光刻
光刻技术
光刻机总体结构
照明系统 掩模台系统 环境控制系统 掩模传输系统 投影物镜系 统
自动对准系 统
调平调焦测 量系统 框架减振系 统
硅片传输系 统
工件台系统
整机控制系统
整机软件系统
图为CPU内部SEM图像
图为硅芯片集成电路放大图像
图为在硅片上进行的光刻图样
图为Intel 45nm高K金属栅晶体 管结构
SU-8交联示意图
正胶与负胶性能对比
正胶 缺点 （DQN） 特征 优点 优点 分辨率高、对比度好 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 近紫外，365、405、435nm的波长曝 光可采用 良好的粘附能力、抗蚀能力、感光能 力以及较好的热稳定性。可得到垂直 侧壁外形和高深宽比的厚膜图形 显影时发生溶胀现象，分辨率差 对电子束、近紫外线及350-400nm紫 外线敏感
投影式印刷：在投影式印刷中，
用镜头和反光镜使得像聚焦到硅平 面上，其硅片和掩模版分得很开。
三种方法的比较
接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损
坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存 在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。
接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效
应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。
坚膜也是一个热处
理步骤。 除去显影时胶膜 吸收的显影液和水分， 改善粘附性，增强胶 膜抗腐蚀能力。 时间和温度要适 当。 时间短，抗蚀性 差，容易掉胶；时间 过长，容易开裂。
刻蚀就是将涂胶前所
沉积的薄膜中没有被 光刻胶覆盖和保护的 那部分去除掉，达到 将光刻胶上的图形转 移到其下层材料上的 目的。
等离子体去胶，氧气在强电场作用下电离产生的活性氧， 使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O 及其他气体而被 带走。
光刻的四条技术路线
光刻的四条技术路线
1. 接触式光刻（Contact Lithography）：此技术路线将掩模直接与光刻胶接触，通过紫外光照射来传导图案。
接触式光刻具有高分辨率和高精度的特点，但会产生掩模和光刻胶之间的化学反应。
2. 脱接触式光刻（Proximity Lithography）：在脱接触式光刻中，光刻胶和掩模之间仅存在微小的距离，而不接触彼此。
当紫外光照射时，通过距离短暂拉近并拉开来传递图案。
脱接触式光刻比接触式光刻更容易控制化学反应，但相对于接触式光刻的分辨率和精度较低。
3. 投影式光刻（Projection Lithography）：这是最常用的光刻技术路线之一。
先通过光学方式将掩模上的图案投射到光刻胶的表面上。
投影式光刻的特点是具有高分辨率和高通量，但需要复杂的光学系统。
4. 电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）：电子束光刻是一种高分辨率光刻技术，利用聚焦的电子束直接写入图案。
电子束光刻具有非常高的分辨率，但速度较慢，适用于制造高级芯片和小批量生产。
这些光刻技术路线在微电子器件制造中起着重要的作用，根据不同的需求和应用领域选择合适的技术路线。
光刻的概念
光刻的概念
光刻是一种用于精密制造微电子芯片的关键工艺。
它是将光源通过掩膜形成的图案，映射在光刻胶层上的过程。
光刻是半导体工艺中最重要的步骤之一，常用于制造芯片、平板显示器和其他微加工领域。
光刻的过程主要包括光源、掩膜、光刻机和光刻胶四个部分。
首先，光源产生高能紫外光，并通过光学系统聚焦到掩膜上。
掩膜是一张玻璃板上刻有芯片设计图案的薄膜，它将设计图案投影到光刻胶层上。
当紫外光通过掩膜时，它会被掩膜上的图案部分阻挡，只有透过空白区域的光能够通过。
这样，光刻胶层上的光敏物质会发生化学反应，使得光刻胶在暴露部分变得溶解性，而未暴露的部分保持不变。
下一步是将光刻胶进行显影，即将光刻胶层中溶解的部分去除，只保留需要的图案。
然后，在光刻胶层的图案上进行材料的蚀刻或沉积，从而形成芯片所需的结构。
最后，去除剩余的光刻胶，留下清晰的图案，完成光刻。
光刻技术的精度和分辨率决定了芯片的制造质量。
目前，随着微电子技术的不断发展，光刻技术也得到了不断的改进。
例如，通过使用更高分辨率的掩膜和更强的光源，可以实现更小的芯片特征尺寸，提高芯片的集成度和性能。
总而言之，光刻是微电子制造中至关重要的工艺，它通过将光源的图案映射到光刻胶层上，实现微芯片的精确加工。
它在信息技术、通信、医疗设备等领域都发挥着重要的作用，并为我们带来了丰富的科技创新与发展。
(10)光刻技术剖析
•影响光刻的主要因素为掩膜版、光刻胶和光刻机。
•掩膜版由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收玻璃
