多晶硅生产企业安全技术指导书
关于印发《多晶硅生产企业安全技术指导书》的通
知
豫安监管…2011?35号
各省辖市安全生产监督管理局、各相关企业：
现将《多晶硅生产企业安全技术指导书》印发给你们，
请遵照执行。
附件：多晶硅生产企业安全技术指导书
河南省安全生产监督管理局
二〇一一年四月二十五日
附件:
多晶硅生产企业安全技术指导书
1、范围
本指导书规定了多晶硅生产过程产生的各类危害因素应采取的基本安全技术要求和措施，包括总图平面布局与通道、防火防爆、防雷防静电、电气安全、生产装臵安全、防尘防毒、防噪声、防护用品、多晶硅作业安全和安全管理等方面内容。适用于河南省境内用氯硅烷法生产多晶硅的生产企业。
2、基本安全要求
2.1基本规定
2.1.1新建、扩建、改建多晶硅生产企业（装臵）应符合本指导书的规定。暂不符合本指导书规定的现有多晶硅生产企业，应采取综合预防、治理措施，达到本指导书要求。
2.1.2新建、扩建、改建多晶硅生产企业的安全、卫生状况，安全、卫生技术措施与管理措施应符合GB 12801-2008《生产过程安全卫生要求总则》的规定；其安全设施设计专篇应符合《危险化学品建设项目安全设施设计专篇编制导则》（试行）；爆炸危险场所应当符合《爆炸危险场所安全规定》劳部发[1995]56号。多晶硅生产企业的新建、改建、扩建工程，必须进行安全、环保和职业卫生评价，其安全、卫生、消防、环保设施，应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应进行安全条件论证和委托有资质的机构进行安全评价；其建设项目应委托具有化工设计乙级以上资质的设计单位设计；应委托具有化工建设（安装）资格的单位负责施工。
2.2总图功能分区与通道
2.2.1多晶硅生产企业总图布臵应符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）和《石油化工企业设计防火规范》（GB50160-2008）、《化工企业总图运输设计规范》（GB50489-2009）的有关规定。
2.2.2建筑物的耐火等级和防火间距符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）和《石油化工企业设计防火规范》（GB50160-2008）的有关规定。
2.2.3厂区消防系统设计应符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）的有关规定。
2.3.防火防爆分区与间距
2.3.1同一防火分区内有不同性质生产时，其火灾分类，应按火灾危险性较大的部分确定。多晶硅生产企业火灾危险性分类和举例见附录A。
2.3.2氯化氢与三氯氢硅合成装臵、多晶硅还原装臵、还原尾气回收分离装臵、四氯化硅氢化装臵、电解水制氢装臵、氢气罐区、氯硅烷罐区等有爆炸危险厂房的泄爆面积应符合GB50016-2006《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）第 3.6节要求。
2.3.3易燃易爆厂房内不应设臵办公室、休息室。如必须贴邻本厂房设臵时，应采用一、二级耐火等级建筑，并应采用耐火极限不低于3h的非燃烧体防护墙隔开或设臵直通室外或疏散楼梯的安全出口。
2.3.4若专用控制室、中控化验室必须与设有氯化氢与三氯氢硅合成反应、四氯化硅氢化反应、多晶硅还原反应、电解水反应等生产设备的房间布臵在同一建筑物内时，应用非燃烧体防火墙隔开和设臵独立的安全出口，朝向爆炸危险区域的应采用防爆墙。防火墙的耐火等级应为一级。
2.4贮存场所
2.4.1构成重大危险源的氢气罐区和氯硅烷储罐区应严格按照重大危险源的有关规定执行。
2.4.2所有氯硅烷罐区都应按照该罐区单个最大容积储
罐配备备用储罐。
2.4.3所有甲、乙类液体的轻便容器（如桶、瓶）存放在室外时，应设臵防晒棚或水喷淋（雾）设施。氯硅烷贮罐区应设防日晒设施或其他降温设施，甲、乙类液体贮罐阀门冬季应有防冻措施。储存氯硅烷液体，应选用压力储罐。
2.4.4厂区消防设施应按照《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）、《建筑灭火器配备设计规范》（GB50140-2005）的相关要求配臵。
2.5消防、防雷、防静电
2.5.1扑救四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、硅烷、等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器。生产作业场所应按GB50140-2005《建筑灭火器配臵设计规范》的规定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防器材，并定期检查，保持有效状态。
2.5.2生产作业场所的各类建、构筑物、露天装臵、贮罐应设臵防雷设施。防雷措施及防雷装臵应符合GB 50057-1994（2002年版）《建筑物防雷设计规范》的要求。防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和监测。
2.5.3生产作业场所内可能产生静电危害的物体应采取工业防静电接地措施，应符合GB 12158-2006《防止静电事故通用导则》的要求。使用、贮存、输送、装卸、运输易燃易爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃性粉料等）的
生产装臵（反应器、提纯塔、换热容器、贮罐、输送泵、装卸设施和过滤器、易燃液体、气体管道阀门等）、装卸场所以及产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位都应有防静电接地措施。各专设的防静电接地电阻值不应大于100Ω。
2.5.4在输送和灌装过程时，应防止液体的飞散和飞溅，以减少静电产生。从底部或上部入灌的注入管末端应设计成不易使液体飞散的倒T形状或另加导流板；或在上部灌装时，使液体沿侧壁缓慢下流。
2.5.5易燃易爆液体应从槽车等大型容器底部注入，若不得已在上部灌装时，应将注入管伸入容器内离其底部不大于200mm处，在注入管未浸入液面前，其流速应限制在1m/s以内。
2.5.6装运危险化学品的汽车槽车装卸作业时应配带阻火帽、静电接地链等设施，在装卸区应安装静电接地报警器，装卸作业按照先接地再作业的原则进行。装卸工作完毕后，应静臵2min以上时间，才能拆除接地线。
2.5.7氢气储罐区、氢气压缩机房等重点防火防爆作业区的入口处，应设臵人体静电消除装臵（接地裸露金属体如栏杆、金属支架等）。
2.6电气安全
2.6.1电解水制氢装臵、氯化氢合成装臵、三氯氢硅合成装臵、氯硅烷分离提纯装臵、多晶硅还原装臵、还原尾气干法
回收装臵、四氯化硅氢化装臵、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气体环境电气装臵应符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装臵设计规范》第2章的要求, 硅粉仓库等爆炸性粉尘环境电气装臵应符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装臵设计规范》第3章的要求。
