激励阻抗归一化的作用

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现代无损检测技术第5章:涡流检测技术

现代无损检测技术第5章:涡流检测技术

12×2—103—4—5—6—2×图1 涡流渗透深度与激励频率的关系图2 藕合线圈的互感电路a) 藕合线圈电路b)互感作用电路c) 藕合线圈等效感电路折合阻抗与一次线圈本身的阻抗之和称为图3 交流电路中电压和阻抗平面图线圈等效电路b)电压向量图c)阻抗向量图图4图5 阻抗平面图a)线圈阻抗平面b)归一化阻抗曲线图5 福斯特的假想物理模型表2 不同频率f/fg 的有效磁导率μeff的值表中:f为涡流检测的激励频率,也称之为工作频率,fg 为特征频率。

f/fg为频率比,它是涡流检测中的一个重要参数。

因此归一化电压为:数所决定,即:a)绝对式2-检测线圈3-管材在裂纹)时。

检测线圈就有信号输出,来实现检测目的。

标准的比较式1-参考线圈2-检测线圈4-棒材线圈感应输出急剧变化的信号。

c)自比较式1-参考线圈2-检测线圈3邻桥臂上。

用于管子检测的探头线圈在交流桥路中的位置电桥个参考线圈。

绝对式探头1 2线圈2 3-软定心导板4-接插件5探伤的材料进行检测。

差动式探头1 2线圈2 3-软定心导板4-接插件5-外壳二. 涡流检测的频率选择用于非铁磁性圆柱形棒料的检测频率选择图图中:IACS 为国际退火铜标准图的使用方法如下:1) 在A 线上取棒料电导率σ;2) 在B 线上取棒料直径d ;3) 将这两点间的连线延长使之与C 线相交;4) C 线上的交点垂直向上画直线,与所需的kr 值所对应的水平线相交得到一点;5) 根据交点在频率图(斜线)中的位置,即可读出所需的工作频率。

只要适当调节控制信号OT的相位,使θ2=90º,那么,干扰信号的输出为零,而总的信号输出(OC=OAcosθ1仅与缺陷信号有关,消除了不平衡电桥法工作原理在涡流检测中用作参考标准的人工缺陷的种类和形状检测线圈的阻抗特性表面探头以50Hz的频率检测厚铝板缺陷绝对式探头检测阻抗图b)差动式探头检测阻抗图1、2-裂纹3-表层下洞穴时处理,并将结果在CRT上进行实时显示。

HFSS常见问题集锦(增强版)要点

HFSS常见问题集锦(增强版)要点

1、HFSS仿真结果的疑问我在做一个0.3g--2.7g超宽带天线,用ansoft仿真结果也差不多了,可是同一模型当我把扫频范围设定为0.3g--1g,结果(方向图和驻波)变化很大,我进一步细化又把频率范围设为0.3--0.6g时,结果再次变化,一次比一次变化大。

我想问各位大虾,同一模型是不是每次频率设定范围不一样,结果就差距很大,那我仿真时该设定多大范围比较好呀?欢迎热心同志给予解释帮助,,,多谢咯!!!答:仿真频率范围无谓,关键是在不同的频段仿真的时候你的空气盒子大下得相应的改变,为你仿真中心频段的1/4波长.如果仿真频段太宽,也可以分段仿真.2、请教:这个同轴是怎么加的图片:请问这个同轴是怎么加的垫片印刷在介质板上使用50ohm同轴线馈电请问同轴的内轴外轴都是怎么加到天线上的我只将内探针加到了介质上结果有一个谐振点总是畸变肯定是我的同轴馈电出了问题麻烦大家帮我看看我想了好久了答:建模时只要画出同轴与地板交界处端口就行了(内心不变),重新画出地板(画一个面)从这个地板上讲端口和内心减去(克隆),将内心从端口中减去(克隆),再在端口处设置激励就行了。

