霍尔效应试验和霍尔法测量磁场
霍尔效应实验和霍尔法测量磁场

DH-MF-SJ 组合式磁场综合实验仪使用说明书一、概述DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法,通过施加磁场 , 可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度,以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
二、主要技术性能1、环境适应性:工作温度10 ~ 35℃;相对湿度 25 ~ 75%。
2、通用磁学测试仪2.1可调电压源: 0~15.00V、 10mA;2.2可调恒流源: 0~5.000mA 和 0~9.999mA可变量程,为霍尔器件提供工作电流,对于此实验系统默认为0-5.000mA 恒流源功能;2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置,实现单独的电压源和电流源功能;2.4电流电压调节均采用数字编码开关;2.5数字电压表: 200mV、2V 和 20V 三档,4 位半数显,自动量程转换。
3、通用直流电源3.1 直流电源,电压0~30.00V 可调;电流 0~1.000A 可调;3.2 电流电压准确度: 0.5%±2 个字;3.3 电压粗调和细调,电流粗调和细调均采用数字编码开关。
4、测试架4.1底板尺寸: 780*160mm;4.2载物台尺寸: 320*150mm,用于放置螺线管和双线圈测试样品;4.3螺线管:线圈匝数 1800 匝左右 , 有效长度 181mm,等效半径 21mm;4.4双线圈:线圈匝数1400 匝( 单个 ) ,有效直径 72mm,二线圈中心间距 52mm;下表为电流与磁感应强度对应表( 双个线圈通电 ) :电流值( A)0.10.20.30.40.5中心磁感应强度( mT) 2.25 4.50 6.759.0011.254.5移动导轨机构:水平方向 0~60cm可调;垂直方向 0~36cm可调,最小分辨率 1mm;5、供电电源: AC 220V± 10%,总功耗: 60VA。
三、仪器构成及使用说明DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。
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霍尔效应实验和霍尔法测量磁场实验步骤:
1. 准备工作:将霍尔片连接到电压源之前,清洁表面以去除任何污垢或氧化物。
2. 设置电路:将霍尔片连接到电源和电流计。
将电源设置为所需的电压,并调整电流计以检测所需的电流。
3. 测量电流:将电流通过霍尔片,并测量通过霍尔片的电流。
4. 测量电压:使用万用表或示波器测量霍尔片两侧的电势差。
5. 计算磁场强度:使用磁场计测量磁场的强度,并使用计算公式将测量结果转换为磁场强度值。
6. 分析结果:分析数据并确认是否得到符合预期的结果。
如果需要,可以对数据进行进一步处理和分析。
以上是霍尔效应实验和霍尔法测量磁场实验的一般步骤,具体实验步骤还需参考实验手册和相关文献。
DH4512系列霍尔效应实验仪

霍尔效应和霍尔法测量磁场DH4512系列霍尔效应实验仪(实验讲义)使用说明书杭州大华科教仪器研究所杭州大华仪器制造有限公司DH4512系列霍尔效应实验仪使用说明一、概述DH4512系列霍尔效应实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法,通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度,以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
DH4512采用双个圆线圈产生实验所需要的磁场(对应实验一内容);DH4512B型采用螺线管产生磁场(对应实验一、实验二的内容);DH4512A组合了DH4512和DH4512B的功能,含有一个双线圈、一个螺线管和一个测试仪。
图1-1 DH4512霍尔效应双线圈实验架平面图图1-2DH4512霍尔效应螺线管实验架平面图二、仪器构成DH4512型霍尔效应实验仪由实验架和测试仪二个部分组成。
图1-1为DH4512型霍尔效应双线圈实验架平面图,图1-2为DH4512型霍尔效应螺线管实验架平面图;图1-3为DH4512型霍尔效应测试仪面板图。
图1-3 DH4512系列霍尔效应测试仪面板三、主要技术性能1、环境适应性:工作温度10~35℃;相对湿度25~75%。
