蚀刻线宽补偿
蚀刻线宽补偿
蚀刻线宽补偿蚀刻线宽补偿是指在光刻工艺中，为了解决线宽偏差问题而采取的一种补偿措施。
在光刻工艺中，光刻胶的线宽是关键参数之一，而线宽的偏差会直接影响到器件的性能和可靠性。
因此，为了提高线宽的精度和一致性，蚀刻线宽补偿技术应运而生。
光刻工艺是半导体制造中非常重要的一个步骤，它通过使用光刻胶和光刻机，将芯片上的图形转移到硅片上。
在这个过程中，光刻胶起到了一个关键的作用，它会随着光刻机的照射而发生化学反应，形成固化的图形，然后通过蚀刻的方式将图形转移到硅片上。
然而，由于光刻胶的特性以及光刻机的限制，线宽往往会出现偏差。
这是因为光刻胶在曝光和蚀刻过程中会受到一些非理想的因素影响，比如光的衍射效应、光刻胶的扩散效应等。
这些因素会导致光刻胶的线宽比设计值偏大或偏小。
为了解决这个问题，工程师们引入了蚀刻线宽补偿技术。
蚀刻线宽补偿是通过对线宽进行调整，使得最终的线宽能够达到设计要求。
具体来说，蚀刻线宽补偿可以通过改变曝光剂的配方、改变光刻胶的厚度或者改变蚀刻时间来实现。
通过这些方式，可以在一定程度上抵消光刻胶在曝光和蚀刻过程中产生的线宽偏差。
蚀刻线宽补偿的实现需要依靠精确的控制和测量手段。
一方面，需要精确控制曝光和蚀刻过程中的参数，比如曝光剂的浓度、曝光时间、蚀刻时间等。
另一方面，需要进行线宽的测量和检测，以确保补偿后的线宽能够满足设计要求。
目前，常用的线宽测量方法有扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等。
蚀刻线宽补偿技术在半导体制造中起到了重要的作用。
它可以提高芯片的性能和可靠性，降低线宽偏差带来的不良影响。
同时，蚀刻线宽补偿技术也能够提高芯片的制造良率和生产效率，降低制造成本。
因此，蚀刻线宽补偿技术已经成为了半导体制造中不可或缺的一部分。
蚀刻线宽补偿是光刻工艺中的一项重要技术，它可以解决线宽偏差问题，提高芯片的性能和可靠性。
通过精确的控制和测量手段，可以实现对线宽的调整和补偿。
蚀刻线宽补偿技术的应用已经成为了半导体制造中的标配，对于提高制造工艺的稳定性和一致性具有重要意义。
铝基线路板制程能力技术规范
孔孔补偿
压合铜箔后的板 钻孔孔径补偿 按常规的 FR-4 双面或多层板钻孔孔径补偿
单面双层或多层压
合铝基板 FR-4 钻 按常规的 FR-4 双面或多层板钻孔孔径补偿 孔孔补偿
常用板材
贝格斯
全宝
联茂
昱谷
常用板材尺寸 18〞×24
18〞×24〞 18〞×24〞
19.5〞×47〞
板材有效尺寸 17〞×23〞 17〞×23〞 17〞×23〞
STATUS
工序
类别
铝基板工艺制程能力
暗房
线路与焊盘 最小间距 阻焊对位精度
铜厚=1OZ 0.12mm 0.08mm
铜厚=2OZ 0.15mm
铜厚=3OZ 0.20mm
铜厚=4OZ 0.25mm
铜厚=5OZ 0.30mm
蚀刻
蚀刻最小线宽
蚀刻公差 蚀刻负字符最小线宽
铜厚 1OZ 铜厚 2OZ 0.15mm 0.18mm
本规范适用于公司工程资料制作设计,适用于铝基板单面板、双面板、多层板要 求
3.0 简称/定义：
无
4.0 铝基板工艺制程能力：
工序
类别
铝基板工艺制程能力
工程
最小线宽
铜厚 1OZ 铜厚 2OZ 铜厚 3OZ
0.12mm 0.18mm 0.25mm
线宽补偿：2.0mil 线宽补偿：3.0mil 线宽补偿：4.0mil
板厚=1..50～1.8mm 460 mm×2000mm
最小冲孔 2.00mm
V 割最小尺寸
80 ×150mm
厚度范围
0.60～3.50 mm
水平位移公差 V 割线边到铜皮距离
≤0.15 mm 板厚≤1.0mm 时≥0.40mm 1.00mm＜板厚＜1.60mm 时≥0.60mm 1.60mm≤板厚≤3.00mm 时≥0.80mm
