电子束蒸发台操作流程
电子束蒸发设备使用方法说明书
电子束蒸发设备使用方法说明书使用方法说明书一、简介电子束蒸发设备是一种常见的薄膜蒸发工艺设备，用于将固态材料蒸发成薄膜。
本使用方法说明书将详细介绍电子束蒸发设备的使用流程和注意事项，以便用户正确操作设备，获得高质量的薄膜产品。
二、设备准备1. 打开电子束蒸发设备箱体，确保所有配件完好无损，无缺陷。
2. 将电子束源、样品托板等配件装入设备，注意配件固定牢固，且无障碍物堵塞。
三、设备操作1. 打开电子束蒸发设备电源，启动电子束发射系统。
2. 调节加热系统，根据所使用的材料类型和蒸发要求，设定合适的温度和加热时间。
3. 调节电子束均匀性，确保电子束在样品表面均匀蒸发，避免产生不均匀的薄膜。
4. 调节蒸发速率，控制蒸发速度，以获得所需的薄膜厚度。
5. 监控真空度，确保设备处于适宜的真空环境，避免对薄膜质量的负面影响。
四、薄膜蒸发操作注意事项1. 室温控制：薄膜蒸发需要在适宜的工作室温度下进行，因此应确保操作环境恒温，并避免温度过高或过低对薄膜形成的影响。
2. 材料选择：根据所需薄膜的应用，选择适合的蒸发材料，并确保材料纯度，以提高薄膜质量。
3. 样品准备：将待蒸发的样品进行预处理，如清洗、抛光等，以确保薄膜附着良好。
4. 附着控制：根据所需薄膜的厚度要求，控制蒸发时间和速度，确保薄膜附着均匀。
5. 真空度控制：适当的真空度能提高薄膜的质量，因此在蒸发过程中应监测和控制真空度。
6. 安全操作：操作时应注意个人安全，避免暴露在高温、高真空等危险环境中。
五、设备维护1. 清洁保养：设备使用后，应及时清理残留物，保持设备干净，以延长设备寿命。
2. 零部件更换：定期检查设备零部件的磨损程度，如发现磨损需更换零部件，避免影响设备正常运行。
3. 执行维护：设备故障时，应立即停止使用并联系维修人员，不得私自拆卸或修理设备。
六、注意事项1. 请仔细阅读本使用方法说明书，并按照说明进行操作。
2. 请保持操作环境干燥、整洁，并避免操作过程中产生灰尘、杂质等对薄膜质量的负面影响。
电子束蒸发使用步骤
电子束蒸发使用步骤一、前期准备工作1、放基片材料（找准对应坩埚位置）。
2、将样品台和坩埚的两个挡板都挡上。
3、关门前，检查密封圈是否正常。
4、将放气和进Ar气口都拧紧。
二、抽真空1、开供电电源开冷却水（约5min之后）开真空计开机械泵开粗抽阀（先开小一点，将门压紧后，再全打开）。
2、真空计压强小于10Pa时，关粗抽阀（屏幕上尾数显示为0，尾数代表10的几次方）。
3、开电磁阀开分子泵开关，点击运行（约6min之后，分子泵进入正常工作状态，转数逐渐增大，可达27000r/min）。
4、开高真空闸板阀，开到最大（真空正常为6.67×10-4 Pa,最小为6.67×10 -5 Pa）。
5、开步进电机开关，控制转数为10 r/min（通过观察，设置好转数，然后关挡板）。
三、开始镀膜1、开E型枪电源，选择手动模式，按回车键确认（电压控制在6KV）。
2、确认屏幕上5个灯全绿。
3、点击屏幕上灯丝，调灯丝电流0.5A。
4、开气瓶，数值调为0.3左右开坩埚挡板（屏幕和遥控均可用），关基底挡板。
5、开高压，观察坩埚内是否有光斑。
6、调整X、Y位移，使光斑位于坩埚中央。
调整X、Y幅度，使光斑较大且在坩埚内均匀7、缓慢增大束流（手动遥控最下方中间的“蒸发调节旋钮”），直到观察坩埚内材料表面出现波纹状时停止，此时为坩埚内材料的束流最大值。
（经验值：钛－束流值77左右）。
8、开膜厚仪，（提前设置好厚度，根据经验找出膜厚的误差范围）。
9、开基底挡板，开始计时。
10、关基底挡板，计时结束，镀膜完成。
四、镀膜完成，关闭设备1、缓慢关束流，听到“滴”声关高压关挡板关灯丝关总电源。
2、降温30min左右。
3、关高真空闸板阀（顺时针拧，最紧时没有全关，再沿顺时针方向拧，变松即可）。
4、点击分子泵“停止”按钮（频率降为0），关分子泵电源开关关电磁阀关机械泵。