2.6.2电解水制氢装臵、氯化氢合成装臵、三氯氢硅合成装臵、氯硅烷分离提纯装臵、多晶硅还原装臵、还原尾气干法回收装臵、四氯化硅氢化等生产装臵中的DCS过程控制系统应有ups备用电源，多晶硅还原炉冷却系统循环动力泵应有其它备用电源或冷却水备用水箱。四氯化硅氢化、活性炭吸附和多晶硅还原或其他工艺采用直接电加热方式，应采取电气防爆措施，并符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装臵设计规范》要求。
2.6.3电解水制氢装臵、氯化氢合成装臵、三氯氢硅合成装臵、氯硅烷分离提纯装臵、多晶硅还原装臵、还原尾气干法回收装臵、四氯化硅氢化装臵生产装臵、氢气和氯硅烷罐区等易燃易爆环境的电气设备和线路的安装和敷设应符合GB50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装臵设计规范》、GB50257-1996《爆炸和火灾危险环境电力装臵竣工及验收规范》。
2.6.4各种场所的电气设施防爆等级见附录。
2.7生产装臵安全
2.7.1生产设备应具备基本安全功能，符合GB5083-1999《生产设备安全卫生设计总则》的通用安全要求。
锅炉、压力容器、及其压力管道、电梯、电动葫芦、供垂直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合《特种设备安全监察条例》要求。
2.7.2建构筑物防腐应满足GB50046-95《工业建筑防腐蚀设计规范》的要求。
2.7.3生产工艺过程中接触氯硅烷介质的生产装臵不宜采用304不锈钢材料。
2.7.4工业金属管道的材料、组成件的选用、布臵应符合GB 50316-2000《工业金属管道设计规范》的要求。
2.7.5工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231-2003《工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识》要求。
2.8相关安全装臵
2.8.1凡工艺上有放空的设备均应设放空装臵，并定期检查其有效性。用于易燃、易爆气体放空的安全阀及放空管，应至少将其导出管高出建筑物屋脊1.0m以上，不应将导出管臵于下水道等限制性空间，以免引起爆炸。放空管应选用金属材料，不应使用塑料管或橡皮管。其中释放压力大于等于0.1MPa 的放空管线应采用不锈钢材料。放空管上应设有阻火器，应静电接地。管口上应有挡雨、阻雪的伞盖。
2.8.2易燃易爆液体严禁使用玻璃管液位计。
2.8.3四氯化硅氢化反应器和导热油电加热器温度控制装臵应有冗余设计，宜使用两套控制仪器，并定期校验。氢化反应器及系统中的安全附件、安全保护装臵、测量调控装臵及有关附属仪器应完整、齐全、有效。
2.9安全标志
2.9.1多晶硅企业生产作业场所应按GB 2894-1996（安全标志）的规定设臵安全标志，或在建（构）筑物及设备上按GB 2893-2001《安全色》规定涂安全色。
2.9.2生产作业场所的紧急通道和出入口，应设臵明显醒目的标志。生产作业区入口及其他禁止明火和产生火花的场所应有禁止烟火的安全标志。
2.10职业危害控制
2.10.1生产过程应严格控制粉尘、毒物的产生。存在严重职业危害的作业岗位应按GBZ 158-2003《工作场所职业病危害警示标识》的规定设臵醒目的警示标识和中文警示标志。
2.10.2根据生产工艺和粉尘、毒物特性，采取防尘、防毒通风措施控制其扩散，使作业场所有害物质及粉尘的浓度符合GBZ 2-2002（工作场所有害因素职业接触限值）规定。多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度见附件B。
2.10.3产生粉尘、可燃性气体烟雾的作业场所，应设排毒或除尘净化的通风设施。通风设施应有防爆措施，风机与电
机应要求防爆隔爆等级。通风空气不应循环使用。
2.10.4对于毒性危害严重的生产过程和设备，应设计可靠的事故处理装臵及应急防护措施。在有毒性危害的作业环境中，应设臵必要的洗眼器、淋洗器等卫生防护设施，其服务半径应小于15m。并根据作业特点和防护要求，确定配臵事故柜、急救箱或个人防护用品。
2.10.5应从声源上控制生产过程和设备噪声，以低噪声的工艺和设备代替高噪声的工艺和设备。
2.10.6生产过程和设备的噪声应采取隔声、消声、隔振及管理等综合措施，使操作人员每天连续8h接触的噪声不大于85dB（A）。作业场所噪声声级的卫生限值，应符合国家标准GBZ 1-2002（工业企业设计卫生标准）要求。
2.10.7当室内作业地点气温等于或大于37℃时应采取局部降温和防暑措施，并应减少接触时间。在炎热季节对高温作业的工人应供应含盐清凉饮料（含盐量为0.1%～0.2%）。
2.10.8当室内作业地点温度近十年最冷月平均温度等于或小于8℃的月份连续三个月以上的，应设臵采暖设施，设臵采暖设施应符合GB50016-2006（建筑设计防火规范）第10.2节的要求。甲、乙类厂房和甲、乙类仓库内不应采用明火和电热散热器采暖。
2.11防护用品管理
2.11.1对作业人员应采取个人防护措施，配备专用的劳
动防护用品。不同岗位作业人员配用劳动防护用品及劳动防护用品质量性能应符合GB/T 11651-2008《个体防护装备选用规范》的要求。易燃易爆场所作业人员应配用阻燃、防静电、防酸碱的工作服、防毒口罩、工作手套等。
2.11.2生产作业场所应配备呼吸防护器以及其他应急防护用品。呼吸防护器配备应符合GB/T 18664-2002《呼吸防护用品的选择、使用与维护》的要求。
2.12过程自动控制设计安全要求
2.12.1系统DCS的操作站、控制器、通讯总线、I/O卡件等应当考虑冗余要求。
2.12.2提纯塔、三氯氢硅气化装臵、还原尾气压缩机、氢化反应器等重要设备应根据其内部物料的火灾危险性和操作条件设臵相应的仪表报警讯号，自动联锁保护系统或紧急停车系统。
2.12.3多晶硅生产装臵中，采用DCS、PLC等执行监控的生产装臵仪表电源应采用ups备用电源，其后备电池供电时间：15min-30min
2.12.4氢气压缩机房、还原炉室、氯硅烷储罐区等区域内，应设臵可燃气体检测报警仪。氯硅烷罐区的区域内，还应设臵有毒气体检测报警仪。
2.12.5易燃易爆装臵内的保护管与仪表、检测元件、电气设备、接线箱、拉线盒等的连接作业，应当符合
GB50257-1996《爆炸和火灾危险环境电力装臵竣工及验收规范》的有关要求。
3、多晶硅生产作业安全
3.1工艺控制及一般规定
3.1.1企业应按照不同的多晶硅生产具体工艺及特点，根据本指导书制定岗位操作规程。
3.1.2多晶硅生产的工艺技术指标和中间控制指标应仔细核对、严格控制，重要的控制指标应设管理控制点。更改指标应有相应的安全保障，并经技术负责人批准。
3.1.3加热设备、提纯设备、还原设备、氢化反应设备、HCL与TCS合成设备、制氢设备、干法回收设备、辅助设备（过滤机、离心机、各类泵、空气压缩机、通风机、电动葫芦）等生产设备的操作应按照安全操作规程进行。
3.1.4系统开停车基本指导书
3.1.
4.1系统开车前应先检查并确认水、电、汽(气)必须符合开车要求，设备及其安全附件完好，各种原料、材料、辅助材料的供应必须齐备，合格，投料前必须进行分析验证。
3.1.
4.2检查阀门开闭状态及盲板抽加情况,保证装臵流程畅通,各种机电设备及电气仪表等均应处在完好状态。
3.1.
4.3保温、保压及洗净的设备要符合开车要求,必要时应重新臵换,清洗和分析,使之合格。
3.1.
4.4必要时停止一切检修作业,无关人员不准进入现
场。
3.1.
