NAND_Flash中文版资料
nandflash的原理及运行时序
nandflash的原理及运行时序NAND Flash（非与非闪存）是一种主要用于存储数据的闪存类型，广泛应用于各种存储设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器（U盘）以及移动设备中的存储卡等。
NAND Flash的原理：NAND Flash中的基本存储单元是晶体管，每个晶体管可以存储一个或多个bit的数据，通过对晶体管的电荷状态进行读取和写入来实现数据的存储和读取。
NAND Flash的存储单元结构主要有两种类型：单栅结构和多栅结构。
单栅结构中每个晶体管只有一个控制栅（Control Gate）和一个栅介电层（Oxide Layer），而多栅结构中每个晶体管有一个控制栅和多个叠加的栅介电层。
NAND Flash的存储单元编址是按行和列进行的。
每一行包含一个选择门（Word Line），每一列包含一个位线（Bit Line）。
数据的读取和写入都是通过对选择门和位线的控制来实现的。
NAND Flash的运行时序：1.写入时序：（1）输入地址：将要写入的存储单元的地址输入到NAND Flash中。
（2）擦除块的选择：选择需要写入数据的块进行擦除。
（3）擦除块的擦除：对选择的块进行擦除操作，将存储单元中的数据清除。
（4）写入数据：将要写入的数据输入到NAND Flash中。
（5）写入选择门：通过选择门将输入的数据写入到相应的存储单元中。
2.读取时序：（1）输入地址：将要读取的存储单元的地址输入到NAND Flash中。
（2）读取选择门：通过选择门将存储单元中的数据读出。
（3）读取数据：将读取的数据输出。
需要注意的是，NAND Flash的擦除操作是以块为单位进行的，而写入操作是以页为单位进行的。
擦除块的大小通常为64KB或128KB，一页的大小通常为2KB或4KB。
此外，NAND Flash还包含了一些管理区域，用于存储元数据和管理信息。
总结：NAND Flash是一种基于晶体管的闪存类型，通过对晶体管的电荷状态进行读取和写入来实现数据的存储和读取。
电子信息工程技术《Nand flash》
Nand flashNand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
解析NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
“NAND存储器”经常可以与“NOR存储器”相互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND 闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
区别编辑NOR与NAND的区别性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
NAND_Flash结构与驱动分析
一、NANDflash的物理组成NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。
这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。
这些Line会再组成Page，(NANDFlash有多种结构，我使用的NANDFlash是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea))，每32个page形成一个Block(32*528B)。
具体一片flash上有多少个Block视需要所定。
我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
NANDflash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。
按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：ColumnAddress：StartingAddressoftheRegister.翻成中文为列地址，地址的低8位PageAddress：页地址BlockAddress：块地址对于NANDFlash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。
二、NANDFlash地址的表示512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1sthalfPageRegister和2ndhalfPageRegister，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的columnaddress(列地址)，在进行擦除操作时不需要它，why?因为以块为单位擦除。
32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。
A8这一位地址被用来设置512byte的1sthalfpage还是2ndhalfpage，0表示1st，1表示2nd。
Nand-Flash存储器介绍及编程
Nand-Flash存储器1概述NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。
Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。
Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展；而NAND-flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。
但NAND-flash存储器需要特殊的接口来操作，因此它的随机读取速度不及Nor-flash存储器。
二者以其各自的特点，在不同场合发挥着各自的作用。
NAND-flash存储器是flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案，因而现在得到了越来越广泛的应用。
例如体积小巧的U盘就是采用NAND-flash存储器的嵌入式产品。
由于NAND-flash（非线性flash）存储器内部结构不同于Nor-flash（线性flash）存储器，因此对它的读写操作也有较大的区别。
BF533中没有像支持SDRAM一样提供直接与NAND-flash存储器的接口，读写的过程要靠软件编程来完成。
本实验将以东芝公司的TC58DVM82A1FT芯片为例，介绍NAND-flash存储器芯片的读写流程和时序。
2 实验内容和目标包括以下几点。
2编写程序，读出器件的识别码（ID）。
3对NAND-flash的一个或若干个块进行擦除操作。
4在被擦除的一个或若干个块写入数据。
5将写入的数据读出并进行验证。
6查找坏块。
