微纳米测量与工艺
微纳米技术的基础原理和应用
微纳米技术的基础原理和应用随着科技的不断发展，微纳米技术已经成为了一种新兴的技术，其应用领域也越来越广泛。
微纳米技术主要是研究微米和纳米级别下物质的性质，提高微纳米级制造工具和设备的制造工艺和性能，从而实现微纳米级别的制造和加工。
本文将会介绍微纳米技术的基础原理和应用。
微纳米技术的基础原理微纳米技术的基础原理主要是围绕着微米和纳米级别下的物理现象和物理性质进行研究的。
在微米和纳米级别下，物质的特性会发生一些明显的变化，比如光学、热学、力学、电学等方面的性质。
这些特性的变化与微米和纳米尺度下的结构和构成有关。
因此，微纳米技术的基础原理主要包括微米和纳米级别下的物理现象和物理性质研究、微观结构和材料的制备和加工技术、微纳米级设备和器件的制造技术。
微米和纳米级别下的物理现象和物理性质研究是微纳米技术的重要基础。
在微米和纳米级别下，物质内部的结构和组成与传统尺度下的物质有很大的差别，因此物质发生的各种性质也会有很大的差别。
比如，在纳米尺度下，如何极化与机械耦合的问题就成为了一个重要的问题。
而在微观尺度下，具有高的电场强度和电容率的压电材料就变得更为重要。
在这些方面的研究，是推动微纳米技术发展的关键。
微观结构和材料的制备和加工技术是微纳米技术的重要组成部分。
微观结构和材料的制备和加工技术包括各种制备和加工工艺，如化学方法、物理方法、电学和光学方法等。
这些方法和工艺可以制备出各种微纳米级的结构和材料，如二维和三维纳米结构、纳米粒子、纳米管等等。
这些结构和材料具有特殊的物理和化学性质，具有广泛的应用前景。
微纳米级设备和器件的制造技术是微纳米技术的另一个重要组成部分。
微纳米级设备和器件是指一些微型化和集成化的设备和器件，主要包括传感器、微流体器件、微波器件、光学器件、生物芯片等等。
微纳米级设备和器件制造技术包括微纳米加工、器件组装和封装、器件测试和检测等方面技术。
这些技术的发展，可以大大提升微纳米级设备和器件的性能，同时也可以为一些新型的应用领域提供支持。
微测量技术方法及应用
微测量技术方法及应用微测量技术是指对微观尺度下的特征和物理量进行测量的技术。
随着微电子技术和纳米技术的发展，微观领域的测量需求逐渐增加，因此微测量技术得到了广泛应用。
微测量技术主要依靠先进的仪器设备和精密的测量方法，可以对微观领域中的尺寸、形态、位置、应力、电磁场、温度、压力等多种物理量进行测量。
微测量技术的方法主要包括光学测量、力学测量、电学测量、热学测量和化学测量等。
光学测量是微测量技术中常用的一种方法，包括激光干涉测量、扫描电子显微镜、原子力显微镜等。
激光干涉测量是一种非接触式测量方法，可以实现对微观尺寸和形态的测量。
扫描电子显微镜能够扫描表面形貌，并能够对物体进行放大观察，可以用于微观形貌的测量。
原子力显微镜可以通过探针对样品表面进行扫描，探测器能够感知到样品表面的微弱力变化，从而实现对微观物体尺寸、形貌和电荷的测量。
力学测量方法主要包括纳米压痕、纳米力学探针等。
纳米压痕是一种采用纳米硬度计对材料进行压痕测试的方法，可以获得材料的硬度和弹性模量等力学性能参数。
纳米力学探针则通过控制探针对物体表面施加力，测量物体表面力-位移曲线，进而分析物体的弹性行为。
电学测量方法包括微电子器件的电性测量和量子点测量等。
微电子器件的电性测量可以通过测试器件的电学特性来评估器件的性能，包括电流、电压、电阻、电容、电感等参数。
在纳米尺度下，量子点测量能够实现对载流子的量子效应和电磁场等的测量。
热学测量方法主要包括纳米热电测量、纳米热断层显微镜等。
纳米热电测量是利用热电效应对样品进行测量的方法，通过测量样品产生的微小电压或电流来获得样品的温度或温度差。
纳米热断层显微镜则是一种通过红外辐射来观测样品热辐射分布的方法，可以实现对纳米尺度下样品温度的测量。
化学测量方法主要包括光谱学、电化学测量等。
光谱学通过测量物质对电磁波的吸收、散射、发射等来研究物质的性质和结构。
