制绒段常见不良及常规解决方法

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PE色差(制绒整改)实验报告

PE色差(制绒整改)实验报告

PE色差(制绒整改)实验报告PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜的过程,所以PECVD可以看做是一个微小固体颗粒在基板上淀积的过程。

色差:以下3点是引起色差的最主要原因:1.原硅片:原硅片的切割导致制绒面不平整,原生产的硅锭本体构成不均匀,导致切割后硅片有色差存在。

2.制绒段:槽式制绒设备有自身的缺陷性。

在槽中,存在上下层温度差异,反应的浓度差异(进槽时加液存在差异,反应中槽中循环不良造成的上下层浓度的差异),这涉及到设备改造的问题。

现有工艺中反应时间很短(120S),本身制绒工艺是一个反应非常剧烈的反应,因此,之前设备的所引起的差异被加剧,造成绒面不均匀,引起色差。

3.PE段:由于气流量、舟、管的一些限制,工艺上的调整问题,引起一系列的色差。

对于以上1,3点的建议:(1)在购买原硅片要确定原硅片质量,对过期,黑心,以及其他一切不良的硅片需要有一个合理的检验标准,把好原材料关。

(2)PE段,由PE段工艺员配合负责。

以下详细对第2点进行阐述:调节绒面的均匀性由下面几项进行说明:(1)减少整体溶液的浓度,使反应的速率降低,适当的加大缓冲剂水的量,降低反应时的速度。

(2)延长反应的时间,让反应的绒面尽量处于饱和状态。

(3)原工艺和现在有工艺对比:原工艺:HNO3:HF:H20=360:70:170 制绒时间:120s-140s实验工艺:HNO3:HF:H20=260:40:150 制绒时间180s-220s原精补:HF:H2O:HNO3=0.8:0:1.0现在精补:HF:H2O:HNO3=0.6:0.05:0.9原制绒温度:8°-10°实验制绒温度:6.5°-7°(4)两个工艺制绒后各项数据对比:原工艺减重:0.35g-0.45g实验工艺减重:0.3g-0.5g 较大一点原工艺外观:有不均匀的部分,主要表现在边缘部分,无网纹实验工艺外观:基本没有不均匀部分,无网纹原工艺显微镜下绒面:大小并不均匀实验工艺显微镜下绒面;大小均匀,但是较正常绒面大一些(5)实验工艺对各段工艺的影响:A.制绒段:绒面均匀,外观块会比以前好很多,但是绒面偏大,减重比之前大一些,工艺的调试窗口比之前大很多,影响很大。

多、单晶(制绒、刻蚀)工序异常汇总

多、单晶(制绒、刻蚀)工序异常汇总
多晶制绒工序异常处理汇总
序号
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
异常现象
硅片表面有黑道滚轮印 片子表面发暗呈现深褐色 片子表面有一条一条的线痕印 片子流到扩散后表面发蓝 片子表面有白色的小雨点 片子表面有过穿的小洞 片子表面颜色不均匀 片子上下表面绒面相差很大 硅片表面较亮 硅片表面暗纹较多 硅片表面出现黄斑 硅片表面未洗干净 硅片表面吹不干 腐蚀深度过小 腐蚀深度过大 制绒绒面偏小 片子表面颜色不均匀 片子流到扩散后,表面发蓝 片子上下表面绒面相差很大 片子表面有水痕印 片子表面有过穿的小洞 片子表面有白色的小雨点
异常分析处理
应该是滚轮比较脏,用沾有酒精的无尘布擦拭滚轮 溶液浓度过高,片子绒面过大。需及时降低片子减薄量 滚轮留下的虚影,冲洗不充分导致 烘干效果不理想 可能是H2、NO等气体粘附在片子表面导致 片子杂质过多引起 一般是溶液不均匀导致,需要将各槽溶液充分循环 制绒槽液位没有达到理想状态,调整液位 一般是溶液浓度过高或HNO3比例过高,可补加适量的DI水来 降低溶液浓度或补加HF来改变HNO3的比例 一般是溶液浓度过高或HF比例过高,可手动补加适量的DI水 来降低溶液浓度或补加HNO3来改变HF的比例 查看碱槽的流量或溶液浓度是否正常。可以加大KOH的溶度或 加大碱槽的循环流量。 看是否是手指印,造成。若是及时更换手套看情况,若硅片 表面出现一些胶之类的。看是否是来料时,硅片本身存在脏 物。 看是否为风刀压力太小或角度不正当造成。或查看酸槽的HF 溶度是否正常。 不能去掉损伤层,可以适当加大制绒的溶液浓度,或暂时降 低带速或提高制绒的温度(但一般不希望采取) 绒面过大,可以适当减少自动补液量,或降低制绒槽的温度 或提高带速(设置的温度、带速一定要在设定范围内) 制绒时间不够或溶液的浓度偏稀 一般是溶液不均匀导致,需要将各槽溶液充分循环 烘干效果不理想,表面留有水迹导致 制绒槽液位没有达到理想状态,调整液位 烘干效果不理想 片子杂质过多引起 可能是H2,NO等气体沾附在片子表面导致