3NAND-flash介绍及编程指导NAND-flash存储器中的宏单元彼此相连，仅第一个和最后一个Cell分别与Work Line和BIT Line相连，因此NAND-flash架构的存储容量较Nor-flash架构的高。
NAND-flash存储器的容量较大，改写速度快，主要应用在大量资料的存储，如嵌入式产品中，包括数码相机、MP3随身听记忆卡等。
NAND FLASH烧录说明(D2800)
NAND FLASH 烧录说明(D2800)（中文版REV1.00）本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。
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第一章关于D2800系列D2800系列是诺动力出品的新一代USB接口独立式智能极速通用编程器，具有编程速度快，烧录稳定，软件集成度高，更智能化的特点。
是NAND Flash用户理想的选择。
D2800除了支持算法集成的三个坏块处理方法外，还可以为客户选择定制其他的烧录方法(比如三星平台，高通平台，博通平台， WinCE 烧录等)。
算法本生支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。
算法本生还支持NAND Boot区的只读属性处理，一般表现为Bad block Mark前的OEMReserved的处理。
D2800烧录每1Gbit仅需125秒，部分芯片时间甚至小于60秒。
其中烧录过程包括Erase + Program + Verify.第二章关于NAND FlashNAND FLASH是一种易失的闪存技术，被广泛使用于U盘，MP3/MP4,GPS,PDA,GSM/3G手机，无线上网设备，笔记本等多个领域。
NAND是高数据存储密度的理想解决方案。
和NOR FLASH相比。
NAND FLASH具有以下的特点：1) NAND FLASH同NOR FLASH相比，NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。
2)存在坏块。
由于NAND生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。
NAND FLASH培训
Flash Memory技术介绍
• Flash Memory内部构架和实现技术可以分 为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种， 但目前以NAND和NOR为主流。 • NAND技术在设计之初是为了数据存储应 用；NAND写回速度快、芯片面积小，特 别是容量大有很大优势 • NOR则是为了满足程序代码的高速访问， 并且支持程序在芯片内部运行；NOR工作 电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高
• 你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一 个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物 质。好，Flash芯片工作通电了，这次保存“1010”这个 数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储 存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物 质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。 由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash芯片的第 二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第 三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通 电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜色， 表示这个物质改变了性质，表示1，第二个没有涂颜色， 表示0，以此类推。当Flash芯片断电后，物质的性质不会 改变了，除非你通电擦除。当Flash芯片通电查看储存的 信息时，电子就会进入储存空间再反馈信息，电脑就知道 芯片里面的物质有没有改变。就是这样，Flash芯片断电 后数据不会丢失。
FALSH的类别
• 按照CE数来分，分为单CE和多CE的 • 按照性能来分，分为SLC和MLC • 按照温度等级来分，分为商业级和工业级 K 9 H C G 0 8 U 1 M-P C B 0
表 头 示 ， 还 没 什名 是 么称 意的 是 义开 的 SLC FLASH FLASH MLC 容 量 FALSH
NandFLash分析与总结
友善之臂K9F1208U0C PCB04-5位，12代表512M位，也就是64M字节熟悉一下NandFlash的硬件：1主要的引脚：I/O0 —I/O7:数据输入输出端，命令，数据，地址复用端口（LDATA0-LDATA7）R/B: 准备忙输出（RnB）CE：芯片使能（nFCE）CLE: 命令锁存使能（CLE）ALE：地址锁存使能（ALE）WE：写使能（nFWE）RE：读使能（nFRE）2Mini2440的一些引脚设置：和寄存器设置：(NCON(Advflash), GPG13(页大小), GPG14(地址周期), GPG15(总线宽度)–参考引脚配置）#define rGSTATUS0 (*(volatile unsigned *)0x560000ac) //External pin status3NandFlash启动时，代码小于4k与大于4k的情况：在三星的NAND Flash 中，当CPU从NAND Flash开始启动时，CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到称为“Steppingstone”的4KB 的内部RAM中，起始地址为0，然后跳到地址0处开始执行。
这也就是我们为什么可以把小于4KB的程序烧到NAND Flash中，可以运行，而当大于4KB时，却没有办法运行，必须借助于NAND Flash的读操作，读取4KB以后的程序到内存中。
4NandFlash的存储结构以及读写原理：4.1NandFlash中的块，页，位宽：●NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell（存储单元）一般情况下，一个cell中只能存储一个bit。
这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line ,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Flash的位宽。
这些Line会再组成Pape（页）。
然后是每32个page形成一个Block，所以一个Block（块）大小是16k.Block是NAND Flash中最大的操作单元。
