IGBT功率器件散热器详解

IGBT功率器件散热器详解
IGBT功率器件散热器详解

IGBT功率器件散热器详解

IGBT器件工作时产生的热量会使芯片温度升高。如果IGBT散热问题处理不好,就有可能使芯片温度升高到超过所允许的最高IGBT结温,从而导致器件性能恶化或失效。若在电路设计中,进行了合理的散热设计,不但能使器件的潜力得到充分发挥,而且还能提高电路的可靠性。因此,IGBT散热设计也是功率电子电路设计任务中不可缺少的重要环节之一。IGBT散热设计的基本任务是,根据传热学的基本原理,为器件设计一热阻尽可能低的热流通路,使器件发出的热量能通过它尽快地发散出去,从而保证器件运行时,其内部的结温始终保持在允许的结温之内。

随着IGBT器件容量的不断增大,对散热效能提出越来越高的要求。散热器发展初期,选配散热器不是以结温,而是以额定电流作为依据。也就是说,一定额定电流下的器件必须配一定型号的散热器,这种指导思想在实际使用中曾被普遍采用。但是实践证明,当额定电流相同的器件(正向压降不同),配以相同的散热器时,有的能够长期可靠运行,有的却很快损坏,因此不得不在标准中规定器件必须带散热器一起试验,一起出厂,这样大大影响了散热器的可换性,使制造单位和使用单位都感很不便,而且也很不经济。

采用结温作为器件与散热器匹配的依据,并建立了稳态热(简称热阻)概念之后,散热器的可换性得到了保证。因为两者的匹配关系可以通过计算来确定,使用者可根据实际的稳态耗散功率(不是额定电流)及实际介质温度来选择理想的散热器。只有这样,才能保证使用者能够经济又灵活地选配散热器,使器件的制造厂达到分别试验、分别出售的目的。

安装散热器的基本目的是把IGBT器件中产生的热量传递出去。与其他物体传热一样,有下面三种方式;热传导、热对流和热辐射。

散热器的类型

IGBT器件配用的散热器通常有自冷式、风冷式、液冷式和沸腾式四大类。

1.自冷式散热器

自冷式是通过空气自然对流及辐射作用将热量带走的散热方式。这种散热的效率很低,对流换热系数。α仅有(6~13)x 4.18 x103J/h.m2.K,但是它的结构简单、噪音小、维护方便,无需风机或循环系统等优点。通常适用于额定电流在20A以下的器件或简单装置中的大电流器件。随着半导器件价格的不断降低,较大器件也采用自冷式散热器,尤其在冲击负载的变流装置中应用更广泛。国内螺栓式器件使用的标淮散热器型号和部分参数见表1,结构示意见图1。

国产自冷式型材散热器和叉指型散热器的型号和其对应的热阻Rθs-a之值见表2和表3,它们的外形图和特性曲线如图2和图3所示。从表2和表3可见,散热器到环境的热阻Rθs-a

随加于散热器上的耗散功率P C值的增大而略有下降。这是因为当加于散热器上的功率Pc 增大时,散热器的温升此也就随之增大。散热器与环境之间的温差增大,散热器的辐射散热和对流散热的散热能力就增强,所以其热阻Rθs-a呈现略有下降趋势。

2.风冷式散热器

风冷式散热器主要用于电流额定值在50—500A的器件。风冷式散热器的特点是散热效率高,其换热系数为(35~52)x 4.18 x103J/h.m2.K。是自冷式散热的效率的2~4倍。但是采用风冷需配备风机,因而出现噪声大,容易吸入灰尘,可靠性相对降低,维护困难等缺点。散热器材料质量特性,对散热效率有显著影响。紫铜导热系数较高为330 x 4.18 x103J/

h.m2.K,相当于工业纯铝160 x 4.18 x103J/h.m2.K的2倍,在相同散热效率下,紫铜散热器的体积为铝质散热器的1/2—1/3,并且有耐盐露等优点。但由于铜的比重大,价格高(为铝材的3倍左右),一般较少应用。

螺栓式器件用的SL系列风冷式散热器型号和部分参数见表4所列,结构示意图见图4。平板式器件用的SF系列风冷式散热器型号和部分参数见表5,结构示意图如图5所示。

在风冷装置内部的冷却风速标准值为6m/s,若风速小于标准值时,应根据制造单位所提供的资料查取对应于实际风速的热阻。当制造单位没有给出低于标准风速下的热阻时,可以近似地用表6所列系数乘以额定热阻R SA。器件的容量随风速降低而减小,亦即系数K随风速下降而增大。

在进行风冷式散热设计时,需计算空气流量,可用下面两个公式:

式中PD——电源的总耗散功率;

△T——装置内部和外部温度之差。

3.水冷式散热器

(1)水冷式散热器的型式

水冷式散热器的散热效率极高,其对流换热系数160 x 4.18 x103J/h.m2.K,等于空气自然冷却换热系数的150-300倍。以水冷式散热器代替风冷式散热器,可大大提高器件的容量。这种散热器一般适用于电流容量在500A以上的器件,少数也应用于200A器件。冷却形式的选择主要决定于装置容量而不是器件的容量。