清洗制绒设备操作规程

清洗制绒设备操作规程

RENA制绒设备操作规程v09.10.01序言为更好地加强制绒设备生产与维修,保障设备开机效率以及设备完好状态,结合制绒使用说明书及车间使用经验,特制订编制本手册,以达到操作标准化为目的,同时为设备队伍的培训提供教材参考。

凡操作人员必须经过培训,且熟练掌握设备操作规程,方可对设备进行操作!目录一、目的二、适用范围三、主要技术性能四、结构特征五、使用前的准备六、设备的操作七、更换化学药品时的安全操作规范八、安全操作规范九、设备常见故障及简单解决方法十、操作和维护注意事项及维护表十一、常用化学药品特性及处理预案十二、安全标识一、目的:硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚的损伤层,这一层因为与硅片基体的状态已经不同,基本上已经剥离于集体,会严重影响半导体器件(太阳电池)的性能。

清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层,通过硝酸对其氧化制绒,形成高低不平的表面,大大增加电池片表面的受光面积,减少反射,从而提高太阳电池的转换效率。

二、适用范围:RENA Inline Texture Etching060309------CSC05(100MW车间制绒北侧设备) RENA Inline Texture Etching060308------CSC06(100MW车间制绒中部设备) RENA Inline Texture Etching060310------CSC07(100MW车间制绒南侧设备) 三、主要技术性能:1、使用环境条件a) 环境温度:0 ℃~40 ℃ b) 相对湿度:<85%、无凝露 c )周围环境:无腐蚀性气体 2、附属设施消耗电池车间 100MWp 制绒工序基础设施消耗设备名称 数量 连接功率kW 额定功率kW 纯水L/M冷却水L/M 压缩空气L/M废水排放L/M 废气排放m3/h 电压V 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计单台 合计5道硅片清洗机 2 380五线 19.539 19.5 39 20 40 43 86 3683 7366 DN50DN40 DN20 4670 93408道硅片清洗机1 380五线32 32 32 32 30 30 43 86 5883 5883 DN50DN40 DN207140 7140四、结构特征:上图为RENA Inline Texture Etching060309设备外形Station1: 腐蚀槽 Station5:HF/HCL 润洗Station2:冲洗1槽 Station6: 冲洗3槽Station3:KOH润洗 Station7: 气刀风干Station4:冲洗2槽RENA Inline Texture Etching包括上料→HNO3及HF腐蚀→冲洗1→KOH 润洗→冲洗2→HF/HCl润洗→冲洗3→气刀风干→下料。

制绒工艺培训

制绒工艺培训
制绒槽 水洗槽 碱洗槽 酸制绒机 水洗槽 酸洗槽 水洗槽 传递过程 吹干槽
仓库来料接收
上片
下片
制绒设备
速度1.0速度1.0-1.5 m/min 1.0


