等离子体增强化学气相沉积设备说明书
PECVD设备介绍
PECVD设备介绍PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）即等离子体增强化学气相沉积技术，是一种常用于制备薄膜的工艺方法。
该方法利用等离子体激活气体分子，使其在室温下与固体表面反应，形成薄膜。
PECVD设备是实现PECVD技术的关键设备之一，本文将对PECVD设备的工作原理、主要组成部分和应用领域进行详细介绍。
【工作原理】PECVD设备主要由气体输送系统、真空系统、等离子体激发系统、基底加热系统和反应室组成。
其工作原理是将气体通过气体输送系统进入反应室，然后通过真空系统将反应室抽成高真空状态，再利用等离子体激发系统将气体分子激发形成等离子体，最后将等离子体中的活性物种沉积在基底上，形成薄膜。
【主要组成部分】1.气体输送系统：由气体缸、气体流量计和气体控制阀等组成，用于控制和输送反应气体。
2.真空系统：由机械泵和分子泵等组成，用于将反应室抽成高真空状态，以保证薄膜质量。
3.等离子体激发系统：主要包括高频电源、等离子体发生器和电极等，用于产生等离子体并激发气体分子。
4.基底加热系统：由加热源和温度控制器等组成，用于加热基底，提供合适的反应条件。
5.反应室：是进行气体反应的空间，通常采用石英制成，具有良好的耐高温、耐腐蚀性能。
【应用领域】1.半导体器件制备：PECVD设备可用于生长SiO2、SiNx等材料，用于制备MOSFET等半导体器件的绝缘层和通道层。
2.光伏电池制备：PECVD设备可用于制备非晶硅、多晶硅等薄膜，用于制备光伏电池的光吸收层和透明导电层。
3.平板显示器制备：PECVD设备可用于制备低温多晶硅薄膜，用于制备薄膜晶体管面板的薄膜电晶体。
4.光学涂层制备：PECVD设备可用于制备SiO2、Si3N4等材料，用于制备抗反射膜、硬质涂层、光学滤波器等光学涂层。
5.纳米材料合成：PECVD设备可用于合成纳米碳管、纳米颗粒等纳米材料，应用于传感器、催化剂等领域。
pecvd设备
PECVD设备在当今先进科技领域中，PECVD设备扮演着至关重要的角色。
PECVD代表等离子体增强化学气相沉积，是一种重要的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光伏、显示器件等领域。
PECVD设备的基本原理PECVD设备利用等离子体产生的活性物种，通过气相反应在基片表面沉积薄膜。
基本原理包括：•等离子体生成：在反应室中建立高频射频电场，使气体放电产生等离子体。
•沉积过程：活性物种在等离子体作用下与基片反应，形成所需薄膜。
PECVD设备的组成一般而言，PECVD设备由以下部分组成：1.反应室：容纳气体并产生等离子体的空间。
2.真空系统：维持反应室内的低压环境。
3.进气系统：引入反应气体。
4.电源系统：提供等离子体产生的电场能量。
5.温控系统：控制基片温度。
6.底座：支撑基片并提供加热功能。
PECVD在半导体工业中的应用PECVD在半导体制造领域有着广泛的应用，主要体现在：1.氧化膜制备：用于晶体管的绝缘层制备。
2.氮化硅膜：在隔离栅结构中的应用。
3.光刻胶薄膜：用于对器件进行光影形成。
4.多晶硅膜：应用于太阳能电池等领域。
未来发展趋势随着技术不断更新迭代，PECVD设备也在不断改进和发展：•高温PECVD：增加设备的操作温度范围。
•多室PECVD：实现多层薄膜的连续沉积。
•高效PECVD：提高沉积速率和材料利用率。
结语PECVD设备在现代工业领域扮演着不可或缺的角色，其应用范围和重要性不断扩大。
未来，随着科技的进步和需求的不断增长，PECVD设备将继续发挥重要作用，推动着产业的发展和创新。
等离子体增强化学气相沉积(一)2024
等离子体增强化学气相沉积（一）引言概述:等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是一种用于制备薄膜材料的重要方法。
通过在化学气相沉积过程中引入等离子体以增强反应活性，PECVD具有优异的控制性能和广泛的应用领域。
本文将介绍PECVD的原理、工艺条件、材料特性以及其在半导体、光电子、光伏等领域的应用。