由于水的绝缘性较差,而且会在高电压下出现电腐蚀和漏电现象,因此对高压装置来说,其冷却水必须用离子交换树脂来进行处理,此时必须使用复杂的循环水冷却系统。只有在低电压下,例如装置电压低于400V(DC)或380V(AC)时,才可以来用流水冷却,以简化冷却系统。实际上这个分界线也是随着装置的电流容量而有所变动的。当装置容量较大时,例如直流3000A以上,即使电压只有200V,仍应采用循环水冷却,当电流较小时,如直流200A 以下,即使电压600V(DC)或660V(AC),亦可使用水冷却。总之,水冷式散热器的型式选择取决于对电压高低、电流大小、经济性和维护方便的综合考虑。

(2)水质要求

对循环冷却水来说,应保证电阻率不小于104~105Ω*cm,根据装置电压而定。如,当直流电压为600~800V时,水的电阻率应不小于5*104Ω*cm。

流水冷却系统的冷却水,在25℃以下测得的电阻率应不小于2500*104Ω*cm,其杂质量应不超过下列数值:

1)中性或略呈碱性反应,即pH值在7~9之间;

2)氯化物含量不大于20 x10-6,硝酸盐不大于10ppm,硫酸盐含量不大于100 x10-6;

3)不溶物质含量不大于250 x10-6。

必须指出,在采取措施,保证水质要求之后,一般散热器在通电过程中,仍然会出现电蚀现象,电压愈高,则电蚀愈严重;有时需要采取额外的防蚀措施。例如在中低压装置中,钢的电导率和导热率只等于铜的1/2~1/3,但由于耐电蚀性能良好,仍被采用。

(3)凝露问题及防止措施

当冷却水温度低于环境温度时,特别在相对湿度很高的夏季,往往出现凝露现象,使器件阴阳极之间的绝缘电阻大大下降而发生漏电、爬电和由此引起击穿事故。为此必须采取预防措施,使散热器温度不低于露点温度。例如在空载或轻载时,切断冷却水;采用加热措施,便装置内温度高于露点温度;或者采用提高水温等措施。

当散热器温度低于环境温度的某一数值,刚好出现凝露现象时的温度叫做露点温度。

它由下式计算:

式中B—相对湿度;

P S—饱和蒸汽压,Pa,

P—实际蒸汽压,Pa。

例如:已知环境温度t=30℃,相对湿度B=80%,从表7中可查得P S=31.32x133.322Pa,则实际蒸汽压P=PS xB%=25.05 x133.322Pa。

再从表7中找出对应于25.05 x133.322Pa时的温度接近26℃,此温度即为当时的露点温度,亦即所选取的散热器进水温度不低于26℃,则不会出现凝露。

4.沸腾式冷却散热器’

沸腾式冷却散热器具有极高的冷却效率,对流换热系数为160 x 4.18 x103J/h.m2.K,其等效导热率相当于同几何尺寸的实心铜导热率的380倍左右。沸腾式冷却散热效率也超过水冷式。沸腾冷却装置的体积比自冷式装置小得多。

沸腾式冷却是将冷却媒质放在密闭容器中,通过媒质的相变来进行冷却的技术,如图6所示。液体在密闭器皿中受热沸腾,蒸发后的气体,通过蒸汽管将发热体的热量带给冷逐面,在该处重新凝结成液体,由回流管流回密闭器皿中,如此周而复始,对发热体进行冷却。这样,使用很细的蒸发管可以传递极大的热功率。

沸腾式冷却早期使用的工作工质有水、乙醚、酒精等,但从绝缘性能、不燃性、工作温度、蒸汽压强等特性来考虑,适用于半导体器件冷却的工质以常用氟利昂R—113和FC—77为宜。

总的说来,沸腾式冷却的价格较贵,通常适用于要求有限的发热体面积散发出特大热功率以及要求重量轻的场合。例如在地铁机车和航天设备中。

功率器件热管散热器介绍

功率器件热管散热器介绍 随着功率器件如绝缘栅双极晶体管IGBT及电力电子设备的日趋流行向小型化、大功率和高精度方面发展,除了需要采用先进的元器件和设计新型先进的电子线路外,还需要缩小散热器的体积。因此,通常使用的铝型材散热器或叉指型散热器就很难满足功率器件散热的要求。热管是一种新型高效的传热元件,因为它利用了沸腾吸热和凝结放热两种最强烈的传热机理,因而表现出优异的传热特性,即传热效率高和沿轴向的等温特性好,其热耗散效率比同质量的铜散热器大2~3个数量级。 以热管为散热器件的热管散热器在功率电子设备中的应用是近年才发展起来的一种先进的 高效散热器件。由于热管散热器具有体积小、重量轻、散热效率高等优点,既能提高大功率管的设计使用功率,大大地延长功率管的寿命,简化功率管的散热设计,又能减少功率电子设备的噪音,提高设备的可靠性,降低成本。因此,热管散热器越来越受人们的重视。1.热管的工作原理 热管是密闭封焊的蒸发冷却器件。热管结构包括一个具有毛细管作用的吸液芯和小量能汽化的液体。热量施加于热管的一端,引起液体蒸发,蒸汽流动到热管的另一端,在那里冷凝,释放出潜热。然后,冷凝了的液体通过吸液芯,由毛细管作用流回蒸发端,完成循环如下图所示。