水1
KOH bath
水 2
HF/HCl
水 3
吹干
bath
3.1 RENA制绒原理 制绒原理
RENA是通过化学反应来进行硅腐蚀的,其反应体系很复杂。 以下是其中的几个反应方程式: Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2
主管工程师: 主管工程师: 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数,对于出现的外观不良或是效率低下等异常,及时 安排排查。 根据工作需要,负责与其他职能部门进行沟通,共同解决问题。 对于汇报的异常,视情况到场解决或是电话给出解决方案。 根据实验结果,安排实施新的工艺方案,若新方案中涉及到更改化学品厂家、型号或是改变 工艺流程的,需向上级请示后决定是否实施。 定期总结制绒工序的工作情况,并向工艺经理汇报。 负责制绒工序人员的管理,分配领导安排的任务,定期组织会议,对本工段工作进行总结。 对工艺文件、作业指导书等进行审核。 完成领导安排的其他任务
工程师: 工程师: 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数,对于出现的外观不良或是效率低下等异常,及时 联系其余工序的工程师进行排查。 对于日常工作中,根据需要,与其他职能部门(如设备、生产等部门)进行沟通,共同寻找 解决问题的方案。 对于助理工程师汇报的异常情况,视情况到场解决或是电话给出解决方案,若不能解决的, 及时通知工艺主管。 负责制绒化学品选用以及使用情况(控制的合理的单耗),选择工艺方案(最低的反射率, 换液周期)及工艺控制参数(减薄量、腐蚀深度),设备的维护周期,上报工程师。 定期进行优化实验或是腐蚀量异常时安排排查实验,根据实验结果提出改进措施。 负责编写制绒工段的工艺文件、作业指导书,并组织相关人员进行学习。 完成安排的其他工作。

制绒段常见不良及常规解决方法

制绒段常见不良及常规解决方法
历史黑名单:芯能、顺大 当前黑名单:阳光硅谷 (出现比例极少,上面第四幅图)
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片源异常及解决方法
4、线痕
线痕片大幅存在,线痕片存在的隐患为:深线痕可能导致更高碎片率,多线 线痕可能影响外观并对效率有轻微影响。
线痕表现形式:线痕可从外观直接看出,一般为一根或数根直且细的沟壑(缺照 片)。
对单晶而言,线痕分为单线线痕及多线线痕,单线线痕一般因切割断线引起,多 线线痕一般为切割浆料异常引起(如回收液的大量使用)。
黑名单:当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关,线痕片出现极
少。
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设备异常及解决办法
设备引起的制绒异常主要有如下几个特征:
1、独立性。由于设备的损坏,尤其是制绒设备的损坏,并不会同时产生,因此,因 设备引起的异常往往仅表现为某一个槽或某一条线;
2、异常硅片的规律性。设备异常,如鼓泡管堵塞,加热器损坏,其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征,并且在位置方面也有规律性。
制绒段常见异常及常规解 决方法
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1
制绒不良树状结构图
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2
片源异常及解决方法
1、指纹及划痕
指纹区
划伤区
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指纹片源于:硅片厂家在硅片清洗过程时进 行裸手插片,或者插片时所穿戴的手套 不能满足隔汗要求(自身来料检有时也 会引入);
划痕源于:硅片厂家在插片过程的摩擦,同 时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我 们公司自身的来料检验。
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工艺异常及常规解决办法
制绒异常及解决办法:
1、小雨点 小雨点因制绒过程IPA不足引起,IPA不足除引起小雨点外,也使跳片的概率上升, 因此,需予以及时解决。

