纳米电子学-课程总结
半导体知识课程心得体会(2篇)
第1篇随着科技的飞速发展，半导体产业已成为全球竞争的焦点。
作为一名对电子科技充满热情的学生，我有幸参加了半导体知识课程，通过这一课程的学习，我对半导体产业有了更加深入的了解，也对自己未来的职业规划有了更清晰的认知。
以下是我对这门课程的心得体会。
一、课程概述半导体知识课程是一门涉及半导体物理、半导体器件、半导体工艺、半导体材料等多个方面的综合性课程。
课程旨在使学生掌握半导体基本理论，了解半导体器件的结构、原理和性能，熟悉半导体工艺流程，为今后从事半导体相关领域的工作打下坚实基础。
二、课程心得1. 深入了解半导体物理基础半导体知识课程首先从半导体物理基础入手，介绍了半导体材料的能带结构、电子输运理论、杂质效应等基本概念。
通过学习，我对半导体材料的性质有了更深刻的认识，了解了半导体器件工作原理的物理基础。
这些知识对于今后从事半导体器件设计和研发具有重要意义。
2. 掌握半导体器件结构与原理课程详细介绍了半导体器件的结构、原理和性能。
通过学习，我了解了二极管、晶体管、MOSFET等常见半导体器件的工作原理，掌握了它们在不同电路中的应用。
此外，课程还介绍了新型半导体器件，如量子点、碳纳米管等，拓宽了我的视野。
3. 熟悉半导体工艺流程半导体工艺是半导体产业的核心环节。
课程详细介绍了半导体工艺的基本流程，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、化学气相沉积等。
通过学习，我对半导体工艺有了全面的认识，了解了不同工艺对器件性能的影响。
4. 了解半导体材料与器件发展趋势课程还介绍了半导体材料与器件的发展趋势，包括新型半导体材料、高性能半导体器件、新型半导体工艺等。
这使我意识到，半导体产业正处于快速发展阶段，作为半导体领域的一员，我们应紧跟时代步伐，不断学习新知识，为我国半导体产业的发展贡献力量。
5. 培养团队协作与沟通能力在课程学习中，我们进行了一系列的讨论、实验和项目实践。
这些活动不仅锻炼了我的专业技能，还培养了我的团队协作与沟通能力。
纳米电子学
纳米电子学
纳米技术是一种新兴技术，它能够以极小的尺寸制造出微小的电子元件，可以大大提高电子设备的性能。
纳米电子学是一个应用纳米技术的新学科，它研究用纳米技术制造出的电子元件及它们在电子设备中的应用。
纳米电子学研究着力于研发新型电子元件，其原理是将纳米材料包裹在表面电极（晶体管，集成电路）之间并利用电子效应，通过研发新的纳米材料，并将其用于新型的电子元件，可以极大改善电子设备的性能。
最近，研究人员发现了一种新型的电子元件纳米结构电晶体，它的出现将带来新的电子技术发展，使得电子设备的性能有了极大提升。
纳米电子学不仅仅是一个有关电子设备的学科，它也可以应用到生物学领域。
研究人员将纳米材料应用到生物体中，以帮助身体更好地进行检测和治疗。
此外，纳米材料还可以应用于环境保护领域，以污染物的分子形式改造和清除空气和水污染物。
纳米电子学的发展受到了两大因素的推动，一个是纳米技术的发展，另一个是电子元件工艺技术的改进。
随着纳米技术不断发展，研究人员可以设计出更小更精密的电子元件，而电子元件工艺技术的改进则提高了电子元件的性能和可靠性。
纳米电子学的应用已经越来越广泛，现已发展成一门新兴学科。
纳米电子学不仅仅改善了电子设备的性能，还可以扩大纳米技术的应用范围，推动生物学和环境保护等领域的发展。
未来，研究人员将在
纳米电子学的基础上继续深入研究，构建出更为完善的纳米电子学理论，并不断开发新的纳米电子技术，实现更多的应用，改善人类的生活。
纳米电子学研究
纳米电子学研究纳米电子学是研究纳米级别下电子学现象的一门学科。
通过对纳米级别下电子器件的制造、物理特性的研究来探索新的应用方式和性能提升。
纳米电子学是以纳米材料的电学特性为研究重点的学科，也是微电子学领域中的重要分支。
1. 纳米电子学的研究与应用随着制造技术的不断进步，纳米电子学已经成为微电子学研究的一个重要领域。
纳米电子学的研究从小到大，从单个分子到半导体器件，从金属电极到纳米线条，都涉及到了电子学和物理问题。
纳米电子学的研究可以帮助我们更好地理解电子学在纳米级别下的特性。
同时，纳米级别的电子器件也具有众多的应用潜力。
