第三章集成逻辑门电路例题补充

第三章集成逻辑门电路例题补充
第三章集成逻辑门电路例题补充

第三章集成逻辑门电路例题补充

第2章 逻辑门电路

2.1解题指导

【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门,驱动一只V D =1.5V ,I D =6mA 的发光二极管。

解:74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ,不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ,故可选用74LS01来驱动发光二极管,其电路如图所示。限流电阻R 为

Ω

=--=--=

k V V V R OL D CC 5.06

5

.05.156

【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。

解:由模拟开关的功能知:当A =1时,开关接通。传输门导通时,其导通电阻小于1k Ω,1k Ω与200k Ω电阻分压,输出电平近似为0V 。

而A =0时,开关断开,呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压,输出电平近似为V DD 。

V V V 0200

11

DD

F

≈+=DD

DD

4

4

DD

5

9

9

F

2

1010

1021010V V V V ≈+≈?+=

故电路实现了非逻辑功能。

【例2-3】试写出由TTL门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F。

&

≥1

F ≥1

A

B

图2-3 例2-3门电路

解:由TTL门输入端悬空逻辑上认为是1可写出

【例2-4】试分别写出由TTL门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻辑值。

&&

B F

10kΩ

图2-4 例2-4门电路

解:由TTL门组成上面逻辑门由于10kΩ大于开门电阻R ON,所以,无论A、B为何值。

由CMOS门组成上面逻辑门由于CMOS无开门电阻和关门电阻之说,所以,。

2.2 例题补充

2-1 一个电路如图2-5所示,其三极管为硅管,β=20,试求:ν1小于何值时,三极管T截止,ν1大于何值时,三极管T饱和。

解:设v BE=0V时,三极管T截止。T

截止

V CC

v I

v O +10V

A

B

A

F=

+

+

?

=1

1

F

AB

F=

时,I B =0。此时

10

)

10(020I --=-v v I =2V

T 临界饱和时,v CE =0.7V 。此时

mA

I 0465.010

207

.010BS =?-=

mA

v I I 0465.010

)10(7.027.0I BS

B =----== v I =4.2V

上述计算说明v I <2V 时,T 截止;v I >4.2V 时,T 饱和。

2-2 一个电路如图2-6所示。

⒈ 已知V CC =6V ,V CES =0.2V ,I CS =10mA ,求集电极电阻R C 的值。

⒉ 已知三极管的β=50、V 高电平V IH =2V ,当电路处于临界饱和时,R b 值应是多少? 解:⒈

Ω=-=-=

k I V V R 58.010

2

.06CS CES CC C

⒉ 临界饱和时,I B =I BS 。

mA I 2.050

CS

BS ===

β

Ω=-=-=

k I V V R 5.62

.07

.02BS BE I b

2-3 在图2-6所示电路中,当电路其他参数

不变,仅R b 减小时,三极管的饱和程度是减轻还是加深?仅R C 减小时,三极管的饱和程度是减轻还是加深?

解:R b 减少时,I B 增加,在I C 不变的前提下,三极管的饱和程度加深了。R C 减小时,I CS 增加,在I B 不变的前提下,三极管随着I C 增加,

T

R

C

R b

V CC v I

v

O

图2-6 三极管电路

饱和程度将减轻。

2-4 为什么说TTL与非门输入端在以下三种接法时,在逻辑上都属于输入为0?

⒈输入端接地;

⒉输入端接低于0.8V的电源;

⒊输入端接同类与非门的输入低电平

0.4V.

解:因为四种系列的TTL与非门的V IL(max)都等于0.8V,所以小于、等于0.8V的输入在逻辑上都为0。

2-5 为什么说TTL与非门输入端在以下三种接法时,在逻辑上都属于输入为1?

⒈输入端接同类与非门的输出高电平

3.6V;

⒉输入端接高于2V电源;

⒊输入端悬空。

解:四种系列的TTL与非门的V IH(min)=2V,当v I≥2V时,逻辑上为1。此时,发射极电流不会从发射极流出。当输入端悬空时,因没有发射极电流的通路,也不会有发射极电流从发射极流出,与输入端接高电平等效,故TTL门输入端悬空,逻辑上认为是1。

2-6 在挑选TTL门电路时,都希望选用输入低电平电流比较小的与非门,为什么?

解:负载门的输入端电流小,驱动门的负载电流才小,才可能带更多的门。

2-7 在实际应用中,为避免外界干扰的影

响,有时将与非门多余的输入端与输入信号输入端并联使用,这时对前级和与非门有无影响?

解:有影响。将使前级拉电流负载随并联输入端数成正比例增加。

2-8在用或非门时,对多余输入端的处理方法同与非门的处理方法有什么区别?

