XPS在材料研究中的应用
xps的原理与应用

XPS的原理与应用1. 什么是XPS?X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)是一种表面分析技术,用于研究材料的化学成分和电子状态。
它是通过照射材料表面的X射线,测量材料表面电子的能量分布来获取信息的。
XPS不仅可以得到材料的元素组成,还可以了解元素的氧化态、表面化学键的环境等信息。
2. XPS的工作原理XPS是基于光电效应的原理工作的。
当X射线照射到材料表面时,X射线与材料中的原子发生相互作用,其中一部分X射线被吸收,其中一部分被散射。
被吸收的X射线能量大约为束缚能与X射线能量之差。
被吸收的X射线能量足以使得材料中的原子电子跃迁到一个能量较高的态。
这些电子以一定的能量和角度从材料表面逸出,并被称为光电子。
这些逸出的光电子的能量将与原子或分子的电子能级有关,从而可以得出材料的化学成分和表面状态。
3. XPS的仪器和组成部分XPS仪器由以下主要部分组成: - X射线源:提供光源,可以是一台X射线管或是一台恒温恒流的X射线源。
- 分析仪器:用于分析逸出的光电子的能量和角度分布。
- 探测器:用于接收并测量逸出的光电子,常用的探测器有多道探测器和球面能量分析器(Hemispherical Energy Analyzer)。
- 数据采集和处理系统:用于采集并分析探测器接收到的光电子信号。
4. XPS的应用领域4.1 表面化学组成分析XPS的主要应用是对材料的表面化学成分进行分析。
通过测量光电子的能量分布,可以判断样品中的元素种类和数量,甚至可以确定元素的氧化态。
4.2 元素深度分析通过控制X射线的能量,可以实现不同深度的元素分析。
这种能量调谐的XPS称为角分辨X射线光电子能谱(Angle Resolved XPS,ARXPS)。
通过ARXPS技术,可以研究材料的表面成分和深层成分的分布情况。
4.3 表面化学键分析XPS还可以提供材料表面化学键的信息。
xps的原理及应用

XPS的原理及应用1. XPS的概述X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)是一种常用的表征材料表面和界面化学组成的表面分析技术。
它基于X射线和光电效应,通过测量样品表面的光电子能谱来分析元素的种类、化学状态和表面含量。
2. XPS的原理XPS技术的原理是通过X射线照射样品表面,使得样品表面的原子发生光电效应产生光电子。
根据光电子的能量分布和强度,可以确定样品表面的化学元素的种类和含量,以及其化学态。
XPS的原理主要包括以下几个方面:2.1 X射线的作用通过使用X射线可激发样品表面的原子产生光电效应。
X射线的能量在几百电子伏特到几千电子伏特之间,具有良好的穿透性。
X射线在样品表面与原子和电子相互作用,并将电子从样品中抽取出来,形成光电子。
2.2 光电子的能量测量测量光电子的能量分布以及强度,可以确定元素的种类、含量和化学状态。
光电子的能量与其从样品中脱离所需的能量差有关。
根据能量的分布和峰形,可以得到样品表面的元素种类和含量,以及其他化学信息。
2.3 分辨能量的测量XPS技术具有较高的分辨能力,可以测量不同元素之间的能级差异。
通过测量不同元素的光电子能谱,可以确定元素的化学状态,如氧化态、还原态等。
3. XPS的应用XPS技术在材料科学、化学、物理学等领域有广泛的应用。
以下是XPS技术的一些主要应用:3.1 表面化学分析XPS技术可以用于对材料表面的化学组成进行分析。
通过测量光电子能谱,可以确定材料表面的元素种类和化学状态,以及各元素的含量。
这对于研究材料的性质、表面改性和表面反应具有重要意义。
3.2 薄膜分析XPS技术可以用于薄膜的分析。
通过测量光电子能谱,可以确定薄膜的元素组成、界面结构和化学状态。