（主要是金属铬）组成。通常还有一层保护膜。
•光刻胶又称为光致抗蚀剂，是由光敏化合物、基体树脂和有机溶
剂等混合而成的胶状液体。光刻胶受到特定波长光线的作用时化
学结构发生变化，使光刻胶在特定溶液中的溶解特性改变。正胶
X射线光刻胶：
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10.3 光学分辨率增强技术
光学分辨率增强技术包括： 移相掩模技术（phase shift mask )、 离轴照明技术(off-axis illumination)、 光学邻近效应校正技术(optical proximity correction)、
光瞳滤波技术（pupil filtering technology）等。
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27
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10.2 光刻胶（PR-光阻）
光刻时接受图像的介质称为光刻胶。 以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就
转移到晶片表面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为光致 抗蚀剂。 光刻胶在特定波长的光线下曝光，其结构发生变化。 如果胶的曝光区在显影中除去，称为正胶；反之为负胶。
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通过移相层后光波与正常光波产生的相位差可用 下式表达：
Q 2d (n 1)
式中 d——移相器厚度； n——移相器介质的折射率； λ——光波波长。
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附加材料造成 光学路迳差异， 达到反相
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10.3.1 移相掩模技术
粗磨、精磨、厚度分类、粗抛、精抛、超声清洗、检验、平 坦度分类等工序后，制成待用的衬底玻璃。
2、铬膜的蒸发 铬版通常采用纯度99%以上的铬粉作为蒸发
源，把其装在加热用的钼舟内进行蒸发。蒸发前 应把真空度抽至10-3mmHg以上，被蒸发的玻璃 需加热。其它如预热等步骤与蒸铝工艺相似。
光刻的工作原理
光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。
本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。
一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。
首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。
接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。
最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。
二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。
光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。
光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。
光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。
运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。
三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。
首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。
其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。
此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。
四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。
首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。
其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。
此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。
光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。
