有电介质的高斯定理

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有电介质的高斯定理

有电介质的高斯定理

εr 1
S 2
S 2
d
V
V D1 = ε oε r E1 = ε oε r d ε oV D2 = ε o E2 = d
为什么 E1介 = E2真? 反而D1 ≠ D2了?
E1 , E2 , D1 , D2的方向均 ↓
关键: 关键: σ1 ≠ σ 2!
(2) 介质内的极化强度 P ,表面的极化电荷密度σ' 表面的极化电荷密度σ P = χ eε o E1 = ε o (ε r 1)V d σ1 S σ 2 方向: 方向: ↓ V εr 1 2 d ∵σ ′ = P cosθ
εo εo εr
(2) U = Q = 2b[ε r b (ε r 1)t ]Q ) C ε o S[2ε r b (ε r 1)t ]
问: Q左? 右 =Q
平板电容器极板面积为S间距为 接在电池上维持V 间距为d,接在电池上维持 例 . 平板电容器极板面积为 间距为 接在电池上维持 . 均匀介质ε 厚度d 均匀介质εr 厚度 ,插入电容器一半忽略边缘效应 求(1)1,2两区域的 E 和 D ;(2)介质内的极化强度 P, , 两区域的 介质内的极化强度 表面的极化电荷密度 σ ' ;(3)1,2两区域极板上自由 , 两区域极板上自由 σ 电荷面密度 σ 1 , 2. 解:(1)V = E1d = E2d ) ∴ E1 = E2 = V d
U = E1 (b t ) + E2 t = εrσ o [εrb (εr 1) t] ε
q εrεoS ∴C = = = U εrb (εr 1) t
空气隙中 D = σ E1 = σ εo
介质中 D = σ
ε 1 b r t εr
εoS b
与t的位置无关 的位置无关 t↑,C↑ ↑ ↑ εrεoS t=b C = b

10-2静电场中的电介质-有电介质时的高斯定理解析

10-2静电场中的电介质-有电介质时的高斯定理解析

若为不均匀极化,介质内有极化电荷的积累。
4. 电介质极化的定量描述
(1)电极化强度 P
用来量度电介质极化状态(极化的程度和方向)
P
单位:C/m²
pi V
物理意义:大量分子电偶极矩的统计平均值. 外场越强,极化越厉害,所产生的分子电矩的 矢量和也越大。 P E 如果电介质中各点的极化强度矢量大小和方向都 相同,则该极化是均匀的,否则极化是不均匀的.
Q
+++++++
U
Q
+++++++
-------
Q
U
-------
Q
r
U0
说明:
E0
E
r E0
ห้องสมุดไป่ตู้U0
(1)相对电容率 r 1 (2)电介质内附加电场方向与原电场相反(退极化场)。
r
E0
2.电介质对电场的影响
极化电荷 (产生附加电场 E ) ↑ 相互 电介质(绝缘体) 静电场(E0) 作用 ↓ 静电场重新分布 E E0 E

n
( ) PP ( (r 1) E QQ P E Q 1) 1) E 0 r 00 r
选-1 根据电介质中的高斯定理,在电介质中电位移 矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面 所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是
A. 若通过该曲面的电位移通量为零,曲面内一
E E0 E ' 0 E0 0
q ' 和 q 的关系。 2. D 、E、 P、 P 0 E P E