线宽放大
线宽放大一.传统PCB(不含阻抗的线宽补偿):1.补偿原则:.一般先考虑原稿线宽线距,再考虑面铜的厚度(补偿时要考虑板材,线路密集度,残铜率).2.对于残铜率高,板材大的板子,一般按下列方式补偿(针对传统PC板):内层: 8mil以上不放大,8mil以下(含8mil)须放大.铜箔为H OZ → +0.75mil铜箔为1 OZ → +1.25mil外层:12mil以上不放大,12mil以下(含12mil)须放大依铜面厚度而定: 1.4~1.7mil → +1.5mil1.7~2 mil → +1.75mil2mil以上→ +2mil(但必须保证间距MIN2.5mil)3.党间距不足时须另作备注.间距不足有以下三种处理办法,依优先级如下:1). 削PAD. 必须保证Ring单边3.5mil(须注意BGA PAD不可刮)2) 可移线(注意差动阻抗线不可移,内层移线1mil以内可移且不必确认,但外层移线须向客户确认)3) 缩线. 一般缩线范围为0.125~0.5mil4.补偿原则:1.考虑原稿线宽/线距设计.2.考虑面铜.阻抗补偿eg:内层的线宽5mil+/-20% 阻抗控制在60+/-10%欧内层的线宽5mil+/-20% 阻抗控制在60+/-10%欧计算结果:外层为5.5mil 趋近于60欧(5.5为中值(W1+W)/2)外层为4.5mil 趋近于60欧(4.5为下幅W)阻抗线宽补偿原则:1. 首先找出期望中值,合乎客户公差规格.2. 根据铜面蚀刻补偿.一般特性阻抗差动阻抗5/9线宽内层: 4.5MIL→60欧 5.2MIL→90欧外层: 5.5MIL→60欧5MIL→90欧取线宽中值: 内层( 4.5+5.2)/2+面铜蚀刻外层( 5.5+5)/2+面铜蚀刻塞孔部分1.当孔一面防焊打开,另一面没打开时,在没打开的一面会有油墨塞入.形成半盖孔.2.当客户要求塞孔时,聯能会做比孔单边大8mil 的塞孔底片,3.测点一般不会塞孔,除非客户特别指出要对测点进行塞孔.4.塞孔时通常从BGA,SMD 密集面进行塞.5.当客户要求塞孔.而孔两面S/M OPEN.则建议客户不要塞孔.若一定要塞至少要拿掉一面的挡点.6.S/M Open当S/M>=1/2 Via大小时,将Via孔全部打开,以Via孔单边加2mil加PAD 当S/M<1/2 Via大小时,将Via孔挖开,以Via孔单边加2mil套开注明:一半受光, 一半不受光.则烘烤时会爆孔.。
蚀刻线宽调整指引
蚀刻线宽调整指引一．做首板前先看工卡，根据工卡上所注明的底铜厚度（双面板底铜厚度标注在开料栏，多层板底铜厚度标注在层压栏）和电镀孔铜厚，选择合适的蚀刻速度做首板。
不同的底铜厚度和孔铜厚度的板件首板蚀刻速度如下表：二．测量首板的线宽线距，如果线宽线距符合要求，则进行量产。
如果首板的线宽线距不符合要求，则根据首板线宽线距状况，进行行调整。
当可以通过调节蚀刻速度而使线宽线距符合要求时，则不要调节压力，即优先调整蚀刻速度。
当无法通过调节蚀刻速度而达到要求时，才调整压力。
①线宽整体偏大，线距整体偏小，则调慢蚀刻速度。
②线宽整体偏小，线距整体偏大，则调快蚀刻速度。
③局部线宽偏大或者局部线宽偏小，则调整线宽偏大或者偏小的地方相应的压力。
当压力已经达到最上限，没有调整空间时，则先总压调小，将蚀刻速度调慢，再将线宽偏小的地方的压力调大。
三．外层蚀刻机喷管分布1.外层蚀刻机每个上摇摆架共有7个压力调节阀门,每个压力调节阀门可以调节两支喷管压力,上喷喷管分布:2. 外层蚀刻机每个下摇摆架共有7个压力调节阀门,每个压力调节阀门可以调节两支喷管压力,下喷喷管分布: 走廊1～2 3～4 5～6 7～8 9～1011～12 13～14走廊3～4 5～6 7～8 9～10 11～12 13～14 1～2四．板边密集线当蚀刻板边有密集线的板件时,测量首板和抽测板线宽时,需重点测量板边密集线部分是否有蚀刻不净或者间距偏小现象。