光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体芯片制造中不可或缺的一步，其目的是将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀或蚀刻的方式将这些图案转移到芯片表层。
下面是一个光刻工艺的详细步骤介绍：1.准备工作：首先需要清洗芯片表面，以去除表面的杂质和污染物。
清洗可以使用化学溶液或离子束清洗仪等设备。
同时，需要准备好用于光刻的基板，这通常是由硅或其他半导体材料制成的。
2.底层涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，胶层的厚度通常在几微米到几十微米之间。
胶液通常是由聚合物和其他添加剂组成的，可以通过旋涂、喷涂或浸涂等方法进行涂覆。
3.烘烤和预烘烤：将涂覆好的光刻胶进行烘烤和预烘烤。
这一步的目的是除去胶液中的溶剂和挥发物，使胶层更加均匀和稳定。
烘烤的温度和时间可以根据不同的胶液和工艺要求来确定。
4.掩膜对位：将掩膜和基板进行对位。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有芯片设计的图案。
对位过程可以通过显微镜或光刻机上的对位系统来进行。
5.曝光：将掩膜下的图案通过光源进行曝光。
光源通常是由紫外线灯或激光器组成的。
曝光时间和光照强度的选择是根据胶层的特性和所需的图案分辨率来确定的。
6.感光剂固化：曝光后，光刻胶中的感光剂会发生化学反应，使胶层中的暴露部分固化。
这一步被称为光刻胶的显影，可以通过浸泡在显影剂中或使用喷雾设备来进行。
7.显影：在光刻胶上进行显影，即移去显影剂无法固化的胶层。
显影的时间和温度可以根据胶层的特性和图案的要求来确定。
显影过程通常伴随着机械搅动或超声波搅拌，以帮助显影剂的渗透和清洗。
8.硬化：为了提高图案的耐久性和稳定性，可以对显影后的芯片进行硬化处理。
硬化可以通过烘烤、紫外线照射或热处理等方法来实现。
9.检查和修复：在完成光刻工艺后，需要对光刻图案进行检查。
如果发现图案存在缺陷或错误，可以使用激光修复系统或电子束工作站等设备进行修复。
10.后处理：最后，需要对光刻胶进行去除，以准备进行下一步的制造工艺。
去除光刻胶的方法可以采用化学溶剂、等离子体蚀刻或机械刮伤等。
光刻和刻蚀的主要步骤
光刻和刻蚀的主要步骤如下：
光刻的主要步骤包括涂胶、曝光和显影。
首先，在硅片上沉积一层光刻胶。
这是一个具有高度选择性和可重复性的光敏聚合物材料，能够在曝光过程中改变化学性质。
然后，通过旋转硅片的方式，将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
接下来，进行曝光和显影。
在曝光过程中，光能激活光刻胶中的光敏成分，从而将光掩模上的电路图形转移到光刻胶上。
在显影液的作用下，未被光刻胶覆盖的区域被显露出来，以进行下一步的刻蚀过程。
刻蚀的主要步骤包括清洗、涂胶、干燥和预处理、放置硅片、进行刻蚀以及退火。
首先，需要清洗硅片表面以去除杂质和污染物。
然后，通过涂胶机将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
接着，将硅片进行干燥和预处理。
预处理可以包括去除表面的污垢和残留物等操作。
之后，将硅片放置在刻蚀机中，进行刻蚀操作。
刻蚀过程中，未被光刻胶覆盖的区域被选择性去除。
最后，进行退火操作，使硅片表面或内部的微观结构发生变化，以达到特定性能的工艺。
简述光刻的原理和应用
简述光刻的原理和应用光刻的原理光刻是一种在制造集成电路和微型器件中广泛应用的工艺，其原理是利用光的干涉、衍射和透射等现象，将光线通过掩模或光刻胶等材料进行图形转移，将图案映射到底片或晶片上。
具体而言，光刻工艺主要包括以下几个步骤：1.准备掩模或光刻胶材料：光刻工艺中需要用到的掩模或光刻胶材料需要事先准备好。
掩模通常由玻璃或石英材料制成，上面刻有期望的图案。
光刻胶则是一种感光材料，光线照射后会发生化学反应，形成预定图案。
2.涂布光刻胶：将光刻胶均匀地涂布在待加工的底片或晶片上。
这一步需要保证光刻胶的厚度均匀，避免出现厚薄不均的情况。
3.暴光：将底片或晶片与掩模对准，并将光照射到光刻胶表面。
光线通过掩模上的孔洞或透明部分投射到光刻胶上，形成特定的图案。
4.显影：使用显影液将光刻胶暴露部分溶解掉，留下掩膜固定在底片或晶片上。
显影液的选择根据光刻胶的性质来确定，一般是使用有机溶剂。
5.清洗和处理：清洗掉未固化的光刻胶和显影液残留，对光刻图形进行清洗和处理，以确保图案的质量和精度。
光刻的应用光刻工艺在集成电路和微型器件制造中具有广泛的应用。
下面列举了一些光刻的应用领域：1. 集成电路制造光刻是集成电路制造中最关键的工艺之一。
光刻工艺可以将电路图案转移到硅片上，形成集成电路的图案结构。
通过多次重复光刻工艺，可以在单个硅片上制造成千上万个电路器件，实现高度集成的芯片制造。
2. 光学器件制造光刻技术在光学器件制造中也得到了广泛应用。
例如，用于实现高精度的光学透镜、光纤和平面波导等器件。