这对于研究薄膜的制备和性能具有重要意义。
3.3 腐蚀和氧化研究XPS技术可以用于腐蚀和氧化的研究。
通过测量光电子能谱,可以确定材料表面的化学状态和含量的变化,以及腐蚀和氧化过程中的反应机制。
关于XPS的原理和应用

关于XPS的原理和应用1. 前言X射线光电子能谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,简称XPS)是一种广泛应用于材料科学、表面物理和化学研究的表征手段。
本文将介绍XPS的基本原理和其在各个领域中的应用。
2. 基本原理XPS基于光电效应原理,利用固体表面的吸收或发射光子的能量差来研究固体表面的化学组成和元素态。
下面是XPS的基本原理:•X射线入射:在实验中,X射线入射到样品表面,与样品中的原子或分子发生相互作用。
•光电子发射:当入射X射线的能量超过样品中原子的束缚能时,会产生光电子的发射。
•能量分析:发射的光电子经过分析器进行能量分析,得到光电子能谱。
•特征能量:通过分析光电子能谱中的特征能量和峰形,可以得到样品的化学组成、表面电荷状态等信息。
3. 应用领域XPS具有高灵敏度和高分辨率的优势,在各个领域中得到了广泛应用。
以下是几个常见的应用领域:3.1. 表面化学分析XPS可以通过分析样品表面的化学组成和化学状态,提供有关表面反应性和化学性质的信息。
在材料科学、催化剂研究和纳米技术等领域中,XPS被广泛用于表面化学分析。
3.2. 材料研究XPS在材料科学中起着至关重要的角色。
通过分析材料的表面元素组成、改变和反应,可以研究材料的结构、性质和性能。
在材料表面改性、材料界面研究等方面,XPS的应用非常广泛。
3.3. 薄膜分析XPS可以用于分析薄膜的物理、化学和电学性质。
通过对不同深度的XPS分析,可以揭示薄膜的结构和成分随深度的变化情况。
薄膜的质量、化学反应和界面效应等方面可以通过XPS得到详细的信息。
3.4. 表面修饰技术XPS可用于评估表面修饰技术的效果和性能。
在金属材料、导电聚合物等方面的研究中,通过分析表面的元素分布和化学组成,可以评估表面修饰技术对材料性能的改善。
3.5. 生物医药领域在生物医药领域,XPS可以用于分析生物材料表面的成分和结构,如药物载体材料、生物传感器等。
说明xps分析的原理应用及特点

说明XPS分析的原理应用及特点1. 引言X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,简称XPS)是一种用于分析材料表面化学成分和化学状态的非破坏性表征技术。
本文将对XPS分析的原理、应用和特点进行说明。
2. 原理XPS利用高能X射线轰击材料表面,通过测量材料表面逸出的光电子能谱来获得有关材料化学成分和化学状态的信息。
其基本原理如下: - X射线入射:高能X 射线束通过X射线源作用在样品表面,激发样品表面原子的束缚电子。
- 光电子逸出:激发的束缚电子获得足够的能量克服束缚力,从样品表面逸出成为自由电子。
- 能谱检测:逸出的光电子根据能量不同形成能谱,通过能量分辨仪进行检测和分析。
- 数据分析:通过对能谱的峰位、峰面积和峰形等进行分析,可以获得样品表面元素的组成和化学状态信息。
3. 应用XPS技术在多个领域有广泛的应用,以下列举几个常见的应用场景:3.1 表面成分分析XPS可以准确测量材料表面的元素组成和化学状态,可以表征材料的成分。
在材料科学、化学、生物医学等领域中,XPS被广泛用于表面成分分析。
3.2 化学反应分析XPS能够跟踪材料表面化学反应的过程和机制,通过观察化学反应前后材料表面的变化,可以获得有关反应的信息。
3.3 材料表面状态研究XPS可以研究材料表面的电荷状态、化学键形成和断裂等变化。
这对于了解样品在化学、电子学等方面的性质具有重要意义。