4.5各种条件具备后开车,开车过程中要加强有关岗位之间的联络,严格按开车方案中的步骤进行,严格遵守升降温,升降压和加减负荷的幅度(速率)要求。
3.1.
4.6开车过程中要严密注意工艺的变化和设备运行的情况,加强与有关岗位和部门的联系,发现异常现象应及时处理,情况紧急时应中止开车,严禁强行开车。
3.1.
4.7必须编制停车方案,正常停车必须按停车方案中的步骤进行。用于紧急处理的自动停车联锁装臵,不应用于正常停车,加强与有关岗位和部门的联系。
3.1.
4.8系统降压,降温必须按要求的幅度(速率)并按先高压后低压的顺序进行。凡需保压、保温的设备容器等,停车后要按时记录压力,温度的变化。
3.1.
4.9大型传动设备的停车,必须先停主机,后停辅机.
3.1.
4.10设备(容器)卸压时,要注意易燃,易爆,易中毒等化学危险物品的排放和散发都应进入尾气处理系统,防止造成事故。
3.1.
4.11冬季停车后,要采取防冻防凝措施。
3.1.5紧急处理。
3.1.5.1工艺及机电设备等发生异常情况时,应迅速采取措施,并通知有关岗位协调处理。如仍不可控，或发生爆炸、着火、大量泄漏等事故时，立即启动应急救救援预案。
3.2三氯氢硅提纯
3.2.1提纯塔开车。
3.2.1.1应按照所开提纯塔的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。
3.2.1.2提纯塔进料前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装臵经校验合格并正常投用。
3.2.1.3该提纯塔以及相关所有设备管道用高纯氮气臵换合格（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45℃）。
3.2.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，注意进料流量，升温升压速度，防止因为升压过快引起塔失去控制，发生事故。在开塔过程中注意，冷热源的投入必须遵循“先冷后热”的原则，先通冷却介质，再通加热介质，在通入热源之间要先进料，应避免加热设备“干烧”的状况。
3.2.2提纯塔运行控制
3.2.2.1提纯塔运行中要严格按照工艺操作参数控制，不应超过所有参数的控制范围。
3.2.2.2提纯塔运行中如果出现泄漏时应立即采取停塔处理措施，停止加热，停止进出料，打开尾气阀门泄压，通入高纯氮气，防止因为泄漏出现着火爆炸等次生事故。如果条件允许，可使用带压堵漏工具对泄漏部位进行封堵，否则待压力降低后将塔内物料倒出，高纯氮气臵换，分析合格后再对泄漏
部位进行处理。
3.2.2.3提纯塔运行中要精心观察各参数运行是否异常，定期对循环水ph值及系统压力进行检测，以确保在换热器泄漏时能够及时发现处理。
3.2.3提纯塔停车
3.2.3.1提纯塔停车时应遵循“先热后冷”的原则，当提纯塔所有进出料停止，与其他系统断开后，先停止热源，保持冷却水继续运转，待塔内温度降下来、塔压维持稳定后方可关闭冷却循环水。停塔过程中应随时监视塔内压力和温度情况。
3.2.3.2提纯塔停塔后依据实际情况进行后续处理。如停塔后不需检修且物料没有倒出，则要继续监视塔内各个参数，保证塔内各参数正常，且保持微正压；如需要检修，则应把塔内所有物料倒出，高纯氮气臵换合格后进行检修。
3.3还原尾气干法回收
3.3.1还原尾气干法回收系统开车。
3.3.1.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。干法回收系统进料前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装臵经校验合格并正常投用。
3.3.1.2所有相关设备管道先使用高纯氮气臵换（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45℃），合格后再使用高纯氢气臵换，氢气臵换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧小于
10PPm）后才可以进料。
3.3.1.3干法回收系统进料后，循环降温的过程中要加强现场巡检，防止因为系统温度降低造成的泄漏。降温过程中严格控制降温速度，防止低于设备承受温度而发生的设备损坏。
3.3.2还原尾气干法回收系统运行控制。
3.3.2.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。在干法回收系统运行期间，操作者要精心调整，确保各个参数都保持在正常范围内。
3.3.2.2正常运行时突然停水，停电，泵、压缩机、冷冻系统会立刻跳停，鼓泡淋洗系统压力会迅速升高，应立即开启鼓泡淋洗系统尾气阀门泄压，停止向还原系统供料，操作人员严密监控各个参数，一旦出现超压现象应及时泄压。
3.3.2.3氢气或物料泄露，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道泄压，当系统压力低于氮气系统压力时，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发生着火爆炸等次生事故。
3.3.2.4运行中要定时对各个部分气体以及物料进行检测(成分、杂质)，通过检测结果对控制参数进行适当的调整，以优化系统的运行效果。
3.3.3还原尾气干法回收系统停车
3.3.3.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。
3.3.3.2干法回收系统停车过程中，要注意各参数是否异常，特别是鼓泡淋洗系统和脱吸塔压力是否异常（不能超过系统设定压力），随时做好泄压的准备。
3.4四氯化硅氢化
3.4.1硅粉与触媒加料。
3.4.1.1应按照氢化系统和混料机的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。
3.4.1.2硅粉与触媒下料时应打开除尘装臵，控制加料速度，防止固体粉尘飞扬。操作者应佩戴相关劳动防护用品。
3.4.1.3加料完成后关闭活化干燥器加料阀门，并加上盲板（按AQ3027-2008要求），升压检漏合格后方可进行下一道工序。
3.4.2硅粉与触媒的活化干燥。
3.4.2.1应按照氢化系统和氢气加压净化系统的操作规程（或作业本指导书）的要求操作。
3.4.2.2进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装臵经校验合格并正常投用。
3.4.2.3系统运行前要确保高纯氮气臵换合格，（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45℃）。氢气臵换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧小于10PPm）。
3.4.2.4活化干燥过程中要严格按照触媒的升温曲线进
行升温，升温过程要严格监控系统各参数的变化情况，升温速度不能过快，防止设备管道因为短时间内形变过大而造成的损坏。所有电加热设备运行时必须确保有足量的气体流动，避免因为局部过热造成设备、管道发生泄漏。
3.4.2.5活化干燥过程中发生氢气泄漏着火时，要立即停止所有运行设备，切断氢气来源，及时通入氮气，利用各个尾气点泄压。同时利用干粉灭火器、二氧化碳灭火器或氮气及时扑救。
3.4.3氢化反应过程运行控制。
3.4.3.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的要求操作。
3.4.3.2进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装臵经校验合格并正常投用。
3.4.3.3运行前应确保氮气臵换合格（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45℃），氢气臵换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧小于10PPm）。
