除胶渣沉铜讲义

沉铜讲义一、 沉铜目的沉铜的目的是使孔壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um 的铜,使孔壁具有导电性,通常也称作化学镀铜、孔化。

二、 沉铜原理络合铜离子(Cu 2+-L )得到电子而被还原为金属铜;通常是利用甲醛在强碱性环境中所具有的还原性并在PdCu2+Cu 2++2HCHO +40H Cu +O - 三、 工艺流程去毛刺→膨胀→去钻污→三级水洗→中和→二级水洗→除油调整→三级水洗→微蚀→二级水洗→预浸→活化→二级水洗→加速→二级水洗→沉铜→二级水洗→板面电镀→幼磨→铜检四、 工艺简介1. 去毛刺由于钻孔时的板面会因钻头上升和下降时产生的毛刺(披锋),若不将其除去会影响金属化孔的质量和成品的外观,所用的方法为:用含碳化硅磨料的尼龙棍刷洗,再用高压水冲洗孔壁,冲洗附在孔壁上大部分的微粒和刷下的铜屑。

2. 膨胀因履铜板基材树脂为高分子化合物,分子间结合力很强,为了使钻污树脂被有效地除去,通过膨胀处理使其分解为小分子单体。

3. 除胶(去钻污)使孔壁环氧树脂表面产生微观上的粗糙,以提高孔壁与化学铜之间的接合力,并可提高孔壁对活化液的吸附量,其原理是利用KMnO 4在碱性环境听强氧化性将孔壁表面树脂氧化:C(树脂)+2KMnO4→2MnO2+CO2↑+2KOH (副)1. 4KMnO4+4KOH→4K2MnO4+2H2O+O2↑(再生)2. 3K2MnO4+2 H22KMnO4+MnO2+4KOH若K2MnO4含量过高,会影响KMnO4去钻污效果,固此在槽中用电极使生成的K2MnO4再生为KMnO4。

4.中和经碱性KMnO4处理后的板经三级水洗后能洗去附在板面和孔内大部分的KMnO4,但对于后工序的影响也很大(KMnO4有很强的氧化性,和处理液本身为强碱性),必须用具酸性和还原的中和剂处理,在生产中通常用草酸作中和还原处理(H2C2O4)反应:2MnO4-+H2C2O4+16H+→Mn2++10CO2↑+8H2OMnO2++C2O4-+4H+→Mn2++CO2↑+2H2O有时为了对孔壁上的玻璃纤维进行蚀刻和粗化作用,在中和槽中加入(氟化氢铵) NH4HF+H2SO4作为玻璃蚀刻剂。

5.除油、调整处理化学镀铜时,在孔壁和铜箔表面同时发生化学镀铜反应,若孔壁和铜箔表面有油污,指纹或氧化层会影响化学铜与基铜之间的结合力;同时直接影响到微蚀的效果,随之而来的是化铜与基铜的结合差,甚至沉积不上铜,所以必须进行除油处理,调整处理是为了调整孔壁基材表面因钻孔而附着的负电荷,由于此负电荷的存在,会影响对催化剂胶体钯的吸附,生产中通常用阳离子型表面活性剂作为调整剂。

6.微蚀刻处理微蚀刻处理也叫粗化或弱腐蚀,通过此作用在铜基体上蚀刻0.8-3um的铜,并使铜面在微观上表现为凸凹不平的粗糙面,一方面可以使基体铜吸附更多的活化钯胶体,另一主要作用是提高基铜与化学铜的结合力。

微蚀按照不同的微蚀剂,常有双氧水,NPS、(NH4)2S2O8等种类,它们都是在约2-5%的H2SO4环境中与铜作用达到微蚀目的,因微蚀量微蚀量与微蚀液浓度,温度和时间及Cu2+含量有很大关系,微蚀控制:Cu2+<25g/lT:常温(28℃)时间:1-2.5min7.预浸处理若生产中的板不经过预浸处理而直接进入活化缸,活化缸会因为板面所附着的水,使活化液的PH值发生变化,活化液的有效成份发生水解,影响活化效果,预浸液的组成为活化液的一部分,所以预浸液会因活化液的不同而异。