2.热管散热器的主要性能和参数 RGS-Z系列自冷式热管散热器(水平式)和RGS-F系列风冷式热管散热器(重力式) 的性能参数有:散热功率、热阻R Tf、等温性、管壁温升△Tfa、环境工作温度、寿命、安装方式等。现将其中主要参数介绍如下; (1)散热功率 当热管散热器加入热源功率Pc,管壁温升△Tfa不超过50℃时,此热源功率Pc即为该热管散热器的散热功率。 (2)热阻R Tf 当热管散热器加入热源功率的时候,管壁温度Tf和环境温度Ta之差与所加的热功率Pc之比为热管散热器的热阻R Tf,如下式。热管散热器的热阻特性与型材和叉指型散热器的热阻特性相似。在额定的散热功率范围内,热阻R Tf将随热源功率Pc的增加而略有下降,但基本上为一条平坦直线: (3)等温性 在热管散热器的某—端(称加热端)加热源功率Pc,待热平衡后,另一端(称冷端)相对应的地方非常接近于热端的温度,此时,热管散热器的温度梯度相当小,也就是说热管散热器进入了热管工作状态。 (4)管壁温升△Tfa 在额定散热功率内,热管散热器管壁温升△Tfa将随热源功率增加而上外。上升的规律可由下式表示。在允许的范围内,只要热源功率不变,管壁温升是一定的:

功率场效应管原理

功率场效应晶体管(MOSFET)原理 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小,耐压低,一般只适用于小功率电力电子装置。 一、电力场效应管的结构和工作原理 电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。 电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。 电力场效应晶体管采用多单元集成结构,一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图,如图1(a)所示。电气符号,如图1(b)所示。

电力场效应晶体管有3个端子:漏极D、源极S和栅极G。当漏极接电源正,源极接电源负时,栅极和源极之间电压为0,沟道不导电,管子处于截止。如果在栅极和源极之间加一正向电压U GS,并且使U GS大于或等于管子的开启电压U T,则管子开通,在漏、源极间流过电流I D。U GS超过U T越大,导电能力越强,漏极电流越大。 二、电力场效应管的静态特性和主要参数 Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性,与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。{{分页}} 1、静态特性 (1)输出特性 输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线,如图2(b)所示。由图所见,输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流I D不随漏源电压U DS的增加而增加,也就是基本保持不变;非饱和是指地U CS 一定时,I D随U DS增加呈线性关系变化。 (2)转移特性

半导体功率器件的散热设计

半导体功率器件的散热设计 摘要:本文主要阐述功率器件的散热原理及加装散热器的必要性,介绍如何正确选用散热器。 关键词:结温;散热器;散热;热阻 Abstrct: This papermainly expounds the necessityandprinciple of powerdevices withheatradiator,introduceshow to choose the rightradiator. Keyword: junction temperature radiator coolingthermalresistance 引言 半导体功率器件是多数电子设备中的关键器件,其工作状态的好坏直接影响整机可靠性。相关实验已经证明,器件工作温度直接影响其自身的可靠性,但是在功率转换电路中,器件自身会消耗一部分能量,这部分能量会转换为热量,使器件的管芯发热、结温升高,当结温超过器件自身规定的允许值时,电流会急剧增大而使晶体管烧毁。要保证结温不超过允许值,就必须将产生的热量有效的散发出去。 要解决散热问题可以从如下两方面入手,一是通过优化设计方式来减少发热量,如采用通态压降低的器件;另一方面是利用传导、对流、辐射的传热原理,将热量快速释放到周围环境中去,以减少热积累,使器件工作温度降低,如采用合适的散热器。 本文主要针对上述第二个方面进行探讨,分别从热设计相关概念、散热过程、正确选用散热器方法以上三个方面进行分析,以实例介绍方法的有效性。 散热过程是一个非常复杂的过程,影响因素较多,本文仅针对关键参数进行介绍,所有计算均为理想计算,与实际情况会存在一定的偏差。 一、热设计相关参数 1.耗散功率 在电路中功率器件自身消耗的功率。 2.热阻 热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力,即1W的热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。

IGBT功率损耗计算--蔡华

IGBT功率损耗计算对比 ---手算、Psim热模型、IPOSIM计算 蔡华 目的:对Psim中IGBT热模型功率计算方法进行验证,以便后期使用参考。 方法:(1)根据器件手册计算; (2)根据英飞凌官方提供的计算工具核对. 条件:经典的Buck电路; 输入电压:1000V; 输出电压:500V; 输出电感:1mH; 负载电阻:5Ω; 开关频率:5kHz 占空比:0.5; IGBT:英飞凌FF300R17ME4。 Psim仿真电路见图1。 图 1 Psim仿真模型 英飞凌网站主页IPOSIM工具入口方法见图2。 英飞凌官方功率计算网站 https://www.360docs.net/doc/ad10419911.html,/iposim/HighPower/All/TopologySelection.aspx

图 2 英飞凌网站主页IPOSIM工具入口 1.手工计算IGBT损耗 (1)计算IGBT导通损耗。 手册中给定的器件FF300R17ME3的IGBT导通电流与压降关系如图3所示。 图 3 IGBT导通电流与压降 IGBT导通时,从上述条件,可知,负载电压500V,负载平均电流100A,对应器件压降 1.4V,占空比为0.5,平均导通损耗Pcond=100A*1.4V*0.5=70W。 (2)计算IGBT开关损耗。 手册中给定的IGBT开通和关断损耗与电流关系如图4所示。