一、PECVD技术原理1.等离子体的定义和性质2.化学气相沉积与PECVD的区别3.PECVD工艺的基本原理4.PECVD反应过程中的等离子体产生机制5.PECVD原理的研究进展二、PECVD的工艺条件1.反应器设计与选择2.沉积气体选择与流量控制3.沉积压力与温度的控制4.等离子体功率与频率的控制5.衬底表面准备与预处理三、PECVD材料特性1.薄膜厚度与均匀性2.表面质量与界面特性3.薄膜成分与化学组成4.电学性能与光学性能5.薄膜的结构与晶化性能四、PECVD在半导体领域的应用1.薄膜晶体硅的制备2.硅氮化薄膜的制备与应用3.高介电常数薄膜的制备与应用4.电子学器件的制备与优化5.半导体封装材料的制备与应用五、PECVD在其他领域的应用1.光电子材料的制备与应用2.光伏电池的制备与优化3.薄膜传感器的制备与应用4.生物材料的制备与表征5.其他领域中的PECVD应用总结:等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术具有广泛的应用领域和优异的控制性能。
通过引入等离子体，PECVD可以实现高质量薄膜材料的制备与优化，并在半导体、光电子、光伏和生物材料等领域发挥重要作用。
但是，该技术仍然面临一些挑战和问题，如等离子体的稳定性、控制性和薄膜的可伸缩性等。
未来的发展中，我们需要进一步研究PECVD的机理，探索新的工艺条件和材料特性，以实现更广泛的应用和性能优化。
电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统
电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统
电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统是一种用于制备薄膜材料的设备。
它利用等离子体化学气相沉积（PECVD）技术，在真空条件下通过将气体中的前体分子激发至等离子体状态，使其在基底表面沉积形成所需的薄膜材料。
这种系统通常由以下几个主要组件组成：
1. 真空室：用于创建高真空环境，并防止气体泄漏。
2. 电感耦合等离子体发生器：通过高频电源产生高能离子，用来激发气体中的前体分子。
3. 前体供应系统：用于提供所需的前体分子，可以通过气体或液体形式供应。
4. 基底支撑台：用于承载待沉积的基底材料，并提供加热、旋转等功能，以改善薄膜的均匀性。
5. 气体处理系统：用于处理和净化前体分子和副产物中的残留杂质。
系统的操作流程通常包括以下几个步骤：
1. 将基底放置在基底支撑台上，并将其放入真空室中。
2. 创建高真空环境，并使用气体处理系统净化气体。
3. 打开前体供应系统，并将所需的前体分子引入真空室。
4. 打开电感耦合等离子体发生器，产生等离子体，并将其激发的气体与基底反应，形成薄膜沉积。
5. 控制沉积时间和沉积条件，以实现所需的薄膜厚度和组分。
6. 完成沉积后，关闭前体供应系统和等离子体发生器。
7. 通过减压排气系统，将真空室内的气体排至大气。
电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统可应用于多种薄膜材料的制备，如氮化硅、二氧化硅、氧化锌、碳膜等，具有较高的沉积速率、较好的均匀性和良好的精密控制能力。
在材料科学、电子器件制备等领域有着广泛的应用。
等离子体增强化学气相沉积设备PECVD配置和技术指标
等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）配置和技术指标1.系统描述1.1设备主要功能及特点设备利用平板电容式辉光放电原理，将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体，被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应，在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。
经外加电磁场，可根据工艺调节等离子体的密度和能量，精确控制薄膜的生长速率和微结构。
1.1.1可生长材料（可选配）：❖硅基（Si）薄膜：非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、氧化硅（SiO x）、氮化硅（Si x N y）等❖碳基（C）薄膜：石墨、类金刚石（DLC）、碳纳米管（CNTs）、碳纳米线（CNWs）等❖硅锗合金（SiGe）、钨硅合金（WSi2）、W、SiC1.1.2上下极板间距1~6cm范围内在线可调。
1.1.3系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows会话界面，操作简单方便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。
1.2系统组成及设备结构设备主要由高真空沉积室、真空获得系统、真空测量系统、电源系统、气路系统、恒压系统、电气控制系统、自动控制系统、报警系统等部分组成。
1.2.1高真空沉积室真空沉积室采用SS304优质不锈钢制造，桶形卧式结构，上升盖形式。