3.4 腐蚀和污染研究XPS可以追踪材料表面腐蚀和污染的过程,分析腐蚀和污染物的成分和形态。
这对于材料保护、环境保护等方面具有重要意义。
4. 特点XPS作为一种高精准度的表征技术,具有以下特点:4.1 高分辨率XPS能够实现较高的能量分辨率,可以准确测定光电子能谱的峰位和峰形,从而得到更准确的表征数据。
4.2 高灵敏度XPS对材料表面的元素非常敏感,可以检测到较低浓度的元素。
这对于分析痕量元素具有重要意义。
xps的工作原理及应用

XPS的工作原理及应用简介XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X射线光电子能谱)是一种表征材料表面元素及化学状态的表征手段。
它利用X射线照射样品表面,通过分析样品表面电子的能量分布来获取元素的信息。
XPS广泛应用于材料科学、表面化学、纳米科学等领域,为研究材料性质和表面反应机制提供了重要的手段。
工作原理XPS的工作原理主要基于X射线的相互作用原理。
当样品表面被X射线照射时,元素的内层电子就会吸收掉X射线的能量,从而使得这部分电子逸出,并成为光电子。
根据光电子能量与逸出深度的关系,可以得到元素的能谱信息。
XPS通常使用单色X射线源作为光源,这样可以确保X射线的能量单一。
在照射样品的同时,通过调整束缚电压,可以选择性地使得不同能量的光电子进入能谱仪。
能谱仪中的能谱分析器可以将光电子按照能量进行分离,并触发一个探测器进行信号采集。
应用领域物质表面化学性质研究XPS可以分析材料表面的元素组成和化学状态,为研究物质的表面化学性质提供了直接的手段。
通过分析元素的价态和化学键的形态,可以了解材料的催化性能、电化学性能、界面反应机理等信息。
表面形貌研究XPS可以对材料表面的形貌进行表征。
例如,可以通过分析材料表面元素浓度的变化,来研究材料表面的退化情况、污染物的分布等。
同时,还可以通过表面化学计量知识,研究表面形貌与功能之间的联系。
薄膜生长与界面反应研究XPS可以对薄膜生长和界面反应过程进行研究。
由于XPS具有高表面灵敏度和高化学状态分辨率,可以实时监测材料表面的化学变化,以及材料界面的结构和性质变化。
这对于薄膜生长过程的优化和界面反应机理的理解具有重要意义。
环境科学研究XPS可以用于环境科学领域的研究。
例如,它可以分析空气中的颗粒物表面成分,了解大气污染的来源和演化过程。
同时,XPS还可以研究水中污染物的吸附与解吸过程,为环境治理提供科学依据。
结论XPS是一种非常重要的表面分析技术,可以提供元素组成和化学状态的详细信息。
xps的原理及其应用

XPS的原理及其应用1. XPS的概述XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)是一种表面分析技术,它通过入射X射线照射样品,测量材料中逸出的电子能谱来分析样品的元素组成和化学状态。
XPS主要基于光电效应原理和荷电屏蔽效应原理进行分析。
2. XPS的基本原理XPS利用入射X射线激发样品表面的原子,使其逸出的电子被收集和分析。
电子逸出的能量与样品中原子的化学状态密切相关,通过测量电子能谱,可以了解样品的元素组成、化学状态、氧化还原状态等信息。
具体而言,XPS的基本原理如下: - X射线源:XPS使用具有高能量的X射线作为激发源,常用的是具有镓或铝阳极的X射线源。
- 入射X射线:X射线通过X射线源发出,并照射到样品的表面。
- 光电子逸出:入射X射线与样品原子发生相互作用,使电子从原子的内层轨道逸出,逸出的电子称为光电子。
- 荷电屏蔽效应:逸出的光电子在穿越样品表面时,会受到其他原子的屏蔽作用,从而发生能量损失。
- 检测和分析:逸出的光电子根据能量进行分析和检测,得到电子能谱图,通过分析电子能谱,可以确定样品的化学成分和状态。