其实只要把你的模型发上来,一看就明白了,上面的回答应该是用集中端口设同轴线的做法,附一个例子给你看看,模型比较大,把端口放大就可以看到细节部分了下载1fed by coax lumpedport.rar(6 K) 下载次数:313、提一个关于Radiation Boundary的问题如题,按照full book上的说法,只要将模型边界条件设置成Radiation Boundary,就相当于不受边界的约束,波可以辐射到无限远空间,换句话说求解的空间大小已经不会对求解结果产生影响.但是我在做微带模型时对空气层的大小设置不同值后发现结果不同.请高人指点迷津!答:关于这个,可以参考金建铭的电磁场的有限元方法一书,电磁场的有限元方法中对于计算区域的截断的处理都不是非常的理想,辐射边界也是近似,至于辐射边界与计算目标的距离说法更是不一,论坛之前有帖子进行过大规模的讨论,我记得结果似乎是没有完全的定论,最常见到说法是0.25波长就”差不多“,呵呵具体每种情况到底差多少也不可一概而论。

射频结环形器的设计流程与仿真

射频结环形器的设计流程与仿真

射频结环形器的设计流程与仿真环形器、射频环形器、微带环形器、小型环形器、射频结环形器、铁氧体环形器1 引言铁氧体是一种在微波频段具有旋磁性质的特殊磁材料,由于他具有一系列非互易特性,可以使用他构造出环形器等一系列微波非互易器件。

微波环形器已成为信息通讯、电子对抗、航天航空等领域不可缺少的关键性器件之一。

如今微波环形器的应用迅速向民用通讯、能源技术、工农医等领域扩展。

环形器具有单向传输特性,入射信号能顺利通过,反射信号由于被吸收电阻吸收而不能通过。

其工作原理就是利用中心结构在射频场和外加偏置磁场之间满足一定关系时产生的谐振效应,从而获得环行效果。

目前环形器大致上使用的是圆盘结,Y型结,双Y结,三角结的中心谐振导体。

本文研究的对象是用于基站中,中心导体为双Y结的带线铁氧体环形器。

根据设计,仿真结果在工作频带内满足隔离度大于26 dB,插损小于0.3 dB,回波损耗大于26 dB,电压驻波比小于1.14,中心导体外接半径尺寸约为5 mm,达到高性能与小型化兼顾,基本满足几乎所有GSM 基站对于环形器的要求。

同时本文通过把结环形器的场理论与路理论结合起来,推导出一些通用的设计公式,给出简明的设计流程,并结合计算机辅助设计给出仿真结果,对一般设计者起到一定指导意义。

2 设计过程图1为双Y带线结环形器结构示意图。

金属导体圆盘半径为R,小Y臂长度为R0,耦合角为φs宽为Ws,电长度为θs,大Y臂宽为W,耦合角为φ,铁氧体厚度为H,金属导体厚度为t。

环形器的核心是一个外加恒定磁场的铁氧体非互易结,中心导体一般可以是圆盘形、Y形、双Y形或三角形等各种形状。

通过网络理论分析可证明一个匹配的无耗对称三端结就是一个环形器,用散射矩阵表示为:如果此非互易结是无耗的,则通过圆盘结波动方程加以正负与同相本征激励推导出圆盘双Y结的同相与正负激励阻抗本征值:式中:其中Z0与Z±都是纯虚数。

若其归一化值在阻抗圆图上的分布以及其所对应的S本征值间的相角差互成120o,则此非互易结是环行的。

数据标准化.归一化处理

数据标准化.归一化处理

数据的标准化在数据分析之前,我们通常需要先将数据标准化(normalization),利用标准化后的数据进行数据分析。

数据标准化也就是统计数据的指数化。

数据标准化处理主要包括数据同趋化处理和无量纲化处理两个方面。

数据同趋化处理主要解决不同性质数据问题,对不同性质指标直接加总不能正确反映不同作用力的综合结果,须先考虑改变逆指标数据性质,使所有指标对测评方案的作用力同趋化,再加总才能得出正确结果。

数据无量纲化处理主要解决数据的可比性。

去除数据的单位限制,将其转化为无量纲的纯数值,便于不同单位或量级的指标能够进行比较和加权。

数据标准化的方法有很多种,常用的有“最小—最大标准化”、“Z-score标准化”和“按小数定标标准化”等。

经过上述标准化处理,原始数据均转换为无量纲化指标测评值,即各指标值都处于同一个数量级别上,可以进行综合测评分析。

一、Min-max 标准化min-max标准化方法是对原始数据进行线性变换。

设minA和maxA分别为属性A的最小值和最大值,将A的一个原始值x通过min-max标准化映射成在区间[0,1]中的值x',其公式为:新数据=(原数据-极小值)/(极大值-极小值)二、z-score 标准化这种方法基于原始数据的均值(mean)和标准差(standard deviation)进行数据的标准化。

