模拟电子技术基础习题答案

合集下载

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

《模拟电子技术基础》习题答案

《模拟电子技术基础》习题答案

( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中,热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用?
第 1 章习题及答案 1.1.在图题 1.1 所示的各电路图中 E=5V,ui 10 sin t V,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 (1) T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路,起什么作用? (2) 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知;求静态工作点 IC、IB、UCB。

电子技术基础(模拟部分)习题答案

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。

6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。

9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。

(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解:对于(a)来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。

采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

题图 2.6
解: (1)Q1 点: β ≈ 50, Q2点:β ≈ 0。 (2) U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V (a) RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 ( μ A ) ,直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ,取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ,可得直流负载线如图 2.18(b)中①线,工作 1 1 = − ,可得图 2.18(b)中 点 Q( U CEQ = 6 V, I CQ = 2 mA),交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V, β = 100 。判别电路的工
9V
(b) 题图 2.7
(c)
解: 在题图(a )中,由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图(b) :
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。

电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础答案(刘润华、李震梅)中国石油大学出版社

模拟电子技术基础答案(刘润华、李震梅)中国石油大学出版社

第一章习题解答1.1解:由公式:可求得电流外加电压为时1.2解:①当R=1时假设二极管导通②当R=4K时,也假设二极管导通同①1.3解:a:刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后,A点电位下降为-6V迫使V反向截止b:反向截至,c.刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后,将使A、O点电位差为零。

电位相等,U导通,截止。

d.均正向反偏,导通公共端电位为零,能保证导通,A点电位也为零,。

1.4解:1.5解:变化时,相当于给6V直流电源串接一个变化范围为的信号源,由二极管的动态电阻为:1.6解:a:b:1.7解:S闭合S断开1.8解:(1)A点时,二极管导通:(2)B点时,二极管反向偏压截止,=0V。

(3)C点时,为正,二极管导通,为负,二极管截止。

1.9解:a.由于V管阴极电位为2.3V.V管的阳极为-2.3V,当u〉3V时,V导通,截止,其支路开路,,当-3V<<3V时,均截止,当<-3V时截止,导通,故传输特性:输入输出波形:b.截止,时导通,(锗)传输特性:输入输出波形:1.10解:①R=2K时求得由图得:②R=500求得:由图得:1.11解:⑴静态分析:令或是c断开用估算法得2:⑵动态分析:⑶合成电压电流1.12解:1.13解:①②1.14解:安全稳压工作时:稳定电流的最小值来知,可取由可求:由可求减小量为:1.15解:⑴稳压管正常工作⑵能安全工作。

⑶假设能正常工作:能工作在稳定状态。

1.16解:导通,稳压,,中有一截至,稳压,导通,1.17解:2CW103:当为最大,为最小时,稳压管上的电流为最大。

R值应保证,,R最小值为:R=当为最小,为最大时,流过稳压管上的电流最小。

R取值应满足,R 最大值为:取或,取本题取2CW53,算得取第二章习题答案2.1解:a.放大b.截止.c.饱和.d.放大.e.倒置.2.2解:3.5V基极. 2.8V发射极.5V集电极.NPN型硅管2.3解:a.①集电极.②发射极③基极NPN型b.①基极②集电极③发射极PNP型2.4解a.放大b.故饱和。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。


②U I 为 15V, IDZ
IR IRL
UI
UZ R
UZ RL
3mA
IZ min 5mA ,最大稳定电流 IZ max 25mA。
小于 5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态,起普通二极管的作用。
UI
15V
时, U O
R
RL RL
U
I
5V

③U I 为 35V, IDZ
IR IRL
解:(1) IC
VCC U CE Rc
2mA , I B
IC / 20A ,
∴ Rb
VCC U BE IB
565k 。
(2)由
Au
Uo Ui
(Rc // rbe
RL )
100 ,
可得: RL 2.625k 。
2.11 电路如图 P2.11 所示,晶体管 β=100, rbb =100Ω。 (1)求电路的 Q 点、 Au 、 Ri 和 Ro ;
态电压 uo ?
解:电路的共模输入电压 uIC 、差模输入电压 uId 、差模放大倍数 Ad 和动态电压 uO 分别为:
u IC
uI1 uI2 2
15mV

uId uI1 uI2 10mV
Ad
Rc 2rbe
175

uO AduId 1.75V
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图 P5.3 所示,试写出 Au 的表达式。
6.5 电路如图 P6.5 所示,要求同题 6.4。
+— —
++


(a)

(b)
+—



— —
(d) — —

——
+—
+ —
——
—+
——+

(f)


图—P6.5
图解(:b)—图引(a入)引了入交了、交直、流直负流反负馈反—。馈 图(d)—引入了交、直流负反馈。
图(f) 所示电路中通过 R3 和 R7 引入直流负反馈,通过 R4 引入交、直流负反馈。
(a)电压并联负反馈: Ausf
Uo Us
I f Rf Ii Rs
Rf Rs
(b)电压串联负反馈: Auf
Uo Ui
Uo Uf
(1 R4 ) R1

+
+



(e)电流并联负反馈: Ausf
Uo—
Us
Io (R4 // RL ) I f Rs
R1 R2 R4 // RL
R2
Rs
Au
Rc // RL Re
1.5
Ui
Ri Rs
Ri
Us
9.6mV