3. XPS的应用领域XPS具有非常广泛的应用领域,以下列举了几个典型的应用场景:3.1 表面化学分析XPS可以用于对材料表面的化学成分进行分析,从而了解材料的表面组成、含量和化学状态。
这对于材料研究、表面处理和质量控制非常重要。
3.2 薄膜研究XPS可以评估和分析薄膜材料的表面成分和溢出问题,帮助研究人员更好地理解薄膜的性能和稳定性。
3.3 界面分析XPS可以揭示材料的界面特性,例如界面反应、沉积物和缺陷等。
这对于理解材料的界面性质、界面失效和界面反应具有重要意义。
3.4 催化剂研究XPS可以用于催化剂的表征和性能评估,帮助研究人员了解催化剂的表面组成、氧化状态和反应机制。
3.5 生物材料研究XPS可以用于分析生物材料的表面化学成分和功能基团,帮助研究人员了解生物材料的表面性质和相互作用机制。
XPS表面分析技术在材料研究中的关键应用

XPS设备与分析5
XPS测试设备与分析
• 在单色(或准单色)X射线照射下,测量材 料表面所发射的光电子能谱来获取表面化 学成分、化学态、分子结构等方面的信息, 这种表面分析技术称为X射线光电子能谱 (XPS)。
• XPS由X-ray激发源、样品室、能量分析器、 PSD位置灵敏探测器和数据处理系统及超高 真空系统等组成。
工 作 示 意 图
E k=hv-E b-Φ
式中E k为光电子动能,h v 为激发光能量,E b是固体中电子结合能,Φ为逸出功
XPS表面分析技术在材料研究中的关 键应用
XPS提供的测量信息
XPS设备与分析17
• 元素:XPS能检测除H以外的所有元素,检测限0.1% atom原子浓度。(原子浓度和实际材料配比的摩尔数相 当,在我们日常的检测限:1%-3%)
• 根据样品中各单质元素及化合物的XPS结合能的 特征峰位、峰形,对照结合能标准手册,确定单质 元素及化合物的表面化学状态、化学结构;
• 例如: SnO2薄膜的XPS窄扫描C1s及Sn3d5/2谱图, 经曲线拟合分峰, C1s=285.2eV 、 Sn3d5/2=487.6eV,由于荷电效应,实际测得污染 碳和标准的污染碳相差,那么真实的Sn3d5/2特 征峰的结合能
• XPS图谱 • 曲线拟合分峰 • 确定峰位和强度
XPS设备与分析23
XPS表面分析技术在材料研究中的关 键应用
XPS图谱包含的信息 • 内能级
• 价能级
• 俄歇跃迁系列
XPS表面分析技术在材料研究中的关 键应用
XPS设备与分析24
Ag的XPS宽扫描图(3s,3p,3d )
XPS设备与分析25
材料研究分析方法XPS

材料研究分析方法XPSX射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)是一种广泛应用于材料研究和分析的表征技术。
它利用入射的X射线激发材料表面的电子,测量所产生的光电子的能量分布,从而确定样品的化学组成、元素状态和电子结构等信息。
本文将介绍XPS的基本原理、仪器及其应用。
XPS的基本原理是利用X射线激发材料表面的原子和分子,使其内层电子跃迁到外层,产生光电子。
这些光电子的动能与原子或分子的电子结构、化学环境和束缚能有关。
通过测量光电子的能谱,可以得到元素的化学状态、电荷状态和化学键的形式等信息。
XPS的实验装置一般包括X射线源、光学系统、电子能量分析器和探测器。
X射线源通常是基于一个X射线管,产生具有一定能量和强度的X射线。
光学系统将X射线聚焦到样品表面,同时也可以调节入射角度和区域。
电子能量分析器由能量选择器和探测器组成,能够分析光电子的能量分布。
探测器可以是多个位置灵敏的通道探测器,也可以是二维面探测器,用于测量光电子的能谱图像。
整个实验装置可以通过各种外围设备和计算机进行控制和数据处理。
XPS广泛应用于表面和界面的化学分析、薄膜和涂层的研究、材料的性能表征等领域。
