第五章 电子基础知识
电子技术基础模拟部分第5章[1]
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•（4）输出电阻
•通常
•en 电子技术基础模拟部分第5章[1]
•*5.4 砷化镓金属-半导体 场效应管
•本节不做教学要求，有兴趣者自学
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电子技术基础模拟部分第5章[1]
•5.5 各种放大器件电路性能比较
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电子技术基础模拟部分第5章[1]
•5.5 各种放大器件电路性能比较
•rdso是一个受vGS控制的可变电 阻
电子技术基础模拟部分第5章[1]
•3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 •（1）输出特性及大信号特性方程 •② 可变电阻区
•其中
•n ：反型层中电子迁移率
•Cox ：栅极（与衬底间）氧 化层单位面积电容
•本征电导因子 •Kn为电导常数，单位：mA/V2
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共源极放大电路
直流通路
电子技术基础模拟部分第5章[1]
•5.2.1 MOSFET放大电路
•1. 直流偏置及静态工作点的计算 •（1）简单的共源极放大电路（N沟道）
•须满足VGS > VT ，否则工作在截止区 •假设工作在饱和区，即
•验证是否满足 •如果不满足，则说明假设错误
•再假设工作在可变电阻区 •即
沟道电阻 ID基本不变
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电子技术基础模拟部分第5章[1]
•2. 工作原理
•（3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同
的 iD – vDS 曲线。
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电子技术基础模拟部分第5章[1]
•3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 •（1）输出特性及大信号特性方程
•静态值 •（直流）
电子基础知识
电子基础知识电子基础知识是现代社会不可或缺的重要知识领域之一。
无论是电子产品的制造、通讯设备的使用，还是科技领域的创新，都需要人们掌握一定的电子基础知识。
本文将从电子基础原理、电路基础、电子元件、常用电子设备和电子行业发展等方面进行阐述，帮助读者更好地了解电子基础知识。
一、电子基础原理电子基础原理是电子学的核心内容，它涉及到电荷、电流、电压、电场、磁场等基本概念。
要理解电子基础知识，首先需要了解电子的基本单位——电子的电荷。
电子带有一个负电荷，符号为e。
所有物质都是由原子构成的，原子中的电子数量决定了物质的性质。
电流是电子在导体中的流动，它是电子基础知识中一个重要的概念。
电流的单位是安培(A)。
二、电路基础电路是电子基础知识中的重要组成部分，它由电源、导线和负载三部分组成。
电源提供电压，它使电子在导线中形成电流。
导线起到连接电路的作用，并传输电流。
负载是电路中消耗电能的元件，如电灯、电视等。
在电子基础知识中，我们经常会遇到串联电路和并联电路。
串联电路是指多个电子元件依次连接的电路，电流在各个元件之间保持不变；并联电路是指多个电子元件同时连接的电路，电流在各个元件之间分流。
三、电子元件电子元件是电子基础知识中的重要要素，它们用于构建电子电路和实现特定的功能。
常见的电子元件包括电阻、电容、电感和二极管等。
电阻是电子元件的一种，它用于限制电流的流动。
电容是一种可以存储电荷的电子元件，它具有储能的能力。
电感是一种具有感应电流作用的电子元件，它可以产生磁场。
二极管是一种具有单向导电性质的电子元件，它常用于电路中的整流和检波。
四、常用电子设备在现代社会，人们离不开各种电子设备，如手机、电脑、电视等。
这些电子设备离不开电子基础知识的支持。
手机是一种便携式的通信设备，它通过无线电技术实现通信，并具有多种功能，如拍照、浏览网页等。
电脑是一种个人计算机，它由主机和显示器组成，可以进行数据处理、网络通信等功能。
电视是一种电子设备，它通过接收电视信号，并将之转化为图像和声音。