nand flash 工作原理
nand flash 工作原理NAND Flash工作原理NAND Flash是一种非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中，如手机、平板电脑和固态硬盘等。
它的工作原理基于电子浮动栅技术，具有高速读写、低功耗和较长的寿命等优点。
NAND Flash是由一系列的存储单元组成，每个存储单元称为一个页（Page），每个页又由若干个数据块（Block）组成。
每个数据块包含多个存储单元，其中的每个存储单元能够存储一个或多个位的数据。
NAND Flash的最小存储单元是一个位（Bit），在实际应用中一般以字节（Byte）为单位进行数据读写。
NAND Flash的工作原理可以分为读操作和写操作两个过程。
首先，我们来看看读操作的流程。
当系统需要读取NAND Flash中的数据时，首先需要向Flash控制器发出读指令。
控制器根据指令确定要读取的页地址，并将这个地址发送给NAND Flash芯片。
芯片根据地址找到对应的页，并将页中的数据按位读取出来。
读取的数据经过解码处理后，通过控制器传输给系统。
读操作的速度非常快，可以达到几百兆字节每秒。
接下来，我们来看看写操作的流程。
当系统需要向NAND Flash中写入数据时，首先需要擦除一个数据块。
擦除操作是将数据块中的所有页都置为1的过程，这是因为NAND Flash的写操作只能将1改写为0，不能反过来。
擦除操作是一个相对较慢的过程，通常需要几毫秒到几十毫秒的时间。
擦除完成后，系统可以向NAND Flash中的指定页写入数据。
写操作的过程是将要写入的数据按位编码并逐位写入到NAND Flash中。
写操作的速度相对于读操作要慢一些，通常在几十兆字节每秒的范围内。
NAND Flash的寿命是一个重要的指标，它通常以擦除次数来表示。
每次擦除操作都会导致存储单元的寿命缩短，当某个存储单元经过多次擦除后不能正常工作时，整个数据块就会被标记为无效。
为了延长NAND Flash的寿命，通常会采用一些技术手段，如均衡擦除操作、错误纠正码和写放大等。
(嵌入式系统课件)9-Nandflash
3. 芯片重要引脚功能
I/00-I/O7：复用引脚。可以通过它向nand flash 芯片输入数据、地址、 nand flash 命令和操作状态信息；
CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许； ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许； CE: 芯片选择； RE: 读允许； WE: 写允许； WP: 在写或擦除期间，提供写保护； R/-B: 准备好/忙输出。
5. NAND Flash的引脚
6. NAND Flash存储器时序
7. NAND Flash专用寄存器 （1）配置寄存器
（2）命令寄存器 （3）地址寄存器
NANDFLASH的主要命令
（1）Read 1（00H） 功能：表示将要读取Nand flash 存储空间中一个页的前半部分，并且将内
值为1 代表对一页内后256 个字节进行寻址； 9~13位：对页进行寻址 14~25 位：对块进行寻址
4. NAND Flash的模式配置
• 通过NFCONF寄存器配置NAND Flash； • 写NAND Flash命令到NFCMD寄存器； • 写NAND Flash地址到NFADDR寄存器； • 在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得NAND Flash的状态信息。
（4）数据寄存器
（5）状态寄存器
（6）ECC寄存器
NAND Flash接口电路
（5）Page Program 功能：对页进行编程命令, 用于写操作。 命令代码：首先写入00h(（A 区）/01h（B 区) ）05h（C 区）, 表示写入那个区;
再写入80h 开始编程模式（写入模式） ，接下来写入地址和数据; 最后 写入 10h 表示编程结束。 （6）Block Erase 功能：块擦除命令。 命令代码：首先写入60h 进入擦写模式，然后输入块地址; 接下来写入D0h, 表示擦 写结束。 （7）Read Status （70H） 功能：读取内部状态寄存器值命令。
nand flash nor flash
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND 闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
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NAND Flash技术应用文档 NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash
技术应用文档
Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司
August 2006 http://www.prosystems.com.cn 1 NAND Flash技术应用文档 目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1
二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1
三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4
四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6
五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8
六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9
七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10
八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10
九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10
十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12
十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13
十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15
十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16
十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17