将A的原始值x使用z-score标准化到x'。

z-score标准化方法适用于属性A的最大值和最小值未知的情况,或有超出取值范围的离群数据的情况。

新数据=(原数据-均值)/标准差spss默认的标准化方法就是z-score标准化。

用Excel进行z-score标准化的方法:在Excel中没有现成的函数,需要自己分步计算,其实标准化的公式很简单。

步骤如下:求出各变量(指标)的算术平均值(数学期望)xi和标准差si ;.进行标准化处理:zij=(xij-xi)/si,其中:zij为标准化后的变量值;xij为实际变量值。

HFSS端口和激励(官方说明)

HFSS端口和激励(官方说明)
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
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Wave Port
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Wave Port的定义
• WavePort是传输线的截面,信号通过传输线进入结构
– 端口面所在位置就是参考面,对计算S参数的相位很重要 – 对于包含开放结构的传输线(如微带线)可建立二维物体用以定义端口
• WavePort所定义的位置上,场只能是单向存在的
– 整个结构的最外面,与背景相交接 – 与理想导体相交接
非求解空间
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Wave Port设置实例
• GSGSG结构
– 端口的边框距离地边缘2g+w – 对于中间的地,将端口矩形减掉一部分,使得端口边框和中间地相接触
• 端口的边框是电壁,从而确保两边的地电位相等
– 高度为介质高度h的4倍以上
注意:
4~10h w h g
5~10h … h w
5w 或 3h较大者
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Wave Port设置实例
• 单根带状线
– 端口边缘到带状线边缘的距离应为宽度w的3.5 倍,或者介质高度h的 1.5到 2 倍,左右对称
• Wave Ports只能定义在没有场分布的区域。
– 定义在仿真对象和背景交接处 – 定义在理想导体表面

同等学力申硕《电气工程学科综合水平全国统一考试》章节题库(电网络理论与电磁场数值分析)

同等学力申硕《电气工程学科综合水平全国统一考试》章节题库(电网络理论与电磁场数值分析)
7.7 为什么说灵敏度分析在电路设计中很重要? 答:一方面实际电路元件都有一定的容差,另一方面元件随温度、湿度等环境影响以及 老化程度会偏离其标称值,这些元件参数的变化势必影响电路性能。灵敏度分析就是研究元 件参数变化对电路性能的影响程度,因此在电路设计中至关重要。
7.8 试比较级联法、仿真电感法、FDNR 法之间的相同点与不同点。 答:见表 7-1。
7.4 试说明何谓网络综合,它在电路设计中的作用。 答:所谓网络综合,即按预定条件,根据数学方法和一定的步骤来确定一个电路的结构
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及其构成元件。网络综合可用来设计各类滤波器和模拟电路,如含有运算放大器的有源 RC 网络、有源 RC 滤波器等。
表 7-1 级联法、仿真电感法、FDNR 法之间子书、题库视频学习平台

7.9 何谓方程的复杂性阶数? 答:方程的复杂性阶数等于独立的初始条件数,这些初始条件通过变量来表示。由线性 非时变 R、L(M)、C 元件组成的电路的复杂性阶数等于任何时间 t0(特别是 t0=0)时的 独立电感电流和电容电压的数目。所以,当电路中不存在纯由电感或电感和独立电流源构成 的割集或纯由电容或电容和独立电压源构成的回路,则复杂性阶数等于储能元件的总数。
图 7-1
Z11
答:设该二端口网络的阻抗参数矩阵为
Z21
Z12
Z22
,由各阻抗参数定义式,可以求

Z11
R1
/
/
j
1 C
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Z12 0
Z21
gm R2
R1
/

实验4 阻抗测量(归一化阻抗测试实例)