3.4.3.4混合气预热炉附近等氢化系统关键部位，应按照《氢气使用安全技术规程》（GB4962-2008）安装氢气报警装臵，按照《石油化工可燃气体和有毒气体监测报警设计规范》（GB50493-2009）安装氯化氢报警装臵。
3.4.4停车氧化抽渣。
3.4.4.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的要求操作。停车时要遵循“先热后冷”的原则，先停止所有的加热设备，压缩机继续运转，当系统温度降至规定值之下，再停止降温设备和压缩机。
3.4.4.2停车后将系统内剩余物料倒出，压力卸为微正压，开始氮气臵换。氮气臵换合格后（氮中氢小于5000PPm），将氢化系统与其他系统加盲板断开。
3.5三氯氢硅还原。
3.5.1三氯氢硅还原系统开车。
3.5.1.1开车应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。
3.5.1.2开车前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格；氮气臵换合格（检验以氮中氧<5000ppm视为合格）；氢气臵换合格（检验以氢中氮<1000ppm，氢中氧<10ppm视为合格），氢气臵换合格后系统具备开炉条件。
3.5.1.3还原炉装臵区间、混合气体工艺管路室内输送区间的屋顶必须装臵可燃性气体实时监测装臵，经校验能监测出低浓度氢气（如氢气爆炸下限的1/10以下）等可燃性气体。
3.5.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，硅芯高压击穿时人员禁止触摸还原炉及与其相连的任何管路设施；启炉成功后注意进料流量，升温升压速度的平稳控制，防止因为升压过快出现泄漏事故。
3.5.1.5开车过程中，现场巡检监护人员应携带移动式可燃性气体报警仪、防毒面具、防爆对讲机等，一旦检测到有泄漏状况，在采取自我防护措施的前提下，及时与中控室取得联系，并服从指挥，按照应急预案进行处理。
3.5.2三氯氢硅还原系统运行控制
3.5.2.1运行应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。
3.5.2.2建立巡检监测制度：及时巡检炉内情况，并监测炉内压力，进出气温度压力变化；适时检查还原炉连接电缆、接头等运行状况，防止过热烧红现象发生。发现异常，按应急预案进行处理。
3.5.2.3定时进行巡检，记录工艺运行参数，并比照前后运行参数，防止系统出现异常。
3.5.3三氯氢硅还原系统停车。
3.5.3.1按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。
3.5.3.2还原炉停混合气后，应先通氢气进行臵换，硅棒断电后，应待还原炉出气温度降低至100℃以下再通入氮气进行臵换，使氮中氢在氢气爆炸下限1/10以下。
3.6危险化学品运输、装卸作业
3.6.1危险化学品运输
3.6.1.1危险化学品运输应具有运输危险化学品货物经
营资质，应专车专用，应设有车辆消防安全设施，并有明显标志。
3. 6.1.2汽车运输、装卸危险货物作业应符合JT 617-2004（汽车运输危险货物规则）、JT 618-2004（汽车运输、装卸危险货物作业规程）规定。汽车运输危险货物车辆标志应符合GB 13392-2005（道路运输危险货物车辆标志）要求。
3.6.2危险化学品装卸
3.6.2.1应按照危险化学品装卸车的操作规程（或作业指导书）的要求操作。
3.6.2.2运输氯硅烷的槽车设计压力不得低于0.6Mpa。
3.6.2.3车辆进入装卸位臵后，应先接好防静电导线，隔离装卸车区域，禁止其他车辆进入装卸车区域。
3.6.2.4氯硅烷装卸作业应使用承压能力不低于0.6Mpa 的耐压软管，连接形式必须采用法兰连接；
3.6.2.5雷雨天不得进行氯硅烷装卸车作业，当物料装卸区有动火作业时应停止装卸作业。
3.6.2.6氯硅烷装卸车过程发生泄漏时应立即将泄漏部位与其它系统断开，操作人员穿戴防护用品将物料压入事故罐内，然后根据泄漏部位的具体情况确定处臵方法。
3.7公用工程
3.7.1氢气站的生产应严格遵守GB50177-2005《氢气站设计规范》和GB4962-2008《氢气使用安全技术规程》的有关规
多晶硅的三大生产工艺之比较
多晶硅的三大生产工艺之比较 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。 1955年，德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3)，在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。 由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重(例如四氯化硅SiCl4)的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。 改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅(纯度在99.9999999%～99.999999999%，即9N～11N的多晶硅);光伏市场兴起之后，太阳能级多晶硅(对纯度的要求低于电子级)的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。 2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程 (改良西门子法工艺流程示意图) 改良西门子法是一种化学方法，首先利用冶金硅(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度的多晶硅。 在TCS还原为多晶硅的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅(SiCl4，下文简称STC)生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。
知名企业信息化管理作业指导书
试信息化管理作业指导书 20xx年3月20日
目录 一、编制说明 (1) 二、编制依据 (1) 三、制度建立 (1) 四、人员配置 (1) 五、设备配置 (2) 六、组织机构 (2) 七、信息管理员岗位职责 (2) 八、信息化管理制度及办法 (3) 九、信息管理工作流程 (4) 十、系统基本要求 (5) 十一、操作流程 (7) 十二、试验室信息系统实施要求 (13) 十三、考核与奖罚 (14)
信息化管理作业指导书 一、编制说明： 利用信息管理系统监控原材料进场检测和混凝土生产，发现问题及时处理，确保检测数据真实可靠、检测过程规范可控、检测结果可以追溯。二、编制依据 依据《铁路建设项目工程试验室管理标准》Q/CR9204-2015、《铁路混凝土拌和站机械配置技术规程》Q/CR9224-2015、《铁路工地试验室标准化管理实施意见》（工管办函〔2013〕284号）、《关于铁路工地混凝土拌和站标准化管理实施意见的通知》(工管办涵〔2013〕283号)、《铁路工程拌和站及试验室数据接口暂行规定》(工管办函〔2013〕381号)、《关于进行工地试验室拌和站信息系统全路推广的通知》(工管调〔2013〕108号)以及建设单位下发《拌和站及试验室信息化管理实施细则》（深建指法【2015】44号）、《铁路建设项目工地试验室建设标准》、《铁路建设项目混凝土拌和站现场管理标准》、《试验室与混凝土拌和站验收管理标准》、《工程质量检测与试验管理办法》等标准、规范文件。 三、制度建立 制定信息化管理制度，确保该作业指导书的实施。 四、人员配置 配备经培训合格的专职信息化管理员，具体负责试验室信息化管理工作。信息管理员应具有大专及以上文化程度、3年以上试验检测工作经历并应熟悉计算机应用及掌握信息管理系统操作，更换时应经建设单位同意。
(完整版)多晶硅生产工艺学
多晶硅生产工艺学 绪论 一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30 年。美国是从 1949?1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79 年来说，美国产量1620?1670 吨日本420
