IC封装制程
4.封装流程介绍
入出料主要是将导线架 （ Lead Frame）由物料 盘 ） （Magazine）送上输送架 ） （Bar or Bridge）进入模具 ） 内做冲切；在机台中， 内做冲切；在机台中，入出 料机构的夹具动作大多以气 压作动。 压作动 magazine
F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同，均以 F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同， 入料机构和D/T的入料机构大致相同 magazine作为入料盒 至于出料方式，D/T为 作为入料盒， magazine作为入料盒，至于出料方式，D/T为 magazine， F/S工作行程最后均将IC从导线架 工作行程最后均将IC magazine，而F/S工作行程最后均将IC从导线架 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 1.Tray盘 2.Tube管 1.Tray盘 2.Tube管
固化后取出。 固化后取出。
Epoxy Molding Compound
IC塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为 (EMC)其作用为填充模穴 其作用为填充模穴(Cavity) 其作用为填充模穴 将导线架(L/F)完全包覆，使銲线好 完全包覆， 将导线架 完全包覆 的芯片有所保护。 的芯片有所保护。
Tie Bar
4.成型（Forming） 4.成型（Forming） 成型 的目的： 的目的：
将已去框（ 将已去框（Singulation） ） Package之Out Lead以连 之 以连 续冲模的方式， 续冲模的方式，将产品脚 弯曲成所要求之形状。 弯曲成所要求之形状。
海 鸥 型 引 脚 插 入 型
Heat Slug Attach
Molding
MD(封胶 封胶) 封胶 (Molding)
IC封装制程介绍基本
電 鍍 設 備
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➢切筋/成型
傳統IC封裝製程
利用機械模具，將引腳間金屬連接桿和引線框切除，使 外腳與內部線路成單一通路。將已切筋后的料件引腳， 以連續沖模的方式將之彎曲成所要求之形狀。
成型機
Trim & Form
引腳形狀
海鷗型 插入型
J型
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傳統IC封裝製程
➢電性測試
22
傳統IC封裝製程
➢印碼
在產品的表面刻(印)上廠商LOGO,產品名稱,生產日期,生產批次等.
鐳射刻字 (laser)
油墨印碼 (ink)
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傳統IC封裝製程
➢包裝-出貨
Tray 盤
管 裝
卷 帶
24
Thank You
25
粘 片前
點膠
粘片
粘片完成
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➢焊線
傳統IC封裝製程
用金線、銅線、或鋁線把 Pad和 Lead通過焊接的方法連接起來。
焊線前
焊線
焊線后
實物圖
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傳統IC封裝製程
➢焊線過程分解
瓷嘴Capillary
EFO打火桿烧球
Cap在芯片的Pad上 Cap牽引金線上升 加力和超聲波焊球
Cap運動軌跡形 成弧度
Cap下降到Lead 焊接
基片型封裝（高級）：BGA
6
常見IC封裝結構
➢Lead frame封裝
Die 晶片
Bonding wire 焊線
Molding compound 封膠
Leadframe 引綫架
Plating 鍍層
