＞fH，所以，放
大后会出现高频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性 动态范围，所以，不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图 3.5 所示。该电路的特点是 RC=RE，在集电极和发射极可输 出一对等值反相的信号。现如今有一容性负载 CL，若将 CL 分别接到集电极和发射极， 则由 CL 引入的上限频率各为多少？不考虑晶体管内部电容的影响。
相应的上限频率为
ωH
fH =
=
106
≈159.2kHz
2π 2×3.14
由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A(0)·fH│≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？ 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图 3.2（a）所示，试写出 β的频率特性表达式，分别指出该管的 ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近 波特图。
1
1
C2≈
=
≈2.12μF
2π(RC+RL) fL 2 2×3.14×(3+10)×103×5.77
1
C3≈ 2π RE∥
Rs+rbe 1+β
1
fL 3
= 2×3.14× 2∥1+2.6 1+100
≈766μF ×5.77
取 C1=10μF，C2=10μF，C3=1000μF。 【3-10】在题图 3.7 中，若下列参数变化，对放大器性能有何影响（指 ICQ、Avm、Ri、
真问题。但由于输入信号幅度较大（0.1V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2× 100=20V，已大大超出输出不失真的动态范围为 Vopp=10V，故输出信号将产生严重的 非线性失真（波形出现限幅状态）。 （2）输入信号为一单一频率正弦波，f=1MHz，由于 fL＜f＜fH，所以，不存在频率失 真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.01×2× 100=2V＜Vopp（10V），所以，也不会出现非线性失真。 （3）输入信号的两个频率分量为 f1=400Hz，f2=1MHz，均处在放大器的中频区，所以， 不存在频率失真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），所以，也不会出现非线性 失真。 （4）输入信号的两个频率分量为 f1=10Hz，f2=50kHz，f1＜fL，fL＜f2＜fH，所以，放大 后会出现低频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性动
模电经典例题解析
I EQ I BQ U CEQ
1 VCC I EQ ( Rc Rf Re ) 5.7V
10μ A
动态分析：
26mV rbe rbb' (1 ) 2.73k I EQ
( Rc ∥ R L ) Au 7.7 rbe (1 ) Rf
-
稳压管稳压电路
6 ( 2 ~ 3) A 1000 (12 ~ 18) m A
查手册，选择DZ 为2CW13， VZ =(5~6.5V) ， IZmax=38mA, IZmin=5mA
（2）选择限流电阻R：
VI VO (12 ~ 18)V , 取VI 15V Rmin Rmax VI max VO 15(1 10%) 6 241 () 3 I Z max I O 38 10 6 / 1000 VI min VO 15(1 10%) 6 682() 3 I Z min I O 5 10 6 / 1000
ex1已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别 如图(b)、(c)所示。（1）利用图解法求解Q点； 、Ri和Ro 。 （2）利用等效电路法求解 A
u
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交 点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如 解图（a）所示。
显然小于uGS =10V时的预夹断电压，故假设不成立 ，管子
工作于可变电阻区。此时，RdsuDS/iD=3V/1mA=3k，故
Rds 3 uO VDD 18 4.9V Rd Rds 83
21
例1.4.3 电路如图1.4.12 所示，场效应管的夹断电压
VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作
模拟电路考试题及答案解析
模拟电路考试题及答案解析一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1Ω答案：B解析：理想运算放大器的输入电阻是无穷大，意味着它不会从信号源吸取电流。
2. 一个基本的共射放大电路中，如果基极电流增加，集电极电流将：A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少答案：A解析：在共射放大电路中，集电极电流与基极电流成正比，这是通过晶体管的电流放大作用实现的。
3. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可测量答案：B解析：模拟信号是连续的，可以模拟现实世界中的变化，并且可以测量，但不是可量化的，因为它们不是离散的数字值。
4. 一个理想的二极管在正向偏置时：A. 导通B. 截止C. 振荡D. 短路答案：A解析：理想二极管在正向偏置时导通，允许电流通过。