图 4 IGBT开通和关断损耗与电流关系 IGBT导通平均电流为100A,开通关断,每次开关动作对应的开通和关断损耗Eon+Eoff=75mJ,实际Uce承受电压为1000V,图中测试条件为900V,所以还要乘以1000/900,开关频率为5kHz。所以对应的开关损耗为Psw=75m*5k*1000/900=416.6W。 (3)计算IGBT反并联二极管导通损耗。 手册中给定的IGBT反并联二极管压降与电流关系如图5所示。 图 5 IGBT反并联二极管压降与电流关系 IGBT关断时,电流从续流二极管流过,IGBT反并联二极管导通电流基本为0,损耗为0,

散热器的选型与计算

散热器的选型与计算 以7805为例说明问题. 设I=350mA,Vin=12V,则耗散功率Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W 按照TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,温升是132℃,设室温25℃,那么将会达到7805的热保护点150℃,7805会断开输出. 正确的设计方法是: 首先确定最高的环境温度,比如60℃,查出7805的最高结温TJMAX=125℃,那么允许的温升是65℃.要求的热阻是65℃/2.45W=26℃/W.再查7805的热阻,TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,均高于要求值,都不能使用,所以都必须加散热片,资料里讲到加散热片的时候,应该加上4℃/W的壳到散热片的热阻. 计算散热片应该具有的热阻也很简单,与电阻的并联一样,即54//x=26,x=50℃/W.其实这个值非常大,只要是个散热片即可满足. 散热器的计算: 总热阻RQj-a=(Tjmax-T a)/Pd Tjmax :芯组最大结温150℃ Ta :环境温度85℃ Pd : 芯组最大功耗 Pd=输入功率-输出功率 ={24×0.75+(-24)×(-0.25)}-9.8×0.25×2 =5.5℃/W

总热阻由两部分构成,其一是管芯到环境的热阻RQj-a,其中包括结壳热阻RQj-C和管壳到环境的热阻RQC-a.其二是散热器热阻RQd-a,两者并联构成总热阻.管芯到环境的热阻经查手册知RQj-C=1.0 RQC-a=36 那么散热器热阻RQd-a应<6.4. 散热器热阻RQd-a=[(10/kd)1/2+650/A]C 其中k:导热率铝为2.08 d:散热器厚度cm A:散热器面积cm2 C:修正因子取1 按现有散热器考虑,d=1.0A=17.6×7+17.6×1×13 算得散热器热阻RQd-a=4.1℃/W, 散热器选择及散热计算 目前的电子产品主要采用贴片式封装器件,但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装,这主要是可方便地安装在散热器上,便于散热。进行大功率器件及功率模块的散热计算,其目的是在确定的散热条件下选择合适的散热器,以保证器件或模块安全、可靠地工作。 散热计算 任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小,无需散热装置。而大功率器件损耗大,若不采取散

电力电子器件

新型电力电子器件 电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。又称功率电子器件。20世纪50年代,电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管,因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快,而在电力电子电路中得到广泛应用。70年代初期,已逐步取代了汞弧闸流管。80年代,普通晶闸管的开关电流已达数千安,能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上,为适应电力电子技术发展的需要,又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件,以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。 各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端(阴极和阳极)器件,其器件电流由伏安特性决定,除了改变加在二端间的电压外,无法控制其阳极电流,故称不可控器件。普通晶闸管是三端器件,其门极信号能控制元件的导通,但不能控制其关断,称半控型器件。可关断晶闸管、功率晶体管等器件,其门极信号既能控制器件的导通,又能控制其关断,称全控型器件。后两类器件控制灵活,电路简单,开关速度快,广泛应用于整流、逆变、斩波电路中,是电动机调速、发电机励磁、感应加热、电镀、电解电源、直接输电等电力电子装置中的核心部件。这些器件构成装置不仅体积小、工作可靠,而且节能效果十分明显(一般可节电10%~40%)。 单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的,能通过的电流大小也是一定的。因此,由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以,在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件,其耐压和通流的能力可以成倍地提高,从而可极大地增加电力电子装置的容量。器件串联时,希望各元件能承受同样的正、反向电压;并联时则希望各元件能分担同样的电流。但由于器件的个异性,串、并联时,各器件并不能完全均匀地分担电压和电流。所以,在电力电子器件串联时,要采取均压措施;在并联时,要采取均流措施。 电力电子器件工作时,会因功率损耗引起器件发热、升温。器件温度过高将缩短寿命,甚至烧毁,这是限制电力电子器件电流、电压容量的主要原因。为此,必须考虑器件的冷却问题。常用冷却方式有自冷式、风冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸发冷却式等。 1. 超大功率晶闸管 晶闸管(SCR)自问世以来,其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来,由于自关断器件的飞速发展,晶闸管的应用领域有所缩小,但是,(由于它的高电压、大电流特性,它在HVDC、静止无功补偿(SVC)、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。预计在今后若干年内,晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 现在,许多生产商可提供额定开关功率36MVA (6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。传统GTO的典型的关断增量仅为3~5。GTO关断期间的不均匀性引起的"挤流效应"使其在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是,高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管,这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。到目前为止,在高压(VBR>3.3kV)、大功率(0.5~20 MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功率电压源的需