8.活化处理活化的作用是在绝缘的基体上(特别是孔壁)吸附一层具有催化能力的金属,使经过活化的基体表面具有催化还原金属的能力。

活化液的有效成份为Sn2+、Pd2+等胶体离子,在活化液中发生如下反应:Pd2++2Sn2+ →[PdSn2]2+→Pd0+Sn4++Sn2+当完成活化处理后进入水洗缸,Sn2+会和活化液中Cl和水发生:SnCl2+H2O→SnOHCl↓+HCl在SnCl2沉淀的同时,连同Pd0核一起沉积在被活化的基体表面。

9.加速处理活化之后在基体表面上吸附的是以金属钯为核心的胶团,在胶团的周围包围着碱式锡酸盐,而真正起催化作用的钯并没有充分露出,所以在化学沉铜前除去一部分包在钯核周围的锡化合物使钯核露出,以增强钯的活性,也增加了基体化铜的结合力,加速液浓度太高,处理时间过长会使基体表面的钯脱落,造成孔无铜等问题,所以加速处理应作适当控制。

10.化学沉铜经过以上处理的印制板进入沉铜液,沉铜液中Cu2+与还原剂在催化剂金属钯的作用下发生氧化还原反应,在基体表面沉积一层0.3-0.5um的薄铜,使本身绝缘的孔壁产生导电性,使后续的板面电镀和图形电镀得以顺利进行。

(1)化学沉铜液的成份:铜盐:CuSO4·5H2O 5-15g/l还原剂:HCHO 2.5-5g/lPH调节剂:NaOH 7-10g/l络合剂:适量(2)反应机理络合的铜离子(Cu2+-L)在碱性环境中得到电子被还原为CuCu2+-L+2e→Cu+L ……①化学沉铜与电镀在本质上的差别是化学沉铜的电子由还原剂甲醛提供,而电镀铜时则2HH+4OH-→2HO-+2H2↑+2e……②由①②反应得到化学沉铜反应机理:Cu2++2HCHO+4OH- -+2H2O+H2↑(3)化学沉铜液条件①化学沉铜液为强碱性,甲醛的还原能力取决于沉铜液的碱性强弱,即NaOH的含量。

②化学沉铜液中由于有Cu2+与OH-的共存,为了防止Cu(OH)2沉淀的形成,络合剂必不可少,为Cu2+浓度的1-1.5倍即可。

③保证沉铜液中有足够且适量的还原剂。

④只有在催化剂(Pd、Cu)的存在下才能沉积出Cu。

(4)化学沉铜液中其它反应在加有甲醛的沉铜液中,无论使用与否会存在以下反应:①2Cu2++H H+5OH-→Cu2O+H—O-+2H2OCu2O+H2O 2Cu2++2OH生成的Cu2+歧化反应:2Cu+→Cu+Cu2+所以必须连续用5um 的过滤器过滤沉铜液防止Cu 颗粒存在于沉铜液中。

② 康尼查罗反应2HCHO+NaOH →HCOONa+CH 3OH所以,在放置不用(即保养后)的沉铜液在重新启用时,必须调节NaOH ,补加HCHO ,为了防止甲醛浓度过低时形成大量Cu 2O 。

(5) 化学沉铜反应步骤① 经活化后的基体浸入化学沉铜液中时,在活化剂表面上开始大量吸附甲醛自身水解而生成的甲叉二醇,并由于活化剂的作用,使甲叉二醇具有负电性。

② 带正电的四水合铜离子在带负电性的甲叉二醇的吸引下迁移到活化剂表面,并积累形成双电子层。

③2HO OH+Cu2++OH -→O- +2H 2O+2H ++H 2↑④ 新沉积的铜将活化剂掩盖,其本身成为活化中心,不断地吸附甲叉二醇生成新的沉积铜层。

(6) 化学沉铜液稳定性① 因化学沉铜是在空气搅拌条件下进行的,为了保证稳定性必须加入含有S和N 的有机物,另外有些稳定剂可以有选择性也络合Cu+、使Cu 2+氧化电位降低,易被O 2氧化,释放出合剂。

