光致发光谱
光致发光(PL)光谱583课件

真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
光电倍增管
单色仪
锁相放大器 计算机
制冷仪
图2 光致发光光谱测量装置示意图
光致发光(PL)光谱583
三、光致发光特点
1、光致发光的优点
• 光致发光分析方法的实验设备比较简单、 测量本身是非破坏性的,而且对样品的尺 寸、形状以及样品两个表面间的平行度都 没有特殊要求。
5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度)
是表征材料纯度的重要特征参数。
6、少数载流子寿命的测定
光致发光(PL)光谱583
7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样
品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究
光致发光(PL)光谱
光致发光(PL)光谱583
一、光致发光基本原理
• 1. 定义:所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光 作为激励手段,激发材料中的电子从而实现发 光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程 中伴随发生的现象
光致发光(PL)光谱583
2. 基本原理:由于半导体材料对能量高于其吸收限的光 子有很强的吸收,吸收系数通常超过104cm-1,因此在 材料表面约1μm厚的表层内,由本征吸收产生了大量的 额外电子-空穴对,使样品处于非平衡态。这些额外载 流子对一边向体内扩散,一边通过各种可能的复合机构 复合。其中,有的复合过程只发射声子,有的复合过程 只发射光子或既发射光子也发射声子
光致发光(PL)光谱583
在上述辐射复合机构中,前两种属于本 征机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料结 构与组份的丰富信息,是多种复杂物理过程 的综合反映,因而利用光致发光光谱可以获 得被研究材料的多种本质信息。
光致发光(PL)光谱课件PPT

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2021/3/10
图3 CZT晶体在4.2K下典型的PL谱。该PL谱包括四个区域:
(1)近带边区;(2)施主-受主对(DV的缺陷发光带;(4)Te空位引起的
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中心位于1.1eV的发光峰带。
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图4 高质量CZT晶体PL谱的近带边区
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2、光致发光的缺点
它的原始数据与主要感兴趣的物理现象之 间离得比较远,以至于经常需要进行大量 的分析,才能通过从样品外部观测到的发 光来推出内部的符合速率。
光致发光测量的结果经常用于相对的比较, 因此只能用于定性的研究方面。
测量中经常需要液氦低温条件也是一种苛 刻的要求。
复合。其中,有的复合过程只发射声子,有的复合过程 只发射光子或既发射光子也发射声子
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2021/3/10
e-D+
e-h e-h
e-A
声子参与
D-h
D-A
(a)
(b)
(c)
图1 半导体中各种复合过程示意图(a)带间跃迁(b)带- 杂质中心辐射复合跃迁(c)施主-受主对辐射复合跃迁
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2021/3/10
在这个过程中,有六种不同的复合机构会发射光 子,它们是: (1)自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴 的复合; (2)自由激子复合 —— 晶体中原子的中性激发态被 称为激子,激子复合也就是原子从中性激发态向基态 的跃迁,而自由激子指的是可以在晶体中自由运动的 激子,这种运动显然不传输电荷; (3)束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱 中心(带电的或不带电的)束缚住的激子的辐射复合, 其5发光强度随着杂质或缺陷中心的增加而增加;2021/3/10
5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度
光致发光光谱 77k 磷光

光致发光光谱 77k 磷光
光致发光光谱(Photoluminescence Spectrum)是一种通过外界光源激发样品并测量其发出的荧光来研究材料属性和结构的实验技术。
光致发光光谱可以提供关于材料的能带结构、能态密度、激子、杂质等信息。
77K是光致发光光谱常用的实验温度,通常在液氮温度下进行实验,以降低杂质激发和热激发的干扰,使得样品能够更好地呈现出光致发光特性。
磷光(Phosphorescence)是一种发光现象,它与光激发后的长寿命能级有关。
相比之下,荧光(Fluorescence)是一种发光现象,它与光激发后的短寿命能级有关。
在光致发光光谱中,由于涉及到能带、能态等信息的研究,往往更多地关注荧光现象。
因此,光致发光光谱 77K 磷光可能指的是在液氮温度下进行的光致发光光谱实验,并关注材料的荧光特性。
这种实验可以提供关于材料能带、激子等性质的信息。
光致发光的光谱

620.3
600
CaS:Eu,Sm的激发光谱和荧光发射光谱波长比较
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
E13 E12 E11
上发光中心的能级结构示意图
E03 E02 E01
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七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量。这种 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。但是它 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。
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2 发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的 转变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生 了电子和空穴等。而电子和空穴一旦产生,它们的运动也伴 随着能量的传输和激发态的转移。这样,激发状态也就不会 局限在一个地方,而将发生转移。即使只是离子被激发,不 产生自由电子,处于激发态的离子也可以和附近的离子相互 作用而将激发能量传出去。这就是说,原来被激发的离子回 到基态,而附近的离子则转到激发态。这样的过程可以一个 接一个地继续下去,形成激发能量的传输。
光致发光光谱
1 光致发光发光光谱
2 光致发光光谱的产生机理
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斯托克斯发光和反斯托克斯 发光
一 光致发光发光光谱(也称发射光谱)
我们知道,光致发光是发光材料吸收光子(或电 磁波)后重新辐射出光(或电磁波)的过程。
1 光致发光发光光谱简介
发光材料的发射光谱,指的是发出光的能量按波长 或频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带 谱。
光致发光(PL)光谱

e-D+
e-h e-h
e-A
声子参加
D-h
D-A
(a)
(b)
(c)
图1 半导体中多种复合过程示意图(a)带间跃迁(b)带- 杂质中心辐射复合跃迁(c)施主-受主对辐射复合跃迁
在这个过程中,有六种不同旳复合机构会发射光 子,它们是: (1)自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴 旳复合; (2)自由激子复合 —— 晶体中原子旳中性激发态被 称为激子,激子复合也就是原子从中性激发态向基态 旳跃迁,而自由激子指旳是能够在晶体中自由运动旳 激子,这种运动显然不传播电荷; (3)束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱 中心(带电旳或不带电旳)束缚住旳激子旳辐射复合,其 发光强度伴随杂质或缺陷中心旳增长而增长;
)是表征材料纯度旳主要特征参数。
6、少数载流子寿命旳测定
7、均匀性旳研究 测量措施是用一种激光微探针扫描样品,根据样
品旳某一种特征发光带旳强度变化,直接显示样品旳 不均匀图像。
8、位错等缺陷旳研究
图3 CZT晶体在4.2K下经典旳PL谱。该PL谱涉及四个区域: (1)近带边区;(2)施主-受主对(DAP)区;(3)受主 中心引起旳中心位于1.4eV旳缺陷发光带;(4)Te空位引起旳
2、光致发光旳缺陷
它旳原始数据与主要感爱好旳物理现象之 间离得比较远,以至于经常需要进行大量 旳分析,才干经过从样品外部观察到旳发 光来推出内部旳符合速率。
光致发光测量旳成果经常用于相正确比较, 所以只能用于定性旳研究方面。
测量中经常需要液氦低温条件也是一种苛 刻旳要求。
对于深陷阱一类不发光旳中心,发光措施 显然是无能为力旳。
(4)浅能级与本征带间旳载流子复合——即导 带电子经过浅施主能级与价带空穴旳复合,或价 带空穴经过浅受主能级与导带电子旳复合; (5)施主-受主对复合——专指被施主-受主杂质 对束缚着旳电子-空穴正确复合,因而亦称为施 主-受主对(D-A对)复合; (6)电子-空穴对经过深能级旳复合——即SHR 复合,指导带底电子和价带顶空穴经过深能级旳 复合,这种过程中旳辐射复合几率很小。
最新光致发光(PL)光谱

在上述辐射复合机构中,前两种属于本 征机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料结 构与组份的丰富信息,是多种复杂物理过程 的综合反映,因而利用光致发光光谱可以获 得被研究材料的多种本质信息。
)是表征材料纯度的重要特征参数。
6、少数载流子寿命的测定
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7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样
品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究
光致发光测量的结果经常用于相对的比较, 因此只能用于定性的研究方面。
测量中深陷阱一类不发光的中心,发光方法 显然是无能为力的。 __________________________________________________
四、光致发光分析方法的应用
真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
光电倍增管
单色仪
锁相放大器 计算机
制冷仪 图2 光致发光光谱测量装置示意图
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三、光致发光特点
1、光致发光的优点
光致发光分析方法的实验设备比较简单、 测量本身是非破坏性的,而且对样品的尺 寸、形状以及样品两个表面间的平行度都 没有特殊要求。
(4)浅能级与本征带间的载流子复合——即导 带电子通过浅施主能级与价带空穴的复合,或价 带空穴通过浅受主能级与导带电子的复合; (5)施主-受主对复合——专指被施主-受主杂质 对束缚着的电子-空穴对的复合,因而亦称为施 主-受主对(D-A对)复合; (6)电子-空穴对通过深能级的复合——即SHR 复合,指导带底电子和价带顶空穴通过深能级的 复合,这种过程中的辐射复合几率很小。
光致发光光谱仪介绍

光致发光光谱仪介绍光致发光谱仪主要由激光光源、样品室、发射光谱仪、探测器、数据采集器及数据处理系统和软件等六部分组成。
可用于测量直接带隙且禁带宽度小于3.82eV(1241/325)的材料的光致发光谱。
只要应用于组分测定、杂质识别、杂质浓度测定、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率、半导体材料的少数载流子寿命和位错等缺陷的相关作用研究功能:优异的成像性能:采用超环面反射镜纠正散光;通过非对称式光路设计和的光栅在轴扫描设计减少慧差和其他相差;聚焦镜比准直镜更大,使得整个平场范围无暗角(在焦平面边缘无光通量损失)。
消除二次衍射光:经计算机模拟优化的非对称式光路设计,能精确优化定位光学元器件的位置,从而达到消除二次衍射光的目的。
光栅的在轴扫描技术:能够使信号光一直保持在光栅正中心的表面,提高光栅的分光效率与准确性,保证高光通量与光谱稳定性。
灵活&易于使用:光谱仪出入口的可选择性,各种类型的光栅,全系列的附件及相关软件,使得客户能够定制化iHR光谱仪去实现任何一个实验需求。
稳定性:为光谱测量提供了一个长期稳定的平台。
采用高质量的材料和一体化铸造的结构。
驱动部分经过检测和复检以确保该系统符合我们的重复性和精度要求。
与CCD探测器结合:凭借光谱仪的出众品质,结合CCD探测器的制造技术,优化了CCD和光谱仪的设计。
拥有全系列的大型小型CCD芯片可以与光谱仪匹配。
探测器拥有开放电极、背照射、深耗尽及正入射等探测器,均带有TE制冷或液氮制冷功能。
光致发光光谱,简称PL谱,指物质在光的激励下,电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴;电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态(在本征半导体中即导带底和价带顶),成为准平衡态;准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光,形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。
光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。
光致发光和电致发光谱概述

斯托克斯定律(Stoke’s law)
发光材料的发射光波长一般总是大于激发光波长,这称为 斯托克斯定律,激发光波长(或能量)与发射光波长(或能量) 之差称为斯托克斯位移,或者说发光的光子能量通常要小于激 发光子的能量。
即材料吸收高能量的短波辐射,而发射出低能量的长波辐射。
反斯托克斯效应(Anti-stoke’s effect)
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按照弗兰克-康登原理:
光学吸收跃迁是垂直的。原因是当 发光中心吸收了发光能时,系统的能量 将由基态竖直的跃迁到激发态。从基态 向激发态的跃迁是电子的,而水平位移 是核的,距离只是核间距,电子的激发 时间很短,电子的运动比核快很多,激 发结束的瞬间系统的位形没能来得及发 生变化。所以电子跃迁可以很好地近似 看作在静态环境内进行。
用于波长低于450nm的情形,汞灯和氙灯是常用的两种具有线状 谱的光源,汞灯有高压的和低压的,低压汞灯线状谱较锐,高压 汞灯工作在高温高压下,原子谱线展的较宽。但作为紫外光源, 二者共同的缺点是在可见光区和红外光区有较大的输出,另一种 常见的紫外光源是氘灯,虽然它的光强度较低,但具有很好的紫 外连续谱,且可见光成分很少。
耦合:电子与晶格振动相互作用。 △R反映了这种耦合的强度。
在较高温度下,起始状态也可能是 v>0的能级,这样会使吸收带更宽。
位形坐标与对应的吸收谱
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基质晶格吸收
除了发光中心吸收外界能量,基质晶格也会吸收能量,通 过两种方式:
1、产生自由电子和空穴;光跃迁属于电荷跃迁类型。 2、产生电子-空穴对(激子)。 前者需要的能量超过材料的带隙;后者可以略小于带隙。
然而,如果△ R≠0,则v=o与几个v’> o能级间有最大的振动重叠,就可以观察到 宽带吸收。吸收带越宽,则△ R值越大。吸 收谱的宽度可以表征激发态和基态之间的△ R值的大小。
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3.光致发光光谱技术的改进建议 在选定激发光波长 (λex) 进行发射谱测试时,发射光谱的扫描范围通常设定在 (λex+10)nm ~ (2× λex-10) nm 之间,以避免采集到激发光及其二次衍射峰(即倍频 峰)。但是,有时倍频峰的位置刚好处在所测的材料的发光波长范围内,这样就不 能得到完整的发光光谱数据。例如,当使用 320 nm 的激发光时,发生光谱的扫描 范围可设置为 330 nm~630 nm,如果该材料可以发深红光或者双光子发光,那么对 于 630 nm 以上这部分想要的结果,就不能全部得到。对此测试问题,拟用的改进 建议是,在发射光采集过程中,施加一个滤光片,该滤光片具有波长调节的滤光功 能。由于倍频峰非常窄,滤光片的使用并不会对该段发射光谱产生太大影响,因而 该建议具有一定的可行性。
4.光致发光光谱技术的发展趋势 光致发光光谱技术是目前应用最普遍的一种测试手段,经历多年的发展和改进, 也成为一种非常稳定和成熟的测试方法。但随着人们科学研究的不断深入和研究领 域的不断拓宽,光致发光光谱技术会更有应用价值,并朝着操作方法更加方便和灵 敏度不断提高的方向发展。
就光致发光测试的设备而言,激发光源在其中扮演着重要角色,当使用不当 时,会严重缩短其使用寿命。同时我们也发现,在有些测试中,只需要简单 的紫外线光源即可对材料进行表征,而并不需要在一台设计复杂、功能强大 的荧光光谱仪上完成。因而,未来荧光光谱仪的发展会趋于“两极分化”的 方向发展,即功能简单、价格低廉的小型光谱仪和功能强大、价格昂贵的大 型光谱仪。尤其是小型光谱仪的出现,会给研究者们带来很大的测试便利。 另一方面,近年超快荧光光谱技术和同步辐射技术的出现,让人们发现了材 料中原本不为人知的更多特性。因而这两种技术,将在未来光致发光光谱的 研究中给人们带来更多信息,并发挥更加重要的作用。
图 4. M1、M2 和 M3 材料在 350 nm 激发光作用下的 PL 光谱图。 最后,我们使用 350 nm 的激发光测试了上述三种材料的 PL 光谱。发现 M1 和 M2 的最大发光峰在 470 nm 左右,而 M3 的最大发光峰在 510 nm 左右。这个结果 和材料的分子结构相一致。M1 和 M2 具有相似的结构,因它们的发光峰也相似。 M3 比 M1 和 M2 具有更小的共轭度,能级带隙更大,因而它的发光峰位发生了红 移。
图 1. 光致发光过程中的光子吸收和能量转移过程。
在实验测试中,荧光发光光谱包括激发谱和发射谱两种。激发谱是使用不同波 长激发光测试发光材料在某一波长处荧光强度的变化情况,即不同波长激发光的相 对效率;发射谱则是在某一固定波长激发光作用下的荧光强度在不同波长处的分布 情况,即荧光中不同波长的光成分的相对强度。一般情况下,光致发光光子的能量 小于激发光子的能量(斯托克斯位移),在特定条件下发射光子的能量也可以超过 激发光子的能量(反斯托克斯位移)。 由于光致发光(荧光或磷光)的特点是宽激发窄发射,所以测试时,需要选取一 个能反映出所测材料发光效率的激发光波长。激发光波长的选择一般没有定论,简 单而常用的方法有两种:1)激发谱:将荧光发光峰波长固定为发射波长(EM), 然后做激发波长(EM)扫描,激发波长范围要小于发射波长。一般选取激发谱最 高峰位置对应的波长作为激发光波长。2)紫外-可见光吸收测试:一般以最大吸收 波长或等吸收点处的波长作为激发波长。 发光材料的发射光谱,通常是连续的宽带谱,光谱的形状可以用高斯函数来表 示,即: ������������ = ������������0 ������������������ −������ ������ − ������0
图 2. 实验中所用到的荧光光谱仪。 接着,我们使用这两种波长的激发光,在 FluroMax-4 荧光光谱仪上测试了材 料 M1 的 PL 光谱。
图 3. M1 材料在 280 nm 和 350 nm 激发光作用下的 PL 光谱图。
从 PL 光谱可以看出,使用 350 nm 的激发光测试时,能够获得强度更高的 PL 光谱,表明 350 nm 是更适合的激发光波长。从归一化 PL 光谱中,我们还发现激 发光波长的不同,并不会对 PL 光谱的形状和峰位产生很大影响。
2.光致发光光谱检测数据实例 在实验中,我们需要测试三种材料的 PL 光谱,但是在测试之前不知道这三种 材料的发光峰位置,所以不能采用激发谱的方法来确定激发光波长。因而,我们首 先测试了这三种材料在薄膜状态下的紫外-可见光吸收光谱。
图 1. M1、M2 和 M3 三种材料的紫外-可见光吸收光谱图。 从紫外 -可见光吸收光谱中,可以看出这三种材料在紫外光区都有两个吸收峰, 分别在 280 nm 和 350 nm 附近。
光致发光光谱技术的认识、应用及改进
孙奇 20144214004 物理学 2015.4.21
1. 光致发光光谱技术的背景介绍 在我们周围,光致发光是一种很普遍的现象。常用的日光灯就属于光致发光的 一种,它是利用汞蒸气放电产生的紫外光激发涂覆在灯管壁上的发光物质而发出可 见光的。简单地说,光致发光(PL)是发光材料吸收光子(或电磁波)后,重新 辐射发出光(或电磁波)的过程。这种过程与材料的结构、成分及原子排列等密切 相关。 紫外光、可见光甚至红外辐射都可以作为激发光,引起光致发光。 所发出的光,根据弛豫时间的不同,可分为荧光、磷光和上转换发光。
从分子电子结构上解释,荧光是电子从单线态第一激发态返回到基态时释放的 光,具有很短的发光寿命(约 1~100 ns),而磷光是电子从三线态第一激发态返回 基态时释放的光,具有较长的发光寿命(约 0.1~1000ms)。当系间窜越的速率小 于荧光跃迁速率时,激发态全部以荧光形式辐射回到基态,因而只有在低温条件下, 才可以检测到磷光发光。本文中如未特别指出,所介绍的光致发光都属于荧光发光。