显示技术制程设备
oled工艺流程
oled工艺流程OLED显示技术（Organic Light Emitting Diode）是一种新型的平面显示技术，其工艺流程主要包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
首先是基板准备。
在OLED显示器的制程中，选择适合的基板材料非常重要，常用的基板材料有玻璃和聚酯薄膜。
基板表面需要进行清洗和涂覆防护层等处理，以确保有机发光材料的附着和性能。
接下来是有机发光材料的蒸镀。
有机发光材料是OLED显示器的核心，通过蒸镀技术将有机分子层层堆积在基板上。
在蒸镀过程中，需要精确控制温度和蒸发速率，以实现红、绿、蓝三原色的有机分子的均匀堆积。
然后是电极制备。
在OLED显示器中，使用透明导电材料作为电极，通常采用氧化铟锡（ITO）薄膜作为阳极，铝或镁银合金作为阴极。
制备电极的方法一般有物理蒸镀和喷墨等技术，这些电极需要具备透明性和导电性。
接下来是封装。
封装是保护OLED显示器的重要步骤，它可以防止水汽和氧气进入显示屏，减少有机发光物质的寿命衰减。
常用的封装方法有真空封装和大气封装两种。
真空封装要求高，但能够有效延长显示器的使用寿命，而大气封装成本较低，但对显示器的使用寿命有一定的影响。
最后是测试。
在OLED显示器的生产过程中，需要对制造的显示器进行严格的测试。
测试内容包括电流-亮度特性、均匀度、色彩均匀度、灰阶等，并对其中的不良品进行剔除。
合格的显示器将进入最终组装和包装环节。
总的来说，OLED显示器的工艺流程包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
这些步骤都需要精确控制各个工艺参数，以确保制造出高质量的OLED显示器。
OLED显示技术的应用前景广阔，未来可望实现更薄、更轻、更柔性的显示设备。
mini led晶圆 制程
mini led晶圆制程摘要：I.前言- 简要介绍mini LED晶圆制程的背景和重要性II.mini LED晶圆制程的概述- 什么是mini LED晶圆制程- mini LED晶圆制程的流程和步骤III.mini LED晶圆制程的关键技术- 介绍mini LED晶圆制程中的关键技术，如芯片设计、制造工艺等IV.mini LED晶圆制程的发展现状和前景- 分析当前mini LED晶圆制程的发展现状- 探讨mini LED晶圆制程的未来发展趋势和前景正文：I.前言随着显示技术的不断发展，mini LED晶圆制程技术逐渐成为人们关注的焦点。
作为一种新兴的显示技术，mini LED晶圆制程不仅可以提供更好的显示效果，还能够实现更低的能耗和更长的使用寿命。
因此，对mini LED晶圆制程的研究和开发具有重要的意义。
II.mini LED晶圆制程的概述mini LED晶圆制程是一种先进的显示技术，它通过在晶圆上制作大量微小的LED灯珠，形成一个阵列，从而实现图像的显示。
与传统LED显示技术相比，mini LED晶圆制程具有更高的分辨率、更快的响应速度和更低的能耗。
mini LED晶圆制程的流程和步骤主要包括：芯片设计、制造工艺、封装和测试等。
其中，芯片设计是关键，需要根据显示需求进行合理的布局和设计；制造工艺则需要通过一系列的工艺步骤，将设计好的芯片制作成实际的晶圆；封装和测试则是为了保证产品的质量和性能。
III.mini LED晶圆制程的关键技术在mini LED晶圆制程中，有很多关键技术，如芯片设计、制造工艺、封装技术等。
其中，芯片设计是关键中的关键，需要根据显示需求进行合理的布局和设计。
此外，制造工艺也是非常重要的一个环节，需要通过一系列的工艺步骤，将设计好的芯片制作成实际的晶圆。
最后，封装技术则是为了保证产品的质量和性能，需要将制作好的晶圆进行封装和测试。
IV.mini LED晶圆制程的发展现状和前景目前，mini LED晶圆制程技术已经取得了很大的进展，很多企业已经开始大量生产mini LED晶圆。
lcd制程简介知识讲稿
02
1990年代，LCD技术开始应用于电视和计算机显示