解:对于或非门,其多余输入端必须接低电平,否则输出端将永远固定为低电平。而与非门的多余输入端必须接高电平。

2-9异或门能作为非门使用吗?为什么? 解:异或门可以作为非门使用。因为根据B A B A B A F +=⊕=,若使A F =,必须一端接A ,另一端接高电平。此时A A A F =?+?=11

2-10 根据图2-7(a )TTL 与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性和输入端负载特性,求图中(b )中的v o1~v o7的各个值。

解:已知所求电路、电压传输特性、输入特性、输出特性和输入端负载特性如图2-7所示。 由电压传输特性看出:V OH =3.6V ,V OL =0.2V ;阈值电压V T =1.4V 。从输入特性看出:I IL ≈1.4mA 。从输入负载特性看出:R I =1.4k Ω时,V I =1.4V 。从输出特性看出v O =0.8V 时,I L =20mA ;v O =0.6V 时,I L =15mA 。据此,可写出:v O1=0.2V ;v O2=3.6V ;v O3=0.2V ;v O4=3.6V ;v O5=3.6V ;v O6;v O7=0.6V (10×1.4=14mA )。 3.6 0.2 0 v I

(V) v O

(V)

v O

(V)

i L

(mA) 0 0.4 0.2

0.6 0.8 I

(V)

i I

(mA) -1.4

1.4

0 1 2 3

v I

(V)

I (k Ω)

1.4

(a)TTL 与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性和输入端负载特性

2-11已知两个相同的TTL 非门连接如图2-8 (a )所示,非门的传输特性曲线如图(b )所示,其

2-7 TTL 与非门的特性及门电路

O1 2V & O4 & O5 3.6V

300

& O2

3V 0.3V & O3 悬& O6 4V 4.7k & v O7

3.6V G 1

G 2 G 10 & 1 1 1 (b) TTL 与非门的门电路

第3章-逻辑门电路

3 逻辑门电路 3.1 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ,I OL =8mA ,I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ,I IL =0.1mA ,其实省略了表示电流流向的符号。 (1) 根据(3.1.4)和式(3.1.5)计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 (2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的 T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。 解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题3.1.4(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。 对于图题3.1.4(a ),GS V =5V ,DS v =5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。对于图题

第三章集成逻辑门电路例题补充

第2章 逻辑门电路 2.1解题指导 【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门,驱动一只V D =1.5V ,I D =6mA 的发光二极管。 解:74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ,不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ,故可选用74LS01来驱动发光二极管,其电路如图所示。限流电阻R 为 Ω =--=--=k V V V R OL D CC 5.065.05.156 【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。 解:由模拟开关的功能知:当A =1时,开关接通。传输门导通时,其导通电阻小于1k Ω,1k Ω与200k Ω电阻分压,输出电平近似为0V 。 而A =0时,开关断开,呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压,输出电平近似为V DD 。 故电路实现了非逻辑功能。 【例2-3】 试写出由TTL 门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F 。 & ≥1 F ≥1 A B 图2-3 例2-3门电路 解:由TTL 门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 【例2-4】 试分别写出由TTL 门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻 辑值。 B F 图2-4 例2-4门电路 解:由TTL 门组成上面逻辑门由于10k Ω大于开门电阻R ON ,所以,无论 A 、B 为何值 。 由CMOS 门组成上面逻辑门由于CMOS 无开门电阻和关门电阻之说,所以, 。 2.2 例题补充 2-1 一个电路如图2-5所示,其三极管为硅管,β=20,试求:ν1小于何值时,三极管T 截止,ν1大于何值时,三极管T 饱和。 解:设v BE =0V 时,三极管T 截止。T 截止时,I B =0。此时 10) 10(020I --= -v v I =2V T 临界饱和时,v CE =0.7V 。此时 V CC v I v O +10V -V BB V V V 0200 11 DD F ≈+=DD DD 44 DD 599F 210101021010V V V V ≈+≈?+=A B A F =++?=110≡F AB F =

数字电路与逻辑设计习题-3第三章集成逻辑门

第三章集成逻辑门 一、选择题 1. 三态门输出高阻状态时,是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。 A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门 3.以下电路中常用于总线应用的有。 A.T S L门 B.O C门 C.漏极开路门 D.C M O S与非门 4.逻辑表达式Y=A B可以用实现。 A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门 5.T T L电路在正逻辑系统中,以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B.通过电阻 2.7kΩ接电源 C.通过电阻 2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地 6.对于T T L与非门闲置输入端的处理,可以。 A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联7.要使T T L与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻R I。 A.>R O N B.<R O F F C.R O F F<R I<R O N D.>R O F F 8.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可。 A.降低饱和深度 B.增加饱和深度 C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管 9.C M O S数字集成电路与T T L数字集成电路相比突出的优点是。 A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽 10.与C T4000系列相对应的国际通用标准型号为。 A.C T74S肖特基系列 B.C T74L S低功耗肖特基系列 C.C T74L低功耗系列 D.C T74H高速系列 二、判断题(正确打√,错误的打×) 1.TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。() 2.当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。() 3.普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起,否则可能会损坏器件。() 4.两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。() 5.CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。() 6.三态门的三种状态分别为:高电平、低电平、不高不低的电压。() 7.TTL集电极开路门输出为1时由外接电源和电阻提供输出电流。() 8.一般TTL门电路的输出端可以直接相连,实现线与。()

第3章_门电路 课后答案要点

第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =,静态电源电流 2DD I A μ=,输入信号为200Z KH 的方波(上升时间和下降时间可忽略不 计),负载电容200L C pF =,功耗电容20pd C pF =,试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S D D D D P I V m W m W -==??= 动态功耗 ()()2125220020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11T O T S D P P P m W =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ,在负载电容100L C pF 为,输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗

()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能,写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y (b) A

第3章-逻辑门电路

3 逻辑门电路 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =,I OL =8mA ,I IH =,I IL =;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =,I IL =,其实省略了表示电流流向的符号。 (1) 根据(3.1.4)和式()计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 (2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题所示各MOSFET 管的 T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导 通或截止)。 解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。

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