② 严格控制溶液温度③ 连续过滤化学沉铜液,除去Cu 颗粒。

④ 加入高分子化合物,掩蔽新生成颗粒铜。

11. 板面电镀板面电镀作用是在化学铜基础上通过电镀的方法将整个铜面和孔内薄铜加厚7-10um ,以利于后续工序,板面电镀与图形电镀在原理上和工艺上相同的不作详细介绍:已沉铜板 浸酸(除去表面氧化物)→ →五、沉铜工序中常见问题及解决方法①起泡或掉皮通常是因为板电铜(即一铜)与基铜或化学铜与基铜结合力差造成其原因有:a.化学沉铜线上除油不尽,基铜表面有手指印。

b.微蚀不足。

c.化学沉铜后表面氧化的未被板镀除尽所导致。

解决方法;控制好相关的槽液在工艺范围内,并按产量或分析结果作相应调整。

②孔内粗糙原因:a.除胶强度不够,膨胀不足。

b.某些水缸或药液缸中有脏物。

c.钻孔质量不好,e板本身原因。

d.沉铜液中生成的铜颗粒附在孔壁。

解决方法:a.分析除胶和膨胀缸药液,并作相应调整。

b.通过试验找出产生原因的缸,并用5%H2SO4浸泡2h,对药液缸倒缸清洗,充分过滤药液。

c.选用合格钻头,用合适的参数进行作业,并在沉铜前作好清洁孔内工作。

d.在生产中详细跟踪,检查过滤系洗口:加强来料检验。

③板面粗糙a.缸中有脏物b.沉铜液中颗粒附在板面c.板镀电镀液中脏物解决方法:同于孔粗,作好生产线清洁保养。

④板面沙粒原因:药液缸中有脏物附着解决方法:同上⑤孔无铜原因:a、活化不足b、沉铜缸失调c、加速过度解决方法:a、分析活化液,并作相应调整。

b、调整沉铜液在工艺范围内,有必要则重新开缸。

c、降低加速处理条件,如浓度、时间和温度。

⑥水渍水渍产生的主要原因可能是微蚀过度,或微蚀质量差,处理方法:选择合适的微蚀剂,并控制好微蚀量和质量,其他原因在查找之中。

9.在板面电镀中的缺陷及解决方法和图形电镀相同,这里不作叙述。

返工板①孔无铜,露纤维板作返沉处理。

②孔红、孔黑板作返镀处理。

③板面起泡板,局部轻微起泡,用刀片刮净,擦砂纸行板,严重板微蚀3-5min,粗磨再返沉。

④停电或机械故障时活化后氧化严重板需粗磨后返沉。

10.特殊工艺生产板①客供CEM-3松下料板沉铜时不过膨胀处理。

②φ0.35mm以下板沉两次铜,沉第二次时直接从预浸缸下板,有此沉两次程序。

③单面板孔内需沉铜板,沉铜后用布碎擦去树脂面沉积铜层,再单面电流电镀。

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沉铜线pth除胶渣工艺流程和内容

沉铜线pth除胶渣工艺流程和内容

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沉铜板电培训教材

沉铜板电培训教材
Cu、HCHO、NaOH浓度升高,反应速度增快; HCIO高,均匀覆盖性好(背光好); NaOH高,厚度增快。 温度高,沉积快; 时间长,沉积厚; 打气搅拌:利于溶液稳定;
适宜连续生产,停产状态由于副反应的进行使原料损耗。
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பைடு நூலகம்
关键控制项目与重点注意事项
化学沉铜的维护: 每周转缸清洗、过滤、清除缸底、壁上积铜; 停产时亦要不断打气; 每班需做化学分析,监控各组分; 自动分析添加。
Pd Cu2+2HCHO+40H-→Cu+2HCOO-+2H2O+H2↑(主反应) OH2Cu2++HCHO+5OH-→Cu2O+HCOO-+3H2O H2O Cu+Cu2++2OH(副反应B)
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(副反应A)
2HCHO+NaOH→HCOONa+CH3OH
沉铜
化学铜: 各反应物的作用: Cu2+ HCHO NaOH 化合物(EDTA等) 主要反应物 主要反应物 反应条件(速度控制) 反应条件(稳定反应物的存在形式)
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关键控制项目与重点注意事项
化学沉铜质量监控: 背光测定(一般要求8.0级); 沉铜速率测定(一般要求8~11μ″)。
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关键控制项目与重点注意事项
全板电镀: 1、添加剂失调
光亮剂偏高,板面发亮,光亮剂偏低,板面发白
2、碳处理,半年一次
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常见问题及解决方法
孔内无铜 (沉铜) 孔壁整洁不良 加速过度 提高除油剂含量或更换槽液,检 查操作温度。。 分析调整加速剂含量、铜含量, 检查操作温度 调高NaOH与HCHO含量,升高 量度并增加拖缸板量。 分析调整中和缸含量 分析调整活化剂钯浓度 气振动失效