通过光刻工艺，可以在光学材料上制造出具有精确形状和尺寸的图案，实现光线的准确控制和传输。
3. 液晶显示器制造在液晶显示器的制造中，光刻工艺被用于制作液晶显示器的控制电路和图案结构。
通过光刻工艺，可以在基板上制作出非常细小的图案，实现液晶显示器的高分辨率和高亮度。
4. 生物芯片制造光刻工艺也在生物芯片制造中得到广泛应用。
生物芯片是一种集成了微流控、光学检测等功能的微小芯片，用于生物样品的分析和检测。
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前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
涂光刻胶
目的：在晶圆表面涂薄的、 均匀的，并且没有缺陷的光 刻胶膜。
涂胶的质量要求 胶膜均匀 胶层内无点缺陷 厚度符合要求，一般在0.5-1.5μm 胶层表面没有尘埃、碎屑等颗粒
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
特点： §选择性高 §生产量大 §装置成本低
干法刻蚀
干法刻蚀：指利用低压放电产生的等离子体中的离子 或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团 等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达 到刻蚀的目的。
特点： §可控性好 §加工精度高 目前，湿法工艺一般被用于工艺流程前面的硅片准备阶段 §可加工设计形状
光刻技术类似于照片的印相技术，所 不同的是，相纸上有感光材料，而硅片上 的感光材料--光刻胶是通过旋涂技术在工艺 中后加工的。光刻掩模相当于照相底片， 一定的波长的光线通过这个“底片”，在 光刻胶上形成与掩模版（光罩）图形相反 的感光区，然后进行显影、定影、坚膜等 步骤，在光刻胶膜上有的区域被溶解掉， 有的区域保留下来，形成了版图图形。
二、光刻工艺的目标
在晶圆表面建立图形 在晶圆表面正确定位图形
在晶圆表面建立图形
光刻工艺过程的首要目标是在晶圆表面建立 尽可能接近设计规则中所要求尺寸（指feature size 特征图形尺寸）的图形。该目标称为晶圆的 分辨率（resolution)。
在晶圆表面正确定位图形
晶圆上形成的最终图形是用多个掩模版按照特 定的顺序在晶圆表面叠加建立起来的。该过程称 为对准（Alignment）。 要求：1、整个电路图形必须被正确地定位于晶 圆表面； 2、电路图形上每一部分之间的相对位置 也必须是准确无误的。
5层掩模版的硅栅二极管的复合图和分层图
三、光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机
1、光刻胶 光刻胶又叫光致抗蚀剂，一种类似胶卷上所涂物质的感 光材料，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而 成的胶状液体。光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其 化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性 改变。 晶圆表面涂上光刻胶层，经过曝光和显影后，留下和掩 模版对应的图形。 最终的图形是用多个掩模版按照特定的顺序在晶圆表面 一层一层叠加建立起来的。完成光刻工艺后，光刻版图形被 复制在圆片的表面。
光刻和照相
光刻技术是和照相技术类似的图形转移过程：
照相：物体影像－－ 胶卷－－相纸 光刻：光刻掩模版－－光刻胶－－晶圆表面 光刻掩模版——照相底片 光刻胶——胶卷感光材料
光刻是加工集成电路微图形结构的关键工 艺技术，通常，光刻次数越多，就意味着 工艺越复杂。另一方面，光刻所能加工的 线条越细，意味着工艺线水平越高。光刻 工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作。
和清洗阶段。而在图形转换中，干法刻蚀已占据主导地位。
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
去胶
去胶：刻蚀结束后，利用湿法去胶，氧气去胶或
等离子体去胶等方法将覆盖在硅片表面的保护胶
膜去除。
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
光刻胶的比较表
2、光刻母版和掩模版
光刻母版是光刻制程的一个重要步骤，它是 在玻璃或石英板的镀铬薄膜上生成分层设计 电路图的复制图。光刻母版可直接用于光刻， 也可用来制造掩模版，掩模版也是在玻璃底 板镀铬，加工完成后，在掩模版表面会覆盖 许多电路图形的副本。
(a)在玻璃板上镀铬 (b)有相同图形的光刻母版
3、光刻机的分类
接触式：掩模版与晶圆准确对准后，活塞推 动晶圆载片盘使晶圆与掩模版接触。这种接 触会损坏较软的光刻胶层或掩模版。 接近式：带软接触机械装置的接触式光刻机
接触式光刻机
(a)对准阶段
(b) 接触阶段
四、基本光刻工艺过程