2、DH4512型霍尔效应实验架(DH4512、DH4512A)二个励磁线圈:线圈匝数1400匝(单个);有效直径72mm;二线圈中心间距52mm。
电流值(A)0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 中心磁感应强度(mT) 2.25 4.50 6.75 9.00 11.25 移动尺装置:横向移动距离70mm,纵向移动距离25mm;霍尔效应片类型:N型砷化镓半导体。
3、DH4512B型霍尔效应螺线管实验架(DH4512A 、DH4512B):线圈匝数1800匝,有效长度181mm,等效半径21mm;移动尺装置:横向移动距离235mm,纵向移动距离20mm;霍尔效应片类型:N型砷化镓半导体。
4、DH4512型霍尔效应测试仪DH4512型霍尔效应测试仪主要由0~0.5A恒流源、0~3mA恒流源及20mV/2000mV量程三位半电压表组成。
大学物理实验报告霍尔效应

大学物理实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器,测量霍尔电压和励磁电流,并计算霍尔系数和载流子浓度。
二、实验原理1、霍尔效应置于磁场中的载流导体,如果电流方向与磁场方向垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一横向电势差,这种现象称为霍尔效应。
设导体中的载流子为电子,它们以平均速度 v 沿 x 方向定向运动。
在磁场 B 作用下,电子受到洛伦兹力 F = e v × B,其中 e 为电子电荷量。
洛伦兹力使电子向导体一侧偏转,从而在导体两侧产生电荷积累,形成横向电场 E。
当电场力与洛伦兹力达到平衡时,有 e E = e v B,即 E = v B。
此时产生的横向电势差称为霍尔电压 UH ,UH = E b ,其中 b 为导体在磁场方向的宽度。
2、霍尔系数霍尔电压 UH 与电流 I 和磁场 B 以及导体的厚度 d 有关,其关系式为 UH = R H I B / d ,其中 R H 称为霍尔系数。
对于一种材料,R H 是一个常数,它反映了材料的霍尔效应的强弱。
3、载流子浓度由 R H 的表达式,可推导出载流子浓度 n = 1 /(R H e) 。
三、实验仪器霍尔效应实验仪,包括霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源、数字电压表等。
四、实验内容与步骤1、连接实验仪器按照实验仪器说明书,将霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源和数字电压表正确连接。
2、测量霍尔电压(1)保持励磁电流 IM 不变,改变测量电流 IS 的大小和方向,测量对应的霍尔电压 UH 。
(2)保持测量电流 IS 不变,改变励磁电流 IM 的大小和方向,测量对应的霍尔电压 UH 。
3、绘制曲线根据测量数据,分别绘制 UH IS 和 UH IM 曲线。
4、计算霍尔系数和载流子浓度根据曲线的斜率,计算霍尔系数 R H ,进而计算载流子浓度 n 。
五、实验数据记录与处理1、实验数据记录表格| IM (A) | IS (mA) | UH1 (mV) | UH2 (mV) | UH3 (mV) | UH4 (mV) | UH (mV) |||||||||| 05 | 10 ||||||| 05 | 20 ||||||| 05 | 30 ||||||| 10 | 10 ||||||| 10 | 20 ||||||| 10 | 30 ||||||(注:UH1、UH2、UH3、UH4 分别为在不同测量条件下得到的霍尔电压值,UH 为其平均值。
霍尔效应实验报告 (2)

霍尔效应的研究及利用霍尔效应测磁场实验报告指导老师:姓名:学号:实验日期:一、实验目的1、理解霍尔效应的原理,研究霍尔效应的应用;2、掌握DH4501N型三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪的用法;3、利用霍尔效应法测量磁场大小,并且研究亥姆霍兹线圈的磁场分布规律;二、实验仪器DH4501N三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪(仪器由信号源和测试架两大部分组成)A.仪器面板为三大部分,见下图(1) 。
(1)实验仪面板图1、励磁电流I M输出:前面板右侧,三位半数显电流表,显示输出电流值I M(A),直流恒流输出可调,接到测试架的励磁线圈,提供实验用的励磁电流。
2、霍尔片工作电流I S输出:前面板左侧,三位半数显电流表,显示输出电流值I S(mA),直流恒流输出可调,用于提供霍尔片的工作电流。
以上两组直流恒源只能在规定的负载范围内恒流,与之配套的“测试架”上的负载符合要求。
若要作它用时需注意。
提醒:只有在接通负载时,恒流源才有电流输出,数显表上才有相应显示。
3、V H、Vσ测量输入:前面板中部,三位半数显表显示输入值(mV),用于测量霍尔片的霍尔电压V H及霍尔片长度L方向的电压降Vσ。
使用前将两输入端接线柱短路,用调零旋钮调零。
提醒:I S霍尔片工作电流输出端与V H、Vσ测量输入端,连接测试架时,与测试架上对应的接线端子一一对应连接(红接线柱与红接线柱相连,黑接线柱与黑接线柱相连)。
励磁电流I M输出端连接到测试架线圈时,可以选择接单个线圈与双个线圈。
接双个线圈时,将两线圈串联,即一个线圈的黑接线柱与另一线圈的红接线柱相连。
另外两端子接至实验仪的I M端。
4、二个换向开关分别对励磁电流I M,工作电流I S进行正反向换向控制。
5、一个转换开关对霍尔片的霍尔电压V H与霍尔片长度L方向的电压降Vσ测量进行转换控制。
B. DH4501N三维亥姆霍兹线圈磁场测试架图(2)三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪测试架本测试架的特点是三维可靠调节,见图(2)。
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场

——形成‚具有‘控制变量法’特征的采集实验数 据‛的实验步骤;
•通电螺旋管的磁感应强度的分布
保持激磁电流为 250mA 不变 按照表二要求改变传感器的位置测出对应的 U H 值
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场
五、实验操作 六、数据处理
•霍尔效应的特性研究
解读表1实验数据所能揭示的学科现象
作 U H I B 图,分析现象特征及计算斜率 依据实验数据运用公式计算霍尔元件的灵敏度
U H KH I H B
mA
工作电源
+
双刀开关 螺线管
V- V+ OUT
霍尔元件
读数视窗
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场
四、实验步骤的策划
依据实验原理的依存条件
——形成‚使霍尔元件处于能满足实验原理所要求
的条件‛的实验步骤
霍尔工作电流的调整
U H KB
V 2.50V
V+
——无磁场状态下,使霍尔元件处于标准工作条件; 通过调节霍尔工作电源,使之 U H
使霍尔元件处于正常工作状态 将霍尔元件放置在长直通电螺线管中(保持螺线管电流不变) 改变霍尔元件在螺线管中的位置,用电压表测量霍尔电压 利用霍尔电压与磁感应强度之间的关系测量B的分布特征
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场
三、实验系统的构建 主要实验部件 —— 基于问题元素:霍尔元件 霍尔元件 ——半导体元件 电路特征—— V+、V-、OUT
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场
四、实验步骤的策划
依据实验参量的因果关系
——形成‚具有‘控制变量法’特征的采集实验数 据‛的实验步骤;
•霍尔效应及其特性研究
按表一要求依次改变螺线管电流:每次改变量 50mA 测出对应的 U H 值
霍尔效应法测磁场实验报告

霍尔效应法测磁场实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、掌握霍尔元件的特性和使用方法。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中(磁场方向垂直于薄片平面),当有电流通过时,在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电位差,这种现象称为霍尔效应。
这个横向电位差称为霍尔电压,用$U_H$ 表示。
霍尔电压的大小与电流$I$、磁感应强度$B$ 以及薄片的厚度$d$ 等因素有关,其关系式为:$U_H = K_H IB$其中,$K_H$ 称为霍尔系数,它与半导体材料的性质有关。
2、用霍尔效应法测磁场若已知霍尔元件的灵敏度$K_H$ ,通过测量霍尔电压$U_H$ 和电流$I$ ,就可以计算出磁感应强度$B$ :$B =\frac{U_H}{K_H I}$三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、仪器连接(1)将霍尔效应实验仪的各个部件按照说明书正确连接。
(2)将直流电源、毫安表、伏特表等仪器与实验仪连接好。
2、调节仪器(1)调节直流电源的输出电压,使通过霍尔元件的电流达到预定值。
(2)调节特斯拉计,使其归零。
3、测量霍尔电压(1)在不同的磁场强度下,测量霍尔元件两端的电压。
(2)改变电流的方向,再次测量霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的数据记录在表格中,包括电流、磁场强度、霍尔电压等。
五、实验数据及处理1、实验数据记录|电流(mA)|磁场强度(T)|霍尔电压(mV)(正电流)|霍尔电压(mV)(负电流)|||||||50|01|256|-258||50|02|512|-515||50|03|768|-771||100|01|512|-515||100|02|1024|-1028||100|03|1536|-1542|2、数据处理(1)计算每个测量点的平均霍尔电压:$U_{H平均} =\frac{U_{H正} + U_{H负}}{2}$(2)根据霍尔系数$K_H$ 和平均霍尔电压、电流计算磁场强度:$B =\frac{U_{H平均}}{K_H I}$3、绘制曲线以磁场强度为横坐标,霍尔电压为纵坐标,绘制霍尔电压与磁场强度的关系曲线。
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管线圈内的磁场

霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管线圈内的磁场霍尔效应是一种基于磁场和电场相互作用的物理现象,它可用于测量导体片中的电子浓度、电荷密度和磁场强度等参数。
在实际应用中,霍尔效应主要用于测量磁场强度,特别是在研究电流传输和电子器件中的磁场分布时。
常用的测量方法是通过将霍尔片置于磁场中,测量霍尔电压的大小和方向来确定磁场强度及其方向。
在测量螺线管线圈内的磁场时,最常用的方法是采用霍尔效应法。
测量时,将一个霍尔片置于螺线管线圈的中心,使其与磁场垂直。
当螺线管中有电流流过时,会产生一个稳定的磁场,霍尔片中的电子受磁场作用会分布在霍尔片表面,从而形成一个电荷层。
由于霍尔片的电阻极小,因此当磁场作用在电子上时,电子在霍尔片内部形成的电场可以产生一个微小的电压,即霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁场强度成正比,并且具有极高的精度和稳定性,因此可以用来测量螺线管线圈内的磁场强度及其方向。
在实际应用中,霍尔效应法的测量精度受到许多因素的影响,例如霍尔片的材料、尺寸和温度等因素,以及测量电路的噪声和干扰等因素。
因此,在进行霍尔效应法测量时,需要采取一系列的措施来减小误差,提高测量精度。
一些工业和科研领域使用螺线管制造强磁场,例如MRI设备,核磁共振仪器以及磁力计等。
在这些设备中,螺线管的磁场强度和分布对设备的性能和精度有着重要的影响。
因此,对螺线管中磁场的测量具有重要的意义。
在螺线管中测量磁场时,使用霍尔效应法具有许多优点,例如测量精度高、对磁场分布的敏感性强、不需要接触对象、测量过程简便等。
但是,在实际应用中还需要考虑到许多不同的因素,例如霍尔片的选取、测量电路的搭建、磁场的影响等。
只有在全面考虑这些因素的情况下,才能够保证测量结果的准确性和可靠性。
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DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪使用说明书一、概述DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法,通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度,以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
二、主要技术性能1、环境适应性:工作温度 10~35℃;相对湿度 25~75%。
2、通用磁学测试仪2.1可调电压源:0~15.00V、10mA;2.2可调恒流源:0~5.000mA和0~9.999mA可变量程,为霍尔器件提供工作电流,对于此实验系统默认为0-5.000mA恒流源功能;2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置,实现单独的电压源和电流源功能;2.4电流电压调节均采用数字编码开关;2.5数字电压表:200mV、2V和20V三档,4位半数显,自动量程转换。
3、通用直流电源3.1直流电源,电压0~30.00V可调;电流0~1.000A可调;3.2电流电压准确度:0.5%±2个字;3.3电压粗调和细调,电流粗调和细调均采用数字编码开关。
4、测试架4.1底板尺寸:780*160mm;4.2载物台尺寸:320*150mm,用于放置螺线管和双线圈测试样品;4.3螺线管:线圈匝数1800匝左右,有效长度181mm,等效半径21mm;4.4双线圈:线圈匝数1400匝(单个),有效直径72mm,二线圈中心间距 52mm;下表为电流与磁感应强度对应表(双个线圈通电):电流值(A) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5中心磁感应强度(mT) 2.25 4.50 6.75 9.00 11.254.5移动导轨机构:水平方向0~60cm可调;垂直方向0~36cm可调,最小分辨率1mm;5、供电电源:AC 220V±10%,总功耗:60VA。
三、仪器构成及使用说明`DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。
1、测试架1.双线圈;2.载物台(上面绘制坐标轴线); 3,4 双线圈励磁电源输入接口;5.霍尔元件;6.立杆;7.刻度尺;8.传感器杆(后端引出2组线,一组V输出,输出端管Input;一组为霍尔电势为传感器工作电流Is,输出端管标识为H标识为Output);9.滑座; 10.导轨; 11. 螺线管励磁电源输入接口; 12.螺线管; 13.霍尔工作电流I输入,管标有Input(红正,黑负);S14.霍尔电势V输出,管标有Output(红正,黑负); 15.底座H 图1-1组合式磁场综合实验仪(测试架图)2、通用磁学测试仪(DH0802)1.电压或电流显示窗口(霍尔元件工作电流或电压指示);2.恒流源指示灯;文档Word`3.恒压源指示灯;4.调节旋钮(左右旋转用于减小或增加输出;按下弹起按钮用于恒流源或恒压源最小步进值选择,按照显示值的个、十、百、千位依次循环切换);5.电源输出插座(正极红+,负极黑-,为霍尔元件或传感器提供工作电源;对于此实验,系统默认为恒流输出功能,为霍尔元件提供恒定的工作电流;输出插座与霍尔元件的输入端正负极对应相连,霍尔元件测试线上对应有input标号,连线时请注意!);6. 霍尔电压表(霍尔电势表,200.00mV,2V和20V自动量程转换);7.量程指示灯mV; 8. 量程指示灯V;9.置零键(对某一测试值进行置零,置零后指示灯亮,此时显示值与实际值相差“置零值”;再次按置零键恢复正常测试,电压输入值等于显示值);V,;该输入后用于测量霍尔元件的霍尔电势,负极黑-10.电压输入插座(正极红+H与霍尔元件的输出端正负极对应相连,霍尔元件测试线上对应有output标号,连线时请注意!)。
图1-2通用磁学测试仪面板图1.电压显示窗; 2,3.电压粗调和细调指示灯;4.电压调节旋钮(旋转旋钮增加或减小电压输出;按下弹起旋钮用于粗调和细调切换);5.输出指示灯(灯亮代表输出状态,灯灭代表无输出);6.电源输出状态切换按钮;7. 电流显示窗; 8,9.电流粗调和细调指示灯;10. 电流调节旋钮(旋转旋钮增加或减小电流输出;按下弹起旋钮用于粗调和细调切换);11.电源输出插座(正极红+,负极黑-;输出插座与螺线管或双线圈相连,提供励磁电流,产生测试磁场)。
文档Word`图1-3 DH0801 通用直流电源面板图四、仪器使用注意事项(必读)1.当霍尔片与测试仪未连接好时,严禁开机加电,否则,极易使霍尔片遭受冲击电流而使霍尔片损坏。
2.霍尔片性脆易碎、电极易断,严禁用手去触摸,以免损坏!在需要调节霍尔片位置时,必须谨慎。
3. 通用磁学测试仪的电源“输出”接实验架上的霍尔元件的input输入端子I,红黑对应相连,提供霍尔元件的工作电流;通用磁学测试仪的电压“输S入”接霍尔元件的output端子,用于测量霍尔元件的霍尔电势V,红黑对应H相连;4.通用直流电源的“输出”接双线圈或螺线管,提供励磁电流I;决不M允许将“I输出”接到霍尔元件“Is输入”处,否则一旦通电,会损坏霍尔M片!5.加电前必须保证通用磁学测试仪的霍尔工作电流输出和通用直流电源的励磁电流输出均置零位,严防电流未调到零就开机。
6.为了不使通电线圈过热而受到损害,或影响测量精度,除在短时间读取有关数据,通过励磁电流I外,其余时间最好断开励磁电流。
M7.本仪器为开放式设计性实验,关于设备的使用,请仔细阅读仪器组成与使用说明部分。
文档Word`实验一霍尔效应实验和霍尔法测量磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来,霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
[实验目的]1、霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2、测绘霍尔元件的V—Is,V—I曲线,了解霍尔电势差V与霍尔元HHMH件工作电流I s、磁感应强度B及励磁电流I之间的关系。
M3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
[实验仪器]DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪[实验原理]霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。
如文档Word`图2-1 图2-1所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流图2-1Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。
由于洛仑兹力f作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的L B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f 的作用。
E随着电荷积累的增加,f 增大,当两力大小相等(方向相反)时,f =-f,EEL则电子积累便达到动态平衡。
这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E,相应的电势差称为霍尔电势V。
HH V,向图示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受设电子按均一速度洛仑兹力为:V B-e f =L V为电子漂移平均速度,B为磁感应强度。
式中:e 为电子电量,同时,电场作用于电子的力为:f l eVeE????HH E式中:E为霍尔电场强度,V为霍尔电势,l为霍尔元件宽度HH当达到动态平衡时:V B=V/l(1)= f-f HLE设霍尔元件宽度为,厚度为d ,载流子浓度为n ,则霍尔元件的工作l电流为Is?neVld(2)由(1)、(2)两式可得:1IsBIsB(3)V?El??R HHH nedd即霍尔电压V(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比,与霍尔元件的厚H1称为霍尔系数(严格来说,对于半导体材料,度成反比,比例系数R?Hne??313?A?R,它是反映材),从而有在弱磁场下应引入一个修正因子H8ne8??ne?料霍尔效应强弱的重要参数,根据材料的电导率的关系,还可以得到:?????R? 4)(或p?/R?HH?为载流子的迁移率,即单位电场下载流子的运动速度,一般电式中:N子迁移率大于空穴迁移率,因此制作霍尔元件时大多采用型半导体材料。
当霍尔元件的材料和厚度确定时,设:文档Word`(5)nedd?R/?l/K HH将式(5)代入式(3)中得:(6)IsBKV?HH式中:称为元件的灵敏度,它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位K H??,一般要求愈大愈好。
控制电流下的霍尔电势大小,其单位是TmV/mA?K H??很高,所以它的R或由于金属的电子浓度K都不大,因此不适宜作霍n HH,尔元件。
此外元件厚度d愈薄,K愈高,所以制作时,往往采用减少d的办H法来增加灵敏度,但不能认为d愈薄愈好,因为此时元件的输入和输出电阻将会增加,这对霍尔元件是不希望的。
本实验采用的双线圈霍尔片的厚度d为0.2mm,宽度为2.5mm,长度L为3.5mm。
螺线管霍尔片的厚度d为0.2mm,l宽度为1.5mm,长度L为1.5mm。
l应当注意:当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时(如图2-2),作?,此时:用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量cos BBKIsB cos?V HH?,达到最大,即:所以一般在使用时应调整元件两平面方位,使V0?H这时有:(7)IsBKB?cos?VKIsB HHH由式(7)可知,当工作电流Is 或磁感应强度B,两者之一改变方向时,霍尔电势V方向随之改变;若两者方向同时改变,则霍尔电势V极性不变。
HH图2-2 图2-3霍尔元件测量磁场的基本电路(如图2-3),将霍尔元件置于待测磁场的相应位置,并使元件平面与磁感应强度B垂直,在其控制端输入恒定的工作电流Is,霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表,测量霍尔电势V的值。