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第3章 X射线衍射强度

第3章 X射线衍射强度

由于衍射线的相互干涉,某些方向的强度将会有所加强, 某些方向的强度将会减弱甚至消失,习惯上将这种现象称 为系统消光
13
X射线衍射强度理论
包括运动学理论和动力学理论.
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
1. 一个电子对X射线的散射
由汤姆逊公式进行描述,是汤姆逊从经典电动力学的观点分析 推出的。
re 2 1 (cos2 ) 2 Ie Io ( ) R 2
消失的反射

H、K全为奇数或全为 偶数 (H+K为偶数)
H+K+L为偶数 H、K、L全为奇数或 全为偶数
H、K奇偶混杂 (H+K为奇数)
H+K+L为奇数 H、K、L奇偶混杂
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵的结构因数计算
三种点阵晶体衍射线分布见图5-20 , 图中N = H2 + K2 + L2,产生衍射的干 涉面指数平方和之比分别为, 简单点阵 体心点阵 面心点阵 12345 2 4 6 8 10 3 4 8 11 12
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
2. 一个原子对X射线的散射
Ia f Ie
2
这里引入了f――原子散射因子
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
推导过程:
一个原子包含Z个电子,那么可看成Z个电子散射的叠加。 (1)若不存在电子电子散射位相差:
I a Z Ae Z I e
2 2
26
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
• 4. 底心点阵 – 每个晶胞中有2个同类原子,其坐标分别为000和1/2 1/2 0,原子散射因子相同,都为fa。

《射线衍射原理》PPT模板课件

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⑵周转晶体法
——用单色X射线照射转动的单晶体的衍射方法。其衍 射原理如图示。单晶体转动相当于其对应倒易点阵绕 与入射线垂直轴线转动,使得原来与反射球不相交的 倒易点在转动过程中与反射球有一次或两次相交机会, 从而产生衍射。
周转晶体法
实验中,底片卷成圆筒状接受衍射线,衍射 花样为一系列斑点,其实质为衍射线与底片 的交点。分析这些斑点的分布可以得到晶体 结构信息。此方法常用于测定未知晶体结构。
射线衍射原理
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第二章 X射线衍射原理
X射线照射晶体,电子受迫产生振动,向四周辐 射同频率电磁波。同一原子内的电子散射波相干 加强成原子散射波。由于晶体内原子呈周期性排 列,各原子散射波之间存在固定位向关系而产生 干涉作用,在某些方向相干加强成衍射波。
满足衍射矢量方程, 有可能产生衍射,也 有可能不产生衍射; 若晶面产生衍射,则 一定满足衍射矢量方 程。
厄瓦尔德图解
问题:用一束波长为λ的X射线沿某一确定方向照射 晶体时,晶体中有哪些晶面能够产生衍射?衍射线 在空间如何分布?
厄瓦尔德图解
厄瓦尔德图解
2、 厄瓦尔德图解 ⑴ 衍射矢量几何图解——衍射矢量三角形 当入射条件(波长、方向)不变时, 每一个产生衍 射的晶面组都对应着一个等腰矢量三角形。
若用波长为0.194nm的FeKα线照射α-Fe,其半波长 λ/2=0.097nm,则只有前4个晶面能产生衍射;若用波长为 0.154nm的CuK α线照射,其半波长为0.077,则前5个晶面 都可以产生衍射。
布拉格方程
⑶选择反射
由2dsinθ= λ知, λ一定时,d、 θ为变量,即不同d值
的晶面产生的衍射对应不同θ角。也就是说用波长为