在表面化学分析中,XPS可以用来确定元素的种类和含量,分析化学键的形式和强度,表征材料的化学性质和表面组成。
在薄膜和涂层研究中,XPS可以用来分析薄膜的厚度、界面的结构和反应机理,以及薄膜的成分和含量。
在材料性能表征中,XPS可以用来研究材料的电子结构、能带结构和载流子状态,了解材料的电子特性和导电机制。
XPS作为一种非接触性和表面敏感的表征技术,具有高分辨率、高灵敏度和高静态深度分辨能力等优点。
然而,XPS也有一些局限性,例如不能获取样品的化学状态和元素的价态,不能分析材料的体积成分等。
此外,XPS在样品准备和实验条件等方面要求较高,样品表面必须光滑且真空条件下进行测量。
总体而言,XPS是一种非常有用的表征技术,可以提供材料的表面和界面的化学信息,对于材料研究和分析具有重要的应用价值。
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XPS在材料研究中的应用摘要本文总结了X射线光电子能谱(XPS)的分析原理、研究进展,并介绍了几种XPS在材料研究中的应用分析实例。
关键词XPS,材料,分析1 前言XPS的起源最早可追溯到人们对光电子的研究。
1954年,以瑞典Uppsala大学k.Siegbahn 教授为首的研究中心首次准确测定光电子的动能,不久观测到了元素的化学位移。
由于XPS 能够根据元素的化学位移分析出材料的化学状态,曾被命名为化学分析用电子能谱,即ESCA(ElectronSpectroscopy for Chemical Analysis)。
20世纪70年代末,XPS开始涉足有机物、高分子材料及木质材料领域,80年代末,XPS 的灵敏度及分辨率有了显著提高,现代XPS 正在向着单色、小面积、成像三方向发展。
XPS 以其灵敏度高、破坏性小、制样简单的优点及定性强、能够分析材料表面元素组成及元素化学价态的特点而成为木质材料研究领域中一项重要分析手段。
XPS 基本原理是利用X 射线辐照样品,在样品表面发生光电效应,产生光电子,如图1。
通过对出射光电子能量分布分析,得到电子结合能的分布信息,进而实现对表面元素组成及价态分析。
XPS采样深度与光电子的能量和材料性质有关,在深度为光电子的平均自由程λ 的3 倍处,达到最佳,对金属约为0.5~2 nm;无机物1~3 nm;有机物1~10 nm。
运用XPS 可对木质材料进行定性及定量分析。
图1 X 射线光电子能谱的光电效应原理图图2 XPS 实验装置示意图(a)和光电子能级图(b)2 XPS在材料研究中应用实例X射线光电子能谱XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)也被称作化学分析用电子能谱ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis),其基本原理在单色(或准单色)X 射线照射下,测量材料表面所发射的光电子能谱来获取表面化学成分、化学态、分子结构等方面的信息。
2.1 XPS 分析Ni、Mn价态郑光虎等用固相反应法合成了双钙钛矿Pr2NiMnO6 ,利用x射线光电子能谱对Ni、Mn的价态进行分析。
结果表明,在Pr2NiMnO6。
中,Ni、Mn主要以2价、4价的形式存在。
使用的仪器是ESCALAB 250型光电子能谱仪(美国Thermo Fisher公司)。
测试条件:使用单色化的A1 Kot射线(X射线束斑为500μm)作为激发源,分析室的真空度优于10-9Pa,全谱扫描通能为100 eV,扫描步长为1eV;窄谱扫描通能为30 eV,其中Ni2p3/2:扫描步长为0.1eV,Mn 3s扫描步长为0.05 eV。
图3 Pr2NiMnO6的XPS图谱图3为所制备Pr:NiMnO。
样品的XPS全扫描谱。
从图中可以看出Pr 3d、O 1 S XPS峰较强,Ni 2p、Mn 3s XPS峰较弱。