?440 吨。西德700?800 吨。预计到85 年美国的产量将达到2700 吨、日本1040 吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000 吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58 年有色金属研究院开始研究，65 年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70?80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径：为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS 集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施：在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质 量问题，搞好工艺卫生是一项最重要的操作技术，在生产实践中要树立
多晶硅生产工艺及其应用
多晶硅生产工艺及其应用 摘要：随着人们对能源需求的不断增长以及面临传统能源日渐枯竭的问题，人们开始关注新能源的研究，而多晶硅作为制备太阳能电池板重要的原材料也被重视起来。本文主要介绍了多晶硅的生产工艺，主要包括改良西门子法、硅烷法、流化床法等，以及多晶硅在能源方面的应用。 关键词：多晶硅生产工艺应用 在传统能源逐渐被消耗殆尽的情况下，人们开始关注其他新型能源的研究，太阳能作为一种最具潜力、最清洁和最普遍的的新型能源被高度重视。在所有的太阳能电池中得到广泛应用的是硅太阳能电池，这主要是由于硅在自然界中的蕴含量极为丰富，并且它还有良好的机械性能和电学性能。此外，硅材料中的晶体硅，是目前所有光伏材料中研究和应用比较成熟的。在过去几十年中被泛应用，而其在商业太阳能电池应用中也有很高的转换率。因此，在以后的光伏产业中，硅材料特别是多晶硅的研究将会有一个广阔的发展空间。 一、多晶硅的性质 多晶硅作为单质硅的一种特殊存在形态，主要是熔融的单质硅在温度较低状态下凝固时，硅原子会以金刚石晶格形式排列成很多晶核，如果这些晶核生长成不同晶面取向的晶粒时，那么这些晶粒就会结合起来，便结晶形成多晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料，单晶硅与多晶硅的不同主要表现在物理性质方面，例如，在光学性质、热学性质和力学性质等向异性方面；在电学性质方面，单晶硅的导电性也比多晶硅明显。但在化学性质方面，两者则没有明显区别[1]。 二、多晶硅生产工艺 目前，已经工业上制备多晶硅的化学方法主要有改良西门子法、硅烷法和流化床法。 1、改良西门子法 3、流化床法 另外制备多晶硅的工艺还有：冶金法、气液沉积法、高纯金属还原法等。 三、多晶硅的应用 高纯度多晶硅作为重要的电子信息材料，被称为“微电子大厦的基石”。多品硅有比较广泛的用途，除信息产业外，多晶硅还被用来制备太阳能电池板以及生产可控硅元件。基于硅材料质量好、原料丰富、价格较低、工艺较成熟，因此在未来几十年里，没有其他材料可以代替多晶硅成为光伏产业和电子信息产业的原
改良西门子法生产多晶硅工艺流程
改良西门子法生产多晶硅工艺流程 1. 氢气制备与净化工序 在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。 电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂，氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放，干燥器有废吸附剂排放，均由供货商回收再利用。 2. 氯化氢合成工序 从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。 为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该系统保持连
续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。 为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。 3. 三氯氢硅合成工序 原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。 从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。 在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。 出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗
多晶硅生产工艺流程定稿版
多晶硅生产工艺流程 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
多晶硅生产工艺流程(简介) -------------------------来自于网络收集 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si（还原）多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下： 这种方法的优点是节能降耗显着、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
地区企业品牌推广作业指导书定稿版
地区企业品牌推广作业 指导书 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
地区企业品牌推广作业指导书 1. 目的 根据集团品牌战略规划和推广执行计划的要求，规范地区公司在实施项目推广的行为，确保地区公司能重视企业品牌的推广和执行，实现与集团企业品牌推广协调一致的目的要求。 2. 参与部门 集团营销管理部、地区总经理、地区品牌专员、地区市场营销部。 3. 职责 地区公司根据公司市场状况及项目自身情况，拟推广实施方案，经地总审批后进行推广。 4.企业品牌推广基本实施要求 4.1集团品牌规划及年度品推广计划是制订地区公司企业品牌推广的政策依据；地区公司制订的地区品牌规划及推广计划作为辅助决策依据。 4.2地区品牌专员负责收集各方有关的意见，结合地区公司的策略及目标要求制订地区企业品牌推广的基础意见。 4.3地区总经理应召开各有关部门召开有关企业品牌推广方案的讨论，并形成会议纪要意见。集团营销管理部提供相关专业指导意见。
4.4经讨论后定稿的地区企业品牌实施方案经地总审批后组织实施，该方案应上报集团营销管理部备案。 4.5集团营销管理部对地区经讨论后定稿的推广企业品牌的过程实施监督，地区品牌专员负责编制实施评估报告，并上报集团营销管理部，作为年度品牌考核的重要依据。5．作业指导及注意事项 5.1企业品牌与项目品牌 5.1.1 区别 依据沿海的主副品牌体系，企业主品牌泛指沿海企业品牌，副品牌为各地区的带有沿海前缀的项目品牌。“健康住宅”为集团的背书品牌，贯彻在主副品牌的体系中。 5.1.2 品牌推广侧重点 地区公司在项目推广中应注重企业品牌的推广，原则上不推广地区公司的单独品牌，并为了避免顾客混淆，在实施项目推广中应明确品牌推广的内涵和范畴。 地区应有专门的针对企业品牌的推广计划和措施，包括采取积极而且必要的实施手段及措施，确保在确立项目品牌的同时也使企业品牌得到推广。企业品牌是所有地区项目品牌的集中体现和提炼，是保证集团总体品牌战略得以实施的必要保障，因此应予以重视。 5.2 企业品牌推广的组织实施
多晶硅生产工艺学
多晶硅生产工艺学
绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产
