薄膜材料的表征方法

的干涉条纹，间隔为Δ0。
薄膜上形成的厚度台阶也会引起光程差S的改变，因而它会 使得从显微镜中观察到的光的干涉条纹发生移动。
条纹移动Δ所对应的台阶高度应为h=Δλ/(2Δ0)
测出Δ0和Δ，即测出了薄膜的厚度
6.1.1 薄膜厚度的光学测量方法
6.1.1.2 不透明薄膜厚度测量的等色干涉法
使用非单色光源照射薄膜表面 采用光谱仪测量玻璃片、薄膜间距S引起的相邻两个干涉极大
将其与电子技术相结合，不仅可实现沉积速度、厚度的检测，
6.2 薄膜形貌的表征方法 电子束与固体样品作用时产生的信号
散射 当一束聚焦电子沿一定方向射到样品上时，在样品物质原 子的库仑电场作用下，入射电子方向将发生改变，称为散 射。 原子对电子的散射还可以进一步分为弹性散射和非弹性散 射。 在弹性散射中，电子只改变运动方向，基本上无能量变化。 在非弹性散射中，电子不但改变方向，能量也有不同程度 的衰减，衰减部分转变为热、光、X射线、二次电子等。
6.2.1 SEM
二次电子像
几乎任何形状的样品都可被直接观察，不需要抛光处理。 样品需具有一定的导电能力，对于导电性较差的样品，则 可采取喷涂一层导电性较好的C或Au膜的方法。
金刚石薄膜的表面形貌的图像。
6.2 薄膜形貌的表征方法
6.2.2 TEM 特点与应用：
同时具备两大功能：组织形貌分析和物相分析。 能够以原子尺度的分辨能力，同时提供物理分析和化学分析所
成分的信息。
晶体点阵对电子具有很大的散射能力，而且这种散射能力随 着样品原子序数的增加而提高。因而，透射电子显微镜所用 的样品需要减薄到很薄的厚度。
6.2 薄膜形貌的表征方法
6.2.2 TEM 样品制备
透射电子显微镜利用穿透样品的电子束成像，这就要求被观察的
样品对入射电子束是“透明”的。 电子束穿透固体样品的能力主要取决与加速电压和样品的物质原
对于n1< n2，反射极大的条件变为：
h = (m+1)λ/2n1
6.1.1.3 透明薄膜厚度测量的干涉法
第一种，变角度干涉法（VAMFO） 在样品角度连续变化的过程中，在光学显微镜下可以观 察到干涉极大和极小的交替出现。当衬底不透明，且具有一定
的反射率时，光的干涉条件为：
h=Nλ/(2n1cosθ)
光子能量减少，从而使随后的散射波波长发生改变。这样一来，入射波与
散射波将不再具有相干能力，成为非相干散射。作为晶体衍射的背底 。
6.3 薄膜结构的表征方法
6.3.1 X射线衍射法
特定波长的X射线束与晶体学平面发生相互作用时会发生X射线的 衍射。 衍射现象发生的条件即是布拉格公式： 2dsinθ=nλ 上式表明，当晶面与X射线之间满足上述几何关系时，X射线的衍 射强度将相互加强。因此，采取收集入射和衍射X射线的角度信息 及强度分布的方法，可以获得晶体点阵类型、点阵常数、晶体取 向、缺陷和应力等一系列有关的材料结构信息。 X射线对物质的穿透能力较强，要产生足够的衍射强度，所需样品 数量较多。这一方面决定了用X射线衍射方法确定材料结构时，其 空间分辨本领较低；同时也限制了这一技术在薄膜结构研究中的 应用范围。
6.2 薄膜形貌的表征方法 电子束与固体样品作用时产生的信号
6.2 薄膜形貌的表征方法
二次电子：外层价电子激发(SEM)
背散射电子：被反弹回来的一部分入射电子 (S
EM)
透射电子（TEM）
俄歇电子：内层电子激发(AES，表面层成分分 析)
6.2 薄膜形貌的表征方法
6.2.1 SEM (scanning electron microscope) ---电镜的发展简史
nc(AB+BC)-AN=2 nchcosθ=Nλ (N-任意正整数)
6.1.1 薄膜厚度的光学测量方法
6.1.1.2 不透明薄膜厚度测量的等厚干涉法
台阶上下沉积一层高反射率的金属层 覆盖半反射半透明的平板玻璃片 单色光照射，玻璃片和薄膜之间光的反射导致干涉现象 光干涉形成极大的条件为S=1/2(N-1)λ 在玻璃片和薄膜的间距S增加ΔS＝λ/2时，将出现一条对应
6.3 薄膜结构的表征方法
6.3.1 X射线衍射法
物质对X射线散射的实质是物质中的电子与 X光子的相互作用。当入射光子 碰撞电子后，若电子能牢固地保持在原来位置上（原子对电子的束缚力很
强），则光子将产生刚性碰撞，其作用效果是辐射出电磁波-----散射波。这
种散射波的波长和频率与入射波完全相同，新的散射波之间将可以发生相 互干涉-----相干散射。X射线的衍射现象正是基于相干散射之上的。 当物质中的电子与原子之间的束缚力较小（如原子的外层电子）时，电子 可能被X光子撞离原子成为反冲电子。因反冲电子将带走一部分能量，使得
由干涉极值出现的角度θ′和已知的n1，可以拟合求出N和
薄膜厚度h。 缺点：必须已知波长λ时薄膜的n1。否则，就需要先由一个假 设的折射率出发，并由测量得到的一系列干涉极值时的入射角 θ ′（θ）去拟合它。