5、松开活门旋钮，打开放气孔（开到最大），从充气阀向系统充入干燥气体（最好使用N2），气瓶上读数不要超过0.3，系统气体充满，门自动打开。
电子束蒸发的制备方法研究
电子束蒸发的制备方法研究电子束蒸发是一种常见的薄膜材料制备方法，它通过电子束加热固态材料，使其蒸发成为气体，最终在衬底表面沉积为薄膜。
在材料科学、光学、电子学等领域中，电子束蒸发广泛应用，例如制备透明导电膜、光学薄膜、金属薄膜等。
本文将就电子束蒸发的制备方法，阐述其具体步骤、技术特点和存在的问题等进行探讨。
1、电子束蒸发的步骤电子束蒸发可以分为四个步骤：材料准备、固态材料的加热蒸发、蒸发材料的运输和沉积、薄膜特性分析。
首先，材料需粉碎成粉末或片剂，然后再加入到电子束蒸发器的坩埚中。
接着，通过电子束的束缚作用，将蒸发器内的固态材料加热至其蒸汽压与所需沉积压力相当。
当蒸发材料获得足够能量释放时，它将变为气体状态，由于交通运输规定，这个气体会通过依靠各种气体管道和流量计排出。
最后，电子束蒸发所得的薄膜通常需要进行检测、性质分析或者后续工艺加工。
2、电子束蒸发的技术特点电子束蒸发具有以下几方面的技术特点：（1）高度纯化：由于在真空条件下进行，可以有效避免与空气中杂质的相互干扰，蒸发出来的物质具有极高的纯度。
（2）高效性：电子束加热方式能够提供更高的蒸发速率。
（3）灵活性：通过在压缩、微加工和光学等领域的应用，利用电子束蒸发装置可以在多种衬底材料和非线性薄膜材料之上制备出一系列可能的材料和结构。
（4）厚度和位置控制：这个技术能够通过精密控制蒸发过程中的蒸汽压力、沉积速度等参数实现对厚度和位置的高度控制性。
（5）可重复性：在电子束蒸发的操作过程中，可以通过对加热温度、时间、蒸汽压、功率、坩埚耗损等多个参数的实时控制来规范化这个过程。
3、电子束蒸发的存在问题（1）电子束损耗问题：由于电子束需要对生产物资进行加热蒸发，因此电子束的数量和能量对衬底和未被用作蒸发物的部分进行了浪费。
目前，将多个蒸发器的蒸汽扔在一个专门的离子收集器中的方法目前已经被广泛采用，以用于电子回收。
（2）耗能问题：电子加热的方法与其他热蒸发和物理气相沉积等材料制备技术相比，并没有太高的能量利用效率，因此在工业生产中，需要更经济和高效的能源来源。
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。
沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。
Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。
若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。
电子束蒸发镀膜
电子束蒸发镀膜
1、电子束蒸发镀膜：
电子束蒸发镀膜（EB PVD）是一项化学上优质、性能卓越的金属镀膜方法，它
利用电子束技术使金属材料蒸发，然后以无定形溅射的方式将浓度均匀的金属材
料形成镀膜在次底面上。
电子束蒸发镀膜使用的主要金属包括黄铜、锌、锡、铬、铝及不锈钢等。
2、适用范围：
电子束蒸发镀膜适用于精密机械、工具、航空航天、集装箱和运输设备、生物医学设备、精密光学仪器、特种电子元件及不同行业中所需要的高性能件。
3、优势：
电子束蒸发镀膜技术比其他镀膜技术具有更高的表面性能，如光泽度、耐蚀性、耐磨性等等，同时也可以产生较厚的镀层，此外，这种镀膜技术对金属蒸发源的
要求低，可以使用少量金属材料，并能够产生良好的附着力和均匀性。
4、操作方式：
电子束蒸发镀膜需要一台蒸发源，采用放电的方式加热蒸发源，使金属材料汽化，然后以精确的电子束缩短端部，使金属以无定形溅射的方式投射到次底面上，通过调整放电情况及电子束形成状态，使投射金属材料以薄层沉积在基体上，建立起人为制造的金属镀膜。
5、应用场景：
电子束蒸发镀膜的应用场景比较广泛，可以用于汽车用品、交通设施及装备的防腐防护；用于摩托车、船舶及飞机等运输工具的防腐涂层；用于电子器件、保险