实验四 阻抗测量(归一化阻抗测试实例)一、实验目的和要求应用所学的理论知识,学会并掌握利用微波测量线系统测量微波负载阻抗(或导纳)的方法,熟悉阻抗圆图应用。

二、实验内容利用微波测量线系统测量电容性膜片和电感性膜片的阻抗。

其中需先测量出驻波比和电压波节点到终端开口处的距离,然后利用阻抗圆图求出它们阻抗的归一化值。

三、实验原理在微波波段内,测量阻抗的方法很多。

最常用的方法就是本实验所采用的利用微波测量线系统测量阻抗的方法,基本原理如下:首先利用微波测量线系统测量(在给定终端负载条件下)沿线驻波比(ρ)及第一电压波节点到终端的距离(1l )。

然后利用阻抗圆图求出归一化负载阻抗(L Z ~)。

1. 测量驻波比在实验过程中,可按如下方法估算驻波比。

使晶体检波器工作于小信号状态(加大信号源输出的衰减量),测出沿线电压波腹点处对应的选频放大器电流表表头指示的最大值(Imax )及电压波节点处对应的选频放大器电流表表头指示的最小值(Imin ),沿线驻波比可按下式估算:Imin Imax / =ρ另外本实验使用的YM3892选频放大器,已近似按平方律基本的规律刻度了驻波比,由此也可估算驻波比。

具体方法是:先在电压波腹点调选频放大器的衰减旋钮,使其电流表表头指示值达满刻度,然后调节测量线小探针位置旋钮至电压波节点,此时对应的选频放大器电流表指针所指的驻波比刻度值即为晶体按平方律基本时的驻波比的近似值。

应该指出,此方法为视检波晶体按平方律检波时而给出的驻波比的近似值。

2. 测量第一电压波节点到终端的距离由于受到测量线所开缝隙的限制,小探针无法移到接负载的位置,也即不能直接测量第一电压波节点到终端的距离(1l ),可以采用间接测量法如下。

首先将短路片与测量线终端连接。

此时,沿线为驻波状态。

终端为电压波节点,并且,由终端向信号源方向沿线每移动半个相波长(2/P )的距离就会出现一个电压波节点。

因此,总会有几个电压波节点落在测量线刻度区之内,取测量线中间部分的一个电压波节点作为测量的起点(测量线开缝边缘部分泄漏误差较大),记该点位置(由游标卡尺读出)为Zoa ,该点可视为终端负载的(参考)位置。

hfss中文教程 062-077 激励

rf 微波|射频|仿真|通信|电子|EMC|天线|雷达|数值 ---- 专业微波工程师社区: HFSS FULL BOOK v10中文翻译版568页(原801页)(分节 水印 免费 发布版)微波仿真论坛 --组织翻译 有史以来最全最强的 HFSS 中文教程感谢所有参与翻译,校对,整理的会员版权申明: 此翻译稿版权为微波仿真论坛()所有. 分节版可以转载. 严禁转载568页完整版.推荐: EDA问题集合(收藏版) 之HFSS问题收藏集合 /hfss.htmlQ: 分节版内容有删减吗? A:没有,只是把完整版分开按章节发布,免费下载.带水印但不影响基本阅读.Q: 完整版有什么优势? A:完整版会不断更新,修正,并加上心得注解.无水印.阅读更方便.Q: 本书结构? A: 前200页为使用介绍.接下来为实例(天线,器件,EMC,SI等).最后100页为基础综述Q: 完整版在哪里下载? A: 微波仿真论坛( /read.php?tid=5454 )Q: 有纸质版吗? A:有.与完整版一样,喜欢纸质版的请联系站长邮寄rfeda@ 无特别需求请用电子版Q: 还有其它翻译吗?A:有专门协助团队之翻译小组.除HFSS外,还组织了ADS,FEKO的翻译.还有正在筹划中的任务! Q: 翻译工程量有多大?A:论坛40位热心会员,120天初译,60天校对.30天整理成稿.感谢他们的付出!Q: 只讨论仿真吗?A:以仿真为主.微波综合社区. 论坛正在高速发展.涉及面会越来越广! 现涉及 微波|射频|仿真|通信|电子|EMC|天线|雷达|数值|高校|求职|招聘Q: 特色?A: 以技术交流为主,注重贴子质量,严禁灌水; 资料注重原创; 各个版块有专门协助团队快速解决会员问题; --- 等待你的加入RF rf---射频(Radio Frequency)微波|射频|仿真|通信|电子|EMC|天线|雷达|数值 ---- 专业微波工程师社区: http://bbs.eda .cn rf RF EDA .cnrf---射频(Radio Frequency )致谢名单 及 详细说明/read.php?tid=5454一个论坛繁荣离不开每一位会员的奉献多交流,力所能及帮助他人,少灌水,其实一点也不难打造国内最优秀的微波综合社区还等什么? 加入 RF EDA .CN 微波社区我们一直在努力微波仿真论坛第二节 激励一、 激励技术综述端口是唯一的一种允许能量流入和流出结构的边界条件。