电路基础、电子技术与元器件教案——第5章 放大器
第5章放大器【学习要点】：本章主要介绍二极管和三极管的基本特性，重点讨论各种放大器的电路结构、工作原理及分析方法。
学习本章时，应适当放慢学习速度，打好基础。
把认识电路、掌握电路工作原理及元件的作用放在第一位。
在此基础上，再理解电路的定量分析。
本章内容十分重要，是全书的重点，望读者认真学习。
5.1 二极管和三极管5.2 基本共射放大器5.3共集放大器与共基放大器5.4 负反馈放大器5.5 直流放大器5.6 功率放大器5.7 放大器中的噪声5.1 二极管和三极管一半导体介绍1.本征半导体本征半导体是指化学成分纯净的半导体。
半导体中有两种基本导电粒子，一种是电子，另一种是空穴。
电子带负电，空穴带正电。
2. 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可形成杂质半导体。
杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两种。
3. PN结在一块半导体上，一头做成P型，另一头做成N型，就会形成PN结。
1）PN结加正向电压就会导通；2）PN结加反向电压就会截止。
PN结还具有一定的电容效应，这种电容称为PN结的结电容。
二.二极管1.二极管的结构及符号将PN结加上金属引脚和外壳后，就成了二极管，如图（a）所示，图（b）是它的符号。
二极管有点接触型、面接触型和平面型三大类。
2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指二极管两端所加的电压与流过二极管的电流之间的关系，这种关系可以用伏安特性曲线来描述。
1）正向特性当二极管两端所加的正向电压较小时，正向电流几乎为零，此工作区域称为死区。
当正向电压增大到V F时，二极管开始导通，因此，常将V F称为门坎电压或死区电压（硅管的V F 约为0.5V，锗管为0.2V）。
当正向电压大于V F时，正向电流迅速增加（图中AB段），此时，二极管充分导通，呈现的正向电阻很小。
2）反向特性当二极管两端加反向电压时，反向电流几乎为零，且在较大的范围内不随反向电压的变化而变化。
但当反向电压增加到一定程度（V R）时，反向电流剧增，二极管反向击穿。
电子基础知识
电子基础知识引言：电子技术是现代科技的基石，无论是通信、计算机、电子产品还是可穿戴设备，都离不开电子基础知识的应用。
本文将介绍电子基础知识的一些关键概念，包括电流、电压、电阻、电路等，并探讨其在现代科技领域的应用。
一、电流电流是电子在导体中的流动，用单位时间内通过导体截面的电荷量来衡量。
符号为I，单位是安培（A）。
电子的流动类似于水流在管道中的流动，而电流的大小则取决于电子的载流子数量和其流动的速度。
电路中的电流可以分为直流电流（直流电）和交流电流（交流电）。
直流电流沿着一个方向流动，而交流电流在正负方向之间周期性变化。
电流在电路中的流动路径称为电路拓扑。
二、电压电压是电势差的度量，用单位电功（功/电荷）来衡量。
符号为U，单位是伏特（V）。
电压可以理解为电子在电路中的势能差，类似于水在下坡时释放的势能。
电压差决定了电子的移动方向和速度，不同元件的电压差也决定了电流的流动方式。
三、电阻电阻是电路对电流的阻碍，用单位电压与单位电流之比来度量。
符号为R，单位是欧姆（Ω）。
作为电路中的元件，电阻能够限制电流的流动，通过与电流共同决定电路中的电压和功率。
常见的电阻器有固定电阻和可调电阻，用于实现对电路中电阻大小的调节。
四、电路电路是由耦合电阻、电容和电感等元件组成的，用于实现电能转换和信号处理。
根据电流的流动方式，电路可以分为串联电路和并联电路。
串联电路中，电流只有一条路径流动，而并联电路中，电流会分流到多个路径中。
电路的设计与分析中需要考虑电源、电阻和电路元件之间的关系，包括电路拓扑、电阻分布和电压分布等。
在计算机和通信领域中，数字电路和模拟电路的设计常常是基于各种电子元件和逻辑门进行的。
五、应用领域电子基础知识在现代科技领域有广泛的应用。
以通信领域为例，无线通信器件和通信协议需要依赖电子基础知识，如调制解调、编码解码和信号传输等。
在计算机领域，处理器的工作原理和逻辑设计都离不开电子基础知识。
此外，电子基础知识还应用于医疗器械、汽车电子和可穿戴设备等领域。
模拟电子技术基础第五章 集成运算放大电路
5
第五章 集成运算放大电路
三、集成电路的特点