制绒不良现象、原因分析及改进

制绒不良现象、原因分析及改进

无绒面
现象:表面有流星雨现象 发生
原因:来料
解决方法:加大碱液用量
Trina Solar Energy Co,Ltd
绒面不均
现象:部分区域绒面良好 ,部分绒面表现为较难 刻蚀
原因:来料原因
解决方法:加大碱液与 IPA的用量通常可以解 决,具体加入量依据实 际情况而定
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:在同一批片子中 相同位置有类似于油污 的污渍
原因:来料问题,可能 在硅片包装时引入
解决方法:与硅片车间 协商解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:表面有污渍 原因:在制绒后反应残留物 解决方法:重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发白
现象:表面发白
原因:刻蚀时间不够
解决方法:通常延长刻蚀 时间可以解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发亮
现象:表面发沙
原因:KOH过量或者是 Solar Energy Co,Ltd
表面刻蚀不均
表面污染
现象:表面有指纹残留
原因:在包装时人为的接触 硅片
解决方法:IPA可以起到一 定效果,但是不能杜绝,需 要硅片车间配合
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:硅片表面有大量的药 液残留
原因:IPA加入过多
解决方法:重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
现象:硅片表面部分区 域发白,有慧星现象发 生
原因:IPA偏少
解决方法:适当增加IPA 的用量

制绒原理及相应问题的解决资料

制绒原理及相应问题的解决资料
设备张力控制不当
张力控制是制绒过程中的重要环节,张力过大或过小都会对制品质量产生不良影响。张力 过大可能导致制品断裂、强度降低等问题;张力过小则可能使制品出现松弛、起皱等现象 。
设备温度控制不准确
温度控制对于制绒过程至关重要,温度波动会影响纤维的润湿效果和制品的结构性能。温 度过高可能导致纤维受损、制品发黄等问题;温度过低则可能使润湿剂效果不佳,影响制 绒质量。
纤维束过松
纤维束过松可能是由于原料质量差、处理工艺不当或设备调试不准确等原因引起 的。过松的纤维束会使制品结构松散,强度降低,耐磨性差,严重影响产品质量 。
润湿剂选择不当导致效果不佳
润湿剂种类选择不当
不同原料和工艺需要选择不同类型的润湿剂。选择不当可能导致润湿效果不佳,使得纤维束难以充分润湿,进而 影响制绒效果和产品质量。
问题解决方案制定
针对制绒过程中出现的各种问题,制定了相应的解决方案,并通过 实验验证了其有效性。
制绒效率提升
通过优化制绒工艺参数,提高了制绒效率,降低了生产成本。
未来发展趋势预测
制绒技术持续改进
随着科技的不断进步,制绒技术将不 断改进和完善,提高生产效率和产品 质量。
智能化制绒设备研发
结合人工智能、大数据等先进技术, 研发智能化制绒设备,实现自动化、 智能化生产。
完善设备参数设置确保稳定运行
01
设备参数对制绒的 影响
设备参数的设置直接影响到制绒 的稳定性和效果,包括温度、压 力、速度等参数。
02
设备参数的调整方 法
根据制绒需求和设备性能,通过 试验和调整,找到最佳的参数组 合。
03
参数调整后的效果
合理的设备参数设置可以提高制 绒的稳定性和效率,减少故障和 停机时间,降低生产成本。 Nhomakorabea温度控制