Die attach material (silver paste) 贴晶材料（銀膠）
IC封装产品及制程简介
Bus bar
Signal
Signal
Signal
Signal
Bus bar tape
IC chip
Sectional View
wire
Inner Lead
tape
IC chip
Process Flow Chart, Equipment & Material
FLOW
PROCESS WAFER BACKGRINDRING
PIN PTH IC
J-TYPE P
BALL BGA
BUMPING F/C
IC Package Family
PTH IC：DIP── SIP、PDIP(CDIP)
PGA
SMD IC: SOIC ── SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJ
LCC ── PLCC/CLCC
QFP ── 14×20/28×28、
LQFP)
10×10/14×14(TQFP、MQFP、 Others ── BGA、TCP、F/C
Something about IC Package Category
PTH IC：1960年代发表，至今在一些低价的电子组件上仍被广泛应用。 DIP ──美商快捷首先发表 CDIP。由于成本技术的低廉，很快成为当时主要的 封装形式；随后更衍生出 PDIP、SIP等。 PGA ──美商IBM首先发表，仅应用于早期的高阶 IC封装上，其Grid Array的 概念后来更进一步转换成为 BGA的设计概念。
EQUIPMENT SIBUYAMA-508
DIE SAW DIE ATTACH WIRE BOND MOLDING
DISCO 651
HITACHI CM200( LOC) HITACHI LM400(LOC)
Wafer制程及IC封装制程
晶棒
图片来源：中德公司
IC封装制程
1 2 3
IC封装目的 现有的IC封装型式 IC封装流程
IC封装制程
一、IC封装的目的
• 保护IC • 热的去除 • 讯号传输 • 增加机械性质与可携带性
IC封装制程
二、现有的IC封装型式(1)
IC封装制程
二、现有的IC封装型式(2)
WLCSP封装
投入研三菱电子等。
Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰
成型
去胶 去纬 去框 成型
（1）去胶（Dejuck）：是 指利用机械磨具将脚间的 费胶去除。即利用冲压的 刀具（Punch）去除介于胶 体（Package）与Dam Bar 之间的多余的溢胶。
成型
（2）去纬（Trimming）：是 指利用机械磨具将脚间金属连 杆切除。 （3）去框（Singulation）： 是指将已完成印章制程之 Lead Frame以冲模的方式将 Tie Bar切除，使Package与 Lead Frame分开，以方便下一 个制程作业。
Wafer制程及IC封装制程
报告人：Wendy
报告内容
前言
Wafer 制程 IC封装制程
前言
IC制程
前道工序 （1）晶圆片制造 （2）晶圆制造
后道工序
（1）晶圆测试 （2）IC芯片封装 及测试
Wafer制程
一、晶圆片制造
1 step
product
硅晶棒
2 step
晶圆片
4 step
切片
3 step
切筋成型
切筋(Trim)：把塑封后的框架状态的制品分割成一个一个的IC 成型(Form)：对Trim后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形 状,放置进Tube或者Tray盘中；
芯片封装流程
芯片封装流程芯片封装是指将芯片芯片和其他器件或材料组合在一起，形成一个完整的电子元件，以便更方便地使用和安装。
下面将详细介绍芯片封装的流程。
芯片封装的流程大致分为准备工作、芯片测试、封装材料选择、封装工艺流程、封装测试以及封装后的检测和包装等几个步骤。
首先是准备工作。
在芯片封装前，需要准备好芯片、基板、导线、焊锡球、封装材料等所需的器件和材料。