当板边有密集线或者板边高电流区（电镀夹点对面）有蚀刻不净或者线宽线距不符合要求时，可以采用竖向放板，高电流区朝前放板。
电镀夹点电镀夹点高电流区，铜厚偏厚，密集线位置易蚀刻不净五．蚀刻均匀性影响蚀刻均匀性的最主要因素为蚀刻喷压压力值和喷嘴的堵塞。
当发现蚀刻均匀性较差，压力较混乱时，则立即参照蚀刻均匀性较理想时的压力值，立即调整各段压力为蚀刻均匀性较理想时的压力值。
外层蚀刻均匀性较理想状态压力值如下：上喷：下喷：当发现喷嘴堵较多，线宽较难调整时，则立即对蚀刻机进行保养，拆下所有喷嘴清通。
蚀刻线宽补偿反推方法
蚀刻线宽补偿反推方法引言蚀刻线宽补偿是指在蚀刻过程中，为了获得预期的线宽，需要在原始图形的基础上进行适当的线宽调整。
而蚀刻线宽补偿反推方法是指通过已蚀刻出的线宽，反推出蚀刻前的线宽。
本文将介绍蚀刻线宽补偿反推方法的原理和应用。
一、原理蚀刻线宽补偿反推方法的原理基于蚀刻过程中溅射和侧向蚀刻的影响。
在蚀刻过程中，离子束入射到样品表面后会产生溅射现象，使得线宽变宽。
同时，由于侧向蚀刻的存在，使得线宽变窄。
因此，通过测量蚀刻后的线宽，可以反推出蚀刻前的线宽。
二、方法步骤1. 测量蚀刻后的线宽：使用显微镜或扫描电子显微镜等工具，测量蚀刻后的线宽。
确保测量准确性和精度。
2. 分析溅射影响：根据已知的蚀刻参数和材料特性，分析溅射对线宽的影响。
可以通过模拟软件或实验数据进行计算和验证。
3. 分析侧向蚀刻影响：根据样品的几何形状和蚀刻参数，分析侧向蚀刻对线宽的影响。
可以使用数值模拟方法或经验公式进行计算。
4. 反推蚀刻前的线宽：根据溅射和侧向蚀刻的影响分析结果，结合测量的蚀刻后线宽，进行线宽补偿反推，得到蚀刻前的线宽。
三、应用蚀刻线宽补偿反推方法在微纳加工领域具有重要的应用价值。
以下列举几个常见的应用场景：1. 光刻工艺优化：光刻工艺是微纳加工中常用的工艺之一。
通过蚀刻线宽补偿反推方法，可以优化光刻工艺参数，提高线宽的控制精度，增强工艺的可靠性和稳定性。
2. 半导体器件制造：在半导体器件制造过程中，线宽的控制对于器件性能和可靠性至关重要。
通过蚀刻线宽补偿反推方法，可以根据蚀刻后的线宽，调整光刻掩膜的设计和参数，实现对器件线宽的精确控制。
3. 微纳结构制备：在微纳结构的制备过程中，线宽的控制对于结构的形态和功能具有重要影响。
通过蚀刻线宽补偿反推方法，可以优化蚀刻参数，实现对微纳结构线宽的精确控制，从而获得期望的结构形貌和功能。
结论蚀刻线宽补偿反推方法是一种重要的微纳加工技术，能够通过测量蚀刻后的线宽，反推蚀刻前的线宽。
蚀刻线宽线距
蚀刻过程中应注意的问题1. 减少侧蚀和突沿，提高蚀刻系数侧蚀产生突沿。
通常印制板在蚀刻液中的时间越长，侧蚀越严重。
侧蚀严重影响印制导线的精度，严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。
当侧蚀和突沿降低时，蚀刻系数就升高，高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力，使蚀刻后的导线接近原图尺寸。
电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡－铅合金，锡，锡－镍合金或镍，突沿过度都会造成导线短路。
因为突沿容易断裂下来，在导线的两点之间形成电的桥接。
影响侧蚀的因素很多，下面概述几点：1)蚀刻方式：浸泡和鼓泡式蚀刻会造成较大的侧蚀，泼溅和喷淋式蚀刻侧蚀较小，尤以喷淋蚀刻效果最好。