电化学测量则是利用物质在电极上的电化学反应来实现对物质成分和电化学参数的测量。
微纳米加工技术及其应用
绪论1：纳米技术是制造和应用具有纳米量级的功能结构的技术，这些功能结构至少在一个方向的几何尺寸小于100nm。
2：微纳米技术包括集成电路技术，微系统技术和纳米技术；而微纳米加工技术可获得微纳米尺度的功能结构和器件。
3：平面集成加工是微纳米加工技术的基础，其基本思想是将微纳米机构通过逐层叠加的方式筑在平面衬底材料上。
（类似于3d打印机？）4：微纳米加工技术由三个部分组成：薄膜沉积，图形成像（必不可少），图形转移。
如果加工材料不是衬底本身材料需进行薄膜沉积，成像材料的图形需转化为沉积材料的图形时需进行图形转移。
（衬底材料，成像材料，沉积材料的区别和联系）5：图形成像工艺可分为三种类型：平面图形化工艺，探针图形化工艺，模型图形化工艺。
平面图形化工艺的核心是平行成像特性，其主流的方法是光学曝光即“光刻“技术；探针图形化工艺是一种逐点扫描成像技术，探针既有固态的也有非固态的，由于其逐点扫描，故其成像速度远低于平行成像方法；模型图形化工艺是利用微纳米尺寸的模具复制出相应的微纳米结构，典型工艺是纳米压印技术，还包括模压和模铸技术。
6：微米加工和纳米加工的主要区别体现在被加工结构的尺度上，一般以100nm 作为分界点。
光学曝光技术1：光学曝光方式和原理可分为掩模对准式曝光和投影式曝光。
其中，掩模对准式曝光又可分为接触式曝光和邻近式曝光，投影式曝光又可分为1∶1投影和缩小投影（一般为1∶4和1∶5）。
接触式曝光可分为硬接触和软接触。
其特点是：图形保真度高，图形质量高，但由于掩模与光刻胶直接接触，掩模会受到损伤，使得掩模的使用寿命较低。
采用邻近式曝光可以克服以上的缺点，提高掩模寿命，但由于间隙的存在，使得曝光的分辨率低，均匀性差。
掩模间隙与图形保真度之间的关系W=k√其中w为模糊区的宽度。
掩模对准式曝光机基本组成包括：光源（通常为汞灯），掩模架，硅片台。
适用范围：掩模对准式曝光已不再适用于大规模集成电路的生产，但却广泛应用于小批量，科研性质的以及分辨率要求不高的微细加工中。
微纳米测量与工艺
E = 1P E = 1S
ϕ1P − ϕ1S = 2 P − π / 2
椭圆偏振法原理
反射线偏光的获得
X’ E’P
′ / ES ′ EP tgψ = E1P / E1S
′ − ϕS ′ ) − (ϕ1P − ϕ1S ) ∆ = (ϕ P
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
电感 耦合 高频 等离 子体 （ICP）
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
1.干氧: O2+si --> sio2 2.湿氧: H2O + Si -->sio2 + 2H2
d = T DSiO2 t
DSiO2 « DSi 足够的厚度
二氧化硅薄膜
薄膜质量检测
厚度测量
辨色法 干涉法 椭圆偏振法
缺陷检测
表面观察法 化学腐蚀法
金属薄膜
制作工艺和用途
导线，电极，焊盘；掩膜 蒸发，溅射
薄膜质量检测
厚度测量
称重法 电阻法 台阶法 椭圆偏振法 表面观察法
[110] 45° {110}n型 [100]
[110] [100]
{110}p型
MEMS器件原理与制造工艺
MEMS器件原理与制造工艺MEMS（Micro-Electro-Mechanical System）是微电子机械系统的缩写，指的是一类结合了微纳米技术、电子技术和机械技术的微型器件。
MEMS器件包括传感器、执行器以及微型系统等。
本文将介绍MEMS器件的基本原理和制造工艺。
一、MEMS器件的原理MEMS器件的原理基于微纳米加工技术，通过集成微型传感器、执行器和电子元件，实现对微小物理量、力、压力、加速度等的感知、测量和控制。
MEMS器件具有体积小、功耗低、响应速度快等特点，广泛应用于传感器、机械器件和微型系统等领域。
下面将以压力传感器为例，介绍MEMS器件的工作原理。