比如，在纳米电子学中，可以研究不同金属材料的电子迁移行为和通道电阻变化，来制造针对特定场景下的高速电子器件；又比如，在纳米电子学中，可以研究纳米点的量子效应，实现单光子发射和检测，用于量子计算和量子通信等领域。
2. 纳米材料在纳米电子学中的应用在纳米电子学研究中，纳米材料是一个重要的研究方向。
纳米材料的特性是其尺寸为纳米级别，具有与传统材料不同的物理化学性质。
这些性质在研究和制造纳米电子器件时具有很大的作用。
一些常见的纳米材料包括碳纳米管、金属纳米颗粒、纳米线和单分子等。
这些材料的电学性质和输运特性在电子器件中的应用非常广泛。
例如，在利用纳米材料制造传感器时，纳米线可以作为传感器的敏感层，通过纳米级别的特性和自组装效应来实现对目标物质的高灵敏度和高选择性检测。
在新型晶体管研究领域，碳纳米管、金属纳米颗粒、纳米线都被应用很广泛，这是因为这些纳米材料具有较大的比表面积、不同的电学性质和高度的机械稳定性。
3. 纳米电子学面临的甚微难题在纳米电子学的研究过程中，面临的甚微难题还是有很大的挑战的。
其中主要包括纳米器件的制造和物理特性的探究。
首先，制造技术是制造高质量纳米器件的关键。
受到传统制造技术的限制，纳米级别的器件制造难度很大。
近年来，通过诸如纳米光罩、电子束刻蚀、原子层沉积等新型制造技术的应用，促进了器件制造工艺的发展，但是此类技术的应用还受到许多困难和制约因素的影响。
材料课程心得体会(精选19篇)
材料课程心得体会（精选19篇）（经典版）编制人：__________________审核人：__________________审批人：__________________编制单位：__________________编制时间：____年____月____日序言下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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第五章 纳米电子学
2.电子器件、电路、系统设计
纳米结构 量子阱 量子线
物理效应 共振隧穿效应 高迁移率一维电子气
应用 谐振晶体管、电路和系统 超高速逻辑开关、电路和系统
量子点 量子点接触
可集蓄电子原理
极大容量存贮器
库仑阻塞效应、单电子 单电子晶体管、电路和系统(包 振荡和单电子隧穿效应 含单电子开关和单电子存贮器)
扫描探针显微镜（SPM）技术、分子自组装合成技术以及 特种超微细加工技术
3.4.1 三束光刻加工技术
1、光学光刻技术
光学光刻是IC产业半导体加工的主流技术。通过光 学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件结 构图形“刻”在涂有光刻胶硅片上的技术。
减小光源的波长是提高光刻分辨率的最有效途径。 光刻蚀使用240nm的深紫外光波，能否突破100nm成 为现有光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。
1、RT>RK; 2、e2/2C>> KBT。
➢ 1、RT>RK的物理意义：当一个隧道结两端施以偏压U
时，电子的隧穿几率Γ＝U/(eR)，那么两次隧穿事件的时间 间隔为1/Γ=eR/U，而由测不准原则所决定的一次隧穿事件的 周期为h/(eU)。因此，必须满足eR/U＞＞h/eU，即R ＞＞h/e2。 这意味着两次隧穿事件不重叠发生，从而保证电子是一个一 个地隧穿。
光刻技术——X射线刻蚀、电子束刻蚀、软X射线刻蚀、
聚焦离子束刻蚀等
微细加工——扫描探针显微镜(SPM)作为工具的超微细
加工技术
第二节 纳米电子器件的分类
2.1纳米器件与纳米电子器件
2、纳米电子器件
➢纳米电子器件满足两个条件——
1、器件的工作原理基于量子效应； 2、都具有相类似的典型的器件结构——隧穿势垒包围“岛” （或势阱）的结构。
纳米电子学电子科大
• 原子确实是用肉眼无法看见的。这就需要借助仪 器来开拓我们的视野。就在80年代初期，IBM公 司在世界上第一次研制成功表面分析仪器——扫 描隧道显微镜（STM），使人类第一次能够观察 到单个原子或分子的排列状态。它给我们提供了 对纳米结构进行测量和处理的“眼睛”。 • 那么用什么来操纵原子呢？也得借助仪器来延伸 我们的双手，这就是——扫描探针。1990年，当 IBM公司的科学家成功地用“扫描探针”把35个 氙原子移动位置，按照人的意志组成了IBM三个 字母的时候，人类终于可以搬动原子了。