9-6有电介质时的高斯定理 电位移

9-6有电介质时的高斯定理 电位移

∫∫ D S
S1
= D 1 S=S σ
σ σ E1 = = ε 1 ε r 1ε 0
v v v v 再利用 D 1= ε 1 E 1 , D 2= ε 2 E 2 可求得
σ σ E2 = = ε 2 ε r 2ε 0
方向都是由左指向右。 方向都是由左指向右。
有电介质时的高斯定理 电位移
负两极板A、 间的电势差为 (2)正、负两极板 、B间的电势差为 )
例题9-6 一半径为 的金属球,带有电荷 0,浸埋在均匀 一半径为R的金属球 带有电荷q 浸埋在均匀 的金属球, 例题 无限大”电介质(电容率为ε),求球外任一点P的场 ),求球外任一点 “无限大”电介质(电容率为 ),求球外任一点 的场 强及极化电荷分布。 强及极化电荷分布。 P 根据金属球是等势体, 解: 根据金属球是等势体,而 ε r 且介质又以球体球心为中心对 称分布,可知电场分布必仍具 称分布, R Q0 球对称性, 球对称性,用有电介质时的高 斯定理来。 斯定理来。 S 如图所示, 如图所示,过P点作一半 点作一半 径为r并与金属球同心的闭合 径为 并与金属球同心的闭合 球面S, 球面 ,由高斯定理知
4εr(εr 2 1) 3 ′ σ 上负下正 σ2 = ε0 (εr2 1)E2 = εr1εr 2 +εr1εr3 + 2εr 2εr3
′ σ3 = ε0 (εr3 1)E3 =
4εr(εr3 1) 2 σ εr1εr 2 + εr1εr3 + 2εr 2εr3
上负下正
有电介质时的高斯定理 电位移
r r 由 P = ε0 (εr 1)E 得电极化强度矢量的分布
P=
r r 由 σ′ = P n 得束缚电荷的分布

电介质的极化和介质中的高斯定理

电介质的极化和介质中的高斯定理

串联 1 1 1 C C1 C2
C C1C2 C1 C2
0S d1 d2 r1 r2
②.已知 U,求0、E、D。
0
q S
CU S
0SU
S d1 d 2
0U
r1 r2
d1 d2
r1 r2
d1 d2
r1 r2 d
22
E1
Байду номын сангаас
0 0r1
d1
r1
0U
d2
r2
0r1
1)不管是位移极化还是取向极化,其最后的宏观 效果都是产生了极化电荷。
综 2)两种极化都是外场越强,极化越厉害,所产生 述:的分子电矩的矢量和也越大。
3)极化电荷被束缚在介质表面,不能离开电介质 到其它带电体,也不能在电介质内部自由移动。它 不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。
7
二、极化强度矢量
r
r 称为相对
介电常数或
电容率。
从电学性质看电介质的分子可分为两类:无极分子、
有极分子。
每个分子负电荷对外影响均可等效为 单独一个静止的负电荷 的作用。其大小为 分子中所有负电之和,这个等效负电荷的 作用位置称为分子的“负电作用中心”。
-
3
同样,所有正电荷的作用也可等效一
个静止的正电荷的作用,这个等效正电 荷作用的位置称为“正电作用中心”。
电场 E有如下关系:Pe0E
e 称为电极化率或极化率, 在各向同性线性电介质
中它是一个纯数。
14
D 在均匀0各E 向同P 性介0质E 中P e0E e 0(1 Ee)0E
r0E
r (1e) 称为相对介电常数或电
容率。
在各向同E性介质中D.rE0关称系为:介D 电常数r,0E E

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理

解:( 1 )求 : D D, E , P 具有球对称性
选过场点与球面同心的 球面为S:r
S内
R
q
r
P
2 D d S D 4 r q 0
S
r
当:r R : 当: r R :
q q
0
0 q0
D=0
E=0
P=0
0
E
(1 r )q0 R P n P 2 4r R 2 (1 r )q0 q 4R R

总结
D分布
球对称 面对称 轴对称
高斯面 同心球面 垂直于板的和中心 面对称的封闭柱面 同轴封闭园柱面
由于导体为等势体:
例:设无限长同轴电缆的芯线半径为R1,外皮 的内半径为R2。芯线与外皮之间充入两层绝缘 的均匀电介质,其相对电容率分别为εr1和εr2。 两层电介质的分界面半径为R,如图。求单位 长度的电容。 解: (1) 先求 : D R2 εr1 设单位长芯线、外皮 R R1 分别带电λ、-λ εr2 D, E 具有轴对称性 选过场点与电缆同轴的单位长封闭园柱 面为高斯面:r
§9-4 有介质时的高斯定理
一、有介质时的环路定理和高斯定理:
E E0 E
L
有介质时的环路定理:
E d l 0
有介质时的高斯定理:
q内
E d S
S
q
S内
q
S
0
0
q0
1 1 S内 ) ( q0 q内 P dS 0 S内 0 0 S ( E P ) d S q 0 0
D, E , P
40 r r