归一化

归一化
又称规格化。

将数据调整到规定的标准形式。

例如用一组数中的可能有的最大值除该组数,就使可能有的最大值为1,其他均小于1,这就是常用的归一化方法。

阻抗归一化impedance normalization字体[大][中][小]一种归一化方法.选取一个固定电阻R r作为基准电阻,用基准电阻R r去除实际阻抗Z 就得到归一化阻抗,即归一化阻抗z=Z/Z r.对R,L,C三类元件,阻抗归一化后分别为
式中r,l′,c′分别为归一化电阻、归一化电感和归一化电容,它们与实际元件值
关系为
所有R与L都用基准电阻R r来除,介电容C乘以R r表示各阻抗值均降低R p倍.
又可细分为
归一化电阻:r=,
归一化电感:l=,
归一化电容:c=,
式中L r称基准电感,C r称基准电容.归一化值是没有量纲的,故r,l′,c′又分别称
为电阻系数、电感系数和电容系数.。

归一化阻抗

归一化阻抗1、什么是归一化阻抗?归一化阻抗是指将应用到某种电路中的所有元件的阻抗值分别进行“归一化”处理,使它们的阻抗值都相等。

通常情况下,归一化阻抗的阻抗值为50Ω或75Ω,但也可根据特定应用场合而定。

2、归一化阻抗的作用归一化阻抗的主要作用是使得不同元件之间的阻抗值保持一致,从而有效地降低电路对不同元件的不同阻抗的干扰,提高电路性能,减少噪声,提高信号传输效率。

此外,在电路设计过程中,由于某些器件的阻抗值难以精确测量,而归一化阻抗则可以很好地弥补这一缺陷,使电路的性能更加稳定可靠。

3、归一化阻抗的原理归一化阻抗的原理主要是依据以下两个假设:(1)元件的阻抗值可以用一个统一的阻抗值来代替;(2)元件之间的阻抗值可以通过一个统一的参数进行调整以达到相同的阻抗值。

以上两个假设意味着,当我们把每一个元件都归一化到一个统一的阻抗值时,元件之间的差异就会大大降低,从而使电路的性能得到极大的提升。

4、归一化阻抗的应用归一化阻抗的应用主要是用于电磁兼容的电路中,主要应用于电路的电磁干扰抑制,电磁波导和电磁兼容的评估等方面。

例如,归一化阻抗可用于电磁兼容测试,以帮助识别和消除电磁干扰;归一化阻抗可用于提高家用电器的电磁兼容性能,如电视、电脑、电风扇等;归一化阻抗也可用于机械设备的电磁兼容性能,例如汽车、船舶等。

5、归一化阻抗的注意事项由于归一化阻抗的应用范围比较广,在实际应用中应注意以下几点:(1)选择合适的归一化阻抗值:归一化阻抗的阻抗值可以根据实际情况进行调整,但是应该避免使用过低的阻抗值,以免影响电路的性能;(2)确保电路的稳定性:由于归一化阻抗可以有效地抑制电路间的不同元件之间的阻抗差异,因此,在实际应用中应确保元件之间的阻抗差异足够小,以保证电路的稳定性;(3)尽量减少元件数量:归一化阻抗可以有效抑制不同元件的阻抗差异,但它也会增加电路的复杂性,因此,在设计电路时应尽量减少电路中的元件数量,以减少费用和维护成本。

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在设置激励时的默认阻抗是50欧,还有一项是post processing 里有两个选项do not renormalize 和renormalize这个有什么作用,代表什么意思?
我在做天线仿真时,初始建模把端口设为waveport,参考电阻50欧姆,画出来的S11中心频率98GHz,S11的dB表示为-8dB,试着在waveport的后处理选项中把参考电阻改为100欧姆,发现S11的plot中心频率变为97GHz,-12dB。