1. 参数精度不高，受温度影响较大，但对称性好。
2. 电阻值范围有一定局限性，一般在几十欧到几十千 欧之间。 3. 常用三极管代替电阻，尤其是大电阻。
4. 集成电路工艺不适于制造几十皮法以上的电容器， 放大级之间通常采用直接耦合方式。 5. 一般情况下，PNP管只能做成横向的，β值较小 （ β ≤10）。
VT10 R4 Ic10
VT12
VT13
R5
IREF
Ic13
④若要求Ic10 =28μA，试估算电 阻R4的阻值。
22
VT11 -VEE
第五章 集成运算放大电路
解： ①由图可得
I REF VCC VEE 2U BE R5 15 15 2 0.7 mA
VT10 VT12
+VCC
Acd
用以衡量集成运放抑制温漂的能力。多数集成运放 的共模抑制比在80dB以上，高质量的可达160dB。
13
第五章 集成运算放大电路
9. 最大共模输入电压 UIcm
集成运放输入端所能承受的最大共模电压。如超过 此值，集成运放的共模抑制比性能将显著恶化。
10. 最大差模输入电压 UIdm 集成运放反相输入端与同相输入端之间能够承受的 最大电压。若超过此值，输入级差分对管中的一个 管子的发射结可能被反向击穿。
VT13
Ic10
R5
IREF
Ic13
39 0.73mA
VT11
R4
-VEE
最新电子技术基础第五章集成运算放大器PPT课件
A u c ( 单 u u o ic c ） 1 (1 b R r b ) e 2 R c ( )e 1 R e 2 - R R e ce
通用型集成电路运算放大器
集成电路运算放大器的主要参数
1. 输入失调电压VIO 2. 输入偏置电流IIB 3. 输入失调电流IIO 4. 温度漂移
3.共模交流信号分析 :
(b)单端输出 （1）单端输出电压增益： 从左边输出和从右边输出完全相同
画交流通路时，单管射极电阻应为2Ree。
A u c ( 单 u u o ic c ） 1 (1 b R r b ) e 2 R c ( )e 1 R e 2 - R R e ce
输入电阻
2.差模交流信号分析 :
2.差模交流信号分析 : 画出对差模交流信号的交流通路
理想的直流电压源短路 关键是此处对Ree的处理。 在以前画交流通路时，线性电阻在交流通路中保留，阻值 为线性电阻的交流电阻，因为是线性的，所以交流电阻与 直流电阻相等。
2.1差模输入双端输出
某瞬间的真实方向
uid = uid1-uid2 uid1= -uid2
接耦合方式而被逐级放大。电源电压波动也是原因之一
• 温漂指标：温度每升高1度时，输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电
压值。
例
漂移
10 mV+100 uV
假设 AV1=100, A V2 =10A 0 V= 3 ,1。
若第一级漂移100 uV（已折合到输入端），
则输出漂移 1 V。
若第二级也漂移 100 uV，
2.2 差模输入单端输出 (a)差模输入—单端输出(注意从哪边输出，左边)
2.2.1求差模电压放大倍数
数字电子技术基础课件阎石主编第五版第五章
转换步骤：
（1）写出已有触发器和待求触发器的特性方程。 （2）变换待求触发器的特性方程，使之形式与已有 触发器的特性方程一致。 （3）比较已有和待求触发器的特性方程，根据两个 方程相等的原则求出转换逻辑。 （4）根据转换逻辑画出逻辑电路图。
JK触发器→RS触发器
变换RS触发器的特性方程，使之形式与JK触发器的特性 方程一致：
1 1
J=1 K=1时，
Q=0,G7 输出0，主触发器置1，CLK↓,Q*=1；
Q=1,G8 输出0，主触发器置0，CLK↓,Q*=0。
Q*=Q′
JK触发器的特性表
J 0 0 0 0 1 1 1 1 K 0 0 1 1 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 0 1 0 1 Q* 0 1 0 0 1 1 1 0
特性 方程
Q * S R Q SR 0
CLK下降沿到来时有效
例5.4.1
Q * S R Q SR 0
2.主从JK触发器
Q S R Q
*
S JQ
R KQ
J Q ( KQ ) Q J Q K Q CLK 下降沿时有效
例5.5.1 已知D和CP的波 形，试画出Q的 波形。设触发器 初始状态为0。
课堂练习
题目:时钟CP及输入信号D 的波形如图所示,试画 出各触发器输出端Q的波形,设各输出端Q的
初始状态为0.