清洗和制绒工艺

清洗和制绒工艺
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关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了 硅片表面织构的几何特征。气泡的大小以及 在硅片表面停留的时间,与溶液的粘度、表 面张力有关系。所以需要乙醇或异丙醇来调 节溶液的粘滞特性。 乙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范围内变化 时,制绒反应的变化不大,都可以得到比较 理想的绒面,而5 vol%至10 vol%的环境最佳。
3
硅片表面的机械损伤层
(一)硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
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硅片表面的机械损伤层
(二)多线切割
5
硅片表面的机械损伤层
(三)机械损伤层
硅片
机械损伤层(10微米)
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硅片表面的机械损伤层
(三)切割损伤层的腐蚀(初抛) 切割损伤层的腐蚀(初抛) 线切割损伤层厚度可达10微米左右。 一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5~1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6~10um/min 。 初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减 短,以防硅片被腐蚀过薄。 对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速 度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际 浓度关系不大。
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绒面不良分析及改进
8、绒面不均 现象: 硅片表面出现规 则的绒面不良 原因:可能是来料问题 解决方法:适当延长时间 可以一定程度上减轻该现 象
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绒面不良分析及改进
9、无绒面 现象:表面有流星雨 现象发生 原因:来料 解决方法:加大碱液 用量
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绒面不良分析及改进
10、绒面不均 现象:部分区域绒面良好 ,部分绒面表现为较难 刻蚀 原因:来料原因 解决方法:加大碱液与 IPA的用量通常可以解 决,具体加入量依据实 际情况而定
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跳片后果:硅片发生跳动除引起碎片外,即便未破碎的硅片也将因硅 片间的相互接触而导致表面清洗不良,进而引起制绒表面出绒不 均而产生明显色差。
解决方法:硅片跳动主要因IPA不足引起,当硅片在有跳片预兆时, 就应及时往相应槽体一定量IPA(2#或3#槽),一般以2L为单位。 对于已发生较严重跳片的情形,尽量将硅片提至请水槽,并对硅 片进行相应处理(漂洗,硅片分离重新插入花篮等)。
花篮印外,伴有其他异常,需根据其
他相应异常进行工艺调整。
工艺异常及常规解决办法
制绒异常及解决办法:
3、发亮(发亮分大面积发亮及局部发亮) 大面积发亮:
工艺异常及常规解决办法
制绒异常及解决办法:
1、小雨点 小雨点因制绒过程IPA不足引起,IPA不足除引起小雨点外,也使跳片的概率上升, 因此,需予以及时解决。
制绒小雨点表现形式:硅片表面分布有很 细小白点,并且小白点形状呈现为从上而下逐 渐变大,与雨点形状相似,故称为小雨点。小
雨点产生原因为IPA不足导致的消泡不良,根据
制绒异常及解决办法:
2、花篮印 产生花篮印的原因有两种,一为花篮本身洁净度问题;二为制绒工艺有偏差,硅 片花篮接触区制绒差异显示,产生花篮印。 花篮印:花篮印既可为一两个齿位,也
为全部六个齿位。花篮印的存在会造 成B1片,对已制绒的片子可正常释
放,并做不良统计。
花篮自身引起的花篮印一般出现在新花 篮,以及旧花篮很长一段时间闲置未 用。因花篮自身引起的花篮印,硅片 的绒面一般均良好。对该情形,需按 花篮清洗工艺进行花篮清洗,清洗完 后先做小批量验证,验证合格即可正 常生产。 花篮印示意图 因制绒不良导致的花篮印,硅片表面除
