半导体量子阱和一维光晶格中的量子输运
低维系统中的量子输运行为
低维系统中的量子输运行为量子力学是一门描述微观世界行为的物理学理论，而量子输运则是研究在量子系统中粒子如何在不同位置之间传输能量和信息的重要领域。
低维系统作为量子输运的研究对象之一，具有许多独特的性质和行为。
本文将探讨在低维系统中的量子输运行为，并介绍其中一些有趣的现象。
低维系统通常指的是在某个或某些维度上限制了粒子运动的系统，如一维导线、二维晶格等。
相比于三维系统，低维系统更加接近于理想化的系统，因此在其中观察到的量子输运行为更加明显和丰富。
首先，低维系统中的量子隧穿现象是一个引人注目的现象。
在低维纳米结构中，当电子或其他粒子碰到高的能垒时，它们可能会穿越该垒而不是被完全反射。
这是由于量子力学中粒子的波粒二象性所引起的，波函数的幅度可以在能垒的两侧都有非零的概率分布。
这种隧穿现象在低维系统中更加常见，因为限制了粒子运动的维度，使得隧穿概率增大。
此外，低维系统中的量子纠缠效应也是一个重要的研究领域。
量子纠缠是指在多粒子系统中，其中两个或多个粒子间存在着无论如何分开它们都无法完全描述的复杂相互依赖关系。
在低维系统中，由于空间维度的限制，粒子之间的相互作用更加强烈，从而导致更加复杂的量子纠缠效应。
这种纠缠效应对于量子输运行为起着关键作用，影响着能量和信息的传输。
具体来说，在低维系统中观察到了一种称为量子霍尔效应的现象。
量子霍尔效应是指在二维导电体中，当外施加垂直于导体平面的磁场时，会出现电阻为零的现象。
这种现象的出现与量子输运有关，其中的电子以量子霍尔电流的形式在边界上运动，而不发生能量损失。
这一现象的研究不仅关乎基础科学，也有着重要的应用价值，可用于制造高精度的电流计和电压标准器。
此外，低维系统中的量子输运还涉及到一些奇特的现象，如量子随机行走和波粒二象性的表现。
量子随机行走是指在离散空间上的粒子在特定操作下表现出随机性，这在低维系统中可以通过制备特殊的量子纠缠态来实现。
另外，波粒二象性是指粒子既可以表现出波动性又可以表现出粒子性，在低维系统中这种现象更加明显。
第五章 纳米电子学
2.电子器件、电路、系统设计
纳米结构 量子阱 量子线
物理效应 共振隧穿效应 高迁移率一维电子气
应用 谐振晶体管、电路和系统 超高速逻辑开关、电路和系统
量子点 量子点接触
可集蓄电子原理
极大容量存贮器
库仑阻塞效应、单电子 单电子晶体管、电路和系统(包 振荡和单电子隧穿效应 含单电子开关和单电子存贮器)
扫描探针显微镜（SPM）技术、分子自组装合成技术以及 特种超微细加工技术
3.4.1 三束光刻加工技术
1、光学光刻技术
光学光刻是IC产业半导体加工的主流技术。通过光 学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件结 构图形“刻”在涂有光刻胶硅片上的技术。
减小光源的波长是提高光刻分辨率的最有效途径。 光刻蚀使用240nm的深紫外光波，能否突破100nm成 为现有光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。
1、RT>RK; 2、e2/2C>> KBT。
➢ 1、RT>RK的物理意义：当一个隧道结两端施以偏压U
时，电子的隧穿几率Γ＝U/(eR)，那么两次隧穿事件的时间 间隔为1/Γ=eR/U，而由测不准原则所决定的一次隧穿事件的 周期为h/(eU)。因此，必须满足eR/U＞＞h/eU，即R ＞＞h/e2。 这意味着两次隧穿事件不重叠发生，从而保证电子是一个一 个地隧穿。
光刻技术——X射线刻蚀、电子束刻蚀、软X射线刻蚀、
聚焦离子束刻蚀等
微细加工——扫描探针显微镜(SPM)作为工具的超微细