2)蚀刻液的种类：不同的蚀刻液化学组分不同，其蚀刻速率就不同，蚀刻系数也不同。
例如：酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。
近来的研究表明，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。
这种蚀刻系统正有待于开发。
3)蚀刻速率：蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。
蚀刻质量的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。
蚀刻速度越快，板子在蚀刻液中停留的时间越短，侧蚀量越小，蚀刻出的图形清晰整齐。
4)蚀刻液的PH值：碱性蚀刻液的PH值较高时，侧蚀增大。
峁见图10-3为了减少侧蚀，一般PH值应控制在8.5以下。
5)蚀刻液的密度：碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀，见图10-4，选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀是有利的.6)铜箔厚度：要达到最小侧蚀的细导线的蚀刻，最好采用(超)薄铜箔。
而且线宽越细，铜箔厚度应越薄。
因为，铜箔越薄在蚀刻液中的时间越短，侧蚀量就越小。
2. 提高板子与板子之间蚀刻速率的一致性在连续的板子蚀刻中，蚀刻速率越一致，越能获得均匀蚀刻的板子。
要达到这一要求，必须保证蚀刻液在蚀刻的全过程始终保持在最佳的蚀刻状态。
这就要求选择容易再生和补偿，蚀刻速率容易控制的蚀刻液。
选用能提供恒定的操作条件和对各种溶液参数能自动控制的工艺和设备。
通过控制溶铜量，PH值，溶液的浓度，温度，溶液流量的均匀性(喷淋系统或喷嘴以及喷嘴的摆动)等来实现。
浅谈蚀刻因子的计算方法
浅谈蚀刻因子的计算方法
田玲;李志东
【期刊名称】《印制电路信息》
【年(卷),期】2007(000)012
【摘要】文章针对业内不同蚀刻因子的计算方法做了较详尽的分析,并结合试验验证进而提出对蚀刻因子计算方法的一点看法,对于蚀刻因子的正确运用有一定的参考价值.
【总页数】2页(P55-56)
【作者】田玲;李志东
【作者单位】广州市兴森电子有限公司,广东广州 510730;广州市兴森电子有限公司,广东广州 510730
【正文语种】中文
【中图分类】TN41
【相关文献】
1.酸性蚀刻线宽补偿与蚀刻因子、铜厚及线间距关系研究 [J], 彭镜辉;何平;韩龙
2.以(NH4)2S2O8为主蚀刻剂的印制板蚀刻液浅谈 [J], 叶丙睿
3.浅谈内部腐蚀减薄损伤因子定量计算方法 [J], 李东阳
4.外层蚀刻因子改善研究 [J], 张真华;蒋忠明;刘海龙
5.合金相结构因子和界面结合因子的计算方法及其在合金设计中的应用 [J], 李志林;刘志林;孙振国
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
pcb蚀刻线宽控制
pcb蚀刻线宽控制在PCB蚀刻领域，线宽控制是一项非常重要的技术。
合理而准确地控制线宽可以确保电路板的性能和可靠性。
因此，本文将从蚀刻线宽控制的意义、控制方法和关键技术等方面进行论述。
一、蚀刻线宽控制的意义PCB蚀刻线宽控制是指在蚀刻工艺中，通过一系列合理的措施来控制电路板中导线的宽度，保证导线的精度和一致性。
蚀刻线宽控制的准确性直接影响电路板的功能和性能。
首先，蚀刻线宽控制能够保证电路板的稳定性。
由于电路板中导线的线宽是根据设计要求和信号传输要求确定的，若线宽偏差过大，会导致电路板性能不稳定甚至故障。
其次，蚀刻线宽控制还可以提高电路板的可靠性。