丝及其他电子精密件的钝化防腐涂层；在厨具行业、医疗器械行业和汽车制造等行业也有着广泛应用。
电子束蒸发系统操作步骤
电子束蒸发系统操作步骤抽真空→热蒸发/电子枪操作→关闭热蒸发/电子枪系统→关闭真空系统抽真空1.关闭进气阀，开冷却水，打开总电源（仪器柜后面与前面）2.将抽气管子放窗外，打开冷却水报警（鸣叫表示分子泵冷却水未开）3.开机械泵，电磁阀1，开角阀（先慢后快）4.开真空计，当真空度高于10帕时，关闭角阀5.电磁阀2，开插板阀（双手操作），开分子泵6.当运行分子泵后，真空示数正常下降，关闭真空计电子枪系统操作1.（当真空计读数低于6.7×10-3Pa),开内5开关2.按扫描键（柜门灯亮，开电子枪冷却水，枪水流灯亮，X电流0.8A，Y 电流0A）3.枪灯丝电源（0.4A，电压60V，预热3至5分钟）4.束流控制调为手动，打开高压8Kv5.检查束流是否最小，按手控仪上高压键，稳定2分钟6.慢慢增加束流（顺时针旋增大，不同金属蒸发束流参数不同，需保存）7.调节光斑位置（X顺时针向下，Y顺时针向右）8.打开膜厚仪冷却水，打开膜厚仪，打开样品台挡板关闭电子枪系统过程1.束流慢慢调到最小，关闭手控仪上高压，关闭8KV开关2.枪灯丝电流关闭，关闭扫描键，关闭内5开关关闭真空系统过程（电子束做完应等待半小时或更长时间才关闭真空）1.停止分子泵，关闭插板阀，分子泵转速为0，电磁阀中间2.分子泵停止半小时后，停止机械泵，关闭真空计，关闭总电源（柜门前后），关冷却水膜厚仪操作（先打开膜厚仪冷却水）Setting: 进入参数设置→移动光标到参数类型（setting只按一次，若多按请继续按setting直到回到“层次”）；↑，↓：更改参数（层次，材料，方式），厚度，密度，声阻抗按数字直接输入；begin:按两次测膜厚；operating：停止镀膜；delete：镀膜结束；再按operating回到基本显示状态热蒸发操作压缩机操作1.电源（红色把）竖直→关闭；水平→打开2.气路（0.25MPa）平直→打开；垂直→关闭旋钮：控制气压大小注意事项1.真空度低于0.1Pa，机械泵不能直接打开连通，会造成回油，电离规不能打开2.电子束结束，束流旋到最小；X/Y振幅最小，X/Y位置不要变化3.真空计，膜厚仪不需要显示时，及时关闭；真空腔及时关闭，不要让腔体长时间暴露大气4.分子泵，电子束停止操作后，冷却水继续冷却20分钟左右5.打开气路，要慢慢操作；电子器件要预热6.不要把东西丢在真空腔内7.定期清洁真空室8.戴口罩，手套，穿实验服操作紧急断电事项1.关闭高压部分：关闭手控仪上高压键，关柜8KV，束流调到自动，关枪灯丝电源，关扫描键2.关真空系统部分：电磁阀中间，关闭插板阀，关闭分子泵电源，关闭机械泵，关前后总电源3.学习灭火器灭火特别提醒定期检查分子泵，机械泵的油，注意声音水，电，气，门，窗关闭了吗？。
电子束蒸发操作规范
电子束蒸发使用安全规范1、实验前确认事项A、开启液氮；B、冷却机水箱是否具有足够的水。
2、装样A、拧开样品台上的四个螺母，断开冷却水管，取出样品台；B、使用乙醇擦拭样品台与腔体的接口；C、装样；D、把样品台放入腔体，拧紧样品台的螺母，接上冷却水管。
3、开机，抽真空A、打开总电源，开启冷却水机；B、打开电脑操作软件，启动分子泵以及机械泵。
4、除气A、待腔体内气压低于10-3pa（时间允许情况下真空度尽量低）；B、打开面板电源；C、HV降至0V；D、Control Mode设置为Filament Current;E、Pocket 1设置为Enable；F、逐渐提高Filament Current至1A，注意不要使真空度降低过快；G、将Filament Current降至0，关闭Pocket 1。
5、镀膜A、HV升高至2 kV；B、Control Mode设置为HV power；C、逐渐提高HV power（视工艺参数而定），同时注意不要使真空度降低过快；D、打开蒸发源挡板，稳定5分钟；E、打开样品台挡板，正式镀膜，记录镀膜开始时间；F、关挡板，记录结束镀膜时间，降低HV power至0 w，然后降低HV至0 V（注意降低的顺序不可颠倒）；G、冷却30分钟。