电源功率器件散热器计算

电源功率器件散热器计算 一、7805 设计事例 设I=350mA,Vin=12V,则耗散功率 Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W。按照TO-220 封装的热阻θJA=54℃/W,温升是132℃,设室温25℃,那么 将会达到7805 的 热保护点150℃,7805 会断开输出。 二、正确的设计方法是: 首先确定最高的环境温度,比如60℃,查出民品7805 的最高结 温 Tj(max)=125℃,那么允许的温升是65℃。要求的热阻是 65℃/2.45W=26℃/W。 再查7805 的热阻,TO-220 封装的热阻θJA=54℃/W, TO-3 封装(也就是大家说的“铁壳”)的热阻θJA=39℃/W,均 高于要求值,都不能使用(虽然达不到热保护点,但是超指标使用还 是不对的),所以不论那种封装都必须加散热片。资料里讲到加散热片 的时候,应该加上4℃/W 的壳到散热片的热阻。 计算散热片应该具有的热阻也很简单,与电阻的并联一样,即 54//x=26, x=50℃/W。其实这个值非常大,只要是个散热片即可满足。 三、散热片尺寸设计 散热片计算很麻烦的,而且是半经验性的,或说是人家的实测结果。 基本的计算方法是:

1.最大总热阻θja =(器件芯的最高允许温度TJ -最高环境 温度 TA )/ 最大耗散功率 其中,对硅半导体,TJ 可高到125℃,但一般不应取那么高,温度太高会降 低可靠性和寿命。 最高环境温度TA 是使用中机箱内的温度,比气温会高。 最大耗散功率见器件手册。 2.总热阻θja=芯到壳的热阻θjc +壳到散热片的θcs +散热片到环 境的θsa 其中,θjc 在大功率器件的DateSheet 中都有,例如3---5 θcs对TO220 封装,用2 左右,对TO3 封装,用3 左右,加导热硅脂后, 该值会小一点,加云母绝缘后,该值会大一点。 散热片到环境的热阻θsa 跟散热片的材料、表面积、厚度都有关系,作为 参考,给出一组数据例子。 a.对于厚2mm 的铝板,表面积(平方厘米)和热阻(℃/W)的对应关系是: 中间的数据可以估计了。

IGCT大功率器件

集成门极换流晶闸管(IGCT) 1.电力电子器件发展 电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“机车’’。现代电力电子技术无论对改造传统-t-业(电力机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),还是对高新技术产业(航天、激光、通信、机器人等)都至关重要,它已迅速发展成为一门独立学科领域。它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为21世纪重要关键技术之一。 电力电子器件是现代电力电子设备的核心。它们以开关阵列的形式应用于电力变流器中,把相同频率或者不同频率的电能进行交流—直流(整流器),直流一直流(斩波器),直流一交流(逆变器)和交流一交流(变频器)变换。这种开关模式的电力电子变换在与国民经济发展密切相关的关键科学技术中有着重要的应用。首先,在节能和环保方面,电力电子变换在能源能量转换和能量输配过程中具有很高的效率,如果用很好的电力电子技术去转换,人类至少可节省约1/3的能源,而未来电力能源中的80%要经过电力电子设备的转换。其次,在信息和通信技术中,通过开关模式的电力电子变化可以为计算机与通信设备提供稳定的可靠的电源。此外,在交通运输中,电动汽车和电力机车的都和电力电子变换密切相关。 “一代器件决定一代电力电子技术。’’现代电力电子技术基本上是随着电力电子器件的发展而发展起来的。从1958年美国通用电气公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。80年代末期和90年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,标志着传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。以功率器件为核心的现代电力电子装置,在整台装置中通常不超过总价值的20%'-'--30%,但是,它对提高装置的各项技术指标和技术性能,却起着十分重要的作用。因此对电力电子器件进行深入的研究和应用是非常重要的。 现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。另外,电力电子模块化是电力电子向高功率密度发展的重要的一步。本文中提到的IGCT就是一种用于中大型电力电子设备中的新型大功率电力电子器件。它的应用使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃. 1.1 整流管 整流管是电力电子器件中结构最简单、应用最广泛的一种器件。目前主要有普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管三种类型。电力整流管在改善各种电力电子电路的性能、降低电路损耗和提高电源使用效率等方面发挥着非常重要的作用。目前,人们已通过新颖结构的设计和大规模集成电路制作工艺的运用,研制出集PIN整流管和肖特基整流管的优点于一体的具有MPS、SPEED和SSD等结构的新型高压快恢复整流管。它们的通态压降为IV左右,反向恢复时间为PIN 整流管的1/2,反向恢复峰值电流为PIN整流管的1/3。