09介质中的高斯定理电位移矢量

09介质中的高斯定理电位移矢量

3
二、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理 1.介质中的高斯定理 真空中的高斯定理 φ =
r r ∫∫ E ⋅ dS =
S
∑q
ε0
在介质中,高斯定理改写为: 在介质中,高斯定理改写为:
自由电荷 总场强
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
S
ε0
∑ (q
S
0
+q )
'
束缚电荷
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
v = εE
电常量。 电常量。
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 εr 的介 : 质球中心, 质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。 区的 、 、 。 在介质球内、 解:在介质球内、外各作半径为 r 的 高斯球面。 高斯球面。 R
r r ∫∫ D ⋅ dS = ∑q0
S
r r r 球面上各点D大小相等 D 大小相等, 球面上各点 大小相等, // dS , cosθ = 1 II 2 ∑q0 D4πr = q0 , ∴ D = 高斯面 4πr 2 q q I区: 1 = 区 D II区: 2 = 区 D 2 4πr2 4πr
dr =
q 4πε 0r
9
例2:平行板电容器极板间距为 d , 极板面积为 S,面 : , 电荷密度为 σ0 , 其间插有厚度为 d’ 、电容率为 εr 的 电介质。求 : ①. P1 、P2点的场强E;②.电容器的电 电介质。 点的场强 ; 电容器的电 容。 ①. 过 P1 点作高斯柱面 左右底面分别经过导体 点作高斯柱面, 解: d' − σ 和 P1 点。 σ
r r φD = ∫∫ D ⋅ dS = ∑ q0
S

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理
有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理,它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

此定理的公式表述为:电场穿过一个封闭曲面的通量等于该曲面内部的电荷总量的比例,即ΦE=Q/ε0,其中ΦE为电场的通量,Q为曲面内部的电荷总量,ε0为真空中的电介质常数。

在有电介质时,电场的分布受到电介质的影响。

电介质的存在会使电场强度发生改变,这是因为电介质的分子会被电场极化,从而产生极化电荷。

这些极化电荷会改变电场的分布,使电场在电介质中的强度比在真空中的强度小。

因此,在有电介质时,要考虑电介质对电场的影响,才能准确地计算电荷的分布。

在应用高斯定理时,通常需要选择一个适当的曲面来计算电场的通量。

曲面的选择应当考虑到电荷分布的对称性,以便简化计算。

在有电介质时,曲面的选择也需要考虑到电介质的影响。

如果曲面穿过电介质,那么在计算电荷总量时,需要将电介质中的极化电荷也计算在内。

高斯定理的应用范围很广,包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

在电场的计算中,高斯定理可以用来求解各种电场分布,例如电偶极子、均匀带电球面等。

在电容器的设计中,高斯定理可以用来计算电容器的电容量,从而确定电容器的电荷储存能
力。

在电荷分布的测量中,高斯定理可以用来测量电荷的总量,从而确定电荷的分布情况。

有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理,它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

