模拟电子技术复习题(含答案)
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。
）第二章（×）1. 运算电路中一般引入正反馈。
（√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
第三章（×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（√）6.PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
（×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
第四章（√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。
（×）3. 晶体管的参数不随温度变化。
（√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。
（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。
（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（√）12. 射极输出器的输入电流是i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。
B第五章（×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。
（√）2. MOSFET的输入电阻比BJT高。
第六章（√ ）1. 运放的共模抑制比CV D V CMR A A K =。
（× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。
（× ）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比K CMR =100dB 。
（ √ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。
（√ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
第七章（√ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。
（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。
（ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。
第八章（√ ）1. 功率放大电路的转换效率VO P P =η。
（ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。
（√ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。
（√ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。
第九章（√ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。
（ √ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF> 的条件。
（√ ）3. RC 正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC 串并联网络中电阻R 和电容C 的值来调节。
（× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（√ ）5. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为ϕf ，放大电路的相移为ϕa ，那么只有φa +φf =2nπ，才满足相位平衡条件。
（ √ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。
第十章（ √ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。
（√ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
二、填空题第二章1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 负 反馈。
2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。
第三章1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。
2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V ，-6V ，-6.2V ，则这只三极管是 PNP 型锗管 。
（写出三极管的类型NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管。
）3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。
第四章4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO 将变 大 （大；小）。
5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。
6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。
7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当R b 太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。
8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内o u 和i u 的相位相 反 （同；反）。
9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。
10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变 大 （大；小）。
11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。
12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。
13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。
14. 下图为某放大电路v A ∙的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 810H Z ，下限截止频率为210H Z 。
20lg /v A ∙15. 用示波器观察NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。
16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。
题15图 题16图第五章1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N 沟道耗尽型MOSFET 管。
2．NMOS 增强型场效应管在放大区的电流控制关系是2D n G S T ()i K v V =-。
第六章电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。
第七章1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。
2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。
3. 在反馈电路中，若∣1+AF ∣>1，则为___负___反馈；若∣1+AF ∣<1时,则为__正____反馈。
4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈 。
5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。
第八章1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT 的最大允许管耗C M P 必须大于 0.2 om P 。
2. 下图功放电路中V CC ＝12V ，R L =6Ω，则最大输出功率P OM ＝ 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。
第九章1. 希望获取频率为100H Z —500H Z 的有用信号，应选用 带通 滤波电路。
2. 正弦波振荡电路主要有RC 和LC 型振荡电路两大类, RC 型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC 型振荡电路一般用来产生 高 频信号。
3. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率o f =12R Cπ 。
4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。
第十章在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。
三、单项选择题（每题2分,共20分） 第一章1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。
A. V AB. i RC. o RD. L R 第三章1．N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。
A. 电子B. 空穴C. 三价元素D. 五价元素 2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 不能确定 3. 晶体二极管具有（A ）特性。
A. 单向导电B. 集电极电压饱和C. 双向导电D. 集电极电流截止 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 5．二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（C ）。
A. I S e U B. S e TUnU I C.S (e1)T Un UI － D. S (e1)TU I +6. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
锗管为（ A ）V 伏。
A. 0.1B.0.3C.0.4D.0.77. 稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加 电压。
（ C ）A.单向导电，反向B.反向击穿，正向C.反向击穿，反向D.单向导电，正向 8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。
A.大B.小C.相等D.无法确定 第四章1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内o V 和i V 的相位（ B ）。
A.同相B.反相C.相差90度D.不确定2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏3. 一个三极管放大电路，B i =60μA ，C i = 2mA,β值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。
A.放大B. 击穿C.截止D. 饱和4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B ）。
A. 二极管D 截止 V 0o1=UB. 二极管D 导通 V 2o1=UC. 二极管D 导通 V 0o1=UD. 二极管D 截止 V 2o1=U图1 图25. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。
A. N 沟道增强型MOS 场效应管B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管C. P 沟道增强型MOS 场效应管D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管 6. 当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。