同时，还需准备好相关的设备和工装，如焊接机、钳子、微镜等。
接下来是芯片测试。
在进行封装前，必须对芯片进行测试，以确认芯片的功能和性能是否正常。
测试过程包括电气特性测试、可靠性测试、耐久性测试等。
只有通过了测试的芯片才会进行封装。
然后是封装材料的选择。
选择合适的封装材料对于芯片封装的成功至关重要。
封装材料要具有良好的导电性、导热性和绝缘性，能够保护芯片免受灰尘、湿气和机械损伤。
常用的封装材料有芯片胶、封装胶、密封胶等。
接下来是封装工艺流程。
封装工艺流程包括焊接、磨砂、切割等多个步骤。
首先是焊接。
将芯片和基板通过焊接机器的热熔处理连接在一起，然后使用焊锡球或焊锡线进行焊接。
之后是磨砂。
为了保证封装后的外观和规格要求，需要对焊接完成的芯片进行磨砂处理，使其表面光滑均匀。
最后是切割。
将封装后的芯片按照需要的尺寸进行切割。
紧接着是封装测试。
封装测试主要是对封装后的芯片进行功能测试、可靠性测试和外观检查。
通过这些测试，可以确保封装后的芯片达到设计要求，并且没有明显的缺陷或损坏。
最后是封装后的检测和包装。
这一步骤主要是对封装后的芯片进行一些必要的检查和包装工作。
检测包括外观检查、尺寸检查、性能检查等。
然后将芯片放入适当的包装盒或袋中，标明相关信息，便于存储和运输。
总结起来，芯片封装的流程包括准备工作、芯片测试、封装材料选择、封装工艺流程、封装测试以及封装后的检测和包装。
每个步骤都非常重要，需要精确操作和仔细检查，以确保封装后的芯片性能和质量达到要求。
芯片封装作为电子产业的重要环节，对于提高芯片的可靠性和稳定性具有重要意义。
集成电路封装制程知识
集成电路封装制程知识
集成电路的制造包括芯片制造、芯片封装、测试三个制程。
目前本公司只进行芯片封装和测试两个制程，封装的制程如下：
1.划片
这道工序是将晶圆贴在蓝膜上，并将晶圆切割成芯粒。
2.粘片
这道工序是为了使芯片和框架之间形成一个良好的欧姆接触。
3.压焊
这道工序是为了将粘片完成后的芯片，使其芯片内引线和框架外引线用金丝键合在一起，从而使内外引脚连接起来。
4.塑封
这道工序是为了将压焊完成后的芯片进行包装，确保芯片和外界保持清洁、无干扰。
5.打印
这道工序是为了将塑封好的产品进行打印标识，使人明白这电路的型号和规格。
6.冲溢料
这道工序是为了除去管脚之间的塑封溢料及连筋，使电路更美观整洁。
7.喷砂
这道工序是为了将产品表面的油渣、生刺和溢料去除，以达到电镀的技术要求。
8.电镀
这道工序是将产品的引脚表面镀上一层纯锡，以提高其抗氧化性并增加其导电性。
9.冲切
这道工序是电镀好的产品冲切成单个的成形品。
10.测试
这道工序是测试产品的电性参数，将合格品和不合格品分开，防止电性不良产品出货。
其它还有：外检、编带、包装等辅助工序。
IC芯片封装流程
IC芯片封装流程
IC芯片封装是指将制造好的芯片封装到封装材料中，以保护芯片的外部环境，提供电气连接，同时方便印刷线路板上插装既提供电气连接，又一定程度上可以增强集成块的可靠性和寿命。
IC芯片封装流程通常包括以下几个步骤：
1.芯片背面处理：首先对芯片背面进行处理，用特殊的涂覆剂或胶水将芯片与封装物质粘接在一起，同时提供固定和导电的功能。
2.粘接芯片：将芯片放置在封装模具的基座上，使芯片与基座的位置对齐，并使用紫外线或热处理适当加热固化。
3.排列焊点：将封装胶水涂覆到芯片的金属焊盘，然后使用针或其他工具将焊线排布在合适的位置。
4.环氧封装：将芯片放置在环氧树脂中，用压力和热量实现芯片与封装物质之间的完全粘结，并确保芯片不会受到机械或温度应力的影响。
5.外观检验：对封装后的IC芯片进行外观检验，确保芯片没有明显的损坏或缺陷。
6.电性能测试：将封装好的芯片连接到测试设备，测试其电气性能，如电流、电压、频率等，以确保芯片的功能正常。
7.标识和包装：根据芯片的型号和要求，在芯片或封装材料上进行标识，然后将芯片放入适当的包装盒或袋中，并进行密封，以防止芯片受到外界环境的影响。