影响功率器件散热器散热性能的几何因素分析

Analysis of G eometric F actors on E ffect Upon the C apability of H eat Sink of Pow er Component FU Gui2cui,G AO Ze2xi (Beijing Univer sity o f Aeronautics and Astronautics,Dept.o f Systems Engineering,Beijing100083,China) Abstract: Heat sink consist of base and fin,the main parameters include the length of fin,the thickness of fin,the thickness of base and the width of base.Introduces the geometric structure of heat sink and researches on the geometric factors effecting the capability of heat sink.Investigate that thermal resistance can be lowered effectively by changing the geometric parameters of heat sink and get better effect.Provides the gist for the choice and the optimization of heat sink. K ey w ords: power com ponent;thermal design;heat sink;thermal resistance EEACC: 8550 影响功率器件散热器散热性能的几何因素分析 ① 付桂翠,高泽溪 (北京航空航天大学,工程系统工程系,北京 100083) 摘要:型材散热器的几何结构由肋片和基座构成,主要几何参数包括肋片长、肋片厚,肋片数、基座厚、基座宽等,研究了型材散热器几何因素对其热性能的影响,通过改变散热器的几何参数,可以有效的降低散热器的热阻,获得好的散热效果。本文的研究为型材散热器的的选择及优化设计提供了依据。 关键词:功率器件;热设计;散热器;热阻 中图分类号:T N305194;T N609 文献标识码:A 文章编号:1005-9490(2003)04-0354-03 功率器件是多数电子设备中的关键器件,其工作状态的好坏直接影响整机可靠性。功率器件尤其是大功率器件发热量大,仅靠封装外壳散热无法满足散热要求,需要配置合理散热器有效散热,而散热器的选择是否合理又直接影响功率器件的可靠性,因此分析影响散热器散热性能的因素,有利于合理选取散热器,提高功率器件的可靠性[1]。 1 散热器的选择 在电子设备热设计中,型材散热器由于结构简单,加工方便、散热效果好而得到了广泛的应用,其物理模型示意图如图1所示[2]。 它由肋片和基座构成,主要的几何参数包括肋片长、肋片厚,肋片数、基座厚、基座宽等。在选择散热器时一般需要依据散热器热阻来合理选择,同时还需要考虑以下几点:安装散热器允许的空间、气流流量和散热器的成本等。散热器散热的效果与散热器热阻的大小密切相关,而散热器的热阻除了与散热器材料有关之外,还与散热器的形状、尺寸大小以及安装方式和环境通风条件等有关,目前没有精确的数学表达式能够用来计算散热器的热阻,通常是通过实际测量得到。而散热器的有效面积与散热器几何参数密切相关[3]。 第26卷第4期2003年12月 电 子 器 件 Chinese Journal of E lectron Devices V ol.26,N o.4 Dec.2003 ①收稿日期:2003-07-01 作者简介:付桂翠(1968-),女,副教授,现主要从事可靠性工程,电子设备热设计技术研究工作,曾在国内外核心刊物上发 表论文十余篇,fuguicui@https://www.360docs.net/doc/ad10419911.html,或fuguicui@https://www.360docs.net/doc/ad10419911.html,; 高泽溪(1940-),男,教授,主要从事可靠性工程、电子设备热设计技术研究,获国防科工委、航空工业部科技进 步奖多次,在国内外核心刊物上发表论文数十篇.

功率二极管结构和工作原理

功率二极管结构和工作原理 在本征半导体中掺入P型和N型杂质,其交界处就形成了PN结,在PN结的两端引出两个电极,并在外面装上管壳,就成为半导体二极管。如果一杂质半导体和金属形成整流接触,并在两端引出两个电极,则成为肖特基二极管。 二极管的结构和工作原理: PN结的形成及二极管的单向导电性描述如下: 如下图1所示,对于一块纯净的半导体,如果它的一侧是P区,另一侧为N区,则在P区和N区之间形成一交界面。N区的多子(电子)向P区运动,P区的多子(空穴)向N区运动,这种由于浓度差异而引起的运动称为“扩散运动”。扩散到P区的电子不断地与空穴复合,同时P区的空穴向N区扩散,并与N区中的电子复合。交界面两侧多子复合的结果就出现了由不能移动的带电离子组成的“空间电荷区”。N区一侧出现正离子区,P区一侧出现负离子区,正负离子在交界面两侧形成一个内电场。这个内电场对多子的扩散运动起阻碍作用的同时,又有利于N区的少子(空穴)进入P区,P区的少子(电子)进入N区,这种在内电场作用下少子的运动称为“漂移运动”。扩散运动有助于内电场的加强,内电场的加强将阻碍多子的扩散,而有助于少子的漂移,少子漂移运动的加强又将削弱内电场,又有助于多子的扩散,最终扩散运动和漂移运动必在一定温度下达到动态平衡。即在单位时间内P区扩散到N区的空穴数量等于由P区漂移到N区的自由电子数量,形成彼此大小相等,方向相反的漂移电流和扩散电流,交界面的总电流为零。在动态平衡时,交界面两侧缺少载流子的区域称为“耗尽层“,这就形成了PN结。

如图2所示,当PN结处于正偏,即P区接电源正端,N区接电源负端时,外加电场与PN 结内电场方向相反,内电场被削弱,耗尽层变宽,打破了PN结的平衡状态,使扩散占优势。多子形成的扩散电流通过回路形成很大的正向电流,此时PN结呈现的正向电阻很小,称为“正向导逋”。当PN结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随正向电流的上升而增加;当PN结上流过的正向电流较大时,注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使得其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低,维持在1V左右,所以正向偏置的PN结表现为低阻态,为保护PN结,通常要在回路中串联一个限流电阻。

IGBT的驱动特性及功率损耗计算

IGBT的驱动特性及功率损耗计算 作者:海飞乐技术时间:2017-05-17 15:36 1.IGBT的驱动特性 1.1驱动特性的主要影响因素 IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时,应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt引起的误触发等问题。栅极电压Uge增加(应注意Uge过高而损坏IGBT),则通态电压下降(Eon也下降),如图1所示(此处以200 A lGBT为例)。由图中可看出,若Ugc固定不变时,导通电压将随集电极电流增大而增高。如图1a,电流容量将随结温升高而减少(NPT工艺正温度特性的体现)如图1b所示。 图1 栅极电压Uge与Uce和Tvj的关系 栅极电压Uge直接影响IGBT的可靠运行,栅极电压增高时有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗,但同时将使lGBT能承受的短路时间变短(10 μs以下),使续流二极管反向恢复过电压增大,所以务必控制好栅极电压的变化范围,一般Vge可选择在-10~+15 V之间,关断电压-10V,开通电压+15V。开关时Uge与lg的关系曲线见图2a和图2b所示。 图2 开关时Uge与Ig的关系曲线 栅极电阻Rg增加,将使IGBT的开通与关断时间增加,使开通与关断能耗均增加,但同时,可以使续流二极管的反恢复过电压减小,同时减少EMI的影响。而门极电阻减少,则又使di/dt增大,可能引发IGBT误导通,但是,当Rg减少时,可以使得IGBT关断时由du/dt所带来误触发的可能性减小,同时也可以提高IGBT承受短路能量的能力,所以Rg 大小各有好坏,客户可根据自己设计特点选择。图3为Rg大小对开关特性的影响,损耗关系请参照图4所示。