C 1 S XPS峰的出现表明样品表面存在吸附碳。
本文主要关注Ni和Mn的价态,在钙钛矿体系中Pr是三价的,所以变价的只可能是Ni和Mn,通过对Ni 2p XPS谱进行精细研究可得到Ni的价态。
由于光电子峰Mn2p会受到Ni L M45 M45;俄歇峰一定的干扰,对Mn 3s XPS 谱进行精细扫描分析以求得到较为准确的Mn的价态。
图4 Pr2NiMnO6中Ni 2p3/2的XPS谱及拟合结果图4为Ni的2p,佗芯电子XPS谱图,图中两峰分别为结合能在854—855 eV光电子的Ni 2p耽光电子主峰和861 eV附近的Ni 2p抛卫星峰。
首先对Ni 2p3/2主峰进行单峰拟合,拟合曲线和测量曲线间出现较大的偏差,表明Ni以混合价态的形式存在于Pr2NiMnO。
中(见图4A)。
在单斜结构的双钙钛矿中所有的Ni 均位于NiO。
八面体中心,其化学环境相同,Ni化合价的升高(降低)会导致结合能的变大(变小)。
文献报道的NiO和Ni2O3,中Ni的2p电子结合能数据分别为854.5 eV和855.8 eV,以此数据为基础对Ni 2p3/2的光电子峰进行分峰拟合以求得Ni2+/Ni3+的相对含量。
拟合过程中,考虑到化学环境的改变会导致Pr2NiMnO6中Ni结合能的变化,在保持两个子峰半高宽相等的条件下,改变调试Ni2+、Ni3+的结合能数据进行多次拟合直至拟合曲线与测量曲线有较好的符合(见图4B)。
结果表明Ni离子以2价为主,占74.1%。
图5 Pr2NiMnO6中Mn 3s的XPS谱及拟合结果通过分析Mn 3s光电子谱来判断钙钛矿中Mn的价态已有研究报道。
由于Mn 3s和Mn 3d电子的交换作用,Mn 3s光电子峰会发生劈裂,其劈裂程度和Mn的价态有关,Mn3+3s劈裂峰能量差为5.5 eV,而Mn4+的劈裂能量差为4.5 eV。
在Pr2NiMnO6中,对Mn 3s光电子峰进行洛仑兹曲线拟合,其劈裂能量差为4.69 eV(见图4),表明Mn4+含量大致为81%。
此结果与Ni 2p拟合分析结果吻合较好,符合电中性原理。
因此可以认为Pr2NiMnO6中,Ni2+、Mn4+含量在0.8 f.u左右。
2.2 XPS 研究加氢脱硫催化剂活性元素化学态邱美丽等利用XPS和谱图解析法Co-Mo/Al2O3(SiO2)和Ni-W/Al2O3 加氢脱硫催化剂Mo、W活性组分的化学态。
在Thermo Fiseher一V G 公司ESCALAB 250型X射线光电子能谱仪上进行XPS分析实验所用激发源为单色化功率为150W 的AIKa X 射线,荷电效应用来自载体Al2O3的峰(74 .7 eV )或来自SiO2的Si 2p峰( 10 3. 6 eV ) 校正。
2.2.1 Mo的化学态氧化态加氢脱硫催化剂中Mo通常以MoO3形式存在, 其Mo3d5/2结合能约为232 .0 eV 。
由于硫化态催化剂的XPS谱中S2s与Mo3d 谱峰重迭, 在对Mo3d XPS谱进行拟合时, 必须扣除S2s的影响。
图6为硫化态Co-Mo/Al2O3的Mo3d XPS谱。
从图6可知,该样品中的Mo主要有3 种价态:+ 4 + 5 和+ 6 。
其中Mo3d5/2结合能为228 .8 eV的谱峰对应于+ 4 价的MoS2和Co-Mo-S 相, Co-Mo/Al2O3催化剂的活性组分. 研究人员常用n(Mo4+)/n(Mo total)来判断该催化剂中Mo的硫化度, 如本样品中Mo的硫化度为83 .5 % 。
需要指出的是, MoS2和Co-Mo-S相的Mo3d 5/2结合能仅相差0. 2 ev,超出X P S 的能量分辨能力(士0.2 eV ) ,因此很难将它们区分开。
此外, + 4 价的Mo和MoO x S y , 的Mo3d5/2结合能仅比MoS2高约0 . 2-0.4 ev , 3 种+ 4 价Mo的谱峰很难分开。