• 附图就是摩尔文章中所给出的预测图形，据此， 摩尔明确预测， 1975年时集成电路上 的元件数将达到65 000。 果不其然，1975年64K RAM芯片问世，而所谓 64K的精确值正是65536， 即216。这使摩尔预言名 噪一时，并从此把它称为 摩尔定律。
高聚物和纳米复合物
高表面积多孔材料 净化、分离、催化 生物相容、自我调整 药物分配器
H2原子和C纳米管
多层C纳米管
纳米多层管
C纳米索线
C脚手架
C60晶体管
纳米变阻箱
MgH2 块体
鲱骨状
层状
轨道状
Cu分形状
多孔状
Au-足球状
洋葱状
Quantum Dots (量子点)
碳纳米管是由多个 碳原子六方点阵的同轴 圆柱面套构而成的空心 小管，其中石墨层可以 因卷曲方式不同而具有 手性。碳纳米管的直径 一般为几纳米至几十纳 米，长度为几至几十微 米。 碳纳米管可以因直径 或手性的不同而呈现很 好的金属导电性或半导 体性。
纳米科技的进展
• 1.分子电子学获重大进展 1)2001年8月美国IBM公司宣布,该公司用单分子碳纳米管成 功地制成世界上最小的逻辑电路。 2)2001年美国朗讯贝尔实验室用一个单一的有机分子制造 出了世界上最小的晶体管，称为“纳米晶体管”,大小接 近1纳米，在针尖大小的尺寸上可以容纳1000万个这种晶 体管。它以碳为基础，包含氢和硫的有机半导体分子为晶 体管材料，以金原子层为电极。 • 2. 2000年Intel和AMD分别成功研制出栅长为30纳米和40 纳米CMOS器件，2001~2002年又先后研制出栅长为15纳 米的CMOS器件。
纳米电子学-课程总结
纳米电子学当前信息技术不断发展，个人PC机早已进入寻常百姓家，平板电脑和手机以其更加简单的使用方式和快捷的网络接入成为广大人民群众必不可少的日常生活用品。
但是总会听到有人说“我的手机没电了”，“你的手机太慢了”等等令人扫兴的话题，这些问题也就是物理学家、计算机专家和电子工程师矢志不渝为之奋斗的科学问题：芯片的计算性能和功耗。
传统微电子工业从20世纪50年代末发展到现在，特征尺度已下降到22nm，不可避免会出现很多量子效应和介观效应，这些新的现象会严重干扰芯片的正常工作，为了解决这些难题，必须研究纳米尺度的电子学，设计新的器件结构。
一、闻所未闻的几个新现象纳米电子学是讨论纳米电子元件、电路、集成器件和信息加工的理论和技术的新学科。
国家科学基金委将纳米技术定义为长度为1 –100 nm的结构、器件和系统，由于其纳米尺度而具有新奇的特性。
介观尺度下的精彩世界固态器件的尺度从微米缩小到纳米尺度会使系统从量变引起物质性质的质变，尺度的变化导致研究内容和学科的变化。
自然界中大到日月星辰，小到分子原子都有其严格遵守的运动规律，纳米电子学主要研究介观尺度的新现象和新问题。
100nm尺度下可以清晰看出双螺旋结构的DNA是生命信息的携带者，32nm工艺下的芯片每秒可以进行1亿次浮点运算。
在介观尺度下，涉及一些重要的特征长度：德布罗意波长、平均自由程、相位弛豫长度。
在某些小的纳米结构中，输运既不是弹道的也不是扩散的，而是处于这两种极限情况之间的情况。
对于这些结构，有效相位弛豫长度既不是非弹性平均自由程，也不是相干长度。
对于这些结构的理解更困难，它们对于边界条件相当敏感。
弱局域化电子在固体中扩散运动，受到杂质的散射作用，以一定的概率存在时间反演路径，电子经过时间反演路径时，相位的移动是相等的。
如果电子从α点出发，经过时间反演路径回到α点，此时电子处于相反动量态，该电子的强度增加一倍，这说明波在经历了漫散射后仍能产生一定量的回波。
1纳米电子学-绪论3
•1.2.3波动性表现的介观现象
–相位干涉导致的现象：普适电导涨落弱局域化 –电子隧穿现象：隧穿漏电流共振隧穿
•1.2.4 纳米MOS器件的新效应
第一章 绪论
1.2 纳米结构介观现象
•MOSFET结构的研究既具有 显著效益，又具有重要的科学意义 绪论
1.2 纳米结构介观现象-“介观”的概念-欧姆导体
L
第一章 绪论
1.2 纳米结构介观现象-“介观”的概念-扩散输运 理论 •扩散输运: 导体中电子在电场作
用下的运动不断受到各种散射机 制的散射作用. •电子的迁移过程是扩散过程.
•Bloch-Boltzmann准经典理论在 描述杂质和温度对于欧姆型导体 电导的影响是成功的，它也是当 前电子学基本理论之一。
1.2 纳米结构介观现象
出现新的效应
第一章 绪论
1.2 纳米结构介观现象-“介观”的概念
第一章 绪论
1.2 纳米结构介观现象-宏观导体中的扩散输运
•宏观材料导电性可以引入局域电导率σ来描述，如， 矩形两维导体的电导（G）可以写成：G=σW/L
一般认为电导率由材料的性质所决定，与样品几何尺寸无关。
第一章 绪论
1.3 空间与时间特征尺度--费米波长(Fermi wavelength)
第一章 绪论
1.3 空间与时间特征尺度—费米波长的作用
•在低温，电流主要是能量接近费米能的电子所负 载，所以相关电子的波长就是费米波长。 •其他电子，能量低于费米能，具有较长的波长， 它们对电导没有贡献。 •当系统的尺度接近费米波长时，粒子的量子涨落 非常强； •而当尺度远大於费米波长时，粒子的量子涨落相 对较弱。 •此时，它的量子相干性很容易受到破坏。
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纳米电子学当前信息技术不断发展，个人PC机早已进入寻常百姓家，平板电脑和手机以其更加简单的使用方式和快捷的网络接入成为广大人民群众必不可少的日常生活用品。
但是总会听到有人说“我的手机没电了”，“你的手机太慢了”等等令人扫兴的话题，这些问题也就是物理学家、计算机专家和电子工程师矢志不渝为之奋斗的科学问题：芯片的计算性能和功耗。
传统微电子工业从20世纪50年代末发展到现在，特征尺度已下降到22nm，不可避免会出现很多量子效应和介观效应，这些新的现象会严重干扰芯片的正常工作，为了解决这些难题，必须研究纳米尺度的电子学，设计新的器件结构。
一、闻所未闻的几个新现象纳米电子学是讨论纳米电子元件、电路、集成器件和信息加工的理论和技术的新学科。
国家科学基金委将纳米技术定义为长度为1 –100 nm的结构、器件和系统，由于其纳米尺度而具有新奇的特性。
介观尺度下的精彩世界固态器件的尺度从微米缩小到纳米尺度会使系统从量变引起物质性质的质变，尺度的变化导致研究内容和学科的变化。
自然界中大到日月星辰，小到分子原子都有其严格遵守的运动规律，纳米电子学主要研究介观尺度的新现象和新问题。
100nm尺度下可以清晰看出双螺旋结构的DNA是生命信息的携带者，32nm工艺下的芯片每秒可以进行1亿次浮点运算。
在介观尺度下，涉及一些重要的特征长度：德布罗意波长、平均自由程、相位弛豫长度。
在某些小的纳米结构中，输运既不是弹道的也不是扩散的，而是处于这两种极限情况之间的情况。
对于这些结构，有效相位弛豫长度既不是非弹性平均自由程，也不是相干长度。
对于这些结构的理解更困难，它们对于边界条件相当敏感。
弱局域化电子在固体中扩散运动，受到杂质的散射作用，以一定的概率存在时间反演路径，电子经过时间反演路径时，相位的移动是相等的。
如果电子从α点出发，经过时间反演路径回到α点，此时电子处于相反动量态，该电子的强度增加一倍，这说明波在经历了漫散射后仍能产生一定量的回波。
这种回波现象在光的漫散射中已经被直接观察到。
由于电子波动性的效应，电子似乎更倾向于呆在原出发点，这就是所谓的“弱局域化现象”。
单电子现象与库仑阻塞最早的人工操纵单个电子的半经典实验是20世纪初著名的Millikan油滴实验。
在固体电路中实现单电子控制是在油滴实验后80多年才实现的，过去20多年间，出现了可以实现这一目标的技术。
假设一个很小的导体（专业术语称为岛）最初为电中性，在这种情况下观察不到电场。
一个弱的外力F就可以给岛添加一个电子，这样岛中的静电荷Q为-e，并产生一个电场E 排斥其他电子添加到岛上，这种排斥称为库仑阻塞。
虽然基本电荷e ≈1.6×10-19C的电场在宏观尺度以外就衰减为很弱的电场，但是在纳米尺度这个电场非常强。
例如在真空中，10nm带电荷e的球体表面电场强度可以达到近140kV/cm。
由于热涨落会抑制单电子效应，对于100nm尺度的器件，只有在1K温度下才能观察到单电子效应。
单电子晶体管（Single-electron transistors）：通过栅极调节库仑阻塞效应的结构。
除了用金属－绝缘体（氧化层）－金属制造单电子晶体管之外，还可利用处于正常态和超导态之间的金属岛制作单电子晶体管。
纳米器件中的噪声开发以量子效应为基础的纳米器件面临严重挑战，噪声对纳米尺度的量子器件的影响远比对传统器件要大得多。
例如现代深亚微米随机存储器每存储一位信息，需要移动10万个以上的载流子，而单电子存储器仅需要移动少量（100以内）的载流子。
微弱的噪声，甚至一个到几个电子电量的起伏都会引起某个特征尺度以下的器件性能明显恶化。
介观系统中的噪声主要有三种：1)电阻的平衡噪声或者Nyquist-Johnson噪声。
2)围绕稳态电流流动的多种非平衡噪声或者散粒噪声。
3)低频噪声，典型的为1/f噪声。
二、纳米电子器件输运理论电子器件的性能决定于其中电子的输运特性，而电子输运特性与材料的能带结构密切相关。
为计算器件的I-V特性，需要建立器件的输运模型，人们已经发展了不同层次的量子器件输运模型并取得了一定的成功。
因为纳米器件具有复杂的材料和结构，所以在研究理论模型的同时还需要加强计算机模拟和数值求解方法及相应软件的研究。
弹道输运在欧姆型导体中载流子的输运是扩散输运，Bloch-Boltzmann准经典理论是扩散输运的理论基础。
但是在介观导体中，其尺度小于载流子的平均自由程，在载流子输运过程中很可能就不会受到散射而通过样品，这种输运机制称为弹道输运，能够产生弹道输运的导体称为弹道导体。
弹道导体的电阻应该为零，可是实验表明当导体的长度L远远小于其平均自由程时，电导并不会无限大，而是趋于一个极限值G c。
实际上电阻来源于弹道导体与两端接触盘的接触，称为接触电阻。
半导体材料的第一个接触电阻实验是在1988年完成的。
Landauer公式在弹道输运模式下，欧姆定律失效，需要引入新的机制来处理这些系统中的电流。
1957年，Landauer首先针对一维样品推导出两端形式的Landauer公式。
他设想了一个理想模型：一维理想导线把被测样品与外电路连接起来，与外电源形成导电回路。
Landauer公式描述了小导体电阻的特性，结论是：1)界面电阻与导体长度无关，却与接触特性有关；2)电流的离散台阶与窄导体中横向模式相关。
而对于大导体的极限，Landauer公式将恢复到欧姆定律的形式。
量子化电导1988年，Van Wees等人和Wharam等人分别独立给出分裂珊结构中的低温电导实验结果。
电导随珊压变化的曲线出现电导的平台，台阶是G Q=2e/h2的整数倍。
然而在实验发现电导量子化现象之前，理论并没有预测到这种现象纯在。
在通过光滑点接触势透射的局部绝热模型中，考虑最简单的例子：硬壁边界势，假设在限制区的外边势是无限的，在低温条件下，该例子的理论分析结果与实验结果一致。
在非零温度，只要热展宽的能量k B T远小于子带能隙，就能保持电导的平台结构。
反之，当热展宽的数量级k B T与子带能隙同数量级时，电导平台结构将被抹平。
实验发现，在温度为4.2k时，电导量子化几乎完全被冲刷掉。
理想的电导量子化要求每一个模式在一个窄的能量范围内具有透射概率为1，量子点接触中势的涨落和边界粗糙度会使透射概率减小，使电导降低。
边界粗糙度和势的涨落都会引起背向散射，这一点不同于扩散输运，长距离的扩散输运，许多杂质对于电导平均贡献是一个常数，仅依赖于杂质的密度，而不依赖杂质的位置。
三、共振隧穿现象与器件隧穿理论通过求解薛定谔方程发现，能量为E的粒子可以一定的概率T穿过势垒V0（V0>E），这种粒子能够穿透比它功能更高的势垒的现象，称为隧穿效应（tunnelling effect）也叫势垒贯穿，它是粒子具有波动性的表现，概率T称为透射系数。
这种现象与粒子质量，势垒宽度以及V0-E有关，在一般条件下，透射系数T非常小，不容易观察到势垒穿透现象。
隧穿时间、隧穿电流等问题比较难于理解，需要深入研究。
共振隧穿二极管（RTD）器件在量子论建立不久后就发现了隧穿现象，此后科学家一直不懈的研究这种现象和它的应用，也提出了各种隧穿器件。
1969年Tsu和Esaki首先预测到半导体超晶格势垒结构中能够产生共振现象。
双势垒结构的第一个共振隧穿实验由IBM公司完成，他们在低温下，在MBE工艺生长的异质结构中观察到相当微弱的负微分电阻的I-V特性。
RTD基于共振隧穿原理，在已经研究的几种纳米器件中，RTD可能是数字电路应用中最有前景的候选者，因为它具有负微分特性，和适合用于数字信号处理。
四、未曾深入学习的内容单电子器件目前研究的能够产生单电子现象的系统主要有两种类型：一种是金属-绝缘体结构类型；另外一种是半导体二维电子气结构类型。
当前大多数单电子实验室基于第一种类型的结构。
单电子隧穿（SCT）效应是指，在源漏之间添加岛的结构中，可以研究由栅极电压控制的单个电子电荷精度的电流，即单个电荷在受控状态下从一个岛到另一个到的传输。
产生单电子隧穿效应的两个条件是：1)系统必须有一个库仑岛；2)岛必须足够小，温度必须足够低，使得给岛添加一个荷电载流子的库仑能EC远超过可以利用的热涨落能。
量子点器件从几何特性上看，金属到与半导体量子点都是3D方向受到限制的所谓0维电子结构，都存在单电子现象；从输运特性上看，量子点系统也存在共振隧穿现象。
当0维RTD结构中孤立量子点与电子库仑之间存在微弱耦合时，电子输运表现出明显的振荡特性。
在量子点的设计和制造过程中可以控制势垒厚度，量子阱的宽度以及横向限制的尺度等参数。
纳米CMOS技术历经多年的发展，CMOS技术已经成为现代超大规模集成电路（VLSI）的主流技术。
现在CMOS工艺已经发展到纳米阶段，与与道路很多挑战。
1)电源电压和阈值电压2)珊氧化层3)高场效应4)杂质随机分布效应5)互连线延迟针对这些问题可以采用SOI CMOS、SiGe CMOS、低温 COMS、双珊 CMOS、环珊CMOS和动态阈值CMOS等结构来解决。
自旋电子学传统微电子工业以电子电荷为基础，按照摩尔定律，芯片计算能力每18个月提升一倍，已达到物理理论极限。
自旋电子学很有研究前景，主要包括磁致电阻、铁磁材料、STTRAM器件等内容。
磁致电阻效应：添加磁场→改变材料内部磁结构→影响极化电流→形成电阻。
1)与传统微电子CMOS工艺不兼容。
2)应用于信息存储、信息处理、激发可调微波、量子比特。
对于以上四项内容，由于时间有限还未曾深入学习，还有很多不懂得知识，需要继续学习，继续研究。
结束语通过一学期的认真学习，我从一个纳米电子学的门外汉，逐步进入到奇妙而美丽的纳米世界。
看到了很多精彩的介观现象和器件，极大地拓展了自己的视野，培养了探索未知世界的兴趣。