5. 一个RC低通滤波器的截止频率是：A. \( f_c = \frac{1}{2\pi RC} \)B. \( f_c = \frac{1}{RC} \)C. \( f_c = \frac{2\pi}{RC} \)D. \( f_c = \frac{RC}{2\pi} \)答案：A解析：RC低通滤波器的截止频率是信号频率下降到最大值的\( \frac{1}{\sqrt{2}} \)时的频率，公式为\( f_c =\frac{1}{2\pi RC} \)。
...（此处省略其他选择题）二、简答题（每题10分，共20分）1. 解释什么是负反馈，并说明其在放大电路中的作用。
答案：负反馈是指将放大电路的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。
负反馈可以提高放大电路的稳定性，减少非线性失真，增加带宽，并提高输入和输出阻抗。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器由两个输入端（一个反相输入端和一个非反相输入端）、一个输出端以及内部的差分放大器、电压放大器和输出级组成。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术三极管典型例题
【例4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝0.7 V，饱和管压降U CES＝0.4 V；稳压管的稳定电压U Z ＝4V，正向导通电压U D＝0.7 V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。
试问：（1）当u I为0 V、1.5 V、25 V时u O各为多少？（2）若R c短路，将产生什么现象？【相关知识】晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。
【解题思路】（1）根据u I的值判断晶体管的工作状态。
（2）根据稳压管的工作状态判断u O的值。
【解题过程】（1）当u I＝0时，晶体管截止；稳压管的电流在I Z和I ZM之间，故u O＝U Z＝4 V。
当u I＝15V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流由于u O＞U CES＝0.4 V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。
值得指出的是，虽然当u I为0 V和1.5 V时u O均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O＝4 V；后者因晶体管工作在放大区使u O＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。
当u I＝2.5 V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流在正电源供电的情况下，u O不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。
实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为I B=0.18 mA＞I BS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。
（2）若R c短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。
若稳压管烧断，则u O＝V CC＝12 V。
若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏【方法总结】（1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若u BE＞U on（开启电压），则处于导通状态；若同时满足U C≥U B>U E，则处于放大状态，I C＝βI B；若此时基极电流则处于饱和状态，式中I CS为集电极饱和电流，I BS是使管子临界饱和时的基极电流。
模拟电路典型习题解答
Ri Rb ∥ rbe rbe 1.3k Ro Rc 5k
例题4
图4所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，rbe1＝ rbe2＝rbe。 （1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式； （2）写出RW的滑动端在最右端时 Ad的表达式， 比较两个结果有什么不同。 解：（1）RW的滑动端在 A u O d u I 中点时Ad的表达式为： （ 2 ） RW 的滑动端在 最右端时：
u C1
( Rc
rbe
RW ) 2
u C2 RW ) 2 u
( Rc R W )
2rbe
u I
Rc
2rbe
图4
u I
u O u C1 u C2
( Rc
rbe
I
所以Ad的表达式为：
Ad
u O u I
( Rc
(d) uO
20uI1 20uI2 40u13 u14
例题9
图9所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求负载电 阻中的电流。
解：
uP U Z IL 0.6 R2 R2
mA
图9
例题10
在图10（a）所示电路中，已知输入电压uI的波形如图（b）所示， 当t＝0时uO＝0。试画出输出电压uO的波形。 解：输出电压的表达式为： t 1 uO u I dt u O (t1 ) t RC 1 当uI为常量时 uO uI (t2 t1 ) uO (t1 ) RC 1 5 u (t t1 ) uO (t1 ) 7 I 2 10 10 －100uI (t2 t1 ) uO (t1 )
例题6