压力传感器是一种常见的MEMS器件，用于测量流体或气体的压力。
它由微机械薄膜、电桥电路和信号处理电路组成。
当被测介质施加压力时，微机械薄膜会发生微小的形变，形变量与压力成正比。
通过电桥电路测量薄膜的形变，进而获得被测介质的压力信号。
信号处理电路对测得的信号进行放大、滤波和数字化处理，得到最终的压力数值。
二、MEMS器件的制造工艺MEMS器件的制造工艺主要包括悬浮结构制备、薄膜沉积、刻蚀工艺以及封装等环节。
下面将依次介绍这些工艺的基本流程和具体步骤。
1. 悬浮结构制备悬浮结构是MEMS器件的核心部分，它由薄膜材料构成，常用的材料有硅、氮化硅和聚合物等。
悬浮结构的制备通常采用微纳米加工技术，包括光刻、薄膜沉积和刻蚀等步骤。
首先，通过光刻技术在硅片上制作出所需的器件形状和结构图案。
然后，使用薄膜沉积技术在硅片表面沉积薄膜材料。
最后，利用刻蚀技术去除多余的薄膜材料，形成悬浮结构。
2. 薄膜沉积薄膜沉积是MEMS器件制造中的关键步骤，它用于制备悬浮结构和电子元件等。
常用的薄膜沉积技术有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和溅射沉积等。
这些技术能够在硅片表面沉积金属、氧化物和聚合物等不同种类的薄膜材料，以满足不同器件的要求。
3. 刻蚀工艺刻蚀是MEMS器件制造中的重要步骤，用于去除多余的薄膜材料，形成所需的结构和孔洞。
微纳结构的光学与输运测量技术
微纳结构的光学与输运测量技术在微观与纳米的奇妙世界里，微纳结构就像是隐匿在微观宇宙中的神秘精灵，小巧却蕴含着巨大能量，操控着超乎想象的物理特性。
而要想揭开这些精灵的神秘面纱，精准洞悉它们的一举一动，微纳结构的光学与输运测量技术可就派上大用场了，这简直是科学界打开微观宝藏大门的“金钥匙”。
光学测量技术，听着就科技感满满，实操起来更是妙趣横生。
拿显微镜来说，普通光学显微镜就像是个近视的侦查兵，碰上微纳结构，好多细节都瞅不清，干着急没办法。
这时候，荧光显微镜闪亮登场，它给微纳结构染上绚丽的荧光“颜料”，原本低调、隐匿的结构瞬间变得光彩夺目，辨识度拉满。
想象一下，漆黑的夜里，你想找一颗藏在草丛里的小宝石，普通手电筒晃悠半天毫无头绪，换上能发射特殊光线的荧光灯，宝石立马闪闪发光，一目了然。
科学家们利用荧光显微镜，锁定微纳结构的精确位置，观察其形态变化，一点点拼凑出微观世界的全貌。
还有光谱技术，堪称微纳结构的“身份识别器”。
不同的微纳结构，就跟性格各异的人似的，有着独一无二的光谱“指纹”。
通过分析反射光、透射光的光谱信息，科学家能迅速判断这是啥材料、啥结构，内部化学键是怎么排列组合的。
好比警察通过指纹识别罪犯，光谱技术让微纳结构无所遁形。
研究纳米材料的光学性质时，光谱数据一出来，材料的能带结构、能级跃迁情况尽收眼底，为后续性能优化、功能拓展夯实基础。
聊完光学，再看看输运测量技术，这可是深挖微纳结构电学“家底”的利器。
电子在微纳结构里穿梭，就像一群忙碌的小蚂蚁搬家，路线、速度、流量，处处都是学问。
四探针法是行业里的“老大哥”，稳稳当当往微纳材料上戳四根探针，通电、测电压，精准算出材料的电阻率，误差小到可以忽略不计。
做半导体芯片研发的时候，工程师得靠它把关材料导电性，电阻率不合规，芯片性能直接“翻车”，那可不得了。
扫描隧道显微镜（STM）更是一绝，探针针尖距离微纳结构表面近到极致，电子玩起“量子隧穿”的神奇把戏，形成微弱电流。
微纳米机器人制造方法
微纳米机器人制造方法引言：微纳米机器人是一种迷你型的机器人，尺寸通常在微米到纳米级别之间。
微纳米机器人具有广泛的应用前景，如医学领域的药物输送、疾病诊断和治疗，以及纳米制造等领域。
本文将重点介绍微纳米机器人的制造方法，包括制造材料、制造工艺和制造技术等方面的内容。
一、制造材料微纳米机器人的制造材料是制备微纳米机器人的基础。
目前常用的制造材料包括金属、聚合物和生物材料等。
1. 金属材料金属材料具有良好的导电性和机械强度，适用于制造微纳米机器人的电子元件和结构部件。