光刻工艺过程简述： 光刻工艺过程与一般器件相同，包括有： 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、 去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格 控制，温度过高，时间太长，易造成显影 困难；温度低，时间短，易造成浮胶，针 孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也 同样重要。
曝光
去胶
曝光
曝光：在涂好光刻胶的硅片表面覆盖掩膜版(Mask)， 一般利用紫外光进行照射，使光照部分光刻胶发生光 化学反应。
目的：器件或电路的图形以曝光和未曝光的形式记录 在光刻胶上。
电磁光谱
曝光方法
曝光方法： §光学曝光（接触式、接近式、投影式） §电子束曝光 §X射线曝光 §离子束曝光 光源强度、曝光时间、光源和硅片的距离以及光线平行 度等因素都会影响曝光质量。
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
刻蚀：是指通过光刻胶 暴露区域去掉晶圆最表 层的工艺。
光刻胶的作用：刻蚀阻挡层
目的：将光刻掩膜版上 的图案精确从光刻胶转 移到晶圆表面。 常见刻蚀方法： 湿法刻蚀 干法刻蚀
湿法刻蚀
湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进 行刻蚀的方法。
是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
实现半导体工艺中的图形转移，首先要在掩 模版上形成需要的图形，之后进行图形转移。 每一次图形转移都通过两步完成： 图形从掩模版转移到光刻胶层； 图形从光刻胶层转移到晶圆表面。
光刻工艺流程图
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
曝光
去胶
前烘（软烘焙）
前烘：在80 o C恒温干燥箱中烘10-15分钟。 目的：使胶膜体内溶剂充分挥发，使胶膜干燥，以增强 胶膜与衬底的粘附性和胶膜的耐磨性。 烘焙后，光刻胶仍保持“软”的状态，故又称“软烘 焙”。
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
五、光刻质量要求
光刻的质量直接影响到器件的性能，成品率和可靠性。
要求如下： §刻蚀的图形完整性好，尺寸准确，边缘整 齐，线条陡 直； §图形内无针孔，图形外无小岛； 硅片表面清洁，无底 膜； §图形套刻准确。
1 总图绘制-将设计图选择适当的放大比例（100-1000倍） 画在标准方格坐标纸上（包含各次光刻版的所有图形）。 2 原图刻制-从总图上描刻出各次光刻版的原图红膜（与实 际光刻版图相比放大了适当的放大倍率）。 3 初缩-初步缩小。以各次光刻版的原图红膜为物，将原图 缩至中等尺寸。 4 精缩-精确缩小。以初缩版为物，进行进一步缩小照相， 将版图缩至生产用刻版图的尺寸。 5 分步重复-在一块版上制备出成千上万个相同光刻图形的 过程（要求版上有图形的面积大于衬底片面积）。 6 生产版的复印-采用精缩版为光掩模，在铬底版或氧化铁 底版上制备图形与精缩版相同的生产版的过程。
X射线曝光
利用X射线作光源，透过X射线掩膜，照射到基片表面 的光刻胶上。 基本原理和接近式光学曝光相似。 光学曝光的发展，电子束曝光技术的补充 优点：可获得极为精细的图形 缺点：掩模版制作复杂
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
显影
晶圆完成曝光后，器件或电路的图形就以未曝光和已 曝光的形式记录在光刻胶上，光刻胶上有些部分可溶， 有些部分不可溶。显影技术是用化学反应分解光刻胶 的可溶部分使图案显影。 显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
前烘
晶圆
刻蚀
晶圆
晶圆
曝光
去胶
后烘（坚膜）
后烘：将显影后的硅片放在烘箱中热烘30分钟左右， 使经显影时软化、膨胀的胶膜坚固。 目的：
§可使胶膜与硅片贴得更牢 §增强胶膜本身的抗蚀能力
晶圆
晶圆
基片前处理
晶圆
显影
涂光刻胶
晶圆
后烘（坚膜）
晶圆
光刻是集成电路制造过程中最复杂和最关键 的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀涂层(光刻 胶)发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩膜版图 形复制到圆硅片上，为后序的掺杂、薄膜等工艺 做好准备。在芯片的制造过程中，会多次反复使 用光刻工艺。现在，为了制造电子器件要采用多 达24次光刻和多于250次的单独工艺步骤，使得 芯片生产时间长达一个月之久。目前光刻已占到 总的制造成本的1/3以上，并且还在继续提高。
光学曝光
ａ、接触式 ｂ、接近式 ｃ、投影式（常用）
电子束曝光
扫描式（不需要掩模版） 投影式 优点：高分辨率 高加工精度 缺点：设备复杂 产率低 成本高