器等领域，成为主流显示技术之一。
03
随着科技的不断进步，LCD技术不断升级和完善，如
高分辨率、低功耗、柔性化等方向的发展。
lcd制程技术的应用场景
01
LCD技术广泛应用于电视、电 脑、手机、平板等电子产品领 域，成为主流显示技术之一。
02
此外，LCD技术还应用于汽车 、航空航天、医疗等领域，如 车载导航、飞机仪表盘、医疗 影像等。
详细描述：技术创新案例分享将涵盖以下内容
分析该技术创新的应用领域和优势，阐述其对LCD制程 的改进和提升作用
结合数据和图表，展示技术创新带来的效果和效益，包 括生产效率的提高、产品质量的提升以及成本的降低等 方面
市场应用案例分享
• 总结词：LCD制程的产品在市场上有着广泛的应 用，从消费电子到工业设备，再到汽车电子等领 域都有涉及。市场应用案例分享将介绍LCD产品 在各个领域的应用情况和市场前景。
详细描述
液晶灌注不足通常是由于灌注设备或工艺问题，导致液晶无法完全填充液晶盒 。这会导致像素不亮、对比度下降等问题。解决方法包括优化灌注设备和工艺 、控制灌注速度和时间等措施。
05
lcd制程发展趋势和展望
高分辨率lcd制程发展
技术创新
随着显示技术的不断发展，lcd制程在分 辨率上取得了显著的提升。新型的lcd面 板制造技术，如nano-crystal和color filter on array (cfa)等，正在不断涌现， 使得lcd面板的分辨率得到了大幅的提升 ，对于消费者来说，更加细腻的画质无 疑会带来更好的视觉体验。
检查
对注入后的液晶进行质量 检查，确保满足性能要求 。
LED芯片制程资料
LED芯片制程资料LED（Light Emitting Diode）是一种半导体材料制成的光源，由于其高效、低能耗、长寿命等特点，在照明、电子显示、通讯等领域得到广泛应用。
而LED芯片则是LED光源的核心，是LED从圆片到最终产品的重要组成部分。
本文将介绍LED芯片制程资料，包括材料、工艺流程、设备和质量控制等方面。
一、LED芯片制程材料1.1 光化学腐蚀剂光化学腐蚀剂是LED制程中不可或缺的化学物质，主要用于去除铝、铜、金属氧化物等杂质，从而提高基片的质量，增加光电转换效率。
常用的光化学腐蚀剂有氢氟酸、磷酸、一氧化氮等。
1.2 发光材料发光材料是LED芯片的关键部件，其主要作用是将电能转化成光能。
目前常用的发光材料包括氮化镓（GaN）、硅化锗（SiGe）等半导体材料，其中GaN是最常用的材料之一，因其能够提供高发光效率和长寿命等优点，逐渐成为LED制造业的主流。
1.3 输变电材料输变电材料是将电能输送到LED芯片的介质，主要包括金属线、铜银合金等导电材料和金属基板等散热材料。
这些材料必须具有良好的导电和散热性能，以确保LED芯片的正常工作。
二、LED芯片制程工艺流程LED芯片制程包括原材料准备、基片清洗、晶体生长、芯片制造、打片、电极制造、封装等环节。
2.1 基片清洗为了保证LED芯片的品质，必须先将基片进行清洗，去除表面的污垢和杂质。
清洗过程包括去除油污、酸洗、去胶等，以确保基片表面光滑均匀，有利于晶体生长和芯片制造。
2.2 晶体生长在准备好的基片上，逐渐生长出半导体材料晶体。
这一过程包括衬底降温、沉积物初始附着、稳态生长等步骤。
通过这个步骤可以为LED芯片提供高质量的基板。
2.3 芯片制造在基片上生长晶体后，通过化学腐蚀和打印等工艺制作出各种形状的LED芯片。
2.4 电极制造在LED芯片上制作正、负电极，连接到芯片中心对应的区域。
电极制造的材料和工艺对LED芯片发光效率及稳定性有很大影响，需要进行精细的调整。
LCD模组制程原理
1
液晶面板制作
制作液晶面板，包括玻璃基板清洗、涂布、UV曝光、卤化物蒸发等步骤。
2
液晶面板与基板粘合
将液晶层与基板粘合，确保液晶层与色膜之间的间距均匀。
3
FPC连接步骤
连接灵活线路板（FPC）以操纵液晶面板。
新型LCD模组制程技术介绍
极板喷墨打印
采用喷墨技术在极板上印刷特定图案和字符，提高生产效率和降低成本。
LCD模组制程技术在自动化程度、环保措施、成本效益等方面将不断创新和发展，以满足人们对高质量显示的 需求。
模块封装和测试
对LCD模块进行封装和测试，确保其质量和功能。
模组清洗和质量检测
对模组进行清洗和质量检测，确保无灰尘和良好的显示效果。
LCD模组制程的重要性
LCD模组制程关乎液晶显示器的品质，决定其分辨率、色彩还原度等方面，对 电子产品的视觉体验至关重要。
LCD模制程发展历程
LCD模组制程经历了多年的发展，从传统制程到新型技术的引入，不断提升生 产效率、降低成本，并适应不断变化的市场需求。
LCD模组制程原理
LCD模组制程是液晶显示器制造的过程。本演示将介绍传统及新型制程技术、 制程流程控制与优化、环保和卫生安全措施等方面。
什么是LCD模组制程
LCD模组制程是液晶显示器的制造过程，包括设计外观和功能、透明基板材料 的选择、液晶面板制作、对色膜和透明电极的制备等步骤。
传统LCD模组制程步骤
LCD模组制程产业市场前景
LCD模组制程产业具有广阔的市场前景，随着智能设备的普及和需求的增长，LCD模组制程将持续引领显示技 术领域的发展。
LCD模组制程在电子产品生产 中的应用
LCD模组制程广泛应用于各类电子产品，如智能手机、电视、平板电脑和汽车 显示屏等，为用户提供出色的视觉显示效果。
micro led cog 常规制程
Micro LED是一种新型的显示技术，它采用微小的LED芯片作为显示单元，具有高亮度、高对比度、高刷新率和低功耗等优点。
COG（Chip on Glass）是一种常规制程，用于将芯片直接封装在玻璃基板上。
Micro LED的制程过程通常包括以下几个步骤：
1. 原材料准备：准备LED芯片所需的原材料，包括LED芯片、基板、封装材料等。
2. 芯片制备：将LED芯片制备成微小的尺寸，通常采用半导体工艺，包括晶圆制备、薄膜生长、光刻、蚀刻等步骤。
3. 基板准备：准备玻璃基板，通常采用特殊的玻璃材料，具有良好的光透过性和机械强度。
4. COG封装：将制备好的LED芯片直接封装在玻璃基板上，通常采用COG技术，将芯片粘贴在基板上，并使用导线连接芯片和基板。
5. 封装材料：在COG封装完成后，使用封装材料对LED芯片进行保护，以提高其稳定性和可靠性。
6. 测试和调试：对封装好的Micro LED进行测试和调试，确保其正常工作。
需要注意的是，Micro LED的制程相对复杂，需要高精度的设备和工艺控制，目前仍处于发展阶段，尚未实现大规模商业化生产。
LTPS制程与技术发展
LTPS制程与技术发展简介LTPS（Low Temperature Polysilicon）是指低温多晶硅制程。
它是一种用于制造高分辨率、高灵敏度的主动矩阵液晶显示器（AM-LCD）的技术。
LTPS制程与技术在过去几十年里经历了长足的发展，为现代液晶显示器的高品质和高性能提供了坚实的基础。
本文将重点介绍LTPS制程的原理、工艺步骤以及技术发展。
原理LTPS制程的原理是通过在低温条件下生长多晶硅薄膜来制造晶体管。
与普通的TFT（Thin Film Transistor）技术相比，LTPS制程可以在较低的温度下实现更高的结晶度和更高的电子移动度。
这样可以提高晶体管的开关速度和电流驱动能力，从而实现更高的像素密度和更快的响应时间。
LTPS制程使用的低温多晶硅薄膜通常通过两个步骤来生长：首先是硅薄膜的液相晶化（Liquid Phase Crystallization，LPC）过程，然后是后晶体治理（Post Annealing）过程。
在液相晶化过程中，通过在多晶硅薄膜上加热的同时用激光或其他能量源进行照射，使硅原子重新排列成晶体结构。
而在后晶体治理过程中，通过进一步的加热和退火处理来消除晶粒边界和其它缺陷，使得薄膜具有更好的结晶度和电学特性。
工艺步骤以下是LTPS制程的主要步骤：1.衬底准备：选择适当的衬底材料，通常使用的是玻璃基板或亚克力基板。
2.薄膜堆叠：在衬底上依次生长SiO2、SiNx等薄膜层，以提供电学绝缘和机械支撑。
3.多晶硅生长：在薄膜堆叠的表面上用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）等方法生长一层非晶硅（a-Si）薄膜。
这是后续多晶硅生长的基础。
4.液相晶化：使用激光或其他能量源进行照射，在退火和加热的作用下，实现多晶硅薄膜的晶体结构生长。
5.后晶体治理：通过进一步的加热和退火处理，消除晶粒边界和其它缺陷，使得薄膜具有更好的结晶度和电学特性。
LCD制程工艺知识培训
LCD制程工艺知识培训概述液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD）是一种普遍应用于电子设备中的显示技术。
它由多个液晶分子组成，利用电场的作用来控制光的透过和阻挡，从而实现图像的显示。
LCD制程工艺是指将液晶显示器的各个组件制造和组装到一起的过程。
本文将介绍LCD制程工艺的一些基本知识，包括液晶材料的选择、液晶分子的排列与控制、背光源的制备以及最终的组装过程。
液晶材料的选择液晶材料是制作液晶显示器的关键之一。
根据不同的需求，液晶材料可以分为两种类型：向列型液晶和向行型液晶。
向列型液晶是指液晶分子在电场作用下，沿着电场的方向排列。
这种液晶材料适合于较小的液晶显示器，具有较高的亮度和对比度。
向行型液晶是指液晶分子在电场作用下，垂直于电场的方向排列。
这种液晶材料适用于较大尺寸的液晶显示器，具有更好的视角和更快的响应速度。
根据具体的设计要求和应用场景，制程工艺人员需要选择合适的液晶材料来满足产品的要求。
液晶分子的排列与控制液晶分子的排列和控制是液晶显示器的核心技术之一。
液晶分子的排列状态决定了显示器的图像效果和显示性能。
液晶分子有两种基本的排列状态：平行排列和垂直排列。
在制程过程中，可以通过设计电场的作用方式和液晶分子的配方来控制液晶分子的排列状态，从而达到不同的显示效果。
液晶的排列状态可以通过电极的设计和制备来控制。
通常情况下，液晶显示器需要两组电极，其中一组为透明电极，另一组为反射电极。
电场的作用下，液晶分子在两组电极之间排列，从而实现图像的显示。
背光源的制备LCD显示器的背光源是显示器的另一个重要组成部分。
背光源可以提供显示器所需的光源，使得图像在不同环境下都能够清晰可见。
常见的背光源有冷阴极管（CCFL）和LED背光源。
CCFL是一种传统的背光源技术，使用气态冷阴极管产生的光来提供背光。
LED背光源则是一种新型的背光源技术，使用发光二极管（LED）来提供背光。
制作背光源需要注意功耗和光效的均衡。
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6、離子植入裝置 (Ion Implant System)
• 是由重離子加速器及同位素分離器所發展而來 • 應用於不純物質的摻雜處理，進而獲得優良的物理性質 • 一般裝置可分為
– – – – – – – – – – 超低能量型的(Ultra-Low Energy) 中電流型的(Medium Current) 高能量型的(High Energy) 高電流型的(High Current) 植入元素離子化的離子源(一般為Freeman型離子源)及其引出機構 植入離子之質量分離器 高電場離子加速化的加速管 離子束的收斂及偏向處理的偏向機構 基板導入、傳送、掃描和送出等功能的植入處理室 馬達驅動機構、真空系統、電源供應系統及控制系統。
1、液晶胞洗淨裝置
• • • • 分為配向膜印刷前洗淨 面膜後(Lapping)洗淨 液晶注入後洗淨 偏光板貼合前洗淨。
2、配向膜印刷裝置
• 主要目的是為了能形 成配向性液晶。 • 主要配向膜用的材料
– 聚乙醯類樹脂 (Polyimide Resin,PI) ， 在溶液狀態將其塗佈 於基板表面;在基版表 面上塗佈聚乙醯溶液 的裝置。
TFT ARRAY製造技術
以通道蝕刻型α –Si TFT array製程為 例—
α –Si TFT array 的製程有洗淨技術、成膜 技術(濺鍍法、化學氣相沉積法)、光微影 技術(光阻劑塗佈、預先烘焙、微影、顯 影、後續烘焙)、蝕刻技術、光阻劑去除 技術及電極蒸鍍技術。
資料來源：顧鴻壽編著，“光電液晶平面顯示器—技術基礎及應用”
3、配向膜烘培裝置
• 目的是利用脫水閉環反應使配向膜聚醯 化，及使配向膜殘存之溶媒得以去除 • 加熱溫度在180~250ﾟC左右 • 一般常用的有
– 熱風爐方式 – 熱板方式 – 遠紅外線加熱方式
4、面膜裝置(Rubbing System)
• 目的：使配向膜表面之配合導向力增強 • 面磨方式是利用毛布在配向膜表面於一 定方向上進行擦拭，以達到液晶分子的 初期配向處理 • 布材視其用途有使用人造纖維、綿、耐 龍等
資料來源：顧鴻壽編著，“光電液晶平面顯示器—技術基礎及應用”
資料來源：顧鴻壽編著，“光電液晶平面顯示器—技術基礎及應用”
TFT Array 製造設備
玻璃研磨裝置 洗淨裝置 微影曝光裝置 光阻劑旋轉被覆及顯 影裝置 • 光阻劑剝除裝置 • • • • • 乾式蝕刻裝置 • 濕式蝕刻裝置 • 化學氣相沉積鍍膜裝 置 • 濺鍍鍍膜裝置 • 離子植入裝置 • 雷射退火裝置
• 微影製程設備：以曝光用步進機為核心設備， 主要供應商有尼康精機 (Nikon) 、佳能 (Canon) 及ASML公司等三家為主。 • 一般微影製程設備分類有
– – – – – 光微影裝置 電子束微影裝置 雷射束微影裝置 離子束微影裝置 X射線微影裝置。
5、蝕刻製程裝置 (Etching System)
• 蝕刻技術是將不需要的光阻劑部分以物理或化學方式 去除,進而形成所需圖案的一種工程手段。 • 蝕刻製程設備分為：
– 濕式蝕刻(Wet Etching) 裝置：屬等方向性蝕刻，使用HCl、 HNO3、HF等酸性溶液進行蝕刻。 – 乾式蝕刻(Dry Etching裝置：屬異方向性蝕刻
• 化學乾式蝕刻(Chemical Dry Etching,CDE)裝置 • 反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching ,RIE)裝置 • 電漿蝕刻(Plasma Etching ,PE)裝置
2、成膜製程裝置—濺鍍(1) (Thin Film Formation System)
• 濺鍍(Sputtering)成膜法是應用於成長閘電 極、源電極、汲電極、掃描線、儲存電 容電極、信號線以及畫素電極等功能性 金屬薄膜。 • 一般濺鍍裝置基本結構有真空反應室、 排氣機構、放電非活性氣體導入及其壓 力控制系統、放電電力供應控制系統、 濺鍍材料的靶極承接器、基板的傳送搬 運以及保持系統。
2、成膜製程裝置—
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)(2)
• 大氣壓型化學氣相沉積法(Atmospheric Pressure CVD)
– 運用於成長閘電極絕緣膜及層間絕緣膜功能 之SiO2膜。 – 利用熱分解方式，將原料氣體分解反應，促 使薄膜堆積成形。 – 主要機制在於基板表面附近產生反應作用， 使得微小顆粒較少發生，其絕緣性優良。
3、光阻劑塗佈製程裝置 (Photo Resist Coating System)
• 光阻劑塗佈是將光阻劑液滴落於基板的 中央，使其旋轉被覆(Spin Coating)，進 而均勻地散布於基板以形成薄膜。 • 旋轉被覆方式的主要缺點：90%以上的 光阻劑液在旋轉被覆中容易流失。
4、微影製程裝置 (Lithography System)
前言
TFT LCD的陣列電路製程可區分為
• 玻璃基板上形成TFT Array Process：控制及調 變光線之各個畫像素電極、時序信號傳送的配 線及開關元件、透明電極等 • Cell Process ：TFT Array底層玻璃基板及CF的 上層玻璃基板相互貼合並控制其間的間隙距離， 注入液晶後加以封合 • Assembly Process：將液晶胞面板、提供影像信 號和掃描信號驅動IC及控制IC、週邊的零組件 整合於印刷電路板上,並與背光板貼合
2、成膜製程裝置—
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)(2)
• 電漿增強型化學氣相沉積法(Plasma Enhanced CVD)