沉铜ppt课件

沉铜ppt课件
1. 磨板机在运转的过程中,切勿用手指触摸传送轮,防止将 手指卷入传送内,夹伤手指。
2. 如果机器发生卡板,须先停机再取板,防止因机器卡板造 成工伤。
3. 磨板机的烘干段会产生高温,切勿用手触摸,防止烫伤手 指。
4. 搬运板的过程中小心操作双手搬运,避免擦花板面或人员 伤害,每次搬运板不允许超过16P。
3、整理好的待出板,必须再次进行检查,以 免发生混板。检查项目如下: a.L车上的待出板是否是同一个工序;
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一、进出板岗位
1.3 出板操作步骤
4、检查合格的板,将对应的流程卡夹在lot的 中间,流程卡上有生产型号的部分需露在外面;
5、打开ERP系统,将待出板流程卡上的人、机、 物信息录入在系统中;
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一、岗位防护用品介绍及用途
防护用品
图片
用途
岗位
防护面罩
在沉铜线、板电线、酸洗 线保养时和添加化学药品 时佩戴,防止药水溅到脸 部被烧伤。
沉铜线、板电线、酸 洗线
耐酸碱手 套
接触化学、添加化学药品、 岗位保养时佩戴,避免药 沉铜线、板电线、酸 水漏出或手臂接触到药水 洗线 烧伤手。
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一、岗位防护用品介绍及用途
4、已经入数的板,必须在进板记录板上做一个 标记,防止漏入数,
5、把已待上架的板按板的层数依次放在沉铜架 子上。
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一、进出板岗位
1.3 出板操作步骤
1、将放在待出板区的合格板,按型号、LOT号 分类整理在一起;
2、数量足数的板,按出板工序放在一个L车上, 出不同工序的板不允许放在同一辆L车上,以 免出错板;
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一、L车的使用规范
1. 双手推车,推车速度以正常
步行速度为准,转弯慢行, 防止翻车;

沉铜、电镀工序培训讲义

沉铜、电镀工序培训讲义

除胶前后孔壁状态对比
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入职工艺知识培训讲义
RD-CM-WI01S1A
高锰酸钾再生
除胶过程中,高锰酸钾逐渐被还原,氧化能力弱的锰酸钾以及不溶性的二 氧化锰浓度增大,使得溶解树脂的能力逐渐变低,同时生成的二氧化锰沉淀于 槽内,易于附着于印制板上,而造成产品不良。所以,必须进行氧化再生。
4K2MnO4 + O2 + 2H2O → 4KMnO4 + 4KOH
维护频率 每12H 每12H 每12H 每12H 每12H 每12H 每天 每天 每天 每天
工艺控制参数 氧化缸温度75-85℃(设定78℃) 中和缸温度40-50℃(设定45℃) 膨松缸温度73-83℃(设定78℃) 除油缸温度38-45℃(设定40℃) 微蚀缸温度25-32℃(设定30℃) 活化缸温度40-48℃(设定45℃) 加速缸温度22-30℃(设定25℃) 化学沉铜温度30-38℃(设定34℃) 震动频率:运转20S停止20S
化学沉铜(PTH)
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入职工艺知识培训讲义
RD-CM-WI01S1A
各工步工作原理
去毛刺:通过刷磨去除钻孔后的孔口毛刺与孔内钻屑。 溶胀:溶胀环氧树脂,使其软化,保证高锰酸钾去钻污效果。 除胶:利用高锰酸钾的强氧化性,在高温及强碱的条件下,与使溶胀软化 的环氧树脂钻污氧化裂解 中和:去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰。
流负载的需要。 掩孔电镀:一次性将孔铜和面铜加厚到客户需求的厚度(20-25µm)。 电镀填孔:将盲孔进行电镀铜的填充,实现盲孔的互联。
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入职工艺知识培训讲义
1.2.2 电镀铜的主要工艺流程:
图形电镀工艺: 除油→微蚀→预浸→镀铜→浸酸→镀锡