放电电极采用平行平板电容式结构，上部为带有喷淋式多层匀气盘的射频阴极，下部为可加热的阳极工件台。
上下电极间距可在线自动调节，调节范围1~6cm。
1.2.2真空获得系统样片室为低真空系统，由一台直联旋片式真空泵抽气。
真空沉积室通过一台分子泵及一台直联旋片式真空泵组成抽气系统，将真空室抽至高真空，分子泵与真空室之间由一台超高真空气动插板阀连接。
直联旋片式真空泵出气口带有N2稀释管道。
1.2.3真空测量系统系统配有一台数字显示复合真空计，低真空、高真空数据分别由电阻规和电离规测量。
1.2.4恒压系统腔体开有一个旁路抽口，通过一个碟型压力调节阀连接至罗茨泵，经进口薄膜规测量，由恒压控制软件控制，用于在薄膜沉积时维持压力恒定。
8-等离子体化学气相沉积
AlCl3+O2
700-1000℃
100-500℃
高聚物
、PCVD基本装置
基本类型：
➢ 按发生方法分为：
• 直流辉光放电 • 射频放电——是应用最普遍的一种，分感应耦合和电容耦
合两种 • 微波放电——可与离子注入等手段相结合
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直流辉光PCVD装置
以直流辉光放电等离子体增强措施沉积 TiN为例，说明直流PCVD设备结构的特点， 如图所示示意图。设备由气源系统、离子沉 积反应室、抽气系统组成。所需通入的氢气， 氮气必须为高纯气。由于反应室的真空 度}=hCVD的高，故TiCI。不需用水浴加热 便可气化。工件接电源负极，要有可靠的输 电装置。沉积室壁接电源正极，工件可以吊 挂，也可以用托盘摆放。离子沉积室一般可 不设辅助加热源。离子沉积室用旋片式机械 泵抽真空。本底(即预抽)真空度为1～10Pa， 沉积真空度为5×10-2Pa左右。工件靠反应 气体放电产生的氮离子、氢离子、钛离子轰 击加热至沉积温度。同时，这些高能态气体 粒子在工件附近形成的阴极位降区内反应生 成TiN并沉积在工件上。为防止氯化氢对环 境和泵体的污染、腐蚀，在抽气管路上设置 液氮冷阱使氯化氢气冷凝。
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但这种方法也有问题：
➢ 很多待沉积的物质，往往找不到合适的金属有机化合物做源物质， 即使找得到，合成源物质本身一般也很麻烦；
➢ 很多金属有机化合物本身易燃或有毒。
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2、PCVD技术基本特征
等离子体化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
优点：
➢ 可制作金属、非金属及多成分合金薄膜 ➢ 成膜速度快，能同时制作多工件的均匀镀层 ➢ 在常压或低真空进行镀膜的绕射性好 ➢ 纯度高，致密性好，残余应力小，结晶良好 ➢ 获得平滑沉积表面 ➢ 辐射损伤低
等离子体增强化学气相沉积设备说明书
中国电子科技集团公司第四十八研究所M82200-3/UM型等离子体增强化学气相淀积设备使用说明书中国电子科技集团公司第四十八研究所目录1 概述2 结构特征与工作原理3 主要性能指标4安装与调试5使用与操作6常见故障分析与排除7保养与维修8安全防护及处理9运输、贮存与开箱检查10重量与外形安装尺寸11文件资料1 概述PECVD设备的特点1.1.1 利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。
电子和离子的密度达109~1012个/cm3，平均电子能量可达1~10ev。
1.1.2 成膜过程在真空中进行，大约在5~500Pa范围内。
1.1.3 由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。
PECVD在200℃~500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。
1.1.4 PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。
1.1.5 如果用于刻蚀可以刻蚀0.3μm以下的线条。
1.1.6 由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度，一般可达（30-300）nm/min以上。
1.2PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。
这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。