我想请问两个问题:
1.出现上述结果的原因是什么呢?小女子微波知识匮乏,只知道S参数有一个叫做renormalize的归一化参数,但不知道此归一化和port的参考电阻有什么样子的具体关系?比如是不是两者有具体的公式联系?
2.port的参考电阻指的就是该port的端口电阻吗?比如我把port1(激励源端)设为50欧姆,是不是表示激励源的电阻就是50欧呢?要是我想把负载电阻设做100欧姆,是不是也只要把代表负载端的port设作100欧姆?
答:s11=Γ=(Zin-Z0)/(Zin+Z0),表示天线的电压反射系数,你画出的曲线为回
波损耗曲线,回波损耗为
10log(s11模的平方),Zin为天线阻抗,Z0为PORT参考阻抗,也就是PORT
下面传输线的特性阻抗。

你可以看一下,Zin不变,Z0变了(50欧姆—100欧姆),显然S11要发生
变化。

第一个问题:那个归一化就是指Zin相对于Z0的归一化,即z in=Zin/Z0,
你的Z0变了,归一化参数肯定要变,即s11=(zin-1)/(zin+1)会变。

第二个问题:PORT的参考电阻表示在实际当中PORT 下面要接传输线的特性阻抗,传输线的特性阻抗一般为固定的,多数为50欧姆,也有100欧姆或者75欧姆等的。

一般做天线,你的天线阻抗是要像参考电阻看齐的,而不是PORT 像参考电阻设计天线阻抗看齐。

也就是说尽量使得设计天线的输入阻抗与参考阻抗相等,这样才能够使得天线的反射系数最小,它的效率才会最高。

在result中solution data里看的Z:waveport1:1和Port Z0分别是指天线输入阻抗和馈线的特性阻抗。

解答:Zo指的是端口的特性阻抗,Z11应该是从端口向负载端看去的端口阻抗,简单的说对Zo可以说是传输线的特性住抗,z11是输入住抗。

Z0可以取50,75.100什么都可以,主要看你的传输线的情况,z11嘛是你要匹配到z0的天线的住抗。

没有那么理想的情况即便是你实测的匹配比较好的天线的输入阻抗也是有一点虚部的
如果能用waveport就用waveport,lumped是个模拟的端口,在很多情况下结果不是很能保证精确性
激励端口就是天线的馈电点吗?
请教大家,激励端口是一种允许能量进入或导出几何结构的边界条件。

HFSS中设置的激励端口是否就是接收天线的馈电点?Wave Ports和Lumped Ports又有什么区别?
顾名思义,我认为波端口是用来加电磁波的,集总端口是用来加电压或者电流的
楼上正解!
补充楼上的一点,一般来说waveport的仿真结果要更加可信一些,但是在某些情况,比如端面设置不能满足我们需要(微带口的端面就要有5倍以上的宽度吧,两三个并排就会overlap了嘛),这个时候万不得已也可以拿lambport,因为它的设置没有端面的严格要求。

请教hfss的端口阻抗问题
1 设计了一个天线,仿真的时候,怎么求天线的输入阻抗呢,results里的Z sparameter 得到的是不是天线的输入阻抗?比如我要把天线的输入阻抗匹配到50欧姆,是不是先看Z sparameter的阻抗大小,然后把这个阻抗匹配到50欧姆就行了呢?
2 lump或者wave port里面的阻抗是不是馈线的特性阻抗,在仿真一个天线的时候,将这个值从50欧改到150欧,发现反射系数没有明显的变化,不知道是什么原因。

输入阻抗可以通过反射系数求出来,Z sparameter不是输入阻抗,而是网络的Z参数。

result 里面有个port Z,这个是端口的特性阻抗。

lump或者wave port设置的阻抗是该端口的端接阻抗,得到的S参数就是在端接该阻抗时候的"S参数"(打引号的原因是,真正的S参数应该是在端接匹配负载时候测试得到的,而这里是在端接特定阻抗时候得到的)
对于天线的单端口网络,可以认为Z sparameter就是其输入阻抗,只有一个z(1,1)
改了端口阻抗S11变化不大,你看一下是不是端口设置的时候post processing选项没有选do not renomalize,可能是这个原因
HFSS里的smith圆图可以看归一化输入阻抗,特性阻抗可以通过port Z0获取。