在应用该定理时,需要考虑到电介质的影响,并选择适当的曲面来计算电场的通量。

高斯定理的应用范围很广,包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

电容器、电介质、介质中的高斯定理

电容器、电介质、介质中的高斯定理

i
E总 E0 E 0
被约束在分子内
不一定与表面垂直
9
有极分子电介质
H
H
104
o
F
+ - pi
E0 F
+
+
+
E
无外场
pi 0
pi
0
i
外场中(转向极化)
pi 0
pi
0
i
出现束缚电荷和附加电场
位移极化和转向极化微观机 制不同,宏观效果相同。10
统一描述
pi
0
i
出现束缚电荷(面电荷、体电荷)
实验发现:
A
插入前: U 0
C0
q U0
插入后:U AB
C q U AB
U0 U AB
r,
C C0
r
r 1,常量 由电介质的种类和状态决定
0
真空介电常数
r
相对介电常数(电容率)
= 0 r 介电常数
13
E0
0 0
, U0
E0d ,
E
0
内部的场由自由电荷和
+
+
+
+
E0 E
+
+
极化电荷共同产生
静电感应
无极分子电介质: 位移极化 有极分子电介质: 转向极化
宏观 效果
静电平衡 导体内 E 0, 0 导体表面 E表面 感应电荷 0 E
内为部零:分子pi偶极0 矩矢量和不
i
出现束缚电荷(极化电荷)
12
二、电介质对电场的影响
+ + + + +
B
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§7-9 有电介质时的高斯定理 电位移
E 满足高斯定理:
q q E dS
' q i
一.D 的高斯定理 有介质时,自由电荷和束缚电荷共同产生电场 E E0 E

S
i0
q i
可以证明: P d S

S
0
0
S 定义: D E P 0
R r R
E0 q D1 E1 2 r 0 r 4 0 r r q D2 E2 2 E0 0 r 4 0r
r
q
I
II
R
r


a
E dl a Edr
R
r
U1 E1dr E2dr

r
高斯面
q 1 1 q q q dr dr 2 2 R 4 r 40 r r R 40 R 40 r r 0

r o

0 S[2b r ( r 1)t ] 2 2 C C左 C右 1 电容并联相加: b 2b[b r ( r 1)t ] b r t r
例 .一平行板电容器,两极板间距为b、面积为S,在其间 平行地插入一厚度为t,相对介电常数为r,面积为S/2 的均匀介质板。设极板带电Q,忽略边缘效应。 求(1)该电容器的电容C(2)两极板间的电势差U。 解:(1)等效两电容的并联 S S2 o r b t 左半部:C 2 左 r 1 b t oS S r C o r 1 右半部: C 2 b t 右 b r S S
l

S
D dS

S1
D dS
D 2rl
l
S S1

D dS
D

E 2 r
R2 R1
• 两极板间的电势差 U

R2 dr ln 2 r 2 R1
• 根据电容定义式计算电容
Q C U
R2 ln 2 R1
o o
(2) U Q 2b r b r 1t Q C o S2 r b r 1t
问: Q左? =Q右
例 . 平板电容器极板面积为S间距为d,接在电池上维持V 。 均匀介质r 厚度d,插入电容器一半忽略边缘效应 求(1)1、2两区域的 E 和 D ;(2)介质内的极化强度 P, 表面的极化电荷密度 ' ;(3)1、2两区域极板上自由 2。 电荷面密度 1 , 解:(1)V E1d E2d
V D1 o r E1 o r d oV D2 o E2 d
E1 E2 V d
r 1
S 2
S
2
d
V
为什么E1介 E2真? 反而D1 D2了?
E1 , E2 , D1 , D2的方向均
关键:1 2!
(2) 介质内的极化强度 P ,表面的极化电荷密度' P e o E1 o ( r 1)V d 1 S 2 方向: V r 1 2 d P cos
球面上各点D大小相等, D // dS , 2 q 0 D4r q0 , D 4r 2 q I区:D1 2 4r q II区:D2 4r 2

S

0
r
q
r r

I II
高斯面

D 0 r E
q D1 4r 2
q D2 2 4r
由 Ua
r 1 q0 q0 q 0 r r
总电荷量减小到自由电荷量的1/εr倍,这是离球 心r处P点的场强减小到真空时的1/εr倍的原因。
d1
+ + + + + A S
r D2
0
ε
D1
S D dS 0 D S 0 d2 1 1 S D1 E1 / 0 D S D dS 0 D S 0 2 2 2 B S d2 U A U B A E dl d 1 0 0 r S 0S C d2 d1 d2 d1 0 0 r r
(
0
E P ) dS qi 0
称电位移矢量
则:
D dS q
S
0
D dS q
S
0
D 的高斯定理: 通过任意闭合曲面的电位移通量
等于面内包围的自由电荷代数和 讨论
1、电位移线: 规定:1)线上各点切线方向与D方向相同
2)通过任意单位垂直面元的电位移线条数 d d 等于该点电位移矢量的大小
C
B
S
E2 0 r
σ
例 . 一平行板电容器,两极板间距为b、面积为S, 其中置一厚度为t 的平板均匀电介质,其相对 介电常数为r, 求该电容器的电容C。 q 解:根据定义 C U r b 设极板面密度为、- t 由高斯定理可得: 空气隙中 D E1 o 介质中 D
+ + + + + + +