– 在真空中導入反應氣體，使用高頻產生電漿 於兩片平行平板電極間，將所產生的反應自 由基(Radical)傳達至基板表面，產生表面反 應堆積成薄膜，使用原料氣體為SiH4、PH3、 NH3、N2O等。
9、裁剪切斷裝置 (Panel Breaking System)
• 目的：將所定之大尺寸液晶胞裁剪切割 • 切斷分割方式和裝置有
– 畫線機(Scriber) – 切割機(Break System)
10、液晶導入裝置 (Liquid crystal Filling and EndSealing System)
• 目的：使截斷後的液晶胞，於其內部導 入或注入液晶分子材料
11、偏光板貼合覆著裝置 (Polarizer Sticking System)
• 目的：在導入液晶材料的液晶胞兩測進 行偏光板附著處理 • 偏光板組成：偏光膜、接著劑、保護膜、 剝離膜等 • 偏光板容易發生靜電效應，造成薄膜電 晶體元件特性的損傷，在處理過程須做 好靜電防止的預防對策
2、成膜製程裝置—
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)(1)
• 使用CVD成長薄膜的製程有
半導體層的氫化，形成非晶矽薄膜(α –Si:H) 高濃度磷摻雜於n型的 α –Si:H層 閘電極絕緣膜 層間絕緣膜或作為保護膜功能之氮化矽 (SiNx) – 氧化矽膜(SiOx)等 – – – –
2、成膜製程裝置—濺鍍(2) (Thin Film Formation System)
• 一般濺鍍製程是使用氬類的非活性氣體， 進行物理式的濺鍍
– 反應性濺鍍法：導入反應性氣體時，伴隨著 產生化學反應，進而達到薄膜的形成。 – 同步式濺鍍法(或稱偏壓式濺鍍法)：將數個 不同組成的靶材，置入各別獨立的濺鍍控制 系統，使數個靶材同時進行濺鍍，形成組成 不同化合物或合金的薄膜。
1、洗淨製程裝置 (Cleaning System)
• 洗淨製程作業程序佔整個流程的30%， 對於製程的良率有極大影響 • 使用物理式洗淨技術：毛刷刷洗、超音波
振盪、極超音速振盪、純水噴洗等
• 使用化學式洗淨技術：介面活性劑、酸性
溶液、鹼性溶液、臭氧水溶液等
• 洗淨裝置的種類有：濕式、機械r Spray System)
• 目的：為了使液晶層的厚度均勻化
6、封合材印刷裝置 (Seal Materials Printing System)
• 目的：在兩片玻璃基板上塗佈封合材 • 塗佈方式有
– 網版印刷方式(Screen Printing) – 散布方式(Dispenser)
• 裝置基本結構有
7、光阻劑剝除製程裝置
• 光阻劑剝除方法有
– 藥液剝除法 – 依據氧電漿原理的氧化分解去除的除塵法
• 電漿除塵 • 紫外線除塵 • 臭氧除塵
液晶胞製程/模組設備
• • • • • • • • 洗淨裝置 配向膜塗佈裝置 烘培以及退火爐 面磨裝置 網版印刷裝置 間隔物散布裝置 割線切斷裝置 液晶材料導入裝置 分散器裝置 外接角型構裝裝置 貼合以及硬化裝置 偏光板貼合裝置 帶狀自動接著式及晶 片在玻璃接著式構裝 裝置 • 封合裝置 • • • • •
第2章 顯示技術製程設備
前言
α –Si TFT LCD的應用領域
• • • • 以筆記型電腦的用途為主 小型口袋式的電視機 大型的監視器 液晶電視機
前言
矽半導體材料的製造過程區分為 • 前段工程(Front End Of the Line，FEOL) ：基板 上製作電晶體、電阻器以及電容器等電子元件 的工程,亦稱晶圓工程(Wafer Process) , (Wafer • 後段工程(Back End Of the Line，BEOL)：在基 板上將電路配線形成的配線工程,亦稱組裝及測 試工程(Assemble &Test Process)
7、基板對準和貼合裝置 (Panel Alignment and Assembly System)
• 目的
– 將兩枚玻璃基板精密地貼合在一起 – 使液晶胞之間隙維持在一定值
8、封合硬化裝置 (Sealing System)
• 主要目的
– 使封合劑產生硬化作用 – 使液晶胞之間隙達到所希望之值而固定之