电力电子器件的最新发展趋势

电力电子器件的最新发展趋势 现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信、机器人等)至关重要,从而已迅速发展成为一门独立学科领域。它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为本世纪乃至下世纪重要关键技术之一。近几年西方发达的国家,尽管总体经济的增长速度较慢,电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。 从历史上看,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。以功率器件为核心的现代电力电子装置,在整台装置中通常不超过总价值的20%~30%,但是,它对提高装置的各项技术指标和技术性能,却起着十分重要的作用。 众所周知,一个理想的功率器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时能承受高电压;在导通状态时,具有大电流和很低的压降;在开关转换时,具有短的开、关时间,能承受高的di/dt和dv/dt,以及具有全控功能。 自从50年代,硅晶闸管问世以后,20多年来,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力,并已取得了使世人瞩目的成就。60年代后期,可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能,并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期,高功率晶体管和功率MOSFET问世,功率器件实现了场控功能,打开了高频应用的大门。80年代,绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT) 问世,它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展,又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件- MOSFET门控晶闸管的研究。因此,当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。下面就近几年来上述功率器件的最新发展加以综述。 一、功率晶闸管的最新发展 1.超大功率晶闸管 晶闸管(SCR)自问世以来,其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来,由于自关断器件的飞速发展,晶闸管的应用领域有所缩小,但是,由于它的高电压、大电流特性,它在HVDC、静止无功补偿(SVC)、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。预计在今后若干年内,晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 现在,许多生产商可提供额定开关功率36MVA ( 6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。传统GTO的典型的关断增量仅为3~5。GTO关断期间的不均匀性引起的“挤流效应”使其在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是,高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管,这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。到目前为止,在高压(VBR > 3.3kV )、大功率(0.5~20 MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功

基于IPOSIM的IGBT功率损耗仿真

基于IPOSIM的IGBT功率损耗仿真 【摘要】IGBT作为一种功率半导体器件,在电能应用邻域得到广泛应用。在IGBT的使用过程中,要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。本文就IGBT的损耗计算方法作了简要介绍,并就英飞凌IGBT作了功率损耗的仿真分析。 【关键词】IGBT 功率损耗计算方法仿真The Simulation of The Power Loss for IGBT Base on IPOSIM(The 722 Research Institute of CSIC Hubei Wuhan 430205) Abstract:As a power semiconductor device,IGBT is widely used in the application of electric fields. During the use of IGBT,Request power switching device to reduce losses,improve efficiency and performance. This article briefly describes the loss calculation method on the IGBT,and made a simulation analysis of the power loss on Infineon IGBT. Keywords:IGBT;power loss;calculation method;simulation 一、引言 绝缘栅晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是由BJT(双极型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效

功率半导体器件是什么

“power semiconductor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。 在国际上与该技术领域对应的最权威的学术会议就叫做International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,即功率半导体器件和功率集成电路国际会议。 “power”这个词可译为动力、能源、功率等,而在中文里这些词的含义不是完全相同的。由于行业的动态发展,“power”的翻译发生了变化。 从上世纪六七十年代至八十年代初,功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电,以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等,这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。因此,当时我国把这些器件的总称———power semiconductor devices没有直译为功率半导体器件,而是译为电力电子器件,并将应用这些器件的电路技术power electronics没有译为功率电子学,而是译为电力电子技术。与此同时,与这些器件相应的技术学会为中国电工技术学会所属的电力电子分会,而中国电子学会并没有与之相应的分学会;其制造和应用的行业归口也划归到原第一机械工业部和其后的机械部,这些都是顺理成章的。实际上从直译看,国外并无与电力电子相对应的专业名词,即使日本的“电力”与中文的“电力”也是字型相同而含义有别。此外,当时用普通晶体管集成的小型电源电路———功率集成电路,并不归属于电力电子行业,而是和其他集成电路一起归口到原第四机械工业部和后来的电子工业部。 20世纪80年代以后,功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。 这一转变的主要原因是,这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作,而电路在高频工作时能更节能、节材,能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip,简写PSOC),它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上,使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能,其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

散热器技术参数

散热器技术参数 标准化文件发布号:(9312-EUATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

散热器价格技术参数 散热器技术参数 在使用功率器件时最重要的是如何使其产生的热量有效地散发出去,以获得高可靠性。 金旗舰散热的最一般方法是把器件安装在散热器上,散热板将热量辐射到周围的空气中去,以及通过自然对流来散发热量。 一般地说,从散热器到周围的空气的热流量(P)可由下例表示。 P=hA η△T式中h为散热器总的传热导率(W/cm2℃),A为散热器的表面积(cm2),η为散热器效率,△T为散热器的最高温度与环境温度之差(℃)。上式中h是由辐射及对流来决定,η是由散热器的形成来决定。 总之,散热器的表面积越大,与环境温度之差越大,散热板的热量辐射越有效。 (1)辐射散热 下述近似式表示辐射散热 hr=×10-11×ε(△T/2+237)3(W/cm2℃) 式中ε是表面辐射率,随散热器的表面状况而变化。表面研磨光洁的产品ε=~也就是说辐射率极差。然而,散热器表面涂以涂料,经氧化可使ε=1。 (2)对流散热