化学沉铜工艺知识讲解-PPT

化学沉铜工艺知识讲解-PPT

三、工艺流程简介- Plasma
2、1、2 去钻污(针对特殊板材)
去钻污主要针对得是Desmear难以去除得板材类型,包括含碳氢化合物板材、HTg板材等。
2、1、3 电镀夹膜得处理
从图可以清晰得看 出,等离子处理后得 板材可以做出三面 包夹得效果,更好得 增强了可靠性。
2、1、4 去除激光钻孔后得碳膜
三、工艺流程简介-Desmear
3、3、2 MLB 除钻污剂 214(主要成分高锰酸钾+液碱)
作用:
高锰酸钾具有强氧化性,在高温及强碱得条件下,与树脂发生化学反应 使其分解溶去。
反应原理:
4MnO4- + 有机树脂 + 4OH-
4 MnO42- + CO2 + 2H2O
附产物得生成:
KMnO4 + OH - K2MnO4 + H2O + O2
After Plating
二、工艺流程
plamsa
等离子处理
磨板
Desmear 除胶渣
Deburr 去毛刺
MLB 211膨松 Promoter 214除胶渣 Neutralizer 216 中和 Conditioner1175除油
Conditioner233调整
Electroless Copper 化学沉铜
作用:除去板子铜面上得氧化物及其它杂质。粗化铜表面,增强铜面与电解铜得齿结 能力
微蚀前
微蚀后
反应式: Cu+ S2O82- Cu2+ + 2SO42-
微蚀后铜面状况
三、工艺流程简介-沉铜工艺
微蚀中可能出现得问题: 微蚀不足:微蚀不足将导致基铜与铜镀层附着力不良、 微蚀过度:微蚀过度将导致在通孔出现反常形状(见图点A和点B)、这种情况将导致化 学铜得额外沉积并出现角裂(负凹蚀)。 槽液污染 :氯化物和有机物残渣得带入会降低蚀铜量、清洁--调整剂后需保证良好得

除 胶 渣 工 艺.ppt2

除 胶 渣 工 艺.ppt2

生成K2MnO4、MnO2、CO2和 H2O。
主要副反应是:4KMnO4+2H2O+ 4KOH = 4 K2MnO4+ CO2↑+2 H2O
3K2MnO4+2H2O=2 KMnO4+ MnO2+2 KOH
d.KMnO4再生
1) 氧化剂再生 例如使用Na2SO2O8作添加剂, 但随着添加量的增加,副产物的累 积,工作液的使用的寿命缩短,需 要更换频密,成本随之增加;
1.温度偏高; 1.联络工务,查看蒸汽管、感 温线; 2. KMnO4浓 度偏高; 2. KMnO4降至工艺范围;
除 胶 3.除胶时间太 3.把除胶时间控制在工艺范围; 过 长; 度
4.膨润时间控制在5-7分钟;
4.膨润处理时 间过长; 5.由化验室调整药液至工艺要 5.膨润药槽浓 求; 度偏高;
胶
胶
渣
图
渣
片
良好的孔壁图片
没有胶渣的孔壁
玻璃纤维
1.何为等离子体
等离子体是电离的气体,整体上现 电中性,是一种带电粒子组成的电离状 态,称为物质第四态(即气体分子离子 化);
2.等离子体去钻污系统
等离子体去钻污系统有五部分组成: 真空腔体、真空泵、RF发生器、微机控 制器、原始气体;
3.形成等离子体有三种方法:
5、等离子体生成原理
1)真空容器保持一定的真空度(102— 103mmhg),射频电源(13.56mmHz) 向真空容器正负极间施加高频高压电压, 则气体在电场的两极间电离,形成电子、 离子、自由基、游离基团和紫外线辐射 粒子等组成的高能量和高活性的等离子 体。
2)等离子体形成:
真空
a. O2+CF4 RF O +OF+CF3+CO+COF+F+e+……