常用的金属材料有金、银、铜和铝等。
2. 聚合物材料聚合物材料具有良好的可塑性和可加工性，适用于制造微纳米机器人的机械部件和外壳。
常用的聚合物材料有聚乙烯、聚丙烯和聚四氟乙烯等。
3. 生物材料生物材料具有生物相容性和仿生性，适用于制造微纳米机器人的生物传感器和药物输送系统。
常用的生物材料有蛋白质、DNA和细胞等。
二、制造工艺微纳米机器人的制造工艺是实现微纳米尺度下制造精度的关键。
常用的制造工艺包括光刻、电子束曝光和纳米压印等。
1. 光刻光刻是利用光敏材料的光化学反应进行微米级或亚微米级图案转移的工艺。
通过光刻工艺可以制备微纳米机器人的电路和结构。
2. 电子束曝光电子束曝光利用电子束的聚焦和控制技术进行纳米级图案转移的工艺。
通过电子束曝光工艺可以制备微纳米机器人的高分辨率结构和器件。
3. 纳米压印纳米压印利用模具的纳米级图案进行压印，将图案转移到基板上的工艺。
通过纳米压印工艺可以制备微纳米机器人的纳米结构和纳米材料。
三、制造技术微纳米机器人的制造技术是实现微纳米机器人组装和操作的关键。
目前常用的制造技术包括自组装技术、纳米操作技术和纳米测量技术等。
1. 自组装技术自组装技术利用物质之间的相互作用力，使微纳米尺度下的组分自动形成有序的结构。
通过自组装技术可以实现微纳米机器人的组装和排列。
2. 纳米操作技术纳米操作技术利用纳米级操作工具对微纳米尺度下的物体进行操控和操作。
浅谈精密测量技术现状及发展
浅谈精密测量技术现状及发展精密测量技术作为现代制造业的一项重要基石，正在快速发展。
其主要应用于机械、自动化、航空航天、电子等领域，对于提高产品性能、保证质量、提高生产效率具有不可替代的作用。
目前，随着工业技术的进步和精度要求的提高，精密测量技术也在不断完善和更新。
本文将就精密测量技术现状及发展做一浅谈。
一、现状精密测量技术的主要特征是精度高、重复性好、稳定性强以及可靠性高等。
而当前精密测量技术发展的主要趋势如下：1、自动化测量自动化测量是近年来精密测量技术快速发展的一个重要趋势。
自动化测量可以提高测量的效率和准确性，降低测量的成本和误差率。
自动化测量涉及到数据采集、传输、处理和分析等方面的技术，包括计算机视觉、机器人技术、自动控制技术、信号处理技术等。
2、光学测量光学测量是一种非接触式的测量方法，具有测量速度快、操作简便、精度高等特点。
光学测量主要包括三角测量、干涉测量、激光测量等方法。
在光学传感器方面，高精度测量技术的发展也为光学测量提供了重要支持。
3、微纳米测量微纳米测量是指测量微观和纳米级别的物体尺寸、形状、相对位置等特征的技术，其应用范围涵盖了半导体、生物医学、信息、新能源、材料等领域。
微纳米测量的主要手段包括扫描探针显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜等。
4、多物理场测量多物理场测量是指同时测量多个物理量的测量方法，如温度、压力、电场强度、磁场等。
它不仅可以提高测量的效率和准确性，还可以提升数据的可靠性和精度。
常用的多物理场测量技术包括电磁散射、红外成像、强子比传感器等。
二、发展趋势在未来的发展趋势中，精密测量技术将主要呈现以下几个方向：数字化精密测量是指利用数字技术和计算机技术实现测量过程的自动化、数字化和信息化。
数字化精密测量可以提高测量的效率和准确性，并减少测量的误差率。
同时，数字化测量还可以方便实现数据存储、处理和分析等工作。
2、无损检测技术无损检测技术是指在不破坏被测物体的前提下，通过检测被测物体内部和表面的缺陷、杂质、变形等信息，以确定被测物体的性能和可靠性。
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方块电阻
RS =
ρ
xj
四探针仪
表面杂质浓度
表面分析法 间接查表法
ห้องสมุดไป่ตู้
Rs , x j ~ ρ ~ N S
磨角法与滚槽法
四探针法
电流探针