X射线衍射强度

X射线衍射强度

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单胞中所有原子散射波振幅的合成就是单胞的散射波
振幅Ab。
Ab Ae ( f1ei1 f2ei2
f jeij
n
fnein ) Ae f jeij j 1
可引入一个以电子散射能力为单位的、反映单胞散射
能力的参量─结构振幅FHKL:
FHKL
一个晶胞的相干散射波振幅 = 一个电子的相干散射波振幅
通常称
1为洛仑兹因数,
sin2 cos
=
1 cos2 2 8sin2 cos
为实际计算的角因数关系。
33
角因数与θ角的关系
如图所示: 应指出,常用的角因
数表达式仅适用于德 拜法,因为洛仑兹因 数的表达式与具体的 衍射几何有关。
图3-9 角因数与θ角的关系
34
• 角因子是反映衍射线强度随衍射角而 变化的因素,从物理意义上来说,它 反映的是不同方向上原子及晶胞的散 射强度是不同的以及能参与衍射的晶 粒数目也是不同的。
图3-7 参加衍射的晶粒分数估计
参加衍射的晶粒分数= 2 r* sin(90 )r* cos
4 (r*)2
2
30
三、单位弧长的衍射强度
图3-8 德拜法衍射几何
衍射角为2θ的衍射环,其上某点至试样的距离若为R, 则衍射环的直径为Rsin2θ,衍射环的周长为2Rsin2θ, 可见单位弧长的衍射强度反比于sin2θ。
15
二、几种点阵的结构因数计算
2
2
FHKL
2
n
f j cos j
n
f j sin j
j1
j1
其中:
j 2 (Hx j Ky j Lz j )
Xj、Yj、Zj是j原子的阵点坐标; H、K、L是发生衍射的晶面。

第三章 X射线衍射强度

第三章 X射线衍射强度

温度因子
e
2 M
IT I
式中:IT — 原子热振动影响时的强度 I — 理相状态的强度 热振动的方向无规则性,使得非衍射方 向散射强度↑,增加衍射花样背底。
5 吸收因子 A(θ )
试样对x-ray的吸收造成衍射强度的衰减。
无吸收A(θ
)=1,吸收越多,其值越小。 圆柱状试样的A(θ )是试样 l 和半径r的 函数,可通过查表求得。 1 板状试样的A(θ )与θ 无关, A( ) 2
角顶 Cs (0,0,0) FHKL = f Cs + f Cl e H + k + L = 偶数 F = f Cs+ f Cl 强度高 (110)(200)(211)… H + k + L= 奇数 F = f Cs – f Cl 强度低 (100)(111)(210)…
1 1 1 体心 Cl( 2 , 2 , 2 ) iπ(H+K+L)
2 多重性因子 P
表示多晶体中同族晶面{HKL}的等同晶面
数。
P值越大,晶面获得衍射的几率越大,对应
的衍射线越强。
d同
θ同 衍射线重叠在同一衍射线环上。
P数值随晶系及晶面指数而变化。
例:
立方晶系(a
= b = c α=β=γ=90°)
P100= 6 四方晶系(a = b≠c α=β=γ=90°) P100= 4 P001= 2
系统消光
衍射线I=0,衍射线消失,称为系统消光。
(原子在晶胞中的位置不同引起某些方向 衍射线的消失--点阵消光)。
尽管满足衍射条件,因F
= 0使衍射线消失
的现象。
对于体心点阵,可以产生衍射的晶面为

第三章 X射线衍射强度.

第三章 X射线衍射强度.

式中:Io—入射x-ray强度 m、e — 电子的质量与电荷 c— 光速 λ— 入射x-ray波长 R— 衍射仪半径 cm V— 试样被x-ray照射体积,cm3 Vo— 晶胞体积 cm3 F— 结构因子 P— 多重性因子 e-2M — 温度因子
( ) — 角因子 A(θ) — 吸收因子
同一衍射花样中,e、m、c为固定物理常数, Io、λ、R、V、Vo对同一物相的各衍射线均相 等,衍射线的相对积分强度可用 5个强度因子的乘积来表示:
而(100),(111),(210),(221)等均无散射
4. 面心晶胞:四种位置的原子坐标分别是(0 0 0)和 (½ ½ 0),( ½ 0 ½ ),(0 ½ ½)。
F fe2 i0 fe2 ih/ 2k / 2 fe fe 2 ik / 2l / 2 2 il / 2h/ 2 f 1 eihk eikl eilh
当h, k, l为全奇或全偶,(h + k),(k+l) 和
(h+l) 必为偶数,故F = 4f,F 2 = 16f 2
当h, k, l中有两个奇数或两个偶数时,则在(h+k),(k+l) 和 (h+l)中必有两项为奇数,一项为偶数,故F = 0, F2 = 0 所以(111),(200),(220),(311)有反射,而 (100),(110) ,(112),(221)等无反射。
衍射线强度的测量采用衍 射仪法,得到I~θ曲线。
每个衍射峰下面的 面积(积分面积)称 为积分强度或累积强度。
x射线衍射线束的强度
波长λ强度Io的x-ray,照射到 晶胞体积Vo的多晶试样上,被 照射晶体的体积V,与入射线 夹角为2θ方向上产生(HKL) 晶面的衍射,距试样R处记录 到的衍射线其单位长度上积分 强度为:

X射线小角度衍射ppt课件

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四、SAXS的实物举例
1.实物S3-MICRO:
烧伤病人 的治疗 通常是 取烧伤 病人的 健康皮 肤进行 自体移 植,但 对于大 面积烧 伤病人 来讲, 健康皮 肤很有 限,请 同学们 想一想 如何来 治疗该 病人
2.S3-MICRO的工艺参数:
烧伤病人 的治疗 通常是 取烧伤 病人的 健康皮 肤进行 自体移 植,但 对于大 面积烧 伤病人 来讲, 健康皮 肤很有 限,请 同学们 想一想 如何来 治疗该 病人
2.发展历史
• 自20世纪30年代发现小角X射线散射现象 以来,它已成为材料几何结构表征的有效手 段之一。
• 历史上,SAXS发展缓慢,主要是因为小角相 机的装配操作麻烦,还受X射线强度的限制, 曝光时间(特别是稀溶液)很长。
• 20世纪70年代以后,随着同步辐射(SR)装 置的建立,以同步辐射为X射线源的小角散 射(SR-SAXS)平台成了小角X射线散射实 验的主要基地。
一、SAXS的概述
1.概念 当X射线照到试样上,如果试样内部存在纳
米尺寸的密度不均匀区(1-100nm),则会在 入射X射线束周围2-5°的小角度范围内出现 散射X射线.称为X射线小角度散射,英文为
Small Angle X-ray Scattering,简称SAXS.
烧伤病人 的治疗 通常是 取烧伤 病人的 健康皮 肤进行 自体移 植,但 对于大 面积烧 伤病人 来讲, 健康皮 肤很有 限,请 同学们 想一想 如何来 治疗该 病人
• SAXS对试样的适用范围较宽,可以是液体、固体、晶体、 非晶体或它们之间的混合体,也可以是包留物和多孔性材 料等。
• SAXS可以研究高聚物的动态过程,如熔体到晶体的转变过 程。
• 当研究生物体的微结构时,SAXS可以对活体或动态过程进 行研究。

第3章 X射线的衍射强度

第3章 X射线的衍射强度
1 1 1 2 i h k l F f 1 e 4 4 4
2) 当hkl全为奇数时,Ff=Fa。h+k+l=2n+1,其中n为任 意整数,则有
1 e
i
2
h k l
1 cos

2
h k l i sin
I=A2
实际上,晶体要产生x射线衍射,x射线的波长应当 与晶体中原子间距在同一数量级。
与入射x射线平行的方向上(XX’): 相位差为0,所以Aa=ZAe 除了XX’方向:各电子的散射波之 间存在一定的相位差。 如在YY’方向上a、b两个电子产 生的散射波的波程差为CB-AD,
会产生干涉作用。 由于原子半径的尺度比x射线的波长的尺度要小,所以各电子的
四、一个晶胞对x射线的衍射
1、复杂点阵的衍射分析
简单点阵只由一种原子组成,每个晶胞只有一个原子,它 分布在晶胞的顶角上,单位晶胞的散射强度相当于一个原 子的散射强度。 复杂点阵晶胞中含有n个相同或不同种类的原子,它们除 占据单胞的顶角外,还可能出现在体心、面心或其他位置。 复杂点阵的衍射特点 (1)任何复杂点阵都是由完全相同且平行的几个简单点阵 镶嵌而成的; (2)整个复杂点阵的衍射可以看做是由各个简单点阵及基 点原子在相同方向的衍射合成结果; (3)复杂点阵的可能衍射方向不可能多余其中任何一个简 单点阵的衍射方向,只能减少或相等。
假定一个晶胞中有n个原子, 它们的坐标分别为u1v1w1、u2v2w2……unvnwn; 每个原子的原子散射因子分别为f1、f2、f3…… fn ;它们的散射波的振幅为 Aef1、Aef2、Aef3……Ae fn 各原子散射波与入射波的位相差分别为φ1、φ2、φ3、……φn。 那么,这n 个原子的散射波互相叠加合成的整个晶胞的散射波的振幅Ab为