8.成品检验：对已封装的IC芯片进行仔细的检查和测试，确保芯片的质量符合标准，并记录相关数据。
9.存储和出货：妥善存储已封装好的IC芯片，根据客户需求，安排发货。
10.售后服务：对于客户反馈的问题进行处理，提供售后服务和技术支持。
封装流程中的每个步骤都是非常重要的，任何一个环节的失误都可能导致芯片封装质量不合格，影响芯片的可靠性和性能。
因此，封装工艺的完善和精确执行对于芯片制造厂商来说至关重要。
ic封装工艺流程
ic封装工艺流程
《IC封装工艺流程》
IC（集成电路）封装是将芯片连接到外部引脚，并用封装材料封装芯片，以保护芯片不受外部环境影响并方便与外部系统连接的过程。
IC封装工艺流程是整个封装过程的一个重要组成
部分，它涉及到多个工序和设备，需要经过精密的操作才能完成。
下面是一个常见的IC封装工艺流程：
1. 衬底制备：首先，要准备好用于封装的衬底材料，通常是硅片或陶瓷基板。
这些衬底要经过清洗、平整化和涂覆胶水等处理。
2. 光刻：在衬底上使用光刻技术，将芯片中的元件图形和结构图案化到衬底表面。
3. 沉积：在光刻完成后，需要进行金属沉积和薄膜沉积等工艺，用以形成芯片中的导线和连接器。
4. 清洗和蚀刻：清洗和蚀刻是用来去除未用到的材料和残留物，以确保芯片的纯净度和连接的可靠性。
5. 封装：经过以上步骤，芯片的导线和连接器已经形成，接下来就是将芯片封装在保护壳中，并连接引脚，以保护芯片和方便与外部系统连接。
6. 测试：最后，需要对封装好的芯片进行测试，以确保其性能
和连接的可靠性。
IC封装工艺流程是一个复杂和精密的过程，需要经验丰富的工程师和精密的设备来完成。
随着科技的不断发展，IC封装工艺流程也在不断改进和优化，以适应不同类型的芯片和不同的应用场景。
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。
半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為PDID：Plastic Dual Inline PackageSOP：Small Outline PackageSOJ：Small Outline J-Lead PackagePLCC：Plastic Leaded Chip CarrierQFP：Quad Flat PackagePGA：Pin Grid ArrayBGA：Ball Grid Array雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。
從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。
圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。
請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。
圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。
當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。
半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
須經過下列主要製程才能製造出一片可用的晶片，以下是各製程的介紹：（１）長晶（CRYSTAL GROWTH）：長晶是從矽沙中(二氧化矽)提鍊成單晶矽，製造過程是將矽石(Silica)或矽酸鹽 (Silicate) 如同冶金一樣，放入爐中熔解提鍊，形成冶金級矽。
冶金級矽中尚含有雜質，接下來用分餾及還原的方法將其純化，形成電子級矽。
雖然電子級矽所含的矽的純度很高，可達 99.9999 99999 %，但是結晶方式雜亂，又稱為多晶矽，必需重排成單晶結構，因此將電子級矽置入坩堝內加溫融化，先將溫度降低至一設定點，再以一塊單晶矽為晶種，置入坩堝內，讓融化的矽沾附在晶種上，再將晶種以邊拉邊旋轉方式抽離坩堝，而沾附在晶種上的矽亦隨之冷凝，形成與晶種相同排列的結晶。