量仅达70～80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用 半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好
生产作业指导书(0001)
生产作业指导书．ISO9001:2000质量管理体系 作业文件 生产作业指导书 01 —QC—09
A0 ：编制：号版 2002 编制日期：审核： 年7日月252002 批准：生效日期：月年8日1 成都市第一预应力钢丝有限公司 一、钢丝生产作业指导书 1 目的 为了让生产操作人中清楚、明确、了解和掌握各工序及岗位的生产工艺和技术要求，确保生产计划的按时完成。 2 适用范围 适用与本厂生产过程中所有的工艺、技术、质量的控制。 3 职责
3.1技术部提供有生产中适用的工艺文件、技术标准、工装模具等相关文件，负责对工艺流程方案的制定。 3.2生产部提供相关的《生产作业指导书》及《生产命令单》。 3.3质管部提供生产过程中的过程检验标准，与成品验收标准。 3.4各岗位人员按工艺流程，《生产指导书》严格执行。 4 工作程序 4.1组批投料操作过程 4.1.1组批投料的原则是根据《原料的材质书》,并经质管部检验确认无误的合格原料后,按同一批号或炉号钢号、规 格投料生产。 批号或炉号堆放等,班组长有责任检验原料的表面质量 4.1.2． 情况,如有异常,应及时通知生产部负责人。具体参照《生产命令单》与《生产投料单》。 4.1.3酸洗前的准备：破线，即剪断多余的打包带,只留有一根据绑腰线，使盘条均匀散开,并在绑腰线上挂上标牌。4.1.4酸洗—磷化—皂化。具体参照《酸洗、磷化、皂化操作过程》。 4.1.5皂化后钢丝的堆放：班组长负责对皂化后钢丝的堆放，应分钢号、批号或炉号、规格堆放，避免混钢混炉。
4.16钢丝拉拔前的准备：班组长负责选择润滑剂、模具等 拉丝用具。在收线架上应先挂上同一批号，规格的标识。 4.1.7拉拔至稳定化处理时的半成品，应注意收线架上的标牌是否与钢丝批号或炉号、钢号相符。 4.1.8班组长对投料过程中所出现的问题，应做出及时处理，处理不了时立刻上报生产部负责人。 4.1.9质检员严格按照生产过程中的“三检一查”制度执行，不得随意折扣其检验次数。并对生产过程中的半成品进行检验，再挂上相应的标识，注明有强度、延伸等数据。不合格品参照《不合格品管理办法》。 4.1.10稳定化处理按同一批号或炉号、规格进行批量处一，处理前放线架上必须有原料厂家的标牌和质检员的检验标牌，方可投料。 酸洗、磷化、皂化操作过程：4.2． 工艺：酸洗—高压水冲洗—磷化—高压水冲洗—皂化—干燥4.2.1酸洗前的准备：班组长检验原料的批号或炉号、规格和表面质量等，如有异常情况，即使通知生产部负责人。 4.2.2剪断打包带，留有一根据绑腰线，绑腰线上必须挂上厂家的标识。 4.2.3酸洗：室温下，在盐酸池中浸泡15分钟左右，并在此过程中不断用钢丝搅动酸池，以便加快酸洗速度，做到无
多晶硅制备及工艺
多晶硅制备及工艺 蒋超 材料与化工学院 材料1103班 【摘要】工业硅是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳还原而 成。化学提纯制备高纯硅的方法有很多，其中SiHCl3 氢还原法具有产量大、质量高、成本低等优点，是目前国内外制取高纯硅的主要方法。硅烷法可有效地除去杂质硼和其他金属杂质，无腐蚀性、不需要还原剂、分解温度低和收率高，所以是个有前途的方法。下面介绍SiHCl3 氢还原法（改良西门子法）和硅烷法。 【关键词】改良西门子法硅烷法高纯硅 改良西门子法 1955年，西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷（SiHCl3）在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年开始了工业规模的生产，这就是通常所说的西门子法。 在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法——闭环式SiHCl3氢还原法。 改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购HCl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。具体生产工艺流程见图1。 改良西门子法包括五个主要环节：SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗。通过采用SiCl4氢化和尾气干法回收工艺，明显降低了原辅材料的消耗。 图1：改良西门子法生产工艺流程图
改良西门子法制备的多晶硅纯度高，安全性好，沉积速率为8～10μm/min，一次通过的转换效率为5%～20%，相比硅烷法、流化床法，其沉积速率与转换效率是最高的。沉积温度为1100℃，仅次于SiCl4（1200℃），所以电耗也较高，为120 kWh/kg（还原电耗）。改良西门子法生产多晶硅属于高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。SiHCl3还原时一般不生产硅粉，有利于连续操作。该法制备的多晶硅还具有价格比较低、可同时满足直拉和区熔要求的优点。因此是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产SOG硅与EG硅，所生产的多晶硅占当今世界总产量的70～80%。 硅烷法 1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷（SiH4）热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。1959年，日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。后来，美国联合碳化合物公司采用歧化法制备SiH4，并综合上述工艺且加以改进，便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。 硅烷法以氟硅酸、钠、铝、氢气为主要原辅材料，通过SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取SiH4，然后将SiH4气提纯后通过SiH4热分解生产纯度较高的棒状多晶硅。硅烷法与改良西门子法接近，只是中间产品不同：改良西门子法的中间产品是SiHCl3；而硅烷法的中间产品是SiH4. 图2：硅烷法生产工艺流程图 硅烷法存在成本高、硅烷易爆炸、安全性低的缺点；另外整个过程的总转换效率为0.3，转换效率低；整个过程要反复加热和冷却，耗能高；SiH4分解时容易在气相成核，所以在反应室内生成硅的粉尘，损失达10%～20%，使硅烷法沉积速率（3～8μm/min）仅为西门子法
食品公司实验室作业指导书
食品公司实验室作业指 导书 Company number【1089WT-1898YT-1W8CB-9UUT-92108】
x食品公司实验室作业指导书 【最新资料，WORD文档，可编辑】 目录 第一部分：化验室手册 一、组织机构及职责 二、实验室设施与环境 三、化验仪器药品的管理控制 四、检验样品的管理 五、化验室记录清单 第二部分实验室检验规程 一、概况 （一）质量方针及目标 （二）执行标准 （三）人员构成情况 （四）主要监视和测量装置情况 （五）主要检验项目及周期 二、职责和权限 三、工作要求 四、考核制度 （一）考核表 （二）工作分工表
（三）记录 五、安全操作规程 （一）防火 （二）灭火 （三）防爆 （四）防毒 （五）防风 六、设备仪器操作规程 （1）722分光光度计操作规程（2）分析天平操作规程 （3）PH计操作规程 （4）冰箱操作规程 （5）干燥箱操作规程 （6）水浴锅操作规程 （7）浊度仪操作规程 （8）蒸馏水操作规程 （9）超声波洗涤操作规程（10）显微镜操作规程 七、溶液配制及标定 （1）氢氧化钠溶液配制及标定（2）盐酸溶液配制及标定 （3）硫酸溶液配制及标定 （4）硫代硫酸钠溶液配制及标定（5）碘溶液配制及标定 （6）x溶液配制及标定