十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
http://www.prosystems.com.cn 2 NAND Flash技术应用文档 简介
NAND Flash 结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。 如今, NAND Flash和NOR Flash已经占据了Flash市场的支配地位。 NAND Flash是一种高密度, 低功耗, 低成本, 而且可升级的器件, 它是多媒体产品导入市场的理想选择。先进的在系统内设计也使得为降低成本, 在传统的设计应用上采用NAND Flash来替代NOR Flash成为可能。
NAND Flash与NOR Flash的区别 下表是NAND 与 NOR的主要对比表。 它指出了为什么NAND存储器是高容量数据存储的完美解决方案, 尽管NOR存储器也可被用来做数据存储和执行。
从物理结构上来说, 因为它不一定要下拉整个bit-line, 所以NAND Flash 结构可以使用更小的晶体管。 一条NAND bit line就是一些连续的晶体管, 每一个晶体管只能流过少于总量的电流。下图介绍了NAND 和 NOR 结构内晶体管是怎样被连接在一起的, 以及他们的单元大小有什么不同。 得益于NAND Flash这种更有效率的结构, 使得它每一单元的大小几乎是NOR单元的一半。这也使得NAND Flash结构在给定的硬模内提供了更高的密度, 更高的容量, 同样也使得它的生产制程更为简单。高容量存储应用中, NAND结构相对于NOR结构来说更为节省成本。正如上面说介绍的, NAND Flash存储器是大容量数据存储的完美解决方案。(典型应用: MP3播放器, 数码相机)
http://www.prosystems.com.cn 3 NAND Flash技术应用文档 上面所描叙的工艺是众所周知的单极单元(SLC)工艺, 通过电压的 “H”或 “L”，一个存储器单元保存1bit的信息。有时候多极单元(SLC)工艺也会被用到。 在这样的应用中, 每一个存储单元能保存2bit或更多bit的信息， 通过存储更多位。相对于基于SLC结构的存储器， MLC存储器传输的速度大大降低了，同时它也产生了更高的功耗。但是,其实这两种工艺都采用相同的I/O接口和指令。 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元 — 他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分， 这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。 为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。 为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。 在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。 其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。 NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。 然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。
NAND Flash存储器结构描叙 NAND Flash存储器由block (块) 构成, block的基本单元是page (页)。 通常来说, 每一个block由16, 32或64个page组成。 大多数的NAND Flash器件每一个page (页)内包含512个字节(或称为256个字)的Data area（数据存储区域）。 每一个page内包含有一个扩展的16字节的 Spare area（备用区域）。 所以每一个page的大小为512+16=528字节。 我们称这样的page为small page。 那些大容量的(1Gbig或更多)的NAND Flash, 它每page的容量就更大, 每page内Data
http://www.prosystems.com.cn 4 NAND Flash技术应用文档 area（数据存储区域）的大小为2048字节, Spare area（备用区域）大小为64字节。
NAND Flash的读取和烧录以页为基础, 而NOR却是以字节或字为基础 — 数据I/O寄存器匹配页的大小。 NAND Flash的擦除操作是基于block (块)的。 在NAND Flash上有三种基本的操作:读取一个页, 烧录一个页和擦除一个块。 在一个页的读取操作中, 该页内528字节的数据首先被传输到数据寄存器中, 然后再输出。 在一个页的烧录中, 该页内528字节的数据首先被写进数据寄存器, 然后再存储到存储阵列中。 在一个块的擦除操作中, 一组连续的页在单独操作下被擦除。 通常来说, 器件还提供有更多的扩张功能, 它们是: z 厂商ID读取 z 器件操作状态读取 z 复位命令 z 不考虑CE z 高速缓冲寄存器操作 z OTP区域 z 自动读取第0页 z 块 加锁/解锁
http://www.prosystems.com.cn 5 NAND Flash技术应用文档 备用单元结构描叙
NAND Flash厂商在生产制程中使用Spare area（备用区域）来标识bad block, 所以这些器件被运送到客户手中时已经被标识。 从功能上来说, Spare area（备用区域）内所有的字节都可以像Data area（数据存储区域）内的字节一样被用户用来存储数据。 关于备用字节的使用, 我们推荐使用三星的标准。
http://www.prosystems.com.cn 6 NAND Flash技术应用文档 Bad block (Invalid block)的管理
自从NAND结构被设计用来作为低成本的多媒体存储器, 它的标准规范中是允许存在bad block 的。只要bad block 的容量小于总容量的2% 那就是允许的。 一个block中如果有坏的存储区域, 那它就会被标识成bad block 。 bad block 列表可以存储在一个芯片中的一个好的block上, 也可以存储在同一系统的另外一颗芯片上。bad block 列表是被要求的, 这是由于NAND Flash只能执行有限的读和擦除次数。由于所有的Flash存储器最终都会被磨损而且不能再使用, 这个列表需要被用来跟踪记录那些在使用中发现的bad block 。允许bad block 的存在有利于提高芯片的产量，同时也降低了成本。 因为每个block是独立的, 而且是被bit lines隔离的, 所以bad block 的存在并不会影响那些其他block的正常工作。 Bad block 的一般分为两种: 生产过程中产生的; 使用过程中产生的。 当block被发现是bad block , 一般是在该块的前两个page (页)的第517字节处用非FