2-2半导体三极管
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。
下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。
一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。
对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。
2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。
3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。
4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。
5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。
6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。
7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。
二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。
2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。
3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。
4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。
5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。
6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。
7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。
三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。
这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。
2L贴片三极管
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsMMBT5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURES● Complementary to MMBT5551● Ideal for Medium Power Amplification and SwitchingMARKING: 2LMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitV CBOCollector-Base Voltage -160 V V CEOCollector-Emitter Voltage -150 V V EBOEmitter-Base Voltage -5 V I CCollector Current -0.6 A P CCollector Power Dissipation 0.3 W R ΘJAThermal Resistance from Junction to Ambient 416 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =-100µA, I E =0 -160 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO * I C =-1mA, I B =0 -150 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =-10µA, I C =0 -5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =-120V, I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =-4V, I C =0 -0.1 μA h FE(1) * V CE =-5V, I C =-1mA 80 h FE(2) *V CE =-5V, I C =-10mA 100 300 DC current gain h FE(3) * V CE =-5V, I C =-50mA 50 V CE(sat)1*I C =-10mA, I B =-1mA -0.2 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)2*I C =-50mA, I B =-5mA -0.5 V V BE(sat)1*I C =-10mA, I B =-1mA -1 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat)2*I C =-50mA, I B =-5mA -1 V Transition frequencyf T V CE =-5V,I C =-10mA, f=30MHz 100 MHz*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle ≤ 2.0%.CLASSIFICATION OF h FE (2)RANK LH RANGE 100-200 200-300C,Nov,2012 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】-0.0-0.2-0.4-0.6-0.8-1.0-0.1-1-10-1000255075100125150-0-2-4-6-8-10-12-14-16-18-20-0-5-10-15-20-25-3050100150200250300B A S E -E M I T T E R S A T U R A T IO NVOLTA GEV B Esa t(V)CO L L E C T O R C U R R E N T I C(mA )I h —— AMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃ C O L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )Static CharacteristicMMBT5401Typical Characteristics COLLECTOR CURRENT I C (mA)T RAN S I T I O NFRE Q UE N CYfT(M H z )C,Nov,2012 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】The bottom gasketThe top gasket3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the boxwith the tape Seal the boxwith the tape Stamp “EMPTY”on the empty box Inner Box: 210 mm × 208 mm ×203 mm Outer Box: 440 mm × 440 mm × 230 mm。
2-2 放大电路动态分析
用于测量应力的电阻应变片电桥电路
集成运算放大器具有 双端对称输入的功能
（2）输入信号的波形
① 正弦稳态信号 如音频信号，频率范围在几十赫至几十千赫的正弦 波。经话筒输出的音频信号幅度通常为几～几十毫 伏
② 慢变信号或直流信号
如由温度等非电量经传感器转换所得的信号，随时间变化 缓慢。
直流输入信号应看作是相对于零的变化，切勿与静态值相 混淆。
-3dB频 率
20lgAv2m20lgAvm3dB
上限频率：fH
下限频率：fL 通频带：
BW fHfLfH
