三极管8550参数
三极管8550数据手册
PNP NPN区别及S8550 S8050参数
PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
NPN基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN管，S8550是PNP管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。
指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。
S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。
SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380
三极管8550发射极基极电压
三极管8550发射极基极电压【最新版】目录1.三极管简介2.8550 三极管发射极基极电压的特点3.三极管 8550 发射极基极电压的测量方法4.应用领域正文【1.三极管简介】三极管，又称双极型晶体管，是一种常见的半导体元器件。
它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极。
根据构造和工作原理的不同，三极管可分为两类：NPN 型和 PNP 型。
在电路设计中，三极管被广泛应用于信号放大、开关控制、振荡等电路。
【2.8550 三极管发射极基极电压的特点】8550 是一种常见的 NPN 型三极管。
在其工作过程中，发射极基极电压是一个重要的参数。
发射极基极电压是指在静态工作状态下，发射极与基极之间的电压。
对于 8550 三极管，发射极基极电压通常在 0.7V 左右。
需要注意的是，这个电压值会受到温度、电流等条件的影响，因此在实际应用中，需要对电压值进行一定的修正。
【3.三极管 8550 发射极基极电压的测量方法】测量三极管 8550 发射极基极电压的方法有多种，以下是两种常用的方法：（1）使用万用表测量：将万用表调至二极管档或三极管档，然后将红表笔接触到发射极，黑表笔接触到基极。
在正确连接的情况下，万用表上显示的数值即为发射极基极电压。
（2）使用示波器测量：将示波器探头连接到发射极和基极，调整示波器垂直偏置旋钮，使波形稳定显示。
通过观察示波器上的波形，可以读取发射极基极电压的数值。
【4.应用领域】8550 三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、信号处理器等。
发射极基极电压作为三极管的一个重要参数，对于电路的设计和性能分析具有重要意义。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
三极管8050
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度 -55~150℃
Tj——结温 150℃
PC——集电极耗散功率 1W
VCBO——集电极—基极电压 40V
VCEO——集电极—发射极电压 25V VEBO——发射极—基极电压 6V
IC——集电极电流 1.2A
电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
三极管8550发射极基极电压
三极管8550发射极基极电压
摘要：
1.引言
2.三极管8550 简介
3.发射极基极电压的作用
4.发射极基极电压的计算方法
5.发射极基极电压对三极管性能的影响
6.总结
正文：
三极管8550 发射极基极电压是电子工程师在设计电子电路时需要关注的一个重要参数。
本文将详细介绍三极管8550 发射极基极电压的相关知识，包括其作用、计算方法和影响因素。
首先，我们需要了解三极管8550 的基本情况。
三极管8550 是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。
在电子电路中，三极管8550 的发射极和基极之间的电压是决定其工作性能的关键因素。
发射极基极电压，简称Vbe，是指三极管8550 的发射极与基极之间的电压差。
发射极基极电压对三极管的工作性能有着重要影响，主要表现在以下几个方面：
1.控制三极管的导通与截止：发射极基极电压是控制三极管导通与截止的重要参数。
当发射极基极电压达到一定值时，三极管会导通，从而使电流在基极和发射极之间流过。
2.影响三极管的放大倍数：发射极基极电压还会影响三极管的放大倍数。
当发射极基极电压变化时，会导致三极管的电流放大倍数发生变化，从而影响整个电路的性能。
3.决定三极管的工作状态：发射极基极电压的大小决定了三极管的工作状态，如截止区、放大区、饱和区等。
在不同的工作状态下，三极管的性能会有很大差异。
计算发射极基极电压的方法如下：
Vbe = Vout / (Ib * Rb)
其中，Vout 为输出电压，Ib 为基极电流，Rb 为基极电阻。
总之，发射极基极电压在电子电路中具有重要作用。
三极管9011,9012,9013,9014,8050,8550引脚图_封装外形-参数
三极管9012.90139013参数最大耗散功率(P CM)：0.625W最大集电极电流(I CM)：0.5A集电极-发射极击穿电压(V CEO)：25V集电极-基极击穿电压(V CBO)：45V发射极-基极击穿电压(V EBO)：5V集电极-发射极饱和压降(V CE)：0.6V特怔频率(fr)：150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166H144-220 I190-3009012参数s9012s9013，s9014, s9015，，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9013,9014系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
8550三极管参数
8550三极管参数
8550三极管是一种NPN型晶体管，常用于低频功率放大
电路和开关电路中。
它具有以下参数：1. 最大集电极电流（ICmax）：8550三极管的最大集电极电流为1.5A。
这意
味着在正常工作条件下，集电极电流不应超过1.5A，否则
可能会导致器件损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：8550三极管的最大集电极-基极电压为60V。
这意味着在正常工作条件下，集电极-基极之间的电压不应
超过60V，否则可能会导致器件损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：8550三极管的最大功耗为800mW。
这意味着在
正常工作条件下，器件的功耗不应超过800mW，否则可能会
导致器件过热。
4. 最大直流增益（hFE）：8550三极管的
最大直流增益为200。
直流增益是指输入信号和输出信号之
间的放大倍数。
较高的直流增益意味着更好的放大效果。
5. 射级饱和压降（VCEsat）：8550三极管的射级饱和压降为0.5V。
射级饱和压降是指在开关状态下，集电极-发射极之
间的电压降。
6. 最大工作频率（fT）：8550三极管的最大
工作频率为150MHz。
这意味着它可以在高频率下工作，适
用于一些需要高速开关的应用。
总之，8550三极管是一种
具有较高集电极电流和较低集电极-基极电压的NPN型晶体管。
它适用于低频功率放大和开关应用，并具有较高的直
流增益和较低的射级饱和压降。