磨板与沉铜工艺培训讲义PPT课件


磨板过度
线路离层
第10页/共36页
操作规范
错
正
误
确
的
的
接
接
板
板
方
方
式
式
NG
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OK
正
错
确
误
的
的 接
放 板 方
板
式
方
式
NG
OK
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龙门式自动沉铜线
竞 铭 机 械 股 份 有 限 公 司
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一、沉铜目的及原理
(1)目的:使孔壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um的铜,使孔壁具有导电性, 通常也称作化学镀铜、孔金属化。
7min);
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(5)碱性除油缸(又名条件剂和清洁剂,需机械摇
摆 和循环过滤)
作
用:清洁和调整孔壁电荷,能有效去除板面上的油
脂
氧化物及粉尘;
药水成份:CH-618,开缸8-12%,最佳值10%,
生产每千尺需补加CH-618碱性除油剂1L ;
温
度:55-65℃ 第处20页理/共时36页间:6-8min(标准7min)
开缸量为180-240g/L,最佳值为220g/L,
生产千尺由分析需要时补加;
2、HCL
开缸量为30-40(ml/L),最佳值为35 ( ml/L ),生产时分析补加;
3、 CH-638
开缸量为1.0-1.5%,最佳值为1.3%,
生产每千尺需补加CH-638 0.5L;
第23页/共36页
(8)二、活化缸(需机械搅拌和循环过滤)
(6)微蚀缸(又名粗化)
作
用:清洁、粗化铜面,确保基材与铜的结合力 ;

PCB沉铜讲义

沉铜讲义一、沉铜目的:沉铜的目的是利用化学反应原理在孔壁上沉积一层0.3um-0.5um的铜,使原本绝缘的孔壁具有导电性,便于后续板面电镀及图形电镀的顺利进行,从而完成PCB电路网络间的电性互通。

二、沉铜原理:利用甲醛在强碱性环境中所具有的还原性并在Pd作用下而使Cu2+被还原成铜。

Cu2++2HCHO+4OH- Cu+2HCOO-+2H2O+H2↑三、工艺流程:粗磨→膨胀→除胶渣→三级水洗→中和→二级水洗→除油→稀酸洗→二级水洗→微蚀→预浸→活化→二级水洗→加速→一级水洗→沉铜→二级水洗→板面电镀→幼磨→铜检四、工艺简介:1. 粗磨:目的是除去板面氧化、油污等杂质,清除孔口披锋及孔中的树脂粉尘等杂物。

2. 膨胀:因基材树脂为高分子化合物,分子间结合力很强,为了使钻污树脂被有效地除去,通过膨胀处理使其膨松软化,从而便于MnO4-离子的浸入,使长碳链裂解而达到除胶的目的。

3. 除胶:使孔壁环氧树脂表面产生微观上的粗糙,以提高孔壁与化学铜之间的接合力,并可提高孔壁对活化液的吸附量,其原理是利用KMnO4在碱性环境中强氧化性的特性将孔壁表面树脂氧化分解。

①反应机理:4MnO4-+C(树脂)+4OH-→MnO42-+CO2↑+2H2O②副反应:2MnO4-+2OH-→2MnO42-+1/2O2+H2OMnO4-+H2O→MnO2↓+2OH-+1/2O2③高锰钾的再生:要提高高锰钾工作液的使用效率,必须考虑将溶液中的MnO42-再生转变为Pd CuMnO4-,从而避免MnO42-的大量产生,目前我司采用的电解再生法,再生机理为:MnO42-+e→MnO4-。

4. 中和:经碱性KMnO4处理后的板,在板面及孔内带有大量的MnO4-、MnO42-、MnO2等药水残留物,因MnO4-本身具有极强的氧化性,对后工序的除油剂及活化性是一种毒物,故除胶后的板必须经中和处理将MnO4-进行还原,以消除它的强氧化性。

还原中和常用H2O2-H2SO4还原体等或其它还原剂的酸性溶液:MnO4-+H2O2+H+→MnO42-+O2↑+H2OMnO4-+R+H+→MnO42-+H2O有时为了对孔壁上的玻璃纤维进行蚀刻和粗化作用,在中和槽中加入NH4HF+H2SO4作为玻璃蚀刻工艺。

PTH除胶渣速率、微蚀速率、沉铜速率测量

PTH除胶渣速率、微蚀速率、沉铜速率测量
1、除胶速率测量方法:
a:取双面裸铜FR4基板(5*5cm),用砂纸打磨好四周,清洗干净,放入烤炉以120度烘烤30min,取出放入干燥器内冷却至室温,称重W1mg;
b、按DESMEAR流程,经预中和,中和,水洗后,于120度哄烤30min,取出放入干燥器内冷却至室温,称重W2mg;
c、除胶渣速率=(W1-W2)mg/板面积cm2
除胶渣控制范围为0.15-0.45mg/cm2
2、微蚀速率测量方法
a、取5cm X 5cm的1.6mm厚雙面銅箔板,面積記為S(cm2);
b、放入烘爐中,在120°C烘30分鐘;
c、在防潮瓶內冷卻至室溫,用分析天平稱重W1(克);
d、隨生產板浸入生產線內的除油缸中,並於微蝕缸後取出(保證浸蝕時間跟生產板一致);
e、用水清洗後,於烘爐中120°C烘30分鐘;
f、在防潮瓶中冷卻至室溫,用分析天平犯法重W2(克);
g、計算:蝕銅速率(微米/分鐘)=10000 X (W1-W2)/(8.93X 2 X S ),微蚀速率控制范围30-70u"
3、沉铜速率测量方法
a、将5*5cm裸铜基板,进行沉铜工序(不经除胶渣工序);
b、放试板入250ml烧杯;加蒸馏水20ml;
c、加入3ml30%硫酸,1.5ml30%双氧水,待铜完全溶解后,用1:1氨水中和至深蓝色,加甲醇10ml,3滴PAN指示剂;
d、用0.05MEDTA溶液滴定至绿色
h、沉铜速率(微米)=(M.V)EDTA×35.5/S滴定毫升数。

称重工具为电子天平,所用板材为FR-4,沉铜速率控制范围15-25u。

沉铜和除胶渣培训资料[2]


Mn7+ 、Mn6+及MnO2
Mn2+
工艺参数一:
N-03L 20 % 硫酸 8% – 10 % 温 度 40 ℃(35–45℃) 时 间 4 min (3–5min) N-03L 1L/25 m2 硫酸 0.4 L/25 m2 每1L工作液处理8 – 10 m2 时请更新
工艺参数二:
N-03G 20 g/L 硫酸 8% – 10 % 温 度 40 ℃(35–45℃) 时 间 4 min (3–5min) N-03G 20 g/25 m2 硫酸 0.4 L/25 m2 每1L工作液处理8 – 10 m2 时请更新
膨松对除胶速率之影响
20
除膠速率(mg/dm2)
19.2 17.2 15.2 13.3 12 8.2 6.8 9.3 7.2
7.5'
19.8 16.5
60 oC
17.5 15 12.5 10 7.5 5
15.6
65 oC
13.2 11.1 7.9 9.02
75 oC 12.5' 70 oC
時間(min) 5'
Accelerator 速化
目的:去除锡钯离子胶团之表面锡化合物 (锡壳),將真正执行催化作用之钯原子裸 露出來。
Sn Sn
Pd
Sn Sn
Sn
反应机理:
SnCl2+Cl- → SnCl3PdCl2+2SnCl3- → [Pd(SnCl3)2Cl2]2[Pd(SnCl3)2]Cl2}2_+H2SO4→Pd+Sn(SO4)2+HCl
Desmear/PTH制程稳定之因素
药水特性 人员操作 定期保养 设备维护 经验累积
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