通频带越宽，表明放大电路对不同频率信号的适应 能力越强。
如对于扩音机电路，其通频带应大于音频范围 (20Hz~20kHz)。
(5)最大不失真输出幅度
最大不失真输出幅度是放大电路在输出波形不产 生非线性失真的条件下，所能提供的最大输出电 压(或输出电流)的峰值，用Vom (或Iom)表示。 截止失真：由于进入截止区而产生的失真。
第二章 放大电路动态分析
本章从放大电路的交流通路入 手，在输入低频小信号的条件下， 器件用线性电路模型等效，然后用 电路原理中的一些方法，来分析和 计算放大电路的主要技术指标，所 以本章是电子电路分析的基础，要 求熟练掌握。
2.2.1 放大电路的动态性能指标
一、输入信号源和输出负载
1、输入信号源
适用于单端与地之间输入信号的 放大电路—单端信号源
信号源为电压源
信号源为电流源
适用于双端输入信号的放大电路—双端 信号源(对称信号源)
电桥处于平衡状态： Va Vb 5V Va Vb 0V
受力后：
Va 5 Vb 4.98V
V aV b54.9 80.0V 220
两个三极管的电路
两个三极管的电路
摘要：
1.三极管的基本概念和结构
2.两个三极管电路的组成
3.两个三极管电路的工作原理
4.两个三极管电路的应用
正文：
1.三极管的基本概念和结构
三极管，又称双极型晶体管，是一种常用的半导体器件。
它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极。
发射极和集电极之间的电流可以通过改变基极电流来控制，因此三极管具有电流放大的功能。
根据构造材料不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。
2.两个三极管电路的组成
两个三极管电路是由两个NPN 型或两个PNP 型三极管组成的。
每个三极管的基极、发射极和集电极都需要连接在一起，形成一个完整的电路。
电路中还需要一个直流电源，为电路提供稳定的电压。
3.两个三极管电路的工作原理
两个三极管电路的工作原理主要依赖于三极管的电流放大功能。
当一个三极管的基极电流变化时，其发射极和集电极之间的电流会发生相应的变化。
如果另一个三极管的基极电流也发生变化，那么它的发射极和集电极之间的电流也会发生变化。
通过这种方式，两个三极管可以相互影响，实现对电路中电流
的控制。
4.两个三极管电路的应用
两个三极管电路广泛应用于各种电子设备中，例如放大器、振荡器、信号处理器等。
在这些设备中，两个三极管电路可以实现对电流的精确控制，从而实现对电压、频率、信号等参数的调节。
半导体三极管
放大 截止 饱和 倒置
正向 反向 三极管饱和 反向时的管压降 反向 正向UCE被称作 正向
为三极管的 反向饱和压降
放大状态时有： IC=β IB+ICEO≈βIB
UCE=UCC-IC*Rc 减小Rb，IB增大； IC增大，UCE减小 集电结反偏电压减小。 饱和后，UCE≈0, IC=(UCC-UCES)/Rc IC≈UCC/Rc 饱和条件： IB>IC/β IB>(UCC-UCES)/βRc≈UCC/(β Rc）
半导体三极管
3.1 概述
半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT）
c
N P N 集电极 集电结
NPN型 c b
PNP型
c b
b
基极
发射结
e
e
发射极
e
三极管的发射极的箭头方向， 代表三极管工作在放大，饱和 状态时，发射极电流（IE）的 实际方向。
半导体三极管的分类：
按材料分： 按结构分： 按使用频率分： 按功率分： 硅管、锗管 NPN、 PNP 低频管、高频管 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
NPN: 0.35V,0.3V,1V 1V
+VCC
-VCC
PNP: -0.2V,0V,-0.05V -0.05V -0.2V
PNP
0.35V
NPN
0.3V
0V
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止 饱和
正向 反向 正向
反向 反向 正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 4、不饱和则看有没有两个电压差为正向导通电压 例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V
三极管工作原理及详解
三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。
它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。
三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。
在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。
在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。
三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。
这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。
同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。
2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。
这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。
由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。
3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。
然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。
因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。
这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。
总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。
除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。
例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。
在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。
在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。
在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。
总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。
通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。