导线线宽的不一致性会导致电流分布不均，产生高阻抗、高温等问题。
通过控制蚀刻线宽，可以避免这些问题的产生，提高电路板的可靠性。
二、蚀刻线宽控制的方法蚀刻线宽控制通常采用以下几种方法：1.工艺参数控制蚀刻线宽控制的首要任务是调整好蚀刻液的组分和浓度、腐蚀液的酸碱度、蚀刻时间等工艺参数。
通过仔细调整这些参数，可以实现对蚀刻线宽的控制。
2.控制基材质量基材质量的好坏直接影响到蚀刻线宽的控制效果。
因此，在生产过程中，要选择质量可靠的基材，并对其进行检测和筛选，以确保电路板的稳定性和可靠性。
3.控制蚀刻液的物理特性蚀刻液的物理特性如粘度、温度等对线宽的控制有一定影响。
因此，在蚀刻过程中，需要对蚀刻液的物理特性进行监测和调控，以实现蚀刻线宽的精确控制。
关键技术1.光刻技术光刻技术是蚀刻线宽控制的核心技术之一。
在光刻工艺中，通过曝光和显影等步骤，将线路图案转移到光刻胶层上，经过酸碱性腐蚀液的腐蚀，最终得到所需的线宽。
2.高精度控制系统高精度控制系统是蚀刻线宽控制的关键。
通过采用先进的自动控制系统、高精度的传感器和仪表，可以实时监测和调整蚀刻过程中的各项参数，从而准确控制线宽的精度。
3.线宽测量技术线宽测量技术是蚀刻线宽控制的重要手段。
通过使用高精度的显微镜、投影仪和像素计算等设备，可以对线宽进行准确测量，并及时调整控制措施。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
蚀刻线宽补偿
蚀刻线宽补偿是指在蚀刻过程中，为了弥补由于蚀刻线宽度造成的误差，而采取的一种技术手段。
蚀刻是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于集成电路、微机电系统、光学器件等领域。
蚀刻线宽补偿是提高蚀刻精度和性能的关键因素之一。
在蚀刻过程中，由于蚀刻液的侵蚀作用和控制系统的不完善性，蚀刻线宽度往往会出现偏差。
这种偏差可能会导致器件的尺寸不准确，甚至影响到器件的功能。
为了解决这个问题，人们提出了蚀刻线宽补偿的方法。
蚀刻线宽补偿的基本原理是在设计蚀刻模板时，对模板中的线宽进行合理的调整。
通过在模板中增加或减少线宽，使蚀刻后的器件尺寸能够达到设计要求。
具体来说，蚀刻线宽补偿可以通过两种方式来实现：正向补偿和负向补偿。
正向补偿是指在设计蚀刻模板时，将线宽调大一定比例。
这样，在蚀刻过程中，由于蚀刻液的侵蚀作用，线宽会减小，但由于线宽本身已经偏大，所以蚀刻后的线宽仍能保持在设计要求的范围内。
正向补偿的优点是能够提高蚀刻的容错能力，减小线宽误差对器件性能的影响。
但是，正向补偿也会增加蚀刻时间和成本，因为需要蚀刻更多的材料。
负向补偿则是在设计蚀刻模板时，将线宽调小一定比例。
这样，在
蚀刻过程中，由于蚀刻液的侵蚀作用，线宽会进一步减小，但由于线宽本身已经偏小，所以蚀刻后的线宽仍能保持在设计要求的范围内。
负向补偿的优点是能够减小蚀刻时间和成本，因为需要蚀刻更少的材料。
但是，负向补偿也会增加蚀刻的难度，因为线宽偏小容易受到蚀刻液的限制。
蚀刻线宽补偿的具体参数需要根据实际情况来确定。
一般来说，补偿比例会受到蚀刻液的侵蚀速率和蚀刻深度的影响。
不同的蚀刻液和蚀刻模板材料对线宽补偿的要求也不同。
因此，在进行蚀刻线宽补偿时，需要进行一系列的实验和参数校准，以确定最佳的补偿参数。
蚀刻线宽补偿是一种提高蚀刻精度和性能的重要技术手段。
通过合理地调整蚀刻模板中的线宽，可以弥补蚀刻过程中由于线宽偏差所引起的误差。
正向补偿和负向补偿是常用的蚀刻线宽补偿方法。
不同的补偿方法有各自的优缺点，需要根据实际情况选择合适的方法。
蚀刻线宽补偿的参数需要根据实验和校准来确定，以保证蚀刻后的器件尺寸能够达到设计要求。