6、取样A、关闭分子泵以及机械泵，关闭冷却水机；B、待分子泵转速低于2000rpm，若电磁阀为自动开启需手动开启，拧开样品台螺母，通入氮气至样品台可取出（勿正对玻璃观察窗）；C、断开冷凝水管，取出样品台，取样；D、将样品台放入腔体，接上冷凝水管。
7、关机A、关闭总电源；B、关闭计算机（勿忘记关闭电磁阀）。
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。
沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。
Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。
若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。
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TF500 操作流程1 操作安全警告请遵守如下给出的安全说明并注意适当的防范措施。
否则，可能导致人员伤亡和设备损坏。
在您操作任何部件之前请阅读所有相关的说明。
TF500的表面或部件可能很热或很冷。
请不要触碰热的或冷的表面，比如泵体，材料，夹具，真空腔体和连有石英加热并有其他排气工艺的部件。
请保持所有配件柜处于闭锁状态。
请不要把钥匙留在锁上。
在腔体打开的时候，电子枪挡板是可以转动的。
操作员需注意，因为挡板不留意的转动可能导致人员伤害并导致设备损坏。
2 TF500启动2.1 启动TF5001. 启动冷却水源。
2.启动压缩气体源。
3.启动充气气体源。
4.请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。
5.打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。
按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。
6.打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件， SCADA软件将初始化并加载各部件（注意！不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限，进入组态的CONTROL SCREEN，按按钮。
抽真空系统随后将会启动。
7.当系统状态为“TURBO PUMP READY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。
2.2 装载TF500腔体警告在大气环境下（比如已经充气），基片工作台可能还是旋转的。
当您的手在腔体里或者其他在旋转基片上存有会伤害您自己的风险时，请注意不要旋转工作台。
请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。
当腔体处于真空状态，如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气。
充气阀打开并对腔体充气，并在腔体充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源。
打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。
关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上。
按或按钮对系统抽真空。
3 TF500关机3.1正常关机我们推荐您使用如下流程进行关机。
在您关闭TF500时，保持TF500腔体处于真空状态。
1. 确保真空腔门是关闭的。
2. 在系统控制界面，按按钮，然后等到腔体压力降到3 x 10-4mbar或更低。