功率器件安装在装置的框架上时,采用对流散热比辐射散热更有效。在一个大气压的空气中,采用对流散热器的传导率近似地由下式表示。 hc=×10-4×(△T/H)1/4(W/cm2 ℃) 式中,H是散热器垂直方向长于水平方向更为有效。 (3)散热器效率η 若用薄材料制成散热器,则离热源越远,表面温度越低,散热效果也越差。上述公式是假定温度都是均在分布的,而实际上在散热板的 边缘部位表面温度越低。 这种由散热器本身温度确定的系数就是散热器效率,它表示散热板实际传递的热量与器材安装部位最高温度视为均匀分布时的热量之比。η主要是由所用散热器的材料大小与厚度来决定的。一般地说,热传导率高的材料如铝(cm2 ℃)及铜(cm2 ℃)而钢(cm2℃)就相当差了。 另外,散热器的厚度以厚些为好,并以跟散热器的长度平方成比例为最佳。根据上述各点,适用于功率器件的散热器应满足下列要求: (Ⅰ)表面积尽可能大些 (Ⅱ)散热器表面阳极氧化,发黑处理 (Ⅲ)散热器配置应使空气易于流通,以长边取垂直方向为佳 (Ⅳ)使用热传导率良好的铝及铜作为散热器材料 (Ⅴ)散热器厚些为好,厚度与长度平方成比例

智能功率器件的原理

智能功率器件的原理与应用 1 智能功率器件的特点及产品分类 1.1 智能功率器件的特点 所谓智能功率器件,确实是把功率器件与传感器、检测和操纵电路、爱护电路及故障自诊断电路等集成为一体并具有功率输出能力的新型器件。由于这类器件可代替人工来完成复杂的功率操纵,因此它被给予智能的特征。例如,在智能功率器件中,常见的爱护功能有欠电压爱护、过电压爱护、过电流及短路爱护、过热爱护。此外,某些智能功率器件还具有输出电压过冲爱护、瞬态电流限制、软启动和最大输入功率限制等爱护电路,从而大大提高了系统的稳定性与可靠性。 智能功率器件具有体积小、重量轻、性能好、抗骚扰能力强、使用寿命长等显著优点,可广泛用于单片机测控系统、变频调速器、电力电子设备、家用电器等领域。

1.2 智能功率器件的产品分类 智能功率器件可分成两大类,即智能功率集成电路与智能功率模块。 1)智能功率集成电路 智能功率集成电路的种类专门多,下面仅列出几种典型产品。 ——高压功率开关调节器(High Voltage Power Switching Regulator)。例如,美国摩托罗拉公司研制的MC33370系列产品。 ——智能功率开关(IntelligentP ower Switch)。例如,德国西门子(Siemens)公司生产的Smart SIPMOS智能功率开关,产品型号有BTS412B、BTS611等。 2)智能功率模块 智能功率模块是采纳微电子技术和先进的制造工艺,把智能功率集成电路与微电子器件及外围功率器件组装成一体,能实现智能功率操纵的商品化部件。模块大多采纳密封式结构,以保证良好的电气绝缘和抗震性能。用户只须了解模块的外特性,即可使用。因此,它能简化

常见电子元器件介绍

常见电子元器件介绍 第一部分:功率电子器件 第一节:功率电子器件及其应用要求 功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的,因此,我们了解它们是必要的。 近年来,随着应用日益高速发展的需求,推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展,功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展,性能也越来越改善。大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方面: 1.器件能够快速恢复,以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例,采用双极型晶体管时,速度可以到几十千赫;使用MOSFET和IGBT,可以到几百千赫;而采用了谐振技术的开关电源,则可以达到兆赫以上。 2.通态压降(正向压降)降低。这可以减少器件损耗,有利于提高速度,减小器件体积。 3.电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾,目前最大电流控制能力,特别是在电力设备方面,还没有器件能完全替代可控硅。 4.额定电压:耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数,特别对电力系统,这显得非常重要。 5.温度与功耗。这是一个综合性的参数,它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题,一是继续提高功率器件的品质,二是改进控制技术来降低器件功耗,比如谐振式开关电源。 总体来讲,从耐压、电流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT,特别是IGBT获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。 第二节:功率电子器件概览 一.整流二极管: 二极管是功率电子系统中不可或缺的器件,用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择: 1.高效快速恢复二极管。压降0.8-1.2V,适合小功率,12V左右电源。 2.高效超快速二极管。0.8-1.2V,适合小功率,12V左右电源。 3.肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V,适合5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比,所以耐压低(200V以下),反向漏电流较大,易热击穿。但速 度比较快,通态压降低。 目前SBD的研究前沿,已经超过1万伏。 二.大功率晶体管GTR 分为: 单管形式。电流系数:10-30。 双管形式——达林顿管。电流倍数: 100-1000。饱和压降大,速度慢。下图虚线部 分即是达林顿管。

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