FOSAN富信电子 三极管 MMBT2222 MMBT2222A-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MMBT2222/MMBT2222A SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN Switching开关▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号MMBT2222MMBT2222A Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO7575VCollector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO3040V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO66V Collector Current集电极电流I C600600mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)250300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA500417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标MMBT2222=M1BMMBT2222A=1PANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MMBT2222/MMBT2222A■ElectricalCharacteristics 电特性(TA =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage 集电极基极击穿电压(I C =10uA ，I E =0)BV CBO 75——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 30(MMBT2222)40(MMBT2222A)——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =10uA ，I C =0)BV EBO 6——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =60V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Leakage Current 集电极发射极漏电流(V CE =35V ,V BE =-3V)I CEX ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain(V CE =10V ，I C =150mA)直流电流增益(V CE =10V ，I C =0.1mA)(V CE =10V ，I C =500mA)H FE1004040—300Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =500mA,I B =50mA)(I C =150mA,I B =15mA)V CE(sat)——10.3VBase-Emitter Saturation V oltage基极发射极饱和压降(I C =500mA,I B =50mA)(I C =150mA,I B =15mA)V BE(sat)——21.2V Transition Frequency特征频率(V CE =20V ，I C =20mA)f T300——MH Z Delay Time 延迟时间(V CC =30V,V BE =-0.5V,I C =150mA,I B1=15mA)t d ——10ns Rise Time 上升时间(V CC =30V,V BE =-0.5V,I C =150mA,I B1=15mA )t r ——25ns Storage Time 贮存时间(V CC =30V,I C =150mA,I B1=I B2=15mA)t s ——225ns Fall Time 下降时间(V CC =30V,I C =150mA,I B1=I B2=15mA)t f——60nsANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MMBT2222/MMBT2222A ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MMBT2222/MMBT2222A■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
二三极管的封装和定义
二三极管的封装和定义我想知道电子元器件SOT封装的定义，比如说SOT23和SOT203等等，后面的数字代表什么呢？SOT是SOP系列封装的一种，一般翻译如下：SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路)电感封装一般包括贴片与插件。
1.功率电感封装以骨架的尺寸做封装表示，贴片用椭柱型表示方法如5.8（5.2）×4就表示长径为5.8mm短径为5.2mm高为4mm的电感。
插件用圆柱型表示方法如φ6×8就表示直径为6mm高为8mm的电感。
只是它们的骨架一般要通用，要不就要定造。
2.普通线性电感、色环电感与电阻电容的封装都有一样的表示，贴片用尺寸表示如0603、0805、0402、1206等。
插件用功率表示如1/8W、1/4W、1/2W、1W等。
3.至于二极管插件一般是DO－41；贴片封装就多SOD－214、LL－34。
4.三极管插件一般是To92；贴片封装就多SOT－23、SOT－223等不能尽说，由于自动化封装变得多种多样。
稳压管有几种?请各位大介绍一下!齐纳管是稳压管的一种,齐纳管与其他二极管有什么区别?半导体稳压二极管亦纳二极管（Zener Diode）或电压调整二极，简称稳压管。
稳压管和半导体二极管都具有单向导电性质，仅仅靠观察外形，有时很难加以区别。
例如，2CW7的外形很象小功率二极管，而2DW7的外形又与晶体管相似。
但是稳压管和二极管也有重要区别。
第一，二极管一般在正向电压下工作，稳压管则在反向击穿状态下工作，二者用法不同；第二，普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。
对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将突然增大，而器件两端的电压基本保持恒定。
半导体、二级管和三极管概述
PN结加反向电压
PN结加反向电压时， 内建电场被增强，势垒 高度升高，空间电荷区 宽度变宽。这就使得多 子扩散运动很难进行， 扩散电流趋于零；
而少子漂移运动处于优势，形成微小的反向的电流。
流过PN结的反向电流称为反向饱和电流(即IS)， PN结呈现为大电阻。由于IS很小,可忽略不计,所 以该状态称为：PN结反向截止。 总结 PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电 流， PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的 反向饱和电流IS，考虑到IS≈0，则认为PN结截止。
基区空穴 的扩散
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动Байду номын сангаас成基极电 流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
电流分配：
IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流
直流电流 放大系数
IC IB
iC iB
交流电流放大系数
I CEO (1 ) I CBO
稳压管的伏安特性
稳压管的主要参数 稳定电压Uz：Uz是在规定电流下稳压管的反向击 穿电压。 稳定电流IZ：它是指稳压管工作在稳压状态时， 稳压管中流过的电流，有最小稳定电流IZmin和最大 稳定电流IZmax之分。
（6）其它类型二极管 发光二极管：在正向导通其正向电流足够大时， 便可发出光，光的颜色与二极管的材料有关。广 泛用于显示电路。
图4 本征半导体中 自由电子和空穴
本征半导体的载流子的浓度 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空 穴对的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就 会填补空穴，使两者同时消失。 在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与 空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达 到动态平衡。即在一定温度下本征半导体的浓度是 一定的，并且自由电子与空穴浓度相等。