即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。
由于这种性质的存在，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
1.2.2 用于集成光电子器件介质Si Y N X膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。
1.2.3 在医用生体材料的表面改性，功能性薄膜的制备等。
1.2.4 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。
1.2.5 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。
PECVD-400型等离子辅助化学气相沉积系统操作规程
PECVD-400型等离子辅助化学气相沉积系统操作规程1.首先观察“报警选择”处于报警2.充气：（1）打开普N2瓶上全开总阀，分压阀。
（2）打开浮子流量计。
（3）打开仪器上的普N2充气阀。
有进气声，充满后（进气声停止）同时观察到仪器缝变宽。
3.“报警选择”打到“断水”打开仪器（左侧柜）“总控制电源”同时观察到电源“A”，“B”，“C”灯亮。
4.“报警选择”打到“断水”打开仪器（右侧柜）“总控制电源”同时观察到报警灯闪烁，电源“A”，“B”，“C”灯亮。
5. 升降电机选择“升”，边升边观察钟罩边缘线等。
6. 放样品。
7. 升降电机选择“降”，降钟罩，看边缘对齐。
8. 手动关普N2气瓶总阀，分压阀，浮子流量计和仪器上的N2充气阀。
9. 按下机械泵“启动”，按下罗兹泵“启动”，按下罗兹泵电磁隔断阀Ⅰ，手动开手动蝶阀（转90度使线水平）10. 开左侧柜真空计11. 接通冷却水电源（墙上），启动冷却水，水温小于20 0C(可调)，将左右柜上的“报警选择”都打到“报警”（上档）。
12. 打开分子泵电源“ON”按下Strat启动分子泵，等分子泵读数稳定为400.13. 观察真空计读数低于5Pa。
14. 关手动蝶阀（转90度使线竖直）。
15. 开左侧柜分子泵电磁阀Ⅱ.16. 开手动闸板阀到底再回来（18圈）17. 按下左侧柜“加热”功率限制4点，设定加热温度，再按STEP和△按校准钮选择温度，再按ENT确定。
18. 等待温度稳定，到真空度为5.4*10-4Pa。
19. 打开左侧柜流量显示仪电源到“通”，质量流量计预热，准备通气。
20. 关手动闸板阀，关分子泵，关右侧柜分子泵电磁隔断阀Ⅱ，开手动蝶阀（90度使线水平）。
21. 如果用射频确认“射频线接到仪器上，开射频电源：开灯丝开关，开板压开关，预热3~5分钟，准备通气。
22. 开复合真空计，开下面薄膜真空计。
23. 清洗气路：气瓶拧紧（1）开手动截止阀（开2圈），（2）再开Dci（i=123…6）。
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中国电子科技集团公司第四十八研究所M82200-3/UM型等离子体增强化学气相淀积设备使用说明书中国电子科技集团公司第四十八研究所目录1 概述2 结构特征与工作原理3 主要性能指标4安装与调试5使用与操作6常见故障分析与排除7保养与维修8安全防护及处理9运输、贮存与开箱检查10重量与外形安装尺寸11文件资料1 概述PECVD设备的特点1.1.1 利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。
电子和离子的密度达109~1012个/cm3，平均电子能量可达1~10ev。
1.1.2 成膜过程在真空中进行，大约在5~500Pa范围内。
1.1.3 由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。
PECVD在200℃~500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。
1.1.4 PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。
1.1.5 如果用于刻蚀可以刻蚀0.3μm以下的线条。
1.1.6 由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度，一般可达（30-300）nm/min以上。
1.2PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。
这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。
即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。
由于这种性质的存在，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
1.2.2 用于集成光电子器件介质Si Y N X膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。
1.2.3 在医用生体材料的表面改性，功能性薄膜的制备等。
1.2.4 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。
1.2.5 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。
PECVD设备的品种规格C1M82200-1/UM （适用156×156以下方片，70片/批，适合科研和教学用）C3M82200-2/UM (156×156以下方片，适合科研和教学以及小规模生产线用)C3M82200-3/UM (156×156以下方片，适合大规模生产线用)型号的组成及其意义使用环境及工作条件1.5.1 环境温度＜25℃1.5.2 相对湿度＜75%1.5.3 净化等级1000级~10000级1.5.4 电源三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管1.5.5 供水水压0.2MPa~0.4MPa1.5.6 供气SiH4NH3N2O2CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa1.5.7 配排风排毒装置1.5.8 整机要有一条较理想的大地线（高频电源专用线）对环境及能源的影响PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。
安全本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。
唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。
所有气路管道不允许有任何泄漏点。
2 结构特征与工作原理2.1 总体结构共分六个部分，见图2-1图2-1总体结构图2.2 工作原理随着电子工业的发展，大规模集成电路（LSI ）技术要求在数平方毫米大小的面积内载有几千、几万个功能，且必须保证其高度的可靠性。
为了在这样微小的世界中创造出“微型巨人”，全世界进行了多种多样的技术革新，LSI 的重要的工艺过程—薄膜形成技术也在不断革新，利用等离子放电技术—等离子体CVD 技术就是其中之一。
以高可靠性纯化技术被开发的等离子体CVD 技术70年代以来已成为研究的热点，并将不断成长为一项成熟的技术。
应用等离子CVD 法形成的代表性材料是等离子体氮化硅膜（Si 3N 4）和等离子体氧化硅膜（SiO 2或PSG ）。
它的生成温度比普通的化学气相沉积的膜温度要低得多，且性能优良。
PECVD 生成膜的反应过程是：SiH 4 + NH 3Si 3N 4 + H 2↑ 3SiH 4 + 4NH 3 Si 3N 4 + 12H 2↑但是并不是说此类设备完美无缺。
此台PECVD 设备，如果不根据设备的特性，摸索出一套成熟的工艺条件，膜的性质是不稳定的。
如需要考虑的参数有：①生成温度；②生成气体比；③生成压力；④RF 功率；⑤排气速率；⑥沉积速率。
因为这些参数完全靠实践来掌握，理论只提供一个分析的基础。
2.3 主要部件的功能及其工作原理 2.3.1 电热炉（工艺管）电热炉是特制的高可靠性的发热体，是经过特殊工艺制成，它对恒温区的长度、精度以及稳定度提供了基础，是影响成膜速率和均匀性的必要条件之一。
工艺管是引进美国的产品，具有口径大、壁厚均匀无气泡的优良性，它水平置于炉体的中央，两端配有密封法兰，可生200~400℃ 50Pa~300Pa产8英寸圆片、6英寸方片，同时经特殊磨口为真空密封提供可靠保证。
2.3.2 推舟系统推舟系统采用软着炉的方式，即将石墨舟放到反应管内部后，推舟机构将退出，自动门关上。
载片舟是经特殊设计，在X轴、Y轴、Z轴三个方向可微调，再精加工而成。
它直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质。
成膜压力甚至气体的流量都与此结构有关。
所以是本设备的核心部件。
2.3.3 气路单元气路单元是一个独立体，它的所有使用元器件都是进口产品，具有控制精确、动作可靠，布局合理，为安全生产提供一个先决条件。
2.3.4 电气总控及计算机控制本台设备计算机自动控制。
装片取片由人工操作。
同时有多种报警系统，如超温报警、停水报警、断偶报警等。
提示：有关计算机操作系统另有说明书。
2.3.5 真空系统真空系统是本台设备的关键之一，它是由罗茨泵机组、电动调节阀、电磁挡板阀、压力传感器、真空管道等组成。
注意：气路及真空系统应严格按操作说明进行，否则易燃易爆！3主要性能指标3.1成膜种类氮化硅3.2装片尺寸□125mm，□156mm3.3装片量168片/批（□125mm），144片/批（□156mm）3.4成膜均匀性片内≤±5% 片间≤±6% 批间≤±7%（膜厚1μm内）3.5使用温度150~500℃3.6恒温区长度及精度±2℃/1200mm（500℃）3.7恒温区稳定度＜±2℃/24H（500℃）3.8升温时间RT→400℃≤50min3.9温度控制具有超温、断偶报警保护功能3.10系统极限真空5Pa3.11工作压力范围50 Pa~300Pa3.12恢复真空时间AP→10 Pa＜10min3.13系统漏气率停泵关阀后压力升率＜3 Pa /min3.14净化等级净化台100级（环境1000级）3.15自动控制方式计算机自动控制工艺过程，彩色汉字显示工艺参数和工艺流程，并有故障诊断、报警和保护功能4安装与调试4.1 安装平面图（见附录）4.2 安装4.2.1 设备进入净化间前须清扫，擦干设备内外灰尘、污渍，工艺管、真空管道应按微电子规范进行清洁处理。
4.2.2 设备进入净化间后按图 4.1布局摆放好。
先装电阻炉部分：炉体架装上地脚并调平稳，然后将炉体上架，再装工艺管，装工艺管时注意轻拿轻放，小心碰坏石英管。
同时装石英管时在石英管下部垫上光滑的塑料布或其它光滑材料，以防划伤石英管。
要从炉口放入向后推，千万不能从尾部向前推，以免碰坏石英管的真空密封磨口。
如果要清洗石英管时，要反过来进行。
两端法兰按水冷法兰、气路法兰顺序装配。
4.2.3 靠拢净化台，调地脚螺钉，高度与炉体架一致，连接好各种控制线，再装配推舟系统。
在装配时要特别细心，防止错装漏装密封圈而影响真空系统。
提示：在生产中经常要清洗石英管，均要拆卸推舟系统及法兰，所以操作工必须掌握推舟系统的装拆顺序及全套工具。
4.2.4 摆好真空机组，最好垫上一块橡皮，打上四个地脚螺钉，防止机组振动而造成工艺管损坏。
用快卸卡箍管道连接好，再装上压力传感器等。
提示：机组要经常性换油，5天换一次油。
（干泵机组除外）4.2.5 气路由管道连接，将各路气分别对应连接，并按规定压力送入本机。
4.2.6 将设备排风口、排废口、泵组排气口与用户管道连接好，如果用户备有尾气处理装置，必须事先确认与本设备所用气体种类、流量的相容性及安全性。
4.2.7 连接水路系统，最好有循环水装置，否则本机在工作时容易烧坏密封圈。
4.2.8 接地将各机柜连接起来接入电网的零线。
高频电源单独接一根大地线，要将地线埋入地下 1.8米以上，并放入木炭、水、盐各3公斤。
4.2.9 整机引入三相功率线，线径用ф35mm2的多股铜线。
4.3 调试前的检查 4.3.1 对水冷法兰通水，检查是否有漏水现象或水流是否畅通。
4.3.2检查运动情况，首先检查步进电机前进后退是否反相，再检查到位是否停止，快慢是否可调，最后检查在运动过程中是否有卡壳现象。
4.3.34.3.3 检查照明灯经过运输是否损坏。
4.3.4 检查真空管道是否连接好，确认无漏气口。
4.3.5 检查电阻炉功率板、触发板各部位引线接头是否松动，瓷件是否损坏。
4.3.6 检查各种接插件、对接件是否有错。
4.3.7 检查各种开关是否处于“停电”或“关”状态。
4.3.8 检查热偶插入深度及正负极是否有错。
4.4 调试4.4.1 在各种检查确认无误后整机上电，再各个控制单元分别通电检查仪表、按钮、电磁阀、风机、泵等在方向和对应关系上是否正常。
在有关人员认可的情况下可开机运行。
4.4.2 首先是温控调试提示：温度检测必须在装石英管之前进行，否则无法测！当整机上电时，本机有黄、绿、红三色灯泡指示，然后按下“上电开关”，待两分钟后按炉体“加热”开关即可，记下各温区的升温电流的大小（用钳形表测量），并记下升温时间、到温时间。
当各温区到达预计温度时，对两付温控仪表进行一次自整定，然后中间一块仪表再整定。
待数分钟后若三个温区仪表显示非常平稳时，认为PID 各个参数合适，若发现某个仪表不稳就再进行一次自整定。
4.4.3 粗拉恒温区将测量热偶端点置于炉膛正中间，待数分钟后视测量仪表的mV 值（要求是621位数字电压表测才能满足测量精度）。
然后将此mV 值对照热电偶分度表，换算出温度值，发现控温仪表显示值与实际值有偏差时，通过调节控温仪表修正“Pb 值“得到校准。
用此方法再测恒温区的两端点。
经过2至3次的重复，将这3点调到满意的程度。
最后将测量热偶置于恒温区的尾端，充分等待炉温的稳定，一般情况下mV 表的显示值在±1μV 范围内变化视为炉温的稳定。