隨著晶種的旋轉上升，沾附的矽愈多，並且被拉引成表面粗糙的圓柱狀結晶棒。
拉引及旋轉的速度愈慢則沾附的矽結晶時間愈久，結晶棒的直徑愈大，反之則愈小。
右圖(摘自中德公司目錄)為中德電子材料公司製作的晶棒(長度達一公尺，重量超過一百公斤)。
（２）切片（SLICING）：從坩堝中拉出的晶柱，表面並不平整，經過工業級鑽石磨具的加工，磨成平滑的圓柱，並切除頭尾兩端錐狀段，形成標準的圓柱，被切除或磨削的部份則回收重新冶煉。
接著以以高硬度鋸片或線鋸將圓柱切成片狀的晶圓(Wafer) (摘自中德公司目錄)。
（３）邊緣研磨（EDGE－GRINDING）：將片狀晶圓的圓周邊緣以磨具研磨成光滑的圓弧形，如此可(1)防止邊緣崩裂，(2)防止在後續的製程中產生熱應力集中，(3)增加未來製程中鋪設光阻層或磊晶層的平坦度。
（４）研磨（LAPPING）與蝕刻（ETCHING）：由於受過機械的切削，晶圚表面粗糙，凹凸不平，及沾附切屑或污漬，因此先以化學溶液(HF/HNO3)蝕刻(Etching)，去除部份切削痕跡，再經去離子純水沖洗吹乾後，進行表面研磨拋光，使晶圓像鏡面樣平滑，以利後續製程。
研磨拋光是機械與化學加工同時進行，機械加工是將晶圓放置在研磨機內，將加工面壓貼在研磨墊(Polishing Pad)磨擦，並同時滴入具腐蝕性的化學溶劑當研磨液，讓磨削與腐蝕同時產生。
研磨後的晶圓需用化學溶劑清除表面殘留的金屬碎屑或有機雜質，再以去離子純水沖洗吹乾，準備進入植入電路製程。
（5）退火（ANNEALING）：將晶片在嚴格控制的條件下退火，以使晶片的阻質穩定。
（6）拋光（POLISHING）：晶片小心翼翼地拋光，使晶片表面光滑與平坦，以利將來再加工。
（7）洗淨（CLEANING）：以多步驟的高度無污染洗淨程序－包含各種高度潔淨的清洗液與超音動處理－除去晶片表面的所有污染物質，使晶片達到可進行晶片加工的狀態。
（8）檢驗（INSPECTION）：晶片在無塵環境中進行嚴格的檢查，包含表面的潔淨度、平坦度以及各項規格以確保品質符合顧客的要求。
（9）包裝（PACKING）：通過檢驗的晶片以特殊設計的容器包裝，使晶片維持無塵及潔淨的狀態，該容器並確保晶片固定於其中，以預防搬運過程中發生的振動使晶片受損。
經過晶圓製造的步驟後，此時晶圓還沒任何的功能，所以必須經過積體電路製程，才可算是一片可用的晶圓。
以下是積體電路製程的流程圖：磊晶微影氧化擴散蝕刻金屬連線磊晶(Epitoxy)指基板以外依元件製程需要沉積的薄膜材料，其原理可分為：(１) 液相磊晶 (Liquid Phase Epitoxy，LPE)LPE 的晶體成長是在基板上將熔融態的液體材料直接和晶片接觸而沉積晶膜，特別適用於化合物半導體元件，尤其是發光元件。
(２) 氣相磊晶 (Vapor Phase Epitoxy，VPE)VPE 的原理是讓磊晶原材料以氣體或電漿粒子的形式傳輸至晶片表面，這些粒子在失去部份的動能後被晶片表面晶格吸附 (Adsorb)，通常晶片會以熱的形式提供能量給粒子，使其游移至晶格位置而凝結 (Condensation)。
在此同時粒子和晶格表面原子因吸收熱能而脫離晶片表面稱之為解離 (Desorb)，因此 VPE 的程序其實是粒子的吸附和解離兩種作用的動態平衡結果，如下圖所示。
VPE 依反應機構可以分成 (ａ) 化學氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition，CVD) 和 (ｂ) 物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition，PVD)兩種技術。
CVD 大致是應用在半導體晶膜和氧化層的成長。
PVD 主要適用於金屬接點連線的沉積。
(３) 分子束磊晶 (Molecular Beam Epitoxy，MBE)MBE 是近年來最熱門的磊晶技術，無論是 III-V、II-VI 族化合物半導體、Si 或者 SixGe1-x等材料的薄膜特性，為所有磊晶技術中最佳者。