加工技术
第二节 纳米电子器件的分类
2.1纳米器件与纳米电子器件
2、纳米电子器件
➢纳米电子器件满足两个条件——
1、器件的工作原理基于量子效应； 2、都具有相类似的典型的器件结构——隧穿势垒包围“岛” （或势阱）的结构。
量子点体系的电子输运现象
近藤效应
20世纪30年代发现，含有磁性杂质的 金属低温下电阻反常。磁性杂质原子 对电阻的贡献随温度降低呈对数规律 增长
QD+Arm 情形：电导峰的位置不变（相对于只有QD）。电导峰是非对称的线形， 可以用Fano公式拟合。
Fano公式 G() ( Er q / 2) ( Er )2 2 / 4
Er是量子点的能级， q 是两条路径之间的比例系数。 Γ 线宽函数，对应于电导峰的宽度。
Fano 效应物理机制
Fano干涉源于两条路径之间的干涉。当一条路径是连续路径， 另一条是离散路径（共振透射）时，干涉效应显著。
量子点的输运装置
AlGaAs层是势垒区，两个AlGaAs层将量子点与源极和漏 极分隔开。
共振隧穿
可以用一维双势垒模型模拟量子点的共振隧穿
eikx
aeikx
ceikx
deikx beikx
x0 xL
灰色是势垒区
共振隧穿
假设一个势垒的函数，通过解 Schrodinger方程可以确定各个区 域的波函数。
只有当量子点化学势（或者说是量子点能级）位于左右导线的 费米能级之间时，才会有电流流过。
调节门电压，可以移动量子点内的能级。从而使得库仑阻塞和 电流导通交替出现，这称为库仑振荡。
能够呈现库仑振荡的器件称为单电子晶体管。
库仑振荡实验证实了电荷是量子化的。
电子占据数N=2, N=6 的区间相对较宽，这可以根据充电能和能 级间距解释。
半导体物理学中载流子的输运特性分析
半导体物理学中载流子的输运特性分析半导体物理学是研究半导体材料中电荷载流子的性质和运动的学科。
对于这些半导体材料电流输送特性的研究，对于现代电子设备和信息技术的发展起着至关重要的作用。
本文将探讨半导体物理学中载流子的输运特性分析。
一、载流子的定义和类型在半导体物理学中，载流子是指携带电荷的粒子，它们在半导体材料中负责电流的输送。
根据带电荷性质的不同，载流子分为正电荷的空穴和负电荷的电子。
空穴是电子跳出离子晶格位置后在其原处留下的带正电荷的空位，而电子则是负电荷的粒子。
二、载流子的产生和输运载流子的产生主要通过固体材料的激发过程来实现。
当外界施加电场、光照或温度变化等激励时，电子会从价带跃迁到导带形成电子-空穴对。
这些电子和空穴会受到电场力的作用向着电场方向运动，从而形成了电流。
在半导体中，电子由于能级差距小，其导电性能强于绝缘体材料。
三、载流子的输运特性在半导体材料中，载流子的输运特性决定了材料的电导率和电流的传输效率。
其中，电流主要通过两种方式传输：漂移和扩散。
1. 漂移：漂移是指由于外加电场的作用，携带电荷的载流子在晶体中受到电场力的驱动而移动。
漂移速度与电场强度成正比，与载流子迁移率成正比。
而载流子的迁移率受到材料中杂质、晶格缺陷等因素的影响。
因此，提高半导体材料的纯度和结晶度可以提高载流子的迁移率，进而提高电导率。
2. 扩散：扩散是指由于载流子浓度差异引起的材料中的载流子传输。
当载流子浓度不均匀时，通过自由运动的载流子将会发生扩散，以实现浓度均匀分布。
扩散速度与浓度梯度成正比，与扩散系数成正比。
扩散系数受到温度、材料的缺陷和掺杂等因素的影响。
四、载流子输运的限制因素在实际的半导体器件中，载流子的输运过程会受到一些因素的限制，主要包括散射、载流子密度限制和表面反射等。
1. 散射：散射是指载流子在晶体中与杂质、晶格缺陷或声子等相互作用后改变原始运动状态的过程。