位于230 .2 eV 处的Mo3d5/2峰对应于+ 5 价M2O5和MoO x S y结合能为2 32. 6 eV 的Mo3d5/2二峰来自+ 6价MoO3和MoO x S y催化剂中的非硫化态Mo主要是催化剂未硫化完全导致的。
此外, 在样品保存和转移过程中较长时间接触空气也可能导致Mo 被重新氧化。
图6 硫化态Co-Mo/Al2O3催化剂Mo3d+S2s XPS拟合谱a - Mo3p3/2 of Mo4+;b - N1s and Mo3p3/2 of higher chemical states;c - Mo3p1/22.2.2 钨(W)的化学态氧化态加氢脱硫催化剂中W通常以WO3形式存在, 其W 4f7/2结合能约为36 .0 eV 。
图7为硫化态Ni-W / Al2O3催化剂的W 4f 拟合谱。
由图7可以看出, 该样品中的W有+ 4 、+ 5 和+ 6 三种价态, 其中位于32.3 eV 的W 4 f7/2峰来自具有催化活性的WS2和Ni-W-S相, 研究人员常用,n(W4-)/n(W total)的大小来判断W 的硫化度。
该催化剂硫化度为72. 3 % 。
位于33 .0 eV 的W 4f7/2峰对应于+ 5价W2O5和WO x S y,36.0 eV 的谱峰来自+ 6 价WO3和W O x S y+5和+6 价W 是催化剂未硫化完全造成的, 但若在样品保存和转移过程中较长时间接触空气也将导致硫化态W 被氧化。
图7 硫化态Ni-W/Al2O3催化剂的W4f XPS 拟合谱a - W4+;b - W5+;c - W5+;d - W5p3/2 of W4+2.3UC表层的XPS研究伏晓国等采用X 射线光电子能谱(XPS分析研究了烧结UC(包括钚的碳化物)样品的表面层结构。
实验所用XPS谱仪为PHI-5600 ESCA。
谱仪配置了大功率离子泵和钛升华泵,其分析室(SAC)本底真空优于6.0×10-8Pa。
X 射线源为Mg/Al双阳极,发射电压15 kV,功率300 W。
本实验XPS谱的获取均采用Mg 的Kα (1 253.6 eV)射线。
谱仪能量分析器为半球能量分析器(HMA),采用脉冲计数模式。
当通道能量为58.7 eV 时,用Ag 3d5/2峰(368.26 eV)标定ESCA 谱仪,谱峰半高宽(FWHM)为0.8 eV。
氩离子枪蚀刻UC 样品表面时,氩离子束能量为3 keV,束流5.2 μA,束斑3.5 mm×3.5 mm。
2.3.1 UC表层的U4f和C1s谱图8 试样表层U4f谱随溅射时间的变化试样表层U4f 谱随溅射时间的变化示于图1。
由图8可知,溅射过程中U4f 峰的峰形和伴峰结构均发生了明显的变化,这表明在不同深度处铀的化学价态不一样。
试样原始表面(溅射0 min)U4f7/2峰结合能为380.6 eV,且在高结合能端相距约6.3 eV 和8.2 eV处出现2个较弱的紧邻的伴峰,这与Allen关于UO2+x 的报道一致。
溅射2 min 后,U4f7/2峰结合能为380.5eV,主峰高结合能端相距6.9 eV 处出现了UO2 特有的卫星峰,这表明试样表面形成的UO2+x层很薄。
累计溅射20 min 后,U4f5/2峰和U4f7/2峰均呈双峰结构,半高宽(FWHM)明显增大,详尽的拟合分析表明,此时铀以UO2 和UC 2 种化学状态存在。
溅射6 min 时U4f7/2 峰的拟合谱示于图9。
图中结合能为378.2 eV的峰为UC,结合能为380.5 eV 的峰归因于UO2。
当溅射时间为30 min 时,UC 所在谱峰愈加明显,而UO2所在谱峰明显减弱。
当溅射至90 min 后,O1s 谱不再随溅射时间的增加明显减小,U4f 谱也不再发生明显变化,此时已得到UC 的清洁表面,其U4f7/2峰结合能为378.2 eV。