D CP
D
Q
Q1
D
D
Q
Q2
CP
D CP
D
Q
Q1
CP D
Q1
D CP
D
Q
Q2
CP D Q2
5.6 触发器的逻辑功能及其描述方法
电子基础知识
电子基础知识目录一、电子技术基础 (3)1.1 电子元件 (4)1.2 电路分析 (5)1.2.1 基尔霍夫定律 (6)1.2.2 欧姆定律 (7)1.2.3 电压源与电流源 (8)1.2.4 运算放大器 (9)二、电子器件 (10)2.1 传感器 (11)2.1.1 光电传感器 (12)2.1.2 温度传感器 (13)2.1.3 气体传感器 (14)2.2 继电器 (16)2.3 电子显示器 (17)2.3.1 LED显示器 (18)2.3.2 LCD显示器 (20)2.3.3 PDP显示器 (21)三、电子电路 (22)3.1 放大电路 (23)3.1.1 小信号放大器 (24)3.1.2 功放电路 (25)3.2 振荡电路 (26)3.2.1 正弦波振荡器 (27)3.2.2 非正弦波振荡器 (29)3.3 电源电路 (29)3.3.1 交流电源 (30)3.3.2 直流电源 (31)四、集成电路 (33)4.1 常用集成电路 (34)4.2 微处理器与微控制器 (35)4.2.1 8051微处理器 (36)4.2.2 PIC微控制器 (36)五、电子测量与仪器 (38)5.1 万用表 (39)5.2 示波器 (40)5.3 频谱分析仪 (42)5.4 网络分析仪 (43)六、电子技术发展与应用 (45)6.1 通信技术 (46)6.1.1 有线通信 (47)6.1.2 无线通信 (48)6.2 计算机技术 (50)6.2.1 微型计算机 (51)6.2.2 工业控制系统 (53)6.3 新能源技术 (54)6.3.1 电动汽车 (55)6.3.2 太阳能光伏发电 (57)一、电子技术基础电子元器件是指用于制造电子设备的零件和部件，包括电阻器、电容器、电感器、二极管、晶体管等。
了解各种电子元器件的特性和使用方法是学习电子技术的基础。
电路是由电源、导线、开关、负载等元件组成的电流传输路径。
了解基本电路原理，如欧姆定律、基尔霍夫定律等，有助于分析和设计复杂的电子电路。
电子基础知识
电子基础知识电子基础知识是指电子技术中最基本的原理、概念和操作方法。
掌握电子基础知识可以帮助我们更好地理解和应用电子设备和技术。
本文将从电子元件、电路和电子设备三个方面介绍电子基础知识。
一、电子元件电子元件是构成电子电路的基本组成部分。
常见的电子元件有电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
这些元件根据它们对电流、电压和功率的特性可以分为不同的类型。
电阻用于控制电路中的电流和电压；电容储存电荷和能量；电感用于储存和释放磁能；二极管用于控制电流在一个方向上流动；晶体管用于控制电流和放大信号。
二、电路电路是由电子元件按照一定的连接方式组成的路径，用于传输电流和能量。
电路可以分为直流电路和交流电路。
直流电路中电流方向是恒定的，而交流电路中电流方向会周期性地变化。
电路中通常存在串联和并联的连接方式。
串联连接指的是将电子元件依次连接，电流会依次经过每个元件；并联连接指的是将电子元件平行连接，电流会在每个元件间分流。
三、电子设备电子设备指的是利用电子技术设计和制造的各种设备和装置。
常见的电子设备有电视机、收音机、计算机、手机等。
电子设备中包含复杂的电路和电子元件，通过系统的控制和运算实现特定的功能。
电子设备的发展使得人们的生活更加便捷和丰富。
电子基础知识的掌握对于学习和应用电子技术非常重要。
通过了解电子元件、电路和电子设备的原理和工作方式，我们可以更好地理解和应用电子设备。
此外，学习电子基础知识还可以培养我们的创新能力和解决问题的能力。
总之，电子基础知识是电子技术领域中最基本、最重要的知识之一。
掌握电子元件的特性、电路的组成和电子设备的原理，可以帮助我们更好地理解和应用电子技术。
希望本文对你对电子基础知识有所帮助。
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1、判断题
1 不含杂质的半导体称为P型半导体。
2 本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好。
3 在纯净的半导体硅中掺入硼元素，则构成了电子型半导体。
4 在纯净的半导体锗中掺入磷元素，则构成了电子型半导体。
5 PN结是构成二极管、三极管的基础。
6 PN结具有单向导电特性。
7 二极管有二个PN结
8 单相全波整流电路采用了两个二极管。
9 单相桥式整流电路采用了四个同型号二极管。
10 若小功率二极管正反向电阻均为零，那么二极管已损坏。