+ + +
D线
电场线起于正电荷、止于 负电荷,包括自由电荷和 极化电荷。
电位移线起于正的自由电 荷,止于负的自由电荷。 电极化强度矢量线起于负的 极化电荷,止于正的极化电 荷。只在电介质内部出现。
+ + + + + + +


D
起自正自由电荷(或无穷远), 特点: 终止于负自由电荷(或无穷远), 在无自由电 荷处不会中断(无自由电荷处电位移矢量连续)
dS
从有电介质时的高斯定理可知:通过电介质中任一 闭合曲面的电位移通量等于该面包围的自由电荷的代 数和。
+ + + + + + &##43; +
E线
电极化强度 质内部极化电荷体密度等于零,极化面电荷分布 在与金属交界处的电介质表面上(另一电介质表 面在无限远处),其电荷面密度为
P 与 r 有关,是非均匀极化。在电介
P er
q0 r 1 4R 2 r
因为εr >1,上式说明σ’恒与q0反号,在交界 面处自由电荷和极化电荷的总电荷量为
D Q Q E D S S Q 两极板间的电势差 U E d d S
Q C U

S
d

0 r S
d
例. 圆柱形电容器的电容 已知:圆柱形电容器 R1,R2,
求: 其电容.
ε
r
S1
A
B L
解:

设两极板面电荷线密度 分别为 +,- 做如图高斯面

+ + +
P线
二.D与E 的关系 D 0E P 在各向同性、均匀的电介质中 P e 0 E ( r 1) 0 E
令:
0 r
D 0 r E
即: D 与 E 成正比且方向相同
D E
称为介质的介电常数
真空中: D 0 E
束缚电荷产生的场: 0 3.介质中高斯定理的应用
S
1 D E ( D P ) 自由电荷产生的场: 0 0 P
介质中真实的场:E
D dS q
0
有电介质存在时的高斯定理的应用 (1)分析自由电荷分布的对称性,选择适当的高斯面 求出电位移矢量。
P cos 180 P 上 o (1 r )V 0 d P cos 0 P o ( r 1)V 0 下 d (3) 1、2两区域极板上自由电荷面密度1、2 1 1 V E1 1 o r o r d
S1 S2 上底
0 0
r
S
S D d S D d S D d S D d
S
由高斯定理:
D 底 0 S 内 S
D 0
0 E 0 r
D
S3
下底 底
D 内 S 底
例2 一无限大各向同性均匀介质平板厚度为d 相对介电常数为r ,内部均匀分布体电荷密度为 0 的自由电荷 求:介质板内、外的 DEP 解: 面对称 取坐标系如图
D 0d E 0 2 0 均匀场
2DS0 0 2 x S0 D 0 x 0 x D E 0 r 0 r
0
S
r
0x
x
x
2
P 0 r 1E 0
例3:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 r 的介 质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。 解:在介质球内、外各作半径为 r 的 高斯球面。 R D dS q

r
P
R
Q0
S
D d S D 4 r q 0
2 S
q0 D 所以 2 4r q0 写成矢量式为 D e 2 r 4r 因 D E , 所以离球心r 处P点的场强为
E D


4 r
q0
2
er
4 0 r r
q0
2
er
E0
r
结果表明:带电金属球周围充满均匀无限大电介 质后,其场强减弱到真空时的1/εr倍, 可求出电极化强 度为 q0 q0 q0 r 1 P e 0 e er 2 r 2 r 2 4r 40 r r 4r r
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