在图6所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等 ,且已知 rbe=1kΩ，则C1:C2＝? 若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms，则 C1、C2各为多少？下限频率fL≈? 解：（1）求解C1:C2 因为 C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL） 将电阻值代入上式，求出 C1 : C2＝5 : 1。 2）求解C1、C2的容量和下限频率 C1 12.5μF Rs Ri C2 2.5μ F Rc RL 1 f L1 f L2 6.4Hz 2 π f L 1.1 2 f L1 10Hz
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3.3 频率响应典型习题详解【3-1】已知某放大器的传递函数为试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图，并指出放大器的上限频率f H ，下限频率f L 及中频增益A I 各为多少？ 【解】本题用来熟悉：（1）由传递函数画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。
由传递函数可知，该放大器有两个极点：p 1=－102rad/s ，p 2=－105rad/s 和一个零点z =0。
（1）将A (s )变换成以下标准形式：（2）将s =j ω代入上式得放大器的频率特性：写出其幅频特性及相频特性表达式如下： 对A (ω)取对数得对数幅频特性：（3）在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图，如题图3.1所示。
由题图3.1（a ）可得，放大器的中频增益A I =60dB ，上限频率f H =105/2π≈15.9kHz ，下限频率f L =102/2π≈15.9Hz 。
【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少？【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。
将给出的频率特性表达试变换成标准形式： 则当ω = 0时，A (0) =200，即为放大器的直流增益（或低频增益）。
当ω =ωH 求得：ωH =106rad/s相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2（a ）所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近波特图。
【解】本题用来熟悉：晶体三极管的频率特性及其频率参数的确定方法。
由β(ω)的渐近波特图可知：β0=100，ωβ=4Mrad/s ，ωT =400Mrad/s 。
它是一个单极点系统，故相应的频率特性表达式为：ωT 也可按ωT ≈β0ωβ=100×4=400 Mrad/s 求得。
因此，可画出相频特性的渐近波特图如题图3.2（b ）所示。
【3-4】已知某放大器的频率特性表达式为（1）试画出该放大器的幅频特性和相频特性波特图；（2）确定其中频增益及上限频率的大小。
【解】本题用来熟悉：（1）由放大器的频率特性表达式画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。
（1）将给定的频率特性表达式变换成标准形式相应的幅频特性及相频特性表达式为由此可画出其波特图如题图3.3所示。
(2)由题图3.3可知，该放大器的中频增益A V M =120dB,上限频率f H =107/2π≈1.6MHz 。
【3-5】已知某放大器的频率特性函数为试问：（1）其中、低频放大倍数A v I =?（2）A v (ω)及φ(ω)的表达式如何？（3）画出其幅频特性波特图；（4）上限频率f H =？【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性函数确定放大器的频响参数及画波特图的方法。
（1）该放大器是一个三阶重极点、无零点系统，中、低频放大倍数A v I =60B 。
（2（3）幅频特性波特图如题图3.4所示。
当ω =ωH 时，ωH ≈0.51×107rad/s相应的上限频率为【3-6】一放大器的中频增益为A v I =40dB ，上限频率f H =2MHz ，下限频率f L =100Hz ，输出不失真的动态范围为V opp =10V ，在下列各种输入信号情况下会产生什么失真？（1）v i (t ) = 0.1sin(2π×104t ) (V)（2）v i (t ) = 10sin(2π×3×106t ) (mV)（3）v i (t ) = 10sin(2π×400t )+10sin(2π×106t ) (mV)（4）v i (t ) = 10sin(2π×10t )+10sin(2π×5×104t ) (mV)（5）v i (t ) = 10sin(2π×103t )+10sin(2π×107t ) (mV) 【解】本题用来熟悉：放大器的频率失真问题。
（1）输入信号为一单一频率正弦波，f =10kHz ，由于f L ＜f ＜f H ，所以，不存在频率失真问题。
但由于输入信号幅度较大（0.1V ），经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100=20V ，已大大超出输出不失真的动态范围为V opp =10V ，故输出信号将产生严重的非线性失真（波形出现限幅状态）。
（2）输入信号为一单一频率正弦波，f =1MHz ，由于f L ＜f ＜f H ，所以，不存在频率失真问题。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），经100倍的放大后峰峰值为0.01×2×100=2V ＜V opp （10V ），所以，也不会出现非线性失真。