3. 在系统控制界面，按按钮。
4. 当系统状态为“腔体密封”时，在系统控制界面按按钮。
5. 当系统状态为“STAND BY”，再等待大约15分钟，分子泵转速降为0后，按“”按钮。
按钮中的绿灯随后熄灭。
6. 再关闭冷却水，工艺气体，压缩气体源和电源空开，（长期不用时请关闭气源水源，并将水箱的水排干）。
3.2 紧急停止紧急状态下，按急停按钮紧急关闭TF500。
当您按下急停按钮时，抽真空系统就会关闭并且真空系统电柜，19寸控制柜和所有装在真空腔体里的配件，它们的电源都会关闭。
3.3 电源中断如果是一次暂时的电源中断（或者大约0.5秒或更少），TF500将会正常运行。
如果电源中断长于“暂时”时间并且随后就恢复了，TF500将进入待机状态。
您必须按“Reset”按钮并在系统控制界面按按钮重启TF500。
一旦电源中断，高真空门阀将一直保持关闭，密封真空腔体并保持次级泵处于真空状态。
4 急停之后的重启警告请确保在急停之后的重启是安全的。
如不能，您可能导致人身伤害。
如果您已经按下了急停按钮关闭了TF500，您必须使用如下步骤重启TF500：1.确保急停的原因已经被更正。
2.按下并旋转以恢复急停开关。
3.按下“Reset”按钮。
5 对TF500腔体抽真空1.按按钮。
旋片泵（3）将启动，打开分子泵（4）。
2.等到分子泵加速完毕，状态显示“分子泵就绪”。
3.按下按钮（注意！如果之前腔体已有很高的真空，可能会导致抽真空失败，只需按下键给腔体稍稍充气再按按钮就可以了）。
软粗抽阀（1）打开直到腔体压力到达4X10+0mbar。
显示状态为“粗抽”然后粗抽阀（2）打开直到腔体压力到达1.0X10-1 mBar。
显示状态为“粗抽”然后高真空阀（6）打开直到我们按按钮显示状态为“抽真空完成”直到腔体压力到达1x10-5mBar以下。
显示状态为“FINE PUMPING”4.在PC控制界面，按下按钮，随后按下按钮。
系统将会进入“PROCESS”模式。
一旦状态显示为“PROCESS-FINE PUMPING”，随后系统就准备完毕，按下旋转按钮可以进行手动镀膜了。
6 基片旋转1.按下按钮开始旋转基片工作台。
绿色表示处于旋转状态。
2. 通过键入一个值（转每分钟）或通过上下键设置旋转速度。
7 电子束蒸发（手动模式）：1.请参考控制柜面板并按如下操作按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，束流拧到最小，确保互锁关闭指示点亮；打开坩埚控制器Power按钮，将控制选择按钮打到“Auto”，并选择NORMAL模式，速度不要太快，2挡就好了；打开扫描图形控制器电源，将控制器打开为“Run”和“REMOTE CONTROL”模式；确保互锁关闭指示点亮，按下高压控制电源按钮。
2.按下基片架旋转按钮，选择所需的坩埚位（1-6）和，再按按钮。
电子束电源打开并显示-10.0kV高压。
3.设置所需的电流（每次增加5mA或10mA），熔化坩埚中的材料。
4.设置挡板打开时间（秒）。
5. 检查靶材是否完全熔化，并按按钮打开挡板开始镀膜。
速率和膜厚显示在PC控制界面。
直到设定时间到达，挡板将自动关闭，或者膜厚到达手动关闭SHUTTER。
6.设置电流对半两次减小到0。
随后按按钮关闭电子束电源。
8 自动沉积1.请参考控制柜并按如下步骤操作按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，确保互锁关闭指示点亮；打开坩埚控制器Power按钮，将控制选择按钮打到“Auto”，并选择NORMAL模式，速度不要太快，2挡就好了；打开图形控制器电源，将控制器调整成“Run”和“REMOTE CONTROL”确保互锁关闭指示点亮，按下高压控制电源按钮。
2.请参考SQC-310说明书，使用SQC-310-COMM软件制作工艺并上传到SQC的设备。
或者直接再SQC-310的软件中设置膜系和过程参数，并确保传到SQC。