挂碱印的危害:挂碱印的存在会导致B1甚至B2 类不良片的出现。 挂碱印的解决:1、首先观察各槽温度是否均在 工艺控制范围内;2、在各槽实际温度均在控
制范围内的前提下,对2#初抛槽及3#漂洗槽
内各补入2L IPA,完成IPA补加后,对后续 清洗第一篮硅片进行跟踪观察,查看问题是 否得到解决;3、若上述调整无效,对初抛预 清洗段进行换液处理。
设备异常及解决办法
鼓泡管堵塞引起制绒异常:
一厂因鼓泡管堵塞引起的制绒异常(发生时段:2009年5月)
设备异常及解决办法
设备异常常规解决流程:
当将问题引致设备异常方面,对设备异常的考证其实相对简单,当前设备异 常主要为含以下四个方面: 1、槽体洁净度 槽体洁净度考察:可采取亲自跟踪的方式,现场要求员工按作业指导书进行正常 的槽体清洁,在有需要的时候,可以要求员工取出槽体底部多孔板,以进行更细 致的槽体清洁; 2、鼓泡的考察 鼓泡的考察:由于我们线上多个槽体气体流量计的标准并不统一,因此,对鼓泡 的考察必须通过肉眼观察予以实现。鼓泡均匀性:鼓泡管上小孔的排布在槽体内 均匀,且占有很大面积比,鼓泡正常时,槽体各处均有大小较为一致的鼓泡;鼓 泡大小的确定:鼓泡大小可由流量计的调节予以实现,具体大小的判定可以要求 线上工段长一起予以确认; 3、加热器的考察 加热器的考察:加热器损坏对制绒有极大影响。考察方法如下:1、采用温度计 (煤油温度计或热电偶温度探测仪)进行温度测定;2、取出槽体多孔板,观察加 热器是否有明显损坏;3、要求设备对加热器加热状体进行测控,以查证是否确实 有异常;(最近案例:一厂6#槽); 4、热电偶考察 热电偶显示的考察:热电偶显示异常会导致实际制绒温度产生较大偏差,考察方 法为:通过温度计对溶液进行测温,根据其与显示温度的差异判定其是否合格, 在温度偏差较小,且加热器无异常时,可以采取温度补偿的方法进行正常生产; (最近案例:二厂1线6#槽,3线4、5、6槽)。
制绒段常见异常及常规解 决方法
制绒不良树状结构图
片源异常及解决方法
指纹片源于:硅片厂家在硅片清洗过程时进
1、指纹及划痕
划伤区
行裸手插片,或者插片时所穿戴的手套
不能满足隔汗要求(自身来料检有时也
会引入); 划痕源于:硅片厂家在插片过程的摩擦,同 时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我 们公司自身的来料检验。 表现形式:指纹或划伤经制绒后均清晰显现, 制绒后,指纹或划伤区的颜色较正常区 域浅,从而显得该区域略显发白; 解决方法:指纹与划伤在制绒良好时,均不 会导致B2片产生,对B1片贡献也相对较 小。在上述问题产生时,可维持正常生 产时,同时,收集好指纹及划伤片的实 例照片,并进行指纹及划伤片数目大致
片源异常及解决方法
硅片切割后未及时清洗的表现形式:硅片切割后未及时清洗,硅片四周会因风干而导致表面脏污难以 去除,经制绒,表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白产生。其重要特征为:周边一
圈发白,且具有良好的重复性。
硅片表面脏污未得以完全去除(或硅片表面有机无残留):硅片表面油污的存在导致硅片在制绒过程 根本难以出绒,硅片的腐蚀变得缓慢,相同条件下的硅片去重较正常情况明显减少。 解决方法:当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留(有机洗剂残留)时,硅片的制绒将难
片源异常及解决方法
4、线痕
线痕片大幅存在,线痕片存在的隐患为:深线痕可能导致更高碎片率,多线 线痕可能影响外观并对效率有轻微影响。 线痕表现形式:线痕可从外观直接看出,一般为一根或数根直且细的沟壑(缺照 片)。 对单晶而言,线痕分为单线线痕及多线线痕,单线线痕一因切割断线引起,多 线线痕一般为切割浆料异常引起(如回收液的大量使用)。 对多晶而言,线痕除上述单线线痕及多线线痕外,还存在一种与单线线痕类似的 硬点线痕,硬点线痕产生的方式为多晶铸锭过程,涂层破损或其他因素引起碳原 子扩散进入硅熔体而形成局部碳化硅杂质,碳化硅的存在导致硅片切割时产生断 线,引起硬点线痕。 对于线痕片,其引起的影响相对较小,但由于其更属于隐性干扰,难以估量。因 此,在制绒段发现线痕片时,除非有质量部门的明确标识:线痕片,让步接收, 才可正常进行统一生产。否则,在有线痕片存在时,一律先搁置一边,待得到采 购、质量确认后,才统一进行正常生产。 黑名单:当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关,线痕片出现极 少。
片源异常及解决方法
脱胶不良解决方法: 脱胶不良在轻微时,脱胶不良区域硅片仍可正常出绒,但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白,