（3）输入信号的两个频率分量为f 1=400Hz ，f 2=1MHz ，均处在放大器的中频区，所以，不存在频率失真问题。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），所以，也不会出现非线性失真。
（4）输入信号的两个频率分量为f1=10Hz，f2=50kHz，f1＜f L，f L＜f2＜f H，所以，放大后会出现低频频率失真。
又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性动态范围，所以，不会出现非线性失真。
（5）输入信号的两个频率分量为f1=1kHz，f2=10MHz，f L＜f1＜f H，f2＞f H，所以，放大后会出现高频频率失真。
又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性动态范围，所以，不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图3.5所示。
该电路的特点是R C=R E，在集电极和发射极可输出一对等值反相的信号。
现如今有一容性负载C L，若将C L分别接到集电极和发射极，则由C L引入的上限频率各为多少？不考虑晶体管内部电容的影响。
【解】本题用来熟悉：负载电容对放大器高频响应的影响。
（1）若将开关S接a点，则负载电容C L接至集电极，由此引入的上限频率f Ha为（2）若将开关S接b点，则负载电容C L接至发射极，由此引入的上限频率f Hb为可见，f Hb＞＞f Ha，这是因为射极输出时的输出电阻R ob很小，带负载能力强的缘故。
【3-8】放大电路如题图3.6（a）所示。
已知晶体管参数β=100，r bb′=100Ω，r be′=2.6k Ω，C be′=60pF，C bc′=4pF，电路参数如图所示，要求的频率特性如题图3.6（b）所示。
试回答：（1）R C=？（首先满足中频增益的要求）（2）C1=？（3）f H=？【解】本题用来熟悉：放大器频率响应的分析方法。
（1）由题图3.6（b）可知，中频增益A V SM=40dB，即100倍。
而故R C=2.8kΩ（2）由题图3.6（a）可知，C1决定了下限频率，由题图3.6（b）又可知，f L=10Hz，则有；取C1 =10μF。
（3）其中，【3-9】放大电路如题图3.7所示。
要求下限频率f L=10Hz，若假设r be=2.6kΩ，且C1、C2、C3对下限频率的贡献是一样的，试分别确定C1、C2、C3的值。
【解】本题用来熟悉：放大器下限频率的分析方法。
根据题图3.7因此而故取 C 1=10μF ，C 2=10μF ，C 3=1000μF 。
【3-10】在题图3.7中，若下列参数变化，对放大器性能有何影响（指I CQ 、A v m 、R i 、R o 、f H 、f L 等）？ （1）R L 变大；（2）C L 变大；（3）R E 变大；（4）C 1变大。
【解】本题用来熟悉：电路参数对放大器性能的影响。
（1）R L 变大，对I CQ 、R i 、R o 无影响。
但A v m 变大，因为 f H 减小，因为 f L 减小，因为 （2）C L 变大，对I CQ 、A v m 、R i 、R o 均无影响，但会使f H 减小，因为（3）R E 变大，将使I CQ 减小，因为R i 增大，因为R i ≈R B1∥R B2∥r be ，而 A v m 增大，因为r be 增大。
R o 基本不变，f H 基本不变，f L 将减小。
（4）C 1变大，I CQ 、A v m 、R i 、R o 、f H 基本不变，而f L 将减小。
【3-11】一阶跃电压信号加于放大器输入端，用示波器观察输出信号，显示如题图3.8(b)所示的波形，试估计该放大器的建立时间t r 和上限频率f H 。
（假设示波器本身的带宽远大于被测放大器带宽，且放大器为单极点系统）。
【解】本题用来熟悉：建立时间t r 的概念以及建立时间t r 与上限频率f H 之间的关系。
建立时间t r 定义为输出电压从10%V o 上升到90%V o 所需要的时间。
由题图3.8(b)可得：t r =0.4－0.13=0.27μsE5-2 R=1K Ω，E=10V ，ui=20sin(ωt) V ，分别画出输出电压uo 的波形。
二极管的正向压降忽略不计。
解：-20V< ui<10V ，D1截至，uo=ui 10V< ui<20V ，D1导通，uo=10V解：-20V< ui<10V ，D2截至，uo=10V 10V< ui<20V ，D2导通，uo=ui【6-1】有两个晶体管分别接在电路中，工作在放大状态时测得三个管脚的电位分别如下，试判断晶体管的三个电极及类型（硅管、锗管、NPN 型管、PNP 型管）解：晶体管II 为锗管，1——集电极，2——基极，3——发射极 晶体管I 为硅管，1——基极，2——发射极，3——集电极 【6-2】判断晶体管的状态-12V-18VT +6V -0.2VT -3V-5.6VT1.6V1.4VT放大 放大 截止饱和(a)图为NPN 型三极管，V B >V E ,发射结正偏；V C >V B ,集电结反偏，所以三极管处于放大状态(b)图为PNP 型三极管，V B <V E ,发射结正偏；V C <V B ,集电结反偏，所以三极管处于放大状态(c)图为NPN 型三极管，V B <V E ,发射结反偏；V C >V B ,集电结反偏，所以三极管处于截止状态【6-4】放大电路如下图。
已知VCC =12V,R C =3K Ω, R B =240K Ω,β=60,U BE =0.7V 。
（1）估算Q 点；（2）静态时，C1,C2上的电压各为多少？并标出极性。
Uo-.==60 2.8mA =12-2.8m 3K 3.6CC BEQ BQ CQ BQ B CEQ CC CQ C V U I I I R U V I R Vμβμ-===⨯==-⨯=1207解：(1)47A ，47240K(2)静态时，C1上电压为0.7V ，C2上电压为3.6V ，极性如图所示。