3.进入自动模式，按下ADD NEW按钮新建一个自动程序，再选中这个程序，按下RECIPE EDIT按钮，并按对话框内容编辑自动程序。
设置真空，工装夹具旋转，加热，选择SQC中设置好的PROCESS No，选择SQC程序中每步的SWEEP PATTERNS，选择VACUUM SEQ和后加热处理。
最后点击SAVE保存设置。
编辑完自动程序，点击“RECIPE SELECT”选择相应的程序。
请再次确认已放好蒸发材料和基片，关好腔门，然后点击“RUN”开始运行程序。
3.按RECIPE SELECT按钮选择所需程序，并按“RUN”按钮自动运行。
系统将运行以下过程：a.准备好真空腔体。
b.打开电子束电源。
c.选择坩埚（容器）和扫描图形。
d.按编辑的工艺加载功率进行预热。
e.打开挡板开始沉积过程。
f.编辑的膜厚到达后关闭挡板，关闭高压束流电源，结束镀膜。
软件界面会显示运行的工艺，膜层，沉积速率，膜厚，输出功率等信息。
注意：未经培训的人员不能操作该设备！请勿打开设备机柜，内有高压危险。
请勿两人同时操作设备，操作前请阅读相关操作流程和注意事项，在保护好人身安全和设备安全的前提下使用设备。
定期清洁设备腔体，保持腔体无碎屑粉尘，否则会造成高压短路。
请勿将以下材料或器件（可能危及设备真空系统，可能在真空状态下出现意外危险）放入腔体的真空腔体中：1，高于坩埚上沿的材料；2，密封容器；3，细腻粉末；4，没有固定好的薄膜或漂浮物；5，强腐蚀性物质或溶液（如需放入，请遵守相关使用和管理准则，并保护好设备及人身安全）。
1，电子束镀膜基本原理2，热阻蒸发3，磁控溅射SQC设定流程1，在SQC310上的Film Menu中添加好需要的膜层：比如：旋转右上角大旋钮，选择Ti并按下（或者选择空的膜层进行重命名并编辑），按照各个参数的设置规则进行设置，详情请参考光盘中SQC310的说明书。
点击此界面中的Film Conds进入编辑界面，编辑完后点击Prev Menu再点击Deposit Contrals进行编辑，再进入Configure Sensors进行编辑，完成膜层设置的编辑。
2，在SQC310上的Process Menu中添加或选择所需的工艺程序：使用右上角的大旋钮选择并进入所选程序，在工艺中添加所需的膜系（比如Cu，Au，Ti）建立膜层（Layer），使用右上角的大旋钮按钮选择并进入工艺膜层（Layer）的参数设计，如果需要做多膜层的逻辑设计，请编辑Inputs，Relays，Logic Menu参数。
注意：关于Ramp Soak Max Power设置的说明。
此类参数的设置需要提前在手动模式下试验并记录相关数据，需要收集束流对应蒸发速率的数据，以计算此类参数，一般束流值（mA）除以最大束流值（本设备10千瓦，10千伏，所以最大束流为1000mA）就得到功功率EBC（Max 1000mA）Rate20mA 040mA 060mA 1A80mA 4一，预熔操作：如果是空坩埚，需要对熔化型靶材进行手动预熔。
预熔时先放三分之一的材料在坩埚里进行手动熔化，不要将预熔功率加得太高，否则速率会很高浪费材料。
熔化后再放三分之一进行预熔，两次预熔后，如果材料不到75%~85%的量，再加入少量就可以使用了预熔过程：放好材料到坩埚垫子中，关门抽真空，然后在手动模式下点PROCESS，等设备显示FINE PUMPING后点EBG ON打开电子枪控制电源开始加热材料。
手动在EBG ON中增加束流，熔化材料。
等材料熔化完全后，对半减小束流到0，关闭EBG ON。
打开腔体，加入材料颗粒，再次熔化。
直到材料高度达到坩埚高度70~80%后预熔结束。
如果做完一个膜层，必须查看坩埚中材料的量，如不够需要增加。
不能加热没有材料的坩埚。
注意事项：1，请加入洁净的自来水到冷水机中。
2，先打开冷水机，等待5分钟，确认没有漏水点后才能给主机通电和开机。
3，设备接地电缆必须接地，以防高压。
4，请勿用铁磁性工具接触电子枪，以免永磁体过早失去磁性。