MBE 的原理基本上和高溫蒸鍍法相同，操作壓力保持在超真空 (Ultra High Vacuum，UHV) 約 10-10 Toor 以下，因此晶片的裝載必須經過閥門的控制來維持其真空度。
微影(Lithography)微影 (Lithography) 技術是將光罩 (Mask) 上的主要圖案先轉移至感光材料上，利用光線透過光罩照射在感光材料上，再以溶劑浸泡將感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻圖案會和光罩完全相同或呈互補。
由於微影製程的環境是採用黃光照明而非一般攝影暗房的紅光，所以這一部份的製程常被簡稱為”黃光”。
為了加強光阻覆蓋的特性，使得圖轉移有更好的精確度與可靠度，整個微影製程包含了以下七個細部動作。
(１) 表面清洗：由於晶片表面通常都含有氧化物、雜質、油脂和水分子，因此在進行光阻覆蓋之前，必須將它先利用化學溶劑 (甲醇或丙酮) 去除雜質和油脂，再以氫氟酸蝕刻晶片表面的氧化物，經過去離子純水沖洗後，置於加溫的環境下數分鐘，以便將這些水分子從晶片表面蒸發，而此步驟則稱為去水烘烤(Dehydration Bake)，一般去水烘烤的溫度是設定在100~200 ºC 之間進行。
(２)塗底 (Priming)：用來增加光阻與晶片表面的附著力，它是在經表面清洗後的晶片表面上塗上一層化合物，英文全名為”Hexamethyldisilizane”(HMDS)。
HMDS 塗佈的方式主要有兩種，一是以旋轉塗蓋 (Spin Coating)，一是以氣相塗蓋 (Vapor Coating)。
前者是將 HMDS 以液態的型式，滴灑在高速旋轉的晶片表面，利用旋轉時的離心力，促使 HMDS 均勻塗滿整個晶片表面；至於後者則是將 HMDS 以氣態的型式，輸入放有晶片的容器中，然後噴灑在晶片表面完成 HMDS 的塗佈。
(３)光阻覆蓋：光阻塗佈也是以旋轉塗蓋或氣相塗蓋兩種的方式來進行，亦即將光阻滴灑在高速旋轉的晶片表面，利用旋轉時的離心力作用，促使光阻往晶片外圍移動，最後形成一層厚度均勻的光阻層；或者是以氣相的型式均勻地噴灑在晶片的表面。
(４)軟烤 (Soft Bake)：軟烤也稱為曝光前預烤 (Pre-Exposure Bake) 在曝光之前，晶片上的光阻必須先經過烘烤，以便將光阻層中的溶劑去除，使光阻由原先的液態轉變成固態的薄膜，並使光阻層對晶片表面的附著力增強。
(５)曝光：利用光源透過光罩圖案照射在光阻上，以執行圖案的轉移。
(６)顯影：將曝光後的光阻層以顯影劑將光阻層所轉移的圖案顯示出來。
(７)硬烤：將顯影製程後光阻內所殘餘的溶劑加熱蒸發而減到最低，其目的也是為了加強光阻的附著力，以便利後續的製程。
氧化（Oxidation）氧化(Oxidation)是半導體電路製作上的基本熱製程。
氧化製程的目的是在晶片表面形成一層氧化層，以保護晶片免於受到化學作用和做為介電層(絕緣材料)。
擴散（Diffusion）擴散(Diffusion)是半導體電路製作上的基本熱製程。
其目的是藉由外來的雜質，使原本單純的半導體材料的鍵結型態和能隙產生變化，進而改變它的導電性。
蝕刻（Etching）泛指將材料使用化學或物理方法移除的意思，以化學方法進行者稱之為濕式蝕刻(Wet Etching)，是將晶片浸沒於化學溶液中，因為化學溶液與晶片表面產生氧化還原作用，而造成表面原子被逐層移除；以物理方法進行蝕刻程序稱之為乾式蝕刻 (Dry Etching)，主要是利用電漿離子來轟擊晶片表面原子或是電漿離子與表面原子產生化合反應來達到移除薄膜的目的。
金屬連線金屬連線製程是藉由在矽晶塊 (Die) 上形成薄金屬膜圖案，而組成半導體元件間的電性的連接。
以歐姆式接觸 (Ohmic Contact) 而言，金屬直接和矽表面接觸，且在矽表面形成一金屬 / 矽的介面，當金屬沉積覆蓋整個晶圓表面時，藉由蝕刻去掉不需存留的金屬，形成元件間彼此的連接。