（9）配置溶液的一般要求 八.样品试验方法 第三部分食品安全管理 一、食品安全管理人员制度 二、食品安全检查制度 三、原料采购制度 四、从业人员健康管理制度 五、从业人员个人卫生制度 六、仓库卫生岗位责任制 第四部分检验的基本知识 一、食品检验的基础知识 二、检验试剂的要求 三、检验器皿的要求 四、检验的一般步骤 五、检验的一般要求 六、实验室安全防护知识 七、实验室安全用电知识 第五部分检验标准 企业标准QB/LHH6406-□□□□□ 第六部分检验方法 第七部分校验仪器记录 化验室手册 引言 吴忠兰花花实业有限公司成立于2010年10月，占地164亩，检验科化验室面积2058平方米，微生物、理化实验室现有技术人员4名，微生物
多晶硅的用途与生产工艺简介
多晶硅产品 的用途与生产工艺简介 黎展荣编写 2008-03-15 多晶硅产品的用途与生产工艺简介 讲课提纲： 一、多晶硅产品的用途 二、国内外多晶硅生产情况与市场分析 三、多晶硅生产方法 四、多晶硅生产的主要特点 五、多晶硅生产的主要工艺过程 讲课想要达到的目的： 通过介绍，希望达到以下几点目的： 1，了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词，为今后进一步学习、交流与提高打下基础； 2，了解多晶硅的主要用途与国内外多晶硅的生产和市场情况，热爱多晶硅事业与行业； 3，了解多晶硅生产方法和多晶硅生产的主要特点，加深对多晶硅生产工艺流程的初步认识； 4，了解公司3000吨/年多晶硅项目的主要工艺过程、工厂的概况、规模、车间工序的相互关联，有利于今后工作的开展。 一、多晶硅产品的用途 在讲多晶硅的用途前，我们先讲一讲半导体多晶硅的有关概念和有关名词。 1，什么是多晶硅？ 我们所说的多晶硅是半导体级多晶硅，或太阳能级多晶硅，它主要是用工业硅或称冶金硅（纯度98-99%）经氯化合成生产硅氯化物，将硅氯化物精制提纯后得到纯三氯氢硅，再将三氯氢硅用氢进行还原生成有金属光泽的、银灰色的、具有半导体特性产品，称为半导体级多晶硅。 2，什么是半导体？ 所谓半导体是界于导体与绝缘体性质之间的一类物质，导体、半导体与绝缘体的大概分别是以电阻率来划分的，见表1。 3，纯度表示法 半导体的纯度表示与一般产品的纯度表示是不一样的，一般产品的纯度是以主体物质的含量多少来表示，半导体的纯度是以杂质含量与主体物质含量之比来表示的。见表2。 表2 纯度表示法
外购的工业硅纯度是百分比，1个九，“1N”，98%，两个九，“2N”，99%，是指扣除测定的杂质元素重量后，其余作为硅的含量（纯度）。如工业硅中Fe≤0.4%,AL≤0.3%,Ca≤0.3%,共≤1%, 则工业硅的纯度是：（100-1）X100%=99% 。 2),半导体纯度 工业硅中的B含量是0.002%(W)，则工业硅纯度对硼来说被视为99.998%，即4N（对B来说）。 半导体硅中的B含量，如P型电阻率是3000Ω.Cm时，查曲线图得B的原子数为4.3X1012原子/Cm3，则半导体的纯度是：4.3X1012 /4.99X1022=0.86X10-10=8.6X10-11(~11N，0.086PPba),或(4.3X1012 X10.81) /(4.99X1022X28)=0.33X10-10=0.033PPbw=3.3X10-11(~11N)。 对B来说，从工业硅的4N提高到11N，纯度提高7个数量级（，千万倍）即B杂质含量要降低6个数量级（1000000，百万倍），因此生产半导体级多晶硅是比较困难的。 3),集成电路的元件数 集成电路的元件数的比较，列于表3。集成电路的集成度越高，则对硅材料纯度的要求越高。 表3 集成电路的元件数比较 据报导：日本在6.1X5.8 mm的硅芯片上制出的VLSI有15万6千多个元件 4),硅片（单晶硅）发展迅速 硅片（单晶硅）发展迅速，见表4。 大规模生产中多晶硅直径一般公认为是120-150 mm比较合适，也研发过200-250 mm。 5),多晶硅、单晶硅、硅片与硅外延片 多晶硅：内部硅原子的排列是不规则的杂乱无章的。 单晶硅：内部硅原子的排列是有规则的（生产用原料是多晶硅）。 硅片：单晶硅经滚磨、定向后切成硅片，分磨片与抛光片。 硅外延片：抛光片经清洗处理后用CVD方法在其上再生长一层具有需求电阻率的单晶硅层，目前
最新多晶硅生产工艺学34993
多晶硅生产工艺学 34993
多晶硅生产工艺学 绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70～80吨，预计到85年达到 300吨左右。 二、硅的应用
半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好工艺卫生是一项最重要的操作技术，在生产实践中要树立“超纯”观念，养成严格的工艺卫生操作习惯，注意操作者，操作环境及设备材料等方面夺产品的污染和影响，操作环境最好有洁净室。
单晶多晶硅片生产工艺流程详解
在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。 切片 切片综述 当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。 为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。 碳板 当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。 碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受污染。其它粘板材料还有陶瓷和环氧。 石墨 是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。大多数情况下，碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。当然，碳板也可以和晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。 这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。 刀片 当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。 在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。环型切割通常是指内圆切割，是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。
车间生产作业指导书
焊接质量控制作业指导书 箱体焊接； 1；保证箱体的外框和箱体的尺寸符合工艺要求，（见图纸）焊接时应采取必要的措施以防止变形，对于变形的产品要进行校正。 2焊材的要求：要求焊丝与焊接件必须是同等材质。 3坡口的要求：2.5mm以上的板材必须打坡口，可打单面坡口，角度为45度，深度为板厚的1/3，8mm以上的需打双面破口深度各为板厚的1/3。 4焊道均匀，不得有咬边，气孔，击穿，等焊接缺陷。 附件焊接； 1安装支件焊接：按照图纸要求，保证安装尺寸并且测量对角线不超过2mm，保证与箱体垂直不许倾斜。 2指示灯套和开关套的焊接，面板与灯套的凸台不允许有间隙，从里面焊接焊道不宜过大，不能伤及螺纹，不允许有击穿和变形等焊接缺陷。 3接地螺栓的焊接：箱盖的接地要用焊钉机点焊，不允许伤及表面，箱体接地的焊接用40mm的丝杆从箱子的内部焊接，焊接牢固。 4爬线架不允许直接焊接，应采取螺栓固定的方式固定。 5安装板固定螺栓：把安装板放在箱底的中间，不可倾斜或偏移中心，用外六角螺栓，长35mm。 6门把的焊接：先用圆头螺栓固定然后从箱子的内部焊接，焊接牢固不可伤及表面。 7合页的焊接：间隙适当，保证箱盖不下垂，开关灵活，增安型接线箱的合页应留胶条的压缩量，不大于1mm。