V RS = C ⋅ I
电位探针
光刻
目的
按照设计要求，在薄膜或衬底上刻蚀出与掩模版 完全对应的几何图形，以实现选择性扩散、金属 布线、形成结构
工艺步骤
质量检测
膜厚，台阶，微缺陷等
电阻率，介电常数，击穿电压，漏电流等
电性能测试
工艺线和环境监控
薄膜制备
材料、工艺、作用
氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属 外延、氧化、淀积、蒸发、溅射 结构、掩蔽层、掩膜、牺牲层、钝化、保护、导电、 介电 膜厚、厚度均匀性、物性参数 裂纹、针孔、斑点等
浓硼扩散
浓硼扩散，定义结构层
扩散深度15－20µm
ICP刻蚀
光刻（2#掩模版 正版） ICP刻蚀，预释放结构
形成金属电极
光刻（3＃掩模版 负版 ） 腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å） 溅射Ti/Pt/Au 剥离形成金属电极
键合
键合 划片
结构释放
EDP腐蚀（自停止）
d = T DSiO2 t
DSiO2 « DSi 足够的厚度
二氧化硅薄膜
薄膜质量检测
厚度测量
辨色法 干涉法 椭圆偏振法
缺陷检测
表面观察法 化学腐蚀法
金属薄膜
制作工艺和用途
导线，电极，焊盘；掩膜 蒸发，溅射
薄膜质量检测
厚度测量
称重法 电阻法 台阶法 椭圆偏振法 表面观察法
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
衬底制备与测试
选购或定制硅片时要考虑哪些参数？ 硅片制备过程中如何保证这些参数？
衬底参数
直径和厚度 晶向 导电类型及电阻率 表面质量 缺陷和污染
衬底制备
衬底材料
化学提纯
高温融解
结晶，拉晶
MEMS的加工和测试技术
内容
MEMS Lab－超净间 衬底的制备与测试 MEMS工艺及测试
MEMS Lab－超净间
超净间的布局
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区 灰区（过渡区和辅助区）
工艺设备 测试设备
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
北大表面工艺
下层电极
淀积氧化硅（3000Å） 淀积氮化硅（2000Å） 淀积多晶硅（3000Å） 光刻（1＃掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
牺牲层
淀积PSG(2µm) 光刻（2#掩模版 负版） 刻蚀PSG（2000Å）
刻蚀支撑点
光刻（2#掩模版负版） 刻蚀PSG
淀积多晶硅
磨外径
石英砂
多晶硅或非晶硅
熔融硅
单晶硅
掺杂，种晶
衬底制备
选材
定向
X射线衍射法 二次离子质谱法SIMS 极性仪和四探针仪
掺杂类型及浓度
微缺陷
激光散射法 激光超声法 X射线探测法
衬底制备
切片
参考面 厚度
[110] 180° [110] 90° [110] [110]
参数
缺陷
二氧化硅薄膜
工艺和物理性质
密度 克/厘米3 2.24～2.27 2.18～2.21 2.00～2.20 2.09～2.15 2.3 折射率 λ=5460A 1.460～1.466 1.435～1.458 1.452～1.462 1.43～1.45 1.46～1.47 1015～1017 107～108 7～8×1014 3.54（1兆周） 5～ 6 电阻率 欧姆.厘米 3×1015～2×1016 介电常数 3.4（10千周） 3.82（1兆周） 3.2（10千周） 6.8～9 介电强度 106伏/厘米 9
微加工技术
微加工的定义
特征尺寸：0.1mm～ 0.1µm 绝对精度 ：0.1µm～ IC技术及IC兼容的微加工技术 LIGA技术 超精密加工技术 微纳测试技术 超精密环境控制技术
微加工的分类
微加工的条件
微纳测试技术
特点
微纳尺度 微纳精度 非在线测量 非接触测量
标准工艺流程
北大体硅工艺1
定义键合区
光刻（1#掩模版 正版） 刻蚀浅槽（4µm ）
RIE 或 KOH
掺杂
离子注入，形成接触区 用于轻掺杂衬底
形成金属电极
光刻（2＃掩模版 负版 ） 腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å） 溅射Ti/Pt/Au 剥离形成金属电极
硅/玻璃阳极键合
工件尺寸在10cm以上：相对精度在万分之一以下 工件尺寸在10µm以下：绝对精度在1µm以下 精密机械加工 特种精密加工 微细加工 精密测试技术 精密环境控制技术
精密加工的分类
精密加工的条件
精密测试技术
精密测试技术
设备标定 在线检测 信息处理
发展方向
大尺寸测量 微纳测试
′ / ES ′ EP tgψ = E1P / E1S
′ − ϕS ′ ) − (ϕ1P − ϕ1S ) ∆ = (ϕ P
′ / ES ′ tgψ = EP
∆ = −(ϕ1P − ϕ1S )
若入射光为等幅椭偏光 若反射光成为线偏光
∆ = π − (ϕ1P − ϕ1S )
椭圆偏振法原理
入射等幅偏振光的获得
缺陷检测
椭圆偏振法原理
当样品对入射光存在强烈吸收或薄膜厚度远小于光波长 时，用来测量折射率的几何光学方法和用来测量薄膜厚 度的干涉法均不再适用
椭圆偏振法是利用偏振光在薄膜界面反射或透射时出现 的偏振变换来测量薄膜的折射率和厚度
椭圆偏振法的应用范围很广，可用于介质薄膜、金属薄 膜、非晶半导体薄膜、聚合物薄膜的测量，也可用于薄 膜生长或刻蚀过程的实时监测
双面对准 键合误差5µm
硅片减薄
减薄（80－100µm）
KOH腐蚀 机械减薄
玻璃面划片
ICP刻蚀
溅射Al 光刻（3＃掩模版 正版） 刻蚀Al ICP刻蚀Si，释放结构
北大体硅工艺2
定义键合区
光刻（1#掩模版 正版） 刻蚀浅槽（4µm ）
RIE 或 KOH
[110] 45° {110}n型 [100]
[110] [100]
{110}p型
{100}n型
{100}p型
衬底制备
研磨、抛光
尺寸测量 表面缺陷检测
厚度、总厚度变化、弯曲度、平整度
亮场检测、暗场检测
化学清洗
杂质污染
MEMS工艺及测试
MEMS加工工艺
制膜、光刻、刻蚀、掺杂等
MEMS加工测试
淀积多晶硅（2 µm） 应力调整
刻蚀多晶硅
光刻（4#掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
释放结构
牺牲层腐蚀 防粘附处理
上海微所电容器件工艺
上海微系统所电容器件
序 号 1 2 3 4 5 6 7 8 工艺名称 选取N型（100）双抛硅片 标准清洗 氧化 光刻 腐蚀氧化硅 腐蚀硅 清洗硅片 腐蚀背面SiO2 腐蚀深度4um 重复步骤2 硅片正面SiO2用胶保护 厚度0.5um 最小线宽10um 硅片背面光刻（1＃版） 工艺要求 硅片厚度450um 备注
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
电感 耦合 高频 等离 子体 （ICP）
MEMS Lab－超净间
黄光区 腐蚀清洗区 等离子区 炉管区 测试区
1.干氧: O2+si --> sio2 2.湿氧: H2O + Si -->sio2 + 2H2
黄光区就是所有的照明光源均为黄色之区域. 由于IC晶方内之图案均有赖光阻剂(photo resist)覆盖在芯片上, 在经过暴光和显影而定型. 而光阻剂遭遇光线照射(特别是紫外线)即有暴 光之效果, 因此在显影之前, 都要远离此光源. 因为黄光的波长较长, 使光阻剂暴光的效果很 低, 因此将黄光作为显影前最理想的照明光源.
上海微系统所电容器件
序 号 9 10 11 12 13 14 15 16 工艺名称 选取Pyrex7740玻璃片 清洗玻璃片 玻璃片蒸铝 光刻 腐蚀Al 键合 光刻Si片正面SiO2 清洗键合片 重复步骤2 硅片背面和玻璃正面 进行静电键合 （3＃版） 重复步骤2 厚度1um 玻璃片正面蒸铝 （2＃版） 工艺要求 备注