散射会使得载流子的迁移率降低，影响载流子的输运效率。
一维光晶格中玻色.爱因斯坦凝聚体的相位涨落测量
一维光晶格中玻色.爱因斯坦凝聚体
的相位涨落测量
玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落测量是一种用来研究一维光晶格中玻色-爱因斯坦凝聚体的物理现象的测量方法。
它是一种量子力学的测量，可以用来研究玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落。
首先，我们需要准备一维光晶格，它是由一维的玻色-爱因斯坦凝聚体组成的。
然后，我们需要使用量子力学的方法来测量玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落。
这种测量方法的基本原理是，当一个玻色-爱因斯坦凝聚体处于一维光晶格中时，它的相位涨落会受到光晶格的影响，从而产生一种特殊的量子力学现象。
为了测量玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落，我们需要使用量子力学的方法，即用量子力学的状态方程来描述玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落：
$$\frac{\partial \psi}{\partial t}=-\frac{i}{\hbar}H\psi$$
其中，$\psi$是玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落，$H$是玻色-爱因斯坦凝聚体的量子力学能量，$\hbar$是普朗克常数。
最后，我们可以使用量子力学的方法来解决状态方程，从而计
算出玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落。
这样，我们就可以完成玻色-爱因斯坦凝聚体的相位涨落测量。
半导体量子点
光器出现不久的１９６２年，就出现了Ｐ－Ｎ结半导体激光器。
但是这种激光器的阈值电流很大（＞５０，０００ Ａ／ｃｍ２），因此而无法在室温下连续工作，只能是实验室观察研究的对象。
十几年之后，异质结和量子阱成功地应用于半导体激光器，使其阈值电流被降低了两个数量级（＜５００ Ａ／ｃｍ２）。
这一进步使半导体激光器获得实际应用。
现在，半导体激光器是光纤通讯技术的基石。
量子阱的基本结构是一层厚度大约等于电子德布罗意波长（１０－１００纳米）的窄禁带半导体夹在宽禁带半导体中。
量子阱的电子结构是由体材料单一电子能带分裂出的数个子带。
由于这种子能带结构可以通过调节结构和生长参数改变，因此量子阱和超晶格被称为“能带工程”。
由量子阱概念出发，人们自然地提出了量子点的概念。
如果把量子阱中的薄层改变成纳米颗粒，这些颗粒中的电子结构则相应地成为分立的电子能态，就像常压下气体原子中的电子能级。
由于这种电子结构的相似性，半导体量子点被称为“人造原子”。
与量子阱和超晶格的“能带工程”相应，半导体量子点的制备应该被称为“能级工程”。
与量子阱的连续子能带相比，具有分立电子结构的量子点是更为理想的半导体激光器工作介质。
半导体量子点被认为可以应用在许多新型光电子器件中，如单电（光）子器件、微腔光源、激光器等。
这些量子点器件将在信息技术领域发挥巨大的作用。
但是，量子点概念最初是针对半导体激光器提出的，而且现在看来，量子点最有可能首先在半导体激光器方面获得广泛应用。
因此，可以用激光器对工作物质的要求来说明量子点体系应该在结构上所具有的性质。
激光器介质的工作单元应该是相对独立而又性质结构全同的粒子，它们具有同一的电子能量结构，在受激状态下的光发射线宽尽可能窄。