6.1.1.3 透明薄膜厚度测量的干涉法
第二种，等角反射干涉法（CARIS）。 使用非单色光入射薄膜表面，在固定光的入射角度的情
透镜的成像过程
光源
物平面
后焦面
像平面
第一个过程是平行电子束遭到物的散射作用而分裂成为各级衍射 谱，即由物变换到衍射的过程； 第二个过程是各级衍射谱经过干涉重新在像平面上会聚成诸像点， 即由衍射重新变换到物(像是放大了的物)的过程。
6.2 薄膜结构的表征方法
6.2.2 TEM
电子束固定地照射在样品中很小的一个区域上。使被加速的 电子束穿过厚度很薄的样品，并在这一过程中与样品的原子 点阵发生相互作用，从而产生各种形式的有关薄膜的结构和
6.1.2.1 表面粗糙度仪法
直径很小的触针滑过薄膜表面，同时记录触针在垂直方向的 移动情况并画出薄膜表面轮廓。 可测量表面粗糙度，也可测量特意制备的薄膜台阶高度，得 到薄膜厚度的信息。 垂直位移的分辨率最高可达1nm。 方法简单，测量直观 缺点在于：
（1）容易划伤较软的薄膜并引起测量误差；
6.3 薄膜结构的表征方法
6.3.1 X射线衍射法 －－ 物相定性分析
定性分析鉴别出待测样品是由哪些“物相”所组成。 分析原理：由各衍射峰的角度位置所确定的晶面间距d以及它们的相对强度 I/I1是物质的固有特性。每种物质都有特定的晶格类型和晶胞尺寸，而这 些又都与衍射角和衍射强度有着对应关系，所以可以象根据指纹来鉴别人 一样用衍射图像来鉴别晶体物质，即将未知物相的衍射花样与已知物相的 衍射花样相比较。 既然多晶体的衍射花样是被鉴定物质的标志，那么就有必要大量搜集各种 已知物质的多晶体衍射花样。Hanawalt早在30年代就射线衍射法 －－ 物相定性分析
材料的成份和组织结构是决定其性能的基本因素，化学分析能 给出材料的成份，金相分析能揭示材料的显微形貌，而 X 射线 衍射分析可得出材料中物相的结构及元素的存在状态。因此， 三种方法不可互相取代。 物相分析不仅能分析化学组成，更重要的是能给出元素间化学 结合状态和物质聚集态结构。 原理：不同的物相衍射图不同 物相分析包括定性分析和定量分析两部分。
第六章 薄膜材料的表征方法
较为广泛的方法:
薄膜的厚度测量
薄膜的形貌和结构的表征
薄膜成分的分析
薄膜附着力的测量
6.1.1 薄膜厚度的光学测量方法
光学方法可被用于透明和不透明薄膜
使用方便，测量精度高
多利用光的干涉现象作为测量的物理基础
6.1.1 薄膜厚度的光学测量方法
6.1.1.1 光的干涉条件
6.2 薄膜形貌的表征方法
6.2.1 SEM
可提供清晰直观的形貌图像，分辨率高（最佳分辨率可达5nm左右）、观 察景深长，可以采用不同的图像信息形式，可以给出定量或半定量的表面 成分分析结果。 • 主要工作模式之一：二次电子像。 • 二次电子是入射电子从样品表层激发出来的能量最低的一部分电子，用被 光电倍增管接收下来的二次电子信号来调制荧光屏的扫描亮度。由于样品 表面的起伏变化将造成二次电子发射的数量及角度分布的变化。因此，通 过保持屏幕扫描与样品表面电子束扫描的同步，即可使屏幕图像重现样品 的表面形貌。而屏幕伤图像的大小与实际样品上的扫描面积之比即是扫描 电子显微镜的放大倍数。
6.1.2 薄膜厚度的机械测量方法
6.1.2.2 石英晶体振荡器法
基于适应晶体片的固有振动频率随其质量的变化而变化的物 理现象。 使用石英晶体振荡器测量薄膜厚度需要注意两个问题: 一，石英晶体的温度变化会造成其固有频率的漂移；
二，应采用实验的方法事先对实际的沉积速度进行标定。
在大多数的情况下，这种方法主要是被用来测量沉积速度。 还可反过来控制物质蒸发或溅射的速率，从而实现对于薄膜 沉积过程的自动控制。
况下，用光谱仪分析光的干涉波长λ。
干涉极大或极小出现的条件与上同，但此时N与λ均在变
化，而θ不变，
h=N1λ1/(2n1cosθ)＝N2λ2/(2n1cosθ) h= -ΔNλ1λ2/[2n1(λ1-λ2)cosθ] 前提条件是已知薄膜的折射率n1，且不随波长λ变化。
6.1.2 薄膜厚度的机械测量方法
• 1935年，Knoll提出扫描电镜的设计思想
• 1942年， Zworykin等人通过反复研究，设计了第一台用于观察厚试样的扫 描电镜，并提出形貌反差主要是由二次电子发射所致，获得了 50nm的分辨 率。并且建立了现代扫描电镜的基本理论的。 • 第一台商品扫描电镜于1965年研制成功（英国剑桥科学公司MarkⅠ型）。 • 以后直到70年代末，美、英、法、荷兰、日、德等十多家厂商生产和出售了 6000多台扫描电镜，这些公司积极发展新的改进型仪器，但直到现在，扫描 电镜的基本结构与1942年的仪器仍相差不大。 • 后来扫描电镜的发展主要表现在，电子光源 ——如 LaB6阴极、场发射电子 源，反差机理研究及图像处理功能等方面。