仅对B1类有所贡献,不会造成B2片。对该情况,可维持正常生产,同时,做好不良硅片数目的大致统
计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时,脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时,脱胶不良将对B2片产生贡献。 对该种情况,对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理;对后续待制绒硅片,可以通过适当增 加氢氧化钠浓度的方式来加快硅片的腐蚀速率,从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况,也同 样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。
历史黑名单:脱胶不良出现概率极低,但仍需保持警惕,已发生过脱胶不良的厂家有两家:LDK (125M),比例较高,KMDK(156M),比例较小。
片源异常及解决方法
3、切割后未及时清洗,清洗剂残留(清洗不良, 硅片表面油污未得以完全去除)
硅片切割后未及时清洗(图1);清洗剂残留(或清洗过程未彻底去除硅片表面油污)(图2、3)
以持续。正常解决流程为:先申请停线,同时,开始进行在线调整,制绒:可通过加大氢氧化钠浓
度,提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率;预清洗:采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗;若上述方向的调整没有明显改善,可直接停线等待,并与供应商进行积极沟通。
历史黑名单:芯能、顺大 当前黑名单:阳光硅谷 (出现比例极少,上面第四幅图)
指纹区
汇总。
片源异常及解决方法
更多照片:
通过问题反馈及供应商自 身改善,指纹及划伤出 现的概率较之前大幅下 降,但仍有部分厂家硅 片存在较多指纹及划伤。
历史黑名单:晶科、天元、
聚能、东泰、芯能、顺 大 当前:合格供应商中,天
元硅片指纹及划伤出现
的概率仍相对较高
片源异常及解决方法
2、脱胶不良
脱胶不良产生原因:硅片厂家在进行硅片脱胶处理时,硅片粘棒一侧的粘胶(一般为AB胶)没有去除完全, 未去除完全的胶带在后续清洗过程中部分溶解并附于硅片表面。 脱胶不良的表现形式:脱胶不良的硅片经制绒后,在硅片有机物残留区,硅片出绒不全或出绒较小导致该 区域较其他区域发白。脱胶不良产生时,位置固定且一般整体连续出现。
工艺异常及常规解决办法
预清洗异常及解决办法:
1、酒精使用时间过长导致硅片制绒后局部白斑: 该案例发生在刚引入酒精进行预清洗的验证阶段。当酒精清洗时间过长,在硅片 与花篮接触区域,硅片的清洁将难以保证。因该处残余油污的存在,硅片经制绒 后,在硅片与花篮接触处会形成月牙状发白。如下图所示:
判定方法:因酒精清洗不良引起的月牙状白 斑与片源脏污引起的白斑并不相同。因片源 自身引起的白斑一般表现为发白严重,并且 区域较大,位置固定性较差。因酒精清洗异 常引起的白斑主要集中在齿位附近,并且相 对轻微。 解决方法:因酒精清洗异常引起清洗不良而
工艺异常及常规解决办法
尽管存在片源异常、设备异常等因素干扰,但 工艺本身才是制绒段异常的最主要因素。
工艺异常可由预清洗及制绒共同引起: 预清洗:预清洗引起的异常主要包括如下几个方面:1、制绒后硅片未及时清洗, 硅片自然风干引起表面出绒不均;2、预清洗酒精使用时间过长,硅片表面有机物 残留;3、初抛槽中IPA不足引起硅片跳动,消泡不良引起局部挂碱;4、初抛后 漂洗槽温度过低引起挂碱印残留;4、初抛后漂洗槽IPA不足引起硅片发生跳动。 制绒异常:制绒异常可直接归总于工艺条件的偏离或与所生产硅片的匹配性存在 较大差异。因制绒条件偏离或与待制绒硅片匹配性差异,制绒后的硅片表面将产 生一系列不良,主要包括局部发亮、整体发亮、整体发白、边角发白、大面积水 纹印、表面白点、小雨点等。
预清洗风干引起的局部白斑
半个小时内。
工艺异常及常规解决办法
预清洗异常及解决办法:
4、硅片预清洗过程挂碱或清洗工艺不匹配导致硅片表面脏污未能去除: 挂碱:挂碱仅在初抛预清洗工艺中出现,产生原因有二:1、初抛液中IPA不足,或者 初抛液使用至后期,初抛液中硅酸钠含量大幅升高导致溶液粘度增大;2、初抛后 的漂洗槽(3#)温度过低,硅片清洗后的表面残留物未完全去除。 挂碱现象:初抛挂碱,将导致硅片经制绒后表面有较明显的挂碱印记,如下图所示:
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