2222三级的基本管脚定义
2222三级的基本管脚定义1.将三极管平滑光整的正方形一面正对自己，三个管脚往下，用手拿着。
2.从左往右三个管脚分别是E,B,C。
3.E代表发射极，B代表基极，C代表集电极。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
找出基极，并判定管型（NPN或PNP）对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。
具体方法如下：将万用表拨在R×100或R×1K档上。
红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。
判别发射极和集电极由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。
在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。
将万用表拨在R×1K档上。
用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2020/2/29
14
2.2.2 三极管的基本特性
以NPN型共发射极接法为例，介绍三极管的特 性曲线。
输入特性曲线—— iB=f(uBE) uCE=const 输出特性曲线—— iC=f(uCE) iB=const
2020/2/29
15
1. 输入特性曲线
输入特性曲线—— iB=f(uBE) uCE=const 简单地看，输入特性曲线类似于发射
IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)
IE =IC+IB
2020/2/29
9
3. 三极管的电流关系
(1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中一个可
以作为输入, 一个可以作为输出，这样必然 有一个电极是公共电极。三种接法也称三种 组态。
3
2.2.1 三极管的结构及工作原理 2.2.2 三极管的基本特性 2.2.3 三极管的主要参数及电路模型
2020/2/29
4
2.2.1三极管的结构及工作原理
1. 结构、符号和分类
双极型半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。
collector
集电极 C
— 集电区
N 集电结
基极 B P — 基区
2
2.2 半导体三极管
半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管（三极管）
双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。
二是场效应半导体三极管（场效应管）
场效应型半导体三极管仅由一种
载流子参与导电，是一种VCCS器件。
2020/2/29
1
称为共发射极接法直流电流放大系数
IC = IB+(1+ ) ICBO
IC IB
因 ≈1, 所以 >>1
2020/2/29
12
IC IB 1 ICBO
穿透电流 ICEO 1 ICBO
2020/2/29
13
由以上分析可知，发射区掺杂浓度高， 基区很薄，是保证三极管能够实现电流 放大的关键。若两个PN结对接，相当基 区很厚，所以没有电流放大作用，基区 从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这 是量变引起质变的又一个实例。
P
N
C P
BN P
2020/2/29
E
NPN 型
E
PNP 型
6
分类：
按材料分：
硅管、锗管
按结构分：
NPN、 PNP
按使用频率分： 低频管、高频管
按功率分：
小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
2020/2/29
7
2. 三极管的电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压。
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。
2020/2/29
10
三极管的三种组态
(2)三极管的电流放大系数
对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关
系可以用系数来说明，定义: ICN / IE
称为共基极直流电流放大系数。它表示最
uCE< 1 V uBE=0.7 V uCB= uCE- uBE= <0.3 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由uCE决定。
2020/2/29
19
当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uCB ≥0.3 V
运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入比较平坦的区域， 略微上翘——基区宽 度调制效应。 （动画2-2）
结的伏安特性曲线。因为有集电结电压的 影响，它与一个单独的PN结的伏安特性 曲线不同。
2020/2/29
16
① uCE 0
与二极管特性相似
iB uCE 0 uCE 1 V
2020/2/29
O
uBE
17
②uCE≥1V
uCB= uCE - uBE>0，集电结已进入反偏状态，三 极管处于放大状态，集电极更易收集电子，且
若在放大工作状态：发射结加正向电压， 集电结加反向电压。
现以 NPN型三 极管的放大状态为 例，来说明三极管 内部的电流关系。 (动画2-1)
2020/2/29
双极型三极管内载流子的运动 8
可得如下电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN
2020/2/29
20
输出特性曲线可以分为三个区域:
饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的
数值较小。三极管的饱和压降UCES。 此时发射结正偏，集电结正偏或零偏。
上节课内容提要
1、二极管 （1）二极管的结构 （2）二极管的伏安特性
U
I IS (e UT 1)源自2020/2/291
（3）二极管的开关特性 存在反向恢复时间
（4）二极管的电路模型 直流模型
（5）特殊二极管 稳压二极管
（6）二极管整流电路（精密整流电路） 利用二极管的单向导电性
2020/2/29
后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE 的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，
所以 的值小于1, 但接近1。由此可得:
2020/2/29
11
IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO
IC
IB 1
ICBO
1
令
base
N
发射结 — 发射区
C P
BN P
发射极 E emitter
C
E C
2020/2/29
B
NPN 型 E
B
PNP 型 E
5
从外表上看两个N区,(或两个P区)是 对称的，实际上发射区的掺杂浓度大， 集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。 基区要制造得很薄，其厚度一般在几个 微米至几十个微米。
C
N
B
基区复合更少， 移动一些。
IB减小。特性曲线将向右稍微
但uCE再增加时，曲线右移很不明显。
iB uCE 0 uCE 1 V
O
uBE
2020/2/29
18
2.输出特性曲线
输出特性曲线—— iC=f(uCE) iB=const
它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条 加当以uC说E稍明增，大当时u，CE=发0射V时结，虽因处集于电正极向无电收压集之作下用，，但i集C=电0。 结反偏电压很小，如