Uo Au Ui 14.4mV
3.7 电路如图 P3.7 所示,T1 和 T2 两管的 β 均为 140, rbe 均为 4kΩ。试问:若输入直流信号 uI1 20mV , uI 2 10mV ,则电路的共模输入电压 uIc ? 差模输入电压 u Id ? 输出动
(2)设 Us = 10mV (有效值),问Ui ? ,Uo ?
若 C3 开路,则Ui ? ,Uo ?
解:(1) Q 点:
I BQ
VCC UBEQ Rb (1 )Re
31 A
ICQ IBQ 1.86mA
图 P2.13
UCEQ VCC IEQ (Rc Re ) 4.56V Au 、 Ri 和 Ro 的分析:
(不变);
I EQ
UBQ UBEQ Rf Re
1mA (不变); IBQ
IEQ 1
5 A (减小);
UCEQ VCC IEQ (Rc Rf Re ) 5.7V (不变)。
(3) Ce 开路时, Au
rbe
(Rc // RL ) (1 )(Re Rf )
Rc // RL Re Rf
图 P5.3
图 P5.4
解:观察波特图可知,中频电压增益为 40dB ,即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率
为 1Hz 和 10Hz,上限截止频率为 250kHz。故电路 Au 的表达式为:
Au
(1
1 jf
100 )(1 10 )(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
10 f 2 jf )(1 j f )(1
6.6 分别判断图 6.4 (d)—(g)所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。
解:各电路中引入交流负反馈的组态分别如下: (d)所示电路中,R3 在第二级中引入了电压并联负反馈;
RL 在两级之间引入了电流并联负反馈:
(e)电压串联负反馈 (f)电压串联负反馈
(g)电压串联负反馈:
6.7 分别判断图 P6.5 (a) 、(b) 、(f) 所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。 解:(a)电压并联负反馈;
图 P2.9
(2)若改用 β=200 的晶体管,则 Q 点如何变化? (3)若电容 Ce 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?
解:(1)静态分析:
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
2V
I EQ
UBQ UBEQ Rf Re
1mA
I BQ
IEQ 1
10 A
UCEQ VCC IEQ (Rc Rf R e ) 5.7V
6.13 已知负反馈放大电路的ABiblioteka (1 104j
f 104
)(1
j
f 105
)2

试分析:为了使放大电路能够稳定工作(即不产生自激振荡), 反馈系数的上限值为多少?
解:根据放大倍数表达式可知,放大电路高频段有三个截止频率分别为
fL1 104 Hz , fL2 fL3 105 Hz 因为 fL2 fL3 10 fL1 ,所以,在 f fL2 fL3 105 Hz 时, A 约为 60dB ,附加 相移约为-180o,为了使 f fL2 fL3 时的 20lg AF 小于 0dB,即不满足自激振荡的幅值条 件,反馈系数 20lg F 的上限值应为-60dB,即 F 的上限值为 10-3。
情况下场效应管分别工作在什么区域。
解:根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知,其开启电压为 5V ,根据图 Pl.15 所示电路
可知 uGS uI 。
当 uI =4V 时, uGS 小于开启电压,故 T 截止。
当 uI =8V 时,设 T 工作在恒流区,根据输出
特性可知 iD 0.6mA ,管压降 uDS VDD iD Rd 10V , 又因为
(1 R1 ) R4 // RL
R2
Rs

If
R2 R1 R2
Io
(f)电流串联负反馈:∵U f
R2 IR2
R2
R2
R9 R4
R9
I0
R2 R9 R2 R4 R9
I0
∴ Auf
Uo Ui
I0 (R7 // R8 // RL ) Uf
(R2 R4 R9 )(R7 // R8 // RL ) R2 R9
RL=3kΩ
时;
Au
(1 )(Re // RL ) rbe (1 )(Re // RL )
0.992
Ri Rb //[rbe (1 )(Re // RL )] 76k
输出电阻: Ro
Re
//
Rs
// Rb rbe 1
37
2.13 电路如图 P2.13 所示,晶体管的β=60 , rbb' 100 。 (1)求解 Q 点、 Au 、 Ri 和 Ro
+
+
(b)
(c)
— —— —— —— —— ——

(d)
(g)
图 P6.4 解:
图(b)所示电路中,R4、R3 在第二级中引入了交、直流负反馈;R2、R1 在两级之间引入 了交、直流正反馈。 图(c)所示电路中,R3、R2、R1 引入了直流负反馈。 图(d)所示电路中,R3、R2 在第二级中引入了交、直流负反馈;RL、R1 在两级之间引 入了交、直流负反馈。 图(g)所示各电路中 R2、R1 均引入了交、直流负反馈。
(b) 电压串联负反馈;
(f)电流串联负反馈。
6.8 分别估算图 6.4 (d)、(e) 、(f)、(g)所示各电路在理想运放条件下的电压放大倍数。 解:各电路在理想运放条件下的电压放大倍数如下:
(d) 电流并联负反馈:
Auf
Uo Ui
Io RL Ii R1
Io RL I f R1
RL R1
(e) 电压串联负反馈:
10
j
f 105
)
5.5
已知某电路电压放大倍数:
Au
(1
10 jf j f )(1 10
j
f 105
)
试求解:(1) Aum ? fL ? fH ?
(2)画出波特图。
解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出 Aum 、 fL 和 fH 。

Au
(1
10 jf j f )(1 10
j
f 105
1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压U Z 6V ,最小稳定电流 IZ min 5mA ,最大稳定电流 IZ max 25mA。
(1)分别计算U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO 的值; (2)若UI 35V 时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?
图 P2.11
动态分析: rbe
rbb '
(1
)
26mV I EQ
相关文档
最新文档