问题九、
感觉到大家对端口阻抗的概念比较模糊。

首先需要区分两个概念:端口阻抗和端口输入阻抗。

端口阻抗一般是指天线馈电端口所接传输线所对应的特性特性阻抗,一般在端口处定义一个截面,求解器在求解时把该端口看作一个无限长均匀传输线。

利用2D特征模求解器可以求得对应模式的特性阻抗。

在HFSS中,要计算给定端口截面的特性阻抗只能用Waveport,在Result->create report->modal soluton data->Traces窗口中的PortZ0即是所求得的端口特性阻抗。

如果在Waveport中设置了多个模式,则存在多个模式对应的PortZ0。

利用Waveport端口激励,可以计算任意形状截面端口的特性阻抗。

在Analysis->solution setup中设置如下,则仅启动2D特征模求解器计算端口模式而不进行进一步求解,通常成为一种检验馈电结果设置正确与否的方法。

quanta :
如果采用waveport,可以通过portz0来看特性阻抗。

我认为lumped port是一种理想化设置,其S参数的仿真结果与waveport 相同。

ok!:
但只有在lumped port设置的阻抗Z0与waveport计算得到的端口Z0相同时,得到的VSWR才相同。

tianke:
据我理解,好像只有设waveport,才可以算出特性阻抗,也就是portz0值。

OK!:
在某些情况下,无法设置一个明确的端口面或者已知所连接电缆的特性阻抗(通常为50欧),这时用lumped port更为方便(不启动2D 特征模求解器求解)。

这时实际上是强制端口阻抗为某一值。

因此,当设置lumped port时,得到的PortZ0始终是一常量。

tonyshore:
好象用lumped port 的话,不管当时有没设置归一化阻抗,最后得出来结果都是50欧,是不是这样呢?还是我做的设置出错了..? 另外一个概念是输入阻抗,即从天线端口看进去的阻抗,必须进行完全求解才能得到。

在Result->create report->modal soluton data->Traces 窗口中的Z parameter中可以得到输入阻抗。

注意:仅对于单端口Z11才表示输入阻抗Zin,对于多端口,Z11仅表示其余端口短路条件下的输入阻抗。

e族浪子:
active z然后选中re,im就可以看到了。

wrong!:
active z是存在多端口激励条件下的Z,与上述Z parameter类似,
不是Z0。

另外,关于归一化,是用于对S参数矩阵进行归一化,目的是用于标准的归一化S参数,比如用于电路仿真。

如对Znorm进行归一化,将按照S归一化公式重新计算S参数。

相应的Z0变为Znorm。

总结:
如果是Waveport,则端口阻抗是2D特征模求解启得到的Zo;
如果是lumped port 则端口阻抗是在lumped port 设置的全端口阻抗值,如图所示
如果设置了对归一化(Znorm),则影响S参数的输出值,同时将Zo 强制置为Znorm。

问题七、
波端口大小对特性阻抗的影响仿真总结。

最近在仿真一个特性阻抗为50欧姆的微带传输线,发现波端口的大小对特性阻抗有很大的影响。

以下是结合书本对波端口的认识,欢迎大家一起交流:
1.波端口的大小决定了端口的模式,尺寸越小,越有利于单模传输,这是因为波端口激励是假设和一个半无限长的矩形波导相连,因此波导的尺寸越小,截止波长越小,越有利于单模传输。

在只进行端口求解时,可以观察Gamma参数的虚部来查看可以传输哪些模式,hfss fullbook中有一个关于waveport的具体例子,大家可以查看。

2. 波端口的大小影响端口阻抗的计算,这就给端口特性阻抗的计算带来了影响,选择多大的端口才能符合实际。

以微带为例,HFSS应用详解中给出了相应的参考波端口大小,当w>=h时,波端口的宽度一般设置为10w,当w<h时,波端口的宽度一般设置为5w(3-4h);波端口的高度一般设置为6-10h。

这只是参考的数值,到底多大计算出来的端口特性阻抗才能满足实际要求,希望知道的一起交流下。

3. 波端口的尺寸也不是越小越好,因为进入毫米波段后,有时需要考虑高次模的影响,实际实践中也会引入高次模。

再以微带传输线为例,为避免电场耦合到波端口边缘上,影响传输线的特性,波端口必须设置足够大的尺寸。

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