11 三极管具有两个PN结。
12 三极管的类型有NPN和PNP两种。
13 三相桥式整流电路输出的电压也是三相
14 NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
15 NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
16 三极管有两个PN结分别称为发射结和集电结
17 当变压器原绕组通以直流电流时，则在付边线圈感应出电动势。
2、单选题
1 用万用表的电阻档测得二极管正向电阻和反向电阻，如果两次测量的电阻值相差很大，则说明____。
A: 管子的单向导电性能好
B: 管子PN结已被击穿
C: 二极管内部引线断开或管子已被烧毁
D:
2 若用万用表的电阻档测得二极管的正向电阻和反向电阻都很小，则说明——。
A: 管子的单向导电性能好
B: 管子PN结已被击穿
C: 二极管内部引线断开或管子已被烧毁
D:
3 若半导体中的自由电子和空穴的数目相等，则这种半导体称为——半导体。
A: N型
B: P型
C: 本征
D: 杂质
4 半导体中的自由电子远比空穴的数目小，这种半导体称为——半导体。
A: N型
B: P型
C: 本征
D: 杂质
5 N型半导体是在纯净的硅半导体中掺入 元素而形成的。
A: 磷
B: 硼
C: 锗
D:
6 在纯净的锗半导体中掺入硼元素，就形成了——半导体。
A: P型
B: N型
C: 本征
D: 杂质
7 N型半导体是 半导体。
A: 电子型
B: 空穴型
C: 本征
D:
8 在二极管上加正向电压时 。
A: 二极管呈高阻状态
B: 二极管呈低阻状态
C: 几乎没有电流通过
D:
9 把交流电转换为直流电的过程叫——
A: 变压
B: 稳压
C: 整流
D: 滤波
E: 放大
10 目前大容量的整流元件—般都采用——材料制造。
A: 锗
B: 硅
C: 砷
D:
11 -"极管桥式整流电路，需要——二极管。
A: 2只
B: 4只
C: 6只
D: 3只
12 单相桥式整流电路的负载电压是电源电压U2的——倍。
A: 0.45
B: 0.9
C: 2.34
D: 1.1
13 在整流电路中，____整流电路输出的直流脉动最小。
A: 单相半波
B: 单相桥式
C: 三相桥式
D: 单相全波
14 工作在放大区的三极管，发射结应处于——集电结处于——。
A: 正偏
B: 反偏
C: 任意
D:
15 工作在截止区的三极管，其发射结应处于——，集电结处于
A: 正偏
B: 反偏
C: 任意
D:
16 工作在饱和区的三极管其发射结应处于 ，集电结处于——。
A: 正偏
B: 反偏
C: 任意
D:
3、多选题
1 半导体中的导电粒子有 。
A: 自由电子
B: 正电荷
C: 空穴
D: 负电荷
2 半导体根据导电机制来分有____。
A: 本征半导体
B: P型半导体
C: N型半导体
D: PN结
3 PN结的特点有____。
A: 单向导电性
B: 正向电阻大
C: 反向电阻大
D: 正向电阻小
4 二极管的主要参数有一
A: 额定电流
B: 最大整流电流
C: 最高反向工作电压
D: 反向电流
5 常用的二极管按材料分有____一 A、硅管 B、磷管 C、硼管 D、锗管 硒管
A: 硅管
B: 磷管
C: 硼管
D: 锗管 硒管
6 二极管按用途划分有
A: 稳压管
B: 整流管
C: 普通管
D: 整流堆
7 单相半波整流电路的特点有____。
A: 二极管仅在半个周期内有电流流过
B: 管子承受的最高反向电压为"/2*2U2
C: 输出电压为全波
D: 管子承受的最高反向电压为√2U2
8 单相全波整流电路的特点有____。
A: 每个管子仅在半个周期内有电流流过
B: 管子承受的最高反向电压为d2-U2
C: 输出电压为全波
D: 管子承受的最高反向电压为2,~r2-U2
9 单相桥式整流电路的特点有____。
A: 每个管子仅在半个周期内有电流流过
B: 管子承受的最高反向电压为d2-U2
C: 输出电压为全波
D: 管子承受的最高反向电压为2√2U2
10 整流电路常由组成。
A: 交流电源
B: 整流变压器
C: 直流电源
D: 整流管
E: 负载
11 用万用表欧姆档测二极管的极性和好坏时，可把欧姆档拨到____
A: Rx 100Q
B: R×1KQ
C: R×lQ档
D: R×10KQ档
E: R×10Q
12 三级管的工作状态有
A: 截止
B: 饱和
C: 短路
D: 放大
E: 开路
13 根据三极管的结构可分为
A: 基区
B: 放大区
C: 发射
D: 饱和区
14 根据三极管的工作状态可分为____。
A: 基区
B: 放大区
C: 发射区
D: 饱和区
E: 截止区