第三章 x射线衍射强度

第三章  x射线衍射强度
n iφ j j =1
-----称之结构振幅 称之结构振幅
FHKL = ∑ f j e
2
FHKL反应晶胞的散射能力
FHKL -----称之结构因子,表征了晶胞的衍射强度 称之结构因子, 称之结构因子
结构振幅的计算
• 结构振幅为 FHKL = ∑ f j e 结构振幅为:
j =1 n iφ j
e iφ = cos φ + i sin φ • 可将复数展开成三角函数形式
§3-1 多晶体衍射图相的形成
粉末法衍射原理 • 一束波长 的平行x-ray照射到晶面间距为 的 一束波长λ的平行 照射到晶面间距为d的 的平行 照射到晶面间距为 一组晶面上,当入射角θ满足布拉格方程时 满足布拉格方程时, 一组晶面上,当入射角 满足布拉格方程时, 即可发生衍射。 即可发生衍射。 • 实验中晶体均匀旋转, 实验中晶体均匀旋转, 促使更多的晶面有机会 处于上述位置。由于θ 处于上述位置。由于 相同, 相同,结果形成 “空间 圆锥体” 圆锥体”。 • 圆锥体顶角为 , 圆锥体顶角为4θ, 母线为衍射线方向。 母线为衍射线方向。
2
1)当H、K、L全为奇数或全为偶数时 FHKL
= f 2 (1 + 1 + 1 + 1) 2 = 16 f
2
2)当H、K、L为奇数混杂时(2个奇数1个偶数或2个偶数1个奇数) 为奇数混杂时( 个奇数1个偶数或2个偶数1个奇数) 2 FHKL = f 2 (1 − 1 + 1 − 1) 2 = 0 即面心立方点阵只有指数为全奇或全偶的晶面才能产生衍射,例如(111)、 即面心立方点阵只有指数为全奇或全偶的晶面才能产生衍射,例如(111)、 200)、(220)(311)、(222)、(400) 。能够出现的衍射线, )、(220)(311)、(222)、(400 (200)、(220)(311)、(222)、(400)…。能够出现的衍射线, 其指数平方和之比是: 11;12:16…=1 1.33:2.67:3.67: =1; 其指数平方和之比是:3:4:8:11;12:16 =1;1.33:2.67:3.67: 5.33… 4:5.33
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Φ1 、Φ2 、Φ3 ... Φn ;
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则该晶胞的散射振幅为这n种原子叠加:
n
Ab Ae
f j ei j
j 1
引入结构参数 : FHKL
Ab Ae
n j 1
f j ei j
可知晶胞中(H K L)晶面的衍射强度
Ib FHKL 2 I e
I
pI0ຫໍສະໝຸດ e4 m2C 4 R 41
cos2 2
2
公式讨论 推导过程
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公式讨论:
一束X射线经电子散射后,其散射强 度在空间各个方向上是不同的:沿原X射 线方向上散射强度(2=0或2=π时)比 垂直原入射方向的强度(2=π/2时)大 一倍。
若只考虑电子本身的散射本领,即单
位立方体里对应的散射能量,OP=R=1,
则有公式: I e
I0
e4 m2C 4
1
cos2 2
2
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推导过程:
1. 强度为I0且偏振化了的X射线作用于一 个电荷为e、质量为m的自由电子上, 那么在与偏振方向夹角为、距电子R 远处,散射强度Ie为:
因原子在晶体中位置不同或原子种类不 同而引起的某些方向上衍射线消失的现象, 称为系统消光。
根据系统消光结果以及通过测定X射线强 度的变化可以推断出原子在晶体中的位置。
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一、一个电子对X射线的散射
讨论对象及结论:
一束X射线沿OX方向传播,O点碰到电子发生散射, 那么距O点距离OP=R、OX与OP夹角为2的P点的 散射强度为:
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四、结构因子FHKL 的讨论
关于结构因子
结构因子计算式 结构因子计算例
产生衍射的充分条件及系统消光
系统消光 消光规律
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关于结构因子:
因为. j 2 HX j KYj LZ j
其中:Xj、Yj、Zj是j原子的阵点坐标; H K L是发生衍射的晶面。
X射线衍射强度在衍射仪花样上反映的是衍射峰的
高低(或衍射峰所包围的面积);在照相底片上 反映为黑度。一般用相对强度来表示。
影响衍射强度的因素很多,讨论这一问题必须一
步步进行:一个电子
一个原子 一个晶

粉末多晶体。
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3-2 结构因子
结构因子(structure factor)是定量表征 原子排布以及原子种类对衍射强度影响规 律的参数,即晶体结构对衍射强度的影响 因子。
1. 讨论对象及主要结论:
I
F2 HKL
Ie
这里引入了FHKL ――结构因子
2. 推导过程
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推导过程:
假设该晶胞由n种原子组成,各原子的散射
因子为:f1 、f2 、f3 ...fn; 那么散射振幅为:f1 Ae 、f2 Ae 、 f3Ae ...fn Ae ;
各原子与O原子之间的散射波光程差为:
第三章 X射线衍射强度
1. 引言 2. 结构因子 3. 多晶体的衍射强度
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1
3-1 引言
布拉格方程解决了衍射方向问题,它反映了晶胞 的大小及形状。但晶体种类不仅取决于晶格常数, 更重要的是取决于原子种类及原子在晶胞中的位 置,而原子种类及原子在晶胞中的位置不同反映 到衍射结果上,表现为反射线(衍射线)的有无 或强度大小,即衍射强度。
度可用Ie表示,那么一个原子对X射线散 射后该点的强度:
Ia f 2 Ie
这里引入了f――原子散射因子 推导过程
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推导过程: 一个原子包含Z个电子,那么可看成
Z个电子散射的叠加。 (1)若不存在电子散射位相差:
Ia Z Ae 2 Z 2 Ie
其中Ae为一个电子散射的振幅。
所以有:
2
2
n
FHKL f j cos2 HX j KYj LZ j
j1
n
2
f j sin 2 HX j KYj LX j
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j1
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简单晶胞的结构因子
简单晶胞中只有一个原子,000
2
F
f
2 cos0
f
2 sin0
f
2
可见,F2与hkl无关,对所有的反射具有 相同的值,即不存在点阵消光现象。
21
产生衍射的充分条件: 满足布拉格方程且FHKL≠0。
由于FHKL =0而使衍射线消 失的现象称为系统消光,
当H、K、L为同性数时,H+K、H+L、K+L均为 偶数,则F2=f2(1+1+1+1)2=16f2; 当H、K、L为异性数时,H+K、H+L、K+L中总 有两项为奇数一项为偶数,则F2=f2(1-1+1-1)=0
即在面心点阵中,只有当H、K、L为同性数时 才能产生衍射
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IP
I0
e4 m2c4R2
sin2
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2. 而事实上,射到电子上的X射线是非 偏振的,引入偏振因子,则有:
Ie
I0
e4 m2c4R2
1
cos2 2
2
(表示强度分布的方向性)
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二、一个原子对X射线的散射
讨论对象及结论: 一个电子对X射线散射后空间某点强
当H+K+L为奇数时,F2=0,衍射线被消 光。
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面心立方晶胞的结构因子
晶胞内有四个同种原子,分别位于晶胞中
000, 1 1 0, 1 0 1 ,0 1 1 22 2 2 22
F 2 f 21 cos (H K ) cos (H L) cos (K L)2
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(2)实际上,存在位相差,引入原子散射
因子: f Aa Ae
即Aa=f Ae 。
其中f与有关、与λ有关。
散射强度: Ia Aa2 f 2 Ie
(f总是小于Z,如图1-25)
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三、一个单胞对X射线的散射
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体心立方晶胞的结构因子
体心立方晶胞内有两个同种原子,即000
和 111
222
2
F
f
cos0
f cos2 ( H
2
K 2
L 2
2
)
f
sin 0
f
sin 2 ( H
2
K 2
L 2
)2
f 21 cos (H K L)2
当H+K+L为偶数时,F2=4f2;
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