根据这些要求，可以想象出理想量子点半导体量子点吴献 营口职业技术学院 １１５００３１．引言纳米科学是新世纪的科学前沿，它将改变人类的生产和生活方式。
同时，纳米科技在基础科学方面向人们提出许多新的挑战，促进基础科学的发展。
低维材料中的量子输运现象
低维材料中的量子输运现象量子力学的发展为人们认识物质的基本规律提供了重要的线索，特别是在低维材料领域，量子输运现象引起了广泛的关注。
低维材料是指厚度在纳米或更小尺度的材料，如二维材料石墨烯、黑磷等。
本文将重点探讨低维材料中的量子输运现象及其在纳米电子器件中的应用。
一、量子霍尔效应量子霍尔效应是低维材料中的一种重要的量子输运现象。
它是指在低温和高磁场下，材料的电导会出现严格的量子化行为。
这是由于低维材料中的载流子在强磁场下受限于量子力学效应，只能沿着材料的边界运动，在传输过程中形成了分数化的电导量子。
二、量子隧穿效应量子隧穿效应是指在低维材料中，由于量子力学效应的存在，电子能够以隧穿的方式穿过禁带。
当低维材料与有限厚度的绝缘层相接触时，绝缘层内的载流子能量与材料中的载流子能量之间存在一个带隙。
当带隙宽度较小时，载流子能够以隧穿的方式穿过这个能量壁垒，使得材料中的电子发生了量子输运。
三、量子点导电性量子点是低维材料中的一种结构，是由一层薄薄的材料形成的，其尺寸比电子波长要小得多。
当电子穿过此类结构时，其行为满足量子力学的规律，呈现出量子输运的现象。
在低维材料中，量子点导电性的研究对于发展纳米电子器件具有重要的意义。
四、量子霍普效应量子霍普效应是指由于低维材料中存在的电子波函数的重叠，使得电子能够以量子隧穿的方式在临近的原子之间进行跃迁。
在某些特殊的情况下，这种跃迁会导致载流子的输运现象，即量子霍普效应。
量子霍普效应在低维材料中的研究对于理解和设计纳米电子器件具有重要的意义。
五、低维材料在纳米电子器件中的应用低维材料中的量子输运现象为纳米电子器件的设计和制备提供了新的思路。
通过巧妙地利用低维材料中的量子效应，可以实现高速、低功耗和小型化的纳米电子器件。
例如在量子点晶体管中，通过调控量子点的结构和尺寸，可以实现高效的电子输运和调制。
六、低维材料中的量子输运研究进展近年来，低维材料中的量子输运研究取得了一系列重要的成果。
超晶格第四章半导体超晶格
3�电学方法�C-V法�
当有外加电压Va存在时�势垒的宽度和高度的关系为�
( x0
−
x1 )
=
[
2ε1ε 2N D
qN A (ε1N A + ε 2N D
)
(VD
− Va
)]1/ 2
( x2
−
x0 )
=
[
2ε1ε 2N A
qN D (ε1N A + ε 2N D )
?异质结不同能隙材料形成的结如族族族等?主要特点能隙宽度介电常数及电子亲和势均不同?不仅是超晶格的基本组成部份其材料与结构的不同也为器件设计带来许多自由度及独特的性质21理想突变异质结能带图理想突变异质结的模型是两种材料一直到边界都保持其体内的特性在边界上才突变成另一种材料
第四章 半导体超晶格
§1 引言 §2 异质结 §3 超晶格量子阱中的新现象 §4 超晶格电子态理论 §5 超晶格晶格振动 §6 超晶格量子阱的光学性质 §7 超晶格量子阱的垂直输运性质 §8 超晶格量子阱应用例举 §9 量子Hall效应 *§10 低维超晶格和微结构
3�应变超晶格
一般认为�晶格常数的失配度<0.5%为晶格匹配� 失配度>0.5%为晶格失配。在晶格常数失配度<7% 的范围内�其中的一种或两种材料内存在应变�以 补偿晶格常数的失配�界面不产生位错与缺陷。
如�Si/Ge, GaP/InP
§2
异质结 - 超晶格的基本单元
“半导体异质结物理”, 虞丽生,科学出版社.
当势阱的宽度和载流子的有效质量已知时�可用和 实验数据相拟合的办法求出相应势阱的深度�即导 带带阶和价带带阶。
电子的跃迁满足选择定则 Δn = 0�即位于第n个重 �或轻�空图穴5 量能子级阱只中的能量跃子能迁级到和第光跃n迁个电子能级。
低维材料中的电子结构与输运性质研究
低维材料中的电子结构与输运性质研究近年来，低维材料作为一类具有特殊结构和性质的材料，备受科学界的关注和研究。
这些材料在电子结构和输运性质方面具有独特的特点，对于未来电子器件和能源领域的应用具有巨大的潜力。
本文将介绍低维材料中的电子结构与输运性质的研究进展，并探讨其在科学和技术上的应用前景。
一、低维材料的定义和分类低维材料是指其在至少一个方向上具有较强限制的材料。
根据限制的方向数量，低维材料可以分为一维材料、二维材料和三维材料。
其中，二维材料是研究的热点之一，代表性的材料有石墨烯、二硫化钼和黑磷等。
二、低维材料中的电子结构低维材料中的电子结构与其维度密切相关。
一维材料的电子结构呈现出能级的量子限制和态密度的奇异行为。
二维材料的电子结构受到几何结构和晶格对称性的显著影响，表现出二维布里渊区和准二维能带结构。
三维材料的电子结构则可以用传统的固态物理理论进行描述。
三、低维材料中的输运性质低维材料中的输运性质与电子结构密切相关，但也受到材料内部和外部的相互作用的影响。
一维材料由于其量子限制效应，表现出独特的输运性质，如电子和声子的分数化现象。
二维材料由于其薄层结构和表面特性，具有超高载流子迁移率和自旋运输特性，可用于制备高性能的纳电子器件。
三维材料的输运性质则受到晶格缺陷和杂质的影响，可通过合理的掺杂和调控来改变材料的导电性能。
四、低维材料的应用前景低维材料由于其特殊的结构和性质，在科学研究和技术应用领域具有广阔的前景。
首先，低维材料可以作为理论研究的模型系统，有助于理解和揭示基本物理现象。
其次，低维材料可以应用于纳米电子器件的制备，如超薄晶体管和柔性电子器件。
此外，在能源领域，低维材料也可以用于光电转换、储能材料和催化剂等方面的应用。
综上所述，低维材料中的电子结构与输运性质的研究是当前材料科学领域的热点之一。
通过深入理解低维材料的特殊性质和应用潜力，我们将能够开发出更多种类的高性能材料，并推动科学和技术的发展。
一维分块量子点中电子输运性质的研究
关 键 词 ：量 子 点 ； 电 流 ；格 林 函数
０ 引 言
随着 器件 向小 型化 微型化 发 展 ，介 观 尺寸 器 件 结构 的微观 特性 已变 得 十分 明显 ，量子 效应 也
日渐 突 出 。纳 米级 器件 的量子 尺 寸效应 、隧道 效 应将 会成 为未来 电子器 件的基 础 ．因此 是 当 电子 器件 进一 步细微 化 时必须 要考 虑 的 。而 这些 新 特
Ｎ ２ ， ） Ｈ３（ ｂ ｂ 一 ＿ （ ＿ ， ） ａ 】｝ Ｂ — Ｎ ， ） Ｎ１（ｂ ｂ Ａ Ｎ３（ａａ ｓ［ 一 — ４（ 一 ， ）＋ ＿ Ｘ／） ａ ￣ ）
图 。 图２ 所 有 的 能 级 由单 位ｔ来 表 示 。 中 ，
由图２ 可看 出 ，在低 温 情况 下 ，Ｄ Ｃ电流 在偏
０
ｆ１ ２
～
舵∑ ｋ ＋ ∑
ｋ， ａ Ｎ
，． ＋ Ｒ ｃ ∑ ＿ ） ｂ
后 Ｎ、 一 ｌ ；１
Ｘ ＧｊＮ ＶＧ— Ｎ Ｇ＋ Ｎ ０ ｂ ２ ｂ ｉ，． ｂ ｊ二＝ － ｌ Ｉ ２ ｌ ：
，
＠ － ￣ Ｇ 旷 Ｇ Ｎ ｂＹ ２ｌＦｌ －
ｃ
（ １ ）
（： Ｂ ，ｂ ）为 量子点Ａ或 的一位 电子能级 。 为便 于 计算 ，令ｔ 、 ， 。 由矩阵公式定义 ：
击 一 ｖ 西
其 中 和‰ 为库ａ ￡ ）中ｋ 素 电子 的产 元 生和湮 灭算 符 ，ｃ 和ｃ为第ｉ 子点 的 产生 和湮 灭 ｉ 量
的跃 迁 概 率 ，Ｇ． 《 ｉ 》 （）为 系统 傅 立 叶分 ｉ ｃ ：
量 ．将 格 林 函数 满 足 的运 动 方 程 进 行 傅 立 叶变
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半导体量子阱和一维光晶格中的量子输运
【摘要】：本文利用散射矩阵和传输矩阵等方法研究了半导体异质结量子阱和一维光晶格体系中的量子输运特性,为设计和实现具有优良性能的量子过滤器件提供理论依据。
主要研究内容有:首先,利用有效质量近似和Floquet理论,研究了空间均匀振荡场作用下,存在自旋轨道耦合的单个半导体异质结量子阱的电子输运特性。
数值计算结果表明Dresselhaus自旋轨道耦合不仅可以消除自旋简并,而且可以导致不对称Fano共振电导峰的劈裂。
我们可以利用此性质,通过调节振荡场的频率和振幅来控制Fano共振峰的位置及其线性形状,从而实现一个可调的自旋过滤器件。
其次,在上述工作基础上,研究了应用在双量子阱上的两个空间均匀振荡场的相位差对其输运特性的影响。
与单势阱情况不同,在双量子阱中,由于束缚能级发生劈裂和Dresselhaus自旋轨道耦合作用,电子透射谱分成两组,且每一组都包含两个不对称的共振峰。
我们可以通过调节外加振荡场的相位差,有选择性的压制某一个共振峰,因而对于某一个能量范围,可以通过调节其相位差来实现一个可调的自旋过滤器件。
另外,当相位差从0到π变化时,共振谷从不对称共振峰的一侧移到另一侧;并且存在一个临界相位差,此时,不对称的Fano共振峰简并成一个对称的Breit-Wigner共振峰。
再次,由于在实验装置上,偶极振荡场比空间均匀振荡场更容易实现,因而实验上通常采用偶极振荡场。
鉴于上述原因,我们研究了这两种类型的外场对存在Dresselhaus自旋轨道耦合作用的单个半导体异质结量子阱中输
运特性的影响。
我们发现当外场振幅满足某一特定关系时,偶极振荡场和空间均匀振荡场对电子输运特性的调制是等价的,因而可以利用偶极振荡场及Fano共振峰的劈裂,实现更接近实验条件的可调自旋过滤器件。
最后,对于附有缺陷势的一维光晶格系统,我们研究了原子通过该缺陷势中局域BEC的Fano共振输运特性。
由于缺陷势和局域BEC的非线性参数可以由激光和磁场来调控,因而,可以通过它们来调节Fano共振峰的大小和阻塞点(投射率为零)的位置,从而实现对透射原子束的控制,为设计可调原子过滤器提供理论依据。
【关键词】：量子过滤器件振荡场Fano共振光晶格缺陷势BEC
【学位授予单位】：山西大学
【学位级别】：博士
【学位授予年份】：2008
【分类号】：O471.1
【目录】：摘要10-12Abstract12-14引言14-18参考文献16-18第一章半导体量子阱的研究现状18-401.1前言18-191.2半导体量子阱介绍19-281.2.1半导体量子阱的定义19-201.2.2超晶格量子阱的分类20-221.2.3半导体量子阱的制备方法22-241.2.4量子阱和超晶格特性24-281.2.5量子阱超晶格材料的应用281.3半导体自旋电子学的研究进展28-341.3.1磁性半导体29-301.3.2磁性半导体的自旋注入和检测
30-321.3.3非磁性半导体结构中的自旋32-331.3.4半导体电子自旋的控制和操纵33-34参考文献34-40第二章方法及Fano效应的介绍40-522.1引言402.2散射矩阵或者S矩阵40-442.3转移矩阵44-452.4Landauer-B(u|¨)ttiker公式45-472.5Floquet定理47-482.6Fano 效应48-51参考文献51-52第三章光子辅助的单量子阱自旋共振输运特性52-683.1引言52-533.2模型和公式53-583.3数值结果和讨论58-643.4小结64-65参考文献65-68第四章双量子阱中依赖于两外场相位差的自旋输运68-824.1引言68-694.2模型和公式69-724.3数值结果和讨论72-784.4小结78-80参考文献80-82第五章不同振荡场下的单量子阱自旋共振输运82-945.1引言82-835.2模型和公式83-885.3数值结果和讨论88-915.4小结91-92参考文献92-94第六章通过附有单缺陷局域BEC的一维光晶格中的原子散射效应94-1166.1玻色-爱因斯坦凝聚的理论预言和实现94-986.1.1BEC的理论预言94-966.1.2BEC的实验实现96-986.2光晶格势的产生和介绍98-1016.2.1光晶格势的产生996.2.2光晶格势的介绍99-1016.3模型和公式101-1056.4结果和讨论105-1086.5小结108附录108-110参考文献110-116总结与展望116-118攻读博士学位期间完成的学术论文118-119致谢119-120 本论文购买请联系页眉网站。