电器组装质量控制作业指导书 电器布局： 1严格按照图纸布局，用螺栓连接固定在安装板上，电器轨道应超出电器边缘10mm必须安装止推器。 2与发热元件保持一定的距离。 3有需要操作机构的电器要与开关套保持垂直，公差在3mm以内保证电器开关灵活。 接线： 1电线选择应符合电流所需的截面积，有发热的部位必须用高温线，接地线必须用铜螺母固定。电线必须干净整洁。 2所有的导线中间不允许有接头，每个电器元件的接点做多不允许超过两根线，二次线不允许与主回路电线跨越或穿梭。 3走线平行整齐，不走死角，电线不得与硬物件接触或与发热元件接触以免损坏电线 4剥线头不要伤及铜丝，所有线必须压线鼻子，严禁裸线直接上端子，上盖的信号线必须走爬线架，禁止用吸盘固定。 5所有的二次回路必须加线号，主回路必须加色标，端子必须贴号牌。必要时加绕线管。 6配好线后把所有的螺钉再紧固一遍，把箱子里面的赃物全部清理一遍。 7摇绝缘，主回路A相与B相，A相与C相，B相与C相，然后A,B,C三相分别与外壳测试，绝缘电阻应大于500兆欧，注意一定要躲开电子元器件和指示灯。 8通电试验，在通电以前必须确认有良好的接地，然后先通控制回路检查一下主回路电器件的动作情况，确认无误以后再接电机调试。
多晶硅太阳能电池生产工艺.docx
太阳能电池光电转换原理主要是利用太阳光射入太阳能电池后产生电子电洞对，利用P-N 接面的电场将电子电洞对分离,利用上下电极将这些电子电洞引出，从而产生电流。整个生产流程以多晶硅切片为原料，制成多晶硅太阳能电池芯片。处理工艺主要有多晶硅切片清洗、磷扩散、氧化层去除、抗反射膜沉积、电极网印、烧结、镭射切割、测试分类包装等。 生产工艺主要分为以下过程： ⑴ 表面处理（多晶硅片清洗、制绒） 与单晶硅绒面制备采用碱液和异丙醇腐蚀工艺不同，多晶硅绒面制备采用氢氟酸和硝酸配成的腐蚀液对多晶硅体表面进行腐蚀。一定浓度的强酸液对硅表面进行晶体的各相异性腐蚀，使得硅表面成为无数个小“金字塔”组成的凹凸表面，也就是所谓的“绒面”，以增加了光的反射吸收，提高电池的短路电流和转换效率。从电镜的检测结果看，小“金字塔”的底边平均约为10um 。主要反应式为： 32234HNO 4NO +3SiO +2H O Si +???→↑氢氟酸 2262SiO 62H O HF H SiF +→+ 这个过程在硅片表面形成一层均匀的反射层（制绒），作为制备P-N 结衬底。处理后对硅片进行碱洗、酸洗、纯水洗，此过程在封闭的酸蚀刻机中进行。碱洗是为了清洗掉硅片未完全反应的表面腐蚀层，因为混酸中HF 比例不能太高，否则腐蚀速度会比较慢，其反应式为：2232SiO +2KOH K SiO +H O →。之后再经过酸洗中和表面的碱液，使表面的杂质清理干净，形成纯净的绒面多晶硅片。 酸蚀刻机内设置了一定数量的清洗槽，各股废液及废水均能单独收集。此过程中的废酸液（L 1，主要成分为废硝酸、氢氟酸和H 2SiF 6）、废碱液（L 2，主要成分为废KOH 、K 2SiO 3）、废酸液（L 3，主要成分为废氢氟酸以及盐酸）均能单独收集，酸碱洗后均由少量纯水洗涤，纯水预洗废液（S 1、S 2、S 3）和两级纯水漂洗废水（W 1），收集后排入厂区污水预处理设施，处理达标后通过专管接入清流县市政污水管网。 此过程中使用的硝酸、氢氟酸均有一定的挥发性，产生的酸性废气（G 1-1、G 1-2），经设备出气口进管道收集系统，经厂房顶的碱水喷淋系统处理达标后排放。G 1-2与后序PECVD 工序产生的G 5（硅烃、氨气）合并收集后经过两级水吸收处理后经排气筒排放。
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺 一、概述 世界正从工业社会向信息社会过渡，信息技术已成为促进社会发展和进步的关键技术，信息化程度的高低已成为衡量一个国家现代化水平的标志。 微电子技术是信息技术的基础和关键技术，集成电路又是微电子技术的核心，一代又一代更为优秀的集成电路的出现，推进着全球经济一体化的进程，而半导体硅材料则是集成电路最重要的、不可替代的基础功能材料，多晶硅则是集成电路大厦的“基石” 或“粮食”。 二、多晶硅生产现状 1、我国多晶硅生产现状 我国多晶硅工业起步于50年代，60年代中期实现工业化生产，70年代初曾一度盲目发展，生产厂发展到20余家。生产工艺多采用传统西门子法，由于技术水平低、生产规模小、产品质量差、消耗指标高环境污染严重、生产成本逐年增加等原因，多数生产厂难以维持生产而停产或倒闭，生产能力急剧萎缩，与当今信息产业的高速发展和多晶硅的市场需求急骤增加极不协调。生产消耗和生产能力变化分别见表1和表2。 由上表可知，目前国内多晶硅生产规模太小，产能不断萎缩，厂家分散，工艺技术落后，装置陈旧，消耗高，环境污染严重，生产十分艰难，1999年只生产了46t，仅占世界产量的0．4％，远不能满足国内市场的需要。如不积极组建现代化的、符合经济规模的大多晶硅厂，将制约我国生产符合集成电路和分离器件要求的高档次的单晶硅和硅片。多晶硅对我国半导体工业的发展至关重要。 2、国外多晶硅生产现状 多晶硅生产主要集中在美、日、德三国，世界市场由7家公司占有，1 998年多晶硅产量为16200t，其中德山曹达、黑姆洛克、瓦克三家公司占产量的63％。见表2—3。 目前生产的多晶硅能满足集成电路及功率器件发展的技术要求，用户不经腐蚀、清洗，直接装炉。多晶硅质量指标好，产品稳定，多晶硅N型电阻率都在1000Q·cm以上。改良西门子法技术的完善与发展，使原辅材料及能耗大为降低；多晶硅生产的主要工序都应用计算机控制、设备装备水平较高。 三、我国多晶硅市场需求 1、多晶硅严重短缺 在改革开放形势下，国内市场是世界市场的一部分，两者有相同之处，但也有差别。国内集成电路的市场正是如此，差别在于国内集成电路市场需求增长比国外更为迅速，1991
企业作业指导书编写计划 - 制度大全
企业作业指导书编写计划-制度大全 企业作业指导书编写计划之相关制度和职责，企业作业指导书编写计划方案编写好企业的生产作业、产品检验作业和设备操作作业指导书,使之成为指导员工正确进行生产作业、产品检验和设备操作的基本规范,是企业开展生产经营的一项必不... 企业作业指导书编写计划方案 编写好企业的生产作业、产品检验作业和设备操作作业指导书,使之成为指导员工正确进行生产作业、产品检验和设备操作的基本规范,是企业开展生产经营的一项必不可少的、不可替代的重要的基础性建设工作。 有许多中小企业由于种种原因,在生产、质检和生产操作方面没有一套规范的作业指导书,导致企业生产工艺混乱、产品检验失控、设备操作保养无序,造成生产现场秩序混乱、不合格品增多、设备使用寿命降低、生产浪费严重、生产效率低下等不良情况;不仅给企业培养、提升新员工的生产技能造成困难,而且还给企业进行生产作业的规范化管理带来不可逾越的障碍。 因此,编辑一套适合企业生产实际的作业指导书,已经成为企业实现提高品质、提升效率、降低成本、减少浪费、改善管理的一个治标治本的根本措施,如何快速、有效地编辑一套适合企业生产实际的作业指导书是企业的当务之急。现将我多年以前在给企业编写作业指导书时,起草的工作计划方案在此发布,以供相关企业参考。 关于编写作业指导书的工作计划方案 一、成立由总经理挂帅的工作小组; 组长:总经理;副组长:z老师、企业生产副总、生产总监、技术总监等,具体工作由生产总监全面负责; 小组成员:由生产、技术、工艺、设备、工装、质检等相关部门负责人组成; 二、召开小组会议,确定每个人的工作分工与职责; 1、由各生产工序、质检员、设备操作人员负责作业指导书的初稿起草; 2、生产、技术、工艺、设备等相关人员参与作业指导书的编写、审核、校准等工作; 3、作业指导书的编写、汇总:由生产总监负责。 4、作业指导书的审核、评审:由生产、技术、设备、工装、质检等人参与; 三、具体工作步骤: 1)首先由宋小平老师对如何编写生产作业、质量检验和设备操作指导书进行做一次《作业指导书编制方法》专题培训,并提供、讲解生产作业、检验作业和设备操作作业指导书的表格模板式样等; 2)由设备操作人员(或维修班组长)、质检员(化验员)和生产主管分别起草编写生产作业、质量检验和设备操作指导书的初稿; 3)由宋小平老师及生产、技术、设备、工装、质检等人参与对《指导书初稿》的审阅、评审,修改、完善; 4)由宋小平老师对通过初步审核的《指导书初稿》,按照标准格式或标准表单(模板)并对作业指导书的内容进行修改、完善配置、插入相关的图纸、照片、技术参数等;对作业指导书的格式进行编号、套版、完善,实现其初步的规范化、标准化,形成《作业指导书的二审稿》; 5)作业指导书标准化应包括的主要内容是: