七星华创单晶炉介绍
单晶炉资料范文范文
单晶炉资料范文范文单晶炉是现代工业生产中的一项重要设备，具有高效、精确的特点，在许多行业中都有广泛应用。
单晶炉技术是一种通过控制熔融的材料在特定温度条件下逐渐形成单晶体的方法。
下面是一份关于单晶炉的资料范文，详细介绍了单晶炉的原理、结构和应用。
单晶炉（Monocrystalline Furnace）是一种利用溶液的化学性质和温度控制来合成单晶体的设备。
其工作原理是通过控制熔融的材料在特定温度条件下逐渐形成单晶体。
单晶炉可以用于生产各种单晶材料，例如硅片、蓝宝石、锗单晶等。
单晶炉的结构一般包括炉体、温度控制系统、搅拌装置、冷却系统等组成部分。
炉体是单晶炉的主体，通常由石英、陶瓷等材料制成，具有良好的耐高温性能。
温度控制系统用于控制单晶炉的工作温度，保证单晶材料的生长质量。
搅拌装置用于搅拌熔融的溶液，防止其中的杂质和气泡对单晶材料的生长产生不良影响。
冷却系统则用于对熔融材料进行降温，使其逐渐形成单晶体。
单晶炉广泛应用于半导体、光电子、光学、化学等领域。
在半导体领域，单晶炉用于制造硅片，是IC芯片生产过程中的关键设备。
硅片是集成电路的基础材料，单晶炉通过高温熔融和凝固技术，将硅材料逐渐生长成为单晶体，再通过切割和加工，制成晶圆用于芯片制造。
在光电子和光学领域，单晶炉用于制造蓝宝石和其他光学单晶材料，用于制造高亮度LED和激光器等器件。
在化学领域，单晶炉用于合成有机无机杂化材料和无机单晶材料，用于研究材料的结构和性质。
单晶炉的主要优点是生产效率高和生长质量好。
由于单晶炉可以通过控制温度和其他条件，使得单晶材料在特定方向上逐渐生长，因此可以实现高效的生产。
其次，单晶炉可以消除晶界和颗粒间的结构缺陷，使得单晶材料具有良好的物理和化学性质。
此外，单晶炉还可以通过控制溶液的成分和掺杂，制备出特定性能的单晶材料，满足不同领域的需求。
然而，单晶炉也存在一些挑战和限制。
首先，单晶炉的设备成本和运行成本较高，需要高温、高压和复杂的控制系统。
单晶炉技术说明书
单晶炉技术说明书1000字单晶炉是一种用于生产高品质单晶体的设备，它是半导体产业的重要设备之一。
下面我将为大家介绍单晶炉的技术说明书。
一、单晶炉的结构单晶炉主要由炉体、加热系统、制冷系统、控制系统等组成。
1. 炉体：炉体是单晶炉的主要组成部分，主要由炉体本体、电极、隔热材料和炉内环境构成。
炉体内部需要保持一定的真空或惰性气氛，以确保单晶生长的质量和稳定性。
2. 加热系统：加热系统是单晶炉的关键部分之一，它主要由加热元件、加热源、温度控制等组成。
加热源可以是电阻丝、感应加热、火焰等形式，但大多数单晶炉使用的是电阻丝。
3. 制冷系统：制冷系统是单晶炉的另一个重要部分，它主要用于保持单晶生长的过程，在单晶炉内部形成适宜的温度梯度和温度分布。
制冷系统主要由冷却水系统和压缩机组成。
4. 控制系统：控制系统是单晶炉的核心，它主要由计算机控制系统和温度控制系统组成。
计算机控制系统主要用于控制整个单晶炉的运行和生长过程，包括加热、真空、气氛等参数，而温度控制系统则主要用于精确控制单晶生长过程中的温度。
二、单晶生长过程单晶生长是单晶炉最重要的功能之一，主要通过以下步骤进行：1. 清洗晶体：将要生长的晶体进行表面清洗，去除表面杂质、油脂等污物和氧化物，确保晶体表面的干净度。
2. 落合：将准备好的晶种和熔融的材料放到炉体中，让晶种和熔融材料相遇，然后慢慢拉出晶种，使熔融的材料附着在晶种上。
3. 晶体生长：炉体内部形成的温度梯度和温度分布，使得材料开始在晶种上生长，形成单晶体。
4. 结晶完成：当晶体完成生长后，将晶体缓慢升温，淬火，将单晶从晶棒上取下。
三、单晶生长常见问题及解决办法1. 晶体表面不平整：可能是晶体过快生长，或熔融液中杂质太多。
解决办法：加大温度梯度，降低熔融材料的污染。
2. 晶体裂纹：可能是晶体过快生长，晶体内部应力过大。
解决办法：控制生长速度，减小温度梯度。
3. 不均匀生长：可能是炉内温度不均匀，或者晶种准备不足。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种重要的材料热处理设备，在材料科学和工程领域有广泛应用。
下面将介绍单晶炉的数据和要求。
首先是单晶炉的基本数据。
单晶炉的工作温度范围通常在几百度到数千度之间，具体取决于所需的材料生长温度。
单晶炉通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
炉体材料一般采用耐高温的材质，如石英或陶瓷。
而炉内加热元件则通常采用电阻丝或电阻片，以提供所需的加热功率。
温度控制系统则是保持单晶生长过程中恒定的温度，通常通过PID控制算法进行控制。
真空装置则用于提供高真空环境，以避免杂质的污染。
其次是单晶炉的要求。
在单晶生长过程中，高纯度的材料是非常关键的。
因此，单晶炉需要具备良好的真空密封性能，以确保炉内杂质的最小化。
此外，炉内温度的均匀性和稳定性也是非常重要的。
温度不仅需要在整个单晶生长过程中保持稳定，还需要在炉内各个位置上保持均匀。
这样才能确保所生长的单晶具有良好的结晶性能。
另外，单晶炉还需要能够提供所需的加热功率，以满足材料生长的需求。
加热功率的调节应该精确可靠，以确保单晶的生长速度和质量。
最后，单晶炉还需要具备安全性能，以防止操作人员因为高温或真空等因素而受伤。
总结起来，单晶炉是一种用于材料热处理的设备，工作温度范围广，通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
在单晶炉的设计中，需要考虑材料的纯度、温度的均匀性和稳定性、加热功率的调节以及安全性能等要求。
单晶炉的设计与构造需要兼顾这些因素，并保证其能够为材料生长提供良好的条件。
希望这些信息能够对您对单晶炉有所了解。
单晶炉工艺技术
单晶炉工艺技术单晶炉工艺技术是一项关键的技术，用于制造高纯度、高质量的单晶材料。
单晶材料广泛应用于半导体、光电和能源等领域，对现代科技的发展起到了重要的推动作用。
本文将介绍单晶炉工艺技术的基本原理、主要步骤和常见问题。
单晶炉工艺技术的基本原理是通过热力学和动力学原理，将多晶材料熔化、结晶形成单晶。
单晶炉通常由炉体、导热系统、温度控制系统和真空系统等组成。
首先，将多晶材料放入炉腔内，并加热至高温，使材料熔化。
然后，通过适当的降温速度和温度梯度，使材料重新结晶，形成单晶。
单晶炉工艺技术的主要步骤包括：1. 准备材料：选择高纯度的多晶材料，通常为硅、镓、锗等半导体材料。
2. 切割多晶材料：通过机械或化学方法将多晶材料切割成适当大小的块状。
3. 净化材料：将切割好的多晶材料进行化学净化，去除其中的杂质和氧化物。
4. 装载材料：将净化后的多晶块放入炉腔中，准备进行熔化过程。
5. 加热和熔化：通过加热装置，提高炉腔内的温度，使多晶材料熔化。
6. 结晶生长：逐渐降低温度和控制温度梯度，使材料重新结晶形成单晶。
7. 冷却和退火：在适当的温度下，对单晶进行冷却和退火处理，提高单晶的完整性和质量。
8. 检测和分选：对产生的单晶进行检测和分选，筛选出质量合格的单晶材料。
在单晶炉工艺技术中，常见的问题包括：1. 杂质：多晶材料中可能存在不同程度的杂质，如金属杂质、氧化物等，这些杂质会影响单晶的质量和性能。
2. 晶体缺陷：在熔化和结晶过程中，可能会产生晶体缺陷，如位错、气泡等，这些缺陷会影响单晶的完整性和物理性能。
3. 结晶速率：控制结晶速率是单晶炉工艺技术的关键，过快或过慢的结晶速率都会导致单晶材料的质量下降。
4. 温度控制：保持炉腔内的温度稳定是制备高质量单晶的关键，温度的变化会影响结晶过程和单晶的形貌。
总结而言，单晶炉工艺技术是一项复杂而关键的技术，通过合理的控制和调节，可以制备高质量的单晶材料。
在实际生产过程中，需要密切关注材料的准备、熔化和结晶过程，并及时解决可能出现的问题，以保证单晶材料的质量和性能。
北京七星华创微电子有限责任公司_企业报告(供应商版)
分地区主要项目
（1）未知（11）
序号
项目名称
招标单位
中标金额 （万元）
1
中 电 科 10 所 DC-DC 变 换 器 0208G-2
中国电子科技集团公司第 十研究所
2
中国电子科技集团公司第 中电科 10 所 DC/DC 变换器 1129G 十研究所
133.8 55.5
3
中国电子科技集团公司第 中电科 10 所 DCDC 变换器 0208G 十研究所
目录 企业基本信息 .................................................................................................................................1 一、业绩表现 .................................................................................................................................1
企业基本信息
企业名称: 营业范围：
北京七星华创微电子有限责任公司
生产厚膜混合集成电路、LTCC 混合集成电路、微组装模块电路；电子产品、集成电路、电 子元器件、电子设备的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务；销售电子产品、通讯设 备、机械设备、计算机软硬件及外围设备、家用电器、建筑材料、装饰材料、日用品、办公 用品；物业管理。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目， 经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类 项目的经营活动。）
1.1 总体指标 ..........................................................................................................................1 1.2 业绩趋势 ..........................................................................................................................1 1.3 项目规模 ..........................................................................................................................2 1.4 地区分布 ..........................................................................................................................4 1.5 行业分布 ...........................................................................................................................5 二、竞争能力 .................................................................................................................................7 2.1 中标率分析 ......................................................................................................................7 三、竞争对手 .................................................................................................................................7 3.1 主要竞争对手....................................................................................................................7 3.2 重点竞争项目....................................................................................................................8 四、服务客户 .................................................................................................................................8 4.1 关联客户中标情况 ............................................................................................................8 4.2 主要客户投标项目............................................................................................................9 五、信用风险 ...............................................................................................................................10 附录 .............................................................................................................................................10
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于制造单晶材料的设备，通过控制温度和压力等参数，将液体材料逐渐凝固成为单晶体。
单晶材料具有高度的晶体结构完整性和均匀性，因此在许多领域有着广泛的应用，如电子器件、光学器件、能源材料等。
本文将介绍单晶炉的基本数据和要求，以帮助读者了解该设备的特点和应用。
一、单晶炉的基本数据1.外观和结构：单晶炉通常由炉体、加热元件、晶体生长室、真空系统、温度控制系统等组成。
其外观一般呈圆筒状或立方体状，尺寸大小根据不同的生长要求而有所差异。
2.温度范围：单晶炉的温度范围通常在1000℃至3000℃之间，不同的材料需要不同的生长温度。
常用的加热元件有电阻加热、感应加热等，可根据实际需求选择。
3.生长室：用于放置生长石英坩埚和控制生长过程的环境。
生长室内需要具备一定的密封性和真空度，以防止杂质进入，影响晶体的质量。
4.控制系统：包括温度控制、压力控制、气体流量控制等功能，用于调节生长环境的参数，保证单晶的质量和生长的速度。
5.真空系统：用于排除生长环境中的气体，保持生长过程中的高真空状态，以减少杂质对晶体的影响。
真空系统包括真空泵、阀门等设备。
二、单晶炉的要求1.温度稳定性：单晶材料的生长过程需要精确控制温度，在不同的生长阶段需要提供不同的温度梯度。
单晶炉的温度控制系统需要具备高精度和稳定性，以确保生长过程的一致性和均匀性。
2.真空度要求：单晶材料生长需要在高真空环境下进行，以排除气体对晶体生长质量的影响。
单晶炉的真空系统需要具备高真空度和良好的密封性，以保证晶体生长的纯净性。
3.晶体生长速率控制：不同的晶体材料需要在特定的生长速率下进行生长，以获得所需的晶体质量和尺寸。
单晶炉的控制系统需要能够精确地控制生长环境中的参数，以调节晶体生长速率。
4.安全性和可靠性：单晶炉属于高温设备，使用过程中需要注意安全防护。
同时，设备的可靠性也是使用者关注的重点，确保设备稳定运行和长时间的使用寿命。
三、单晶炉的应用1.半导体材料生长：单晶炉在半导体行业中广泛应用，用于生长硅单晶和其他半导体材料的单晶。
史上最全的半导体材料工艺设备汇总
小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。
国：京运通、七星华创、京仪世纪、晶龙、理工晶科、华盛天龙、汉虹、华德、中国电子科技集团第四十八所、申和热磁、上虞晶盛、耐特克、晶阳、江南、科晶材料技术、科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国：中国电子科技集团第四十八所、赛瑞达、科晶材料技术、金盛微纳、力冠电子科技。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVT Associates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。
直拉单晶炉设备简介结构
直拉单晶炉设备简介结构单晶炉设备，也称为单晶生长炉，是一种用于生产高质量单晶材料的先进设备。
单晶材料在电子、光电子、光学和磁学等领域有着广泛的应用。
单晶炉设备通过熔融法或气相沉积法进行单晶生长，其结构一般包括炉体、加热元件、温度控制装置、控制系统和附件等部分。
一、炉体炉体是单晶炉设备的主体部分，一般由炉罐和炉盖两部分组成。
炉罐通常由耐高温、高膨胀系数的材料制成，如石墨、石英等。
炉罐的内部需要保持一定的真空度，以防止杂质的污染。
炉盖通常是一个单向旋转的结构，方便单晶生长过程中的试样的进出。
二、加热元件加热元件是单晶炉设备中起到加热作用的部分，一般由电阻丝、电阻板等构成。
加热元件的作用是提供足够的热量使试样内部达到熔点并保持一定的熔化状态。
加热元件通常布置在炉罐的外侧，通过电源供电控制加热温度。
三、温度控制装置温度控制装置是保证单晶生长过程中温度的稳定性和精确性的关键部分。
一般由温度传感器、温控仪和加热控制系统组成。
温度传感器通过测量试样的温度信号反馈给温控仪，温控仪根据设定的温度范围和精度，调节加热控制系统提供的热量，以实现稳定的温度控制。
四、控制系统控制系统是单晶炉设备的核心部分，主要包括温度控制系统、真空控制系统、气体流量控制系统和运行状态监测系统等。
温度控制系统通过控制加热元件的供电功率，实现对温度的控制。
真空控制系统通过控制抽气装置的工作状态，实现对炉罐内真空度的控制。
气体流量控制系统用于控制与单晶生长过程相关的气体的输入和排出。
运行状态监测系统可根据实际需要监测单晶炉设备的工作状态和性能，以提供参考和保障设备的正常运行。
五、附件单晶炉设备的附件包括保护屏、加热瓶、真空泵等。
保护屏是一种用于保护实验人员免受高温辐射的屏障。
加热瓶是单晶生长过程中用来加热试样的容器。
真空泵是单晶炉设备用于维持炉罐内真空度的设备，通常由机械泵和分子泵组成。
总结起来，单晶炉设备是一种结构复杂、功能完善的高精度设备，用于生产高质量单晶材料。
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北京七星华创电子股份有限公司坐落于中关村高科技产业开发区
“电子城科技园”，是一家以微电子技术为核心，以电子专用设备与新型电子元器件为主营业务，集研发、生产、销售、服务及对外投资于一体的大型综合性高科技公司。
七星华创拥有近五十年的真空设备和微电子设备研发制造经验。
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北京七星华创电子股份有限公司
地址：北京市朝阳区酒仙桥东路1号
通讯地址：北京741信箱5分箱
邮编：100016
电话：8610-64348388，84572692，64361831-8561、8565、8258
传真：8610-64376543
电子邮箱：gyl@
公司网址：
HG6001 HG9001
单晶炉
HG9001单晶炉主要技术指标：
电源： 3相380V±10%,50HZ
变压器容量： 230KVA
加热器最大加热功率： 150KVA
加热器最高加热电压： 60V
最高加热温度： 1500℃
冷炉极限真空度： 3Pa
晶体直径： φ6"/φ8"
熔料量： 90Kg
主炉室尺寸： φ850×1220mm 翻板阀通径： φ260mm
拉伸腔尺寸： φ260×2270mm
籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 籽晶快速范围：≥400mm/min 籽晶转速范围： 0～50R/min 坩埚升速范围： 0～2mm/min
坩埚快速范围：≥100mm/min
坩埚转速范围： 0～20R/min
籽晶提升有效行程： 2900mm 坩埚升降有效行程： 400mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm
整机占地面积： 5500mmX3000mm 主机最大高度： 6300mm
HG6001单晶炉主要技术指标：
电源： 3相380V±10%,50HZ 籽晶拉速范围： 0～8.5mm/min 加热器最大加热功率： 150KVA 籽晶快速：≥400mm/min 加热器最高加热电压： 60V 籽晶转速范围： 0～50R/min 最高加热温度： 1500℃ 坩埚升速范围： 0～2mm/min 冷炉极限真空度： 3Pa 坩埚快速：≥100mm/min 晶体直径： φ6"/φ8" 坩埚转速范围： 0～20R/min 熔料量： 60Kg 籽晶提升有效行程： 2600mm
主炉室尺寸： φ800×1120mm 坩埚升降有效行程： 400mm
阀通径： φ260mm 主机占地面积： 2500mmX1500mm
副炉室尺寸： φ260×2270mm 主机最大高度： 6200mm
产品特点:
采用四川英杰直流电源
•5柱变压器，空载电流小，效率比3柱高10%--15%。
•双反芯6脉波比桥式整流功耗小。
•初级调压功耗小、谐波也小。
•水冷循环噪音小，环境温度低。
采用浙大控制器
•自动化程度高：
除引晶、转肩，其他十多个工艺步全部自动。
•PLC控制：
抗干扰强，稳定可靠。
•触膜屏控制：
直观、信息量大、储存历史数据
采用浙大提拉头
•结构紧凑。
•中心软轴，不偏心。
•动平衡处理。
•25转内基本无扰动。
•共振点摆动小。
坩埚驱动
¾坩埚轴为两段组装空心水冷结构
¾坩埚轴的旋转密封采用磁流体密封，升降密封采用焊接波纹管密封 ¾ 坩埚驱动装置包括坩埚的升降驱动、坩埚的快速升降驱动、坩埚的旋转驱动。
¾坩埚的升降结构采用滚珠丝杠及双直线导轨结构，系统刚性好，运动精度高。
¾驱动电机采用直流伺服电机
其他方面
•焊接要求：打坡口焊接。
X光探伤、煤油渗漏检测、正负压检漏。
•去应力要求：振动实效或退火。
•材料要求：每批材料化验检测。
•质量流量控制仪控制氩气流量。
•电动调节阀调节炉内压力。
•进口软轴钢丝经久耐用。
•大型企业。
今年上市上交所。
•不存在转产问题，保证提供永久、良好的服务。
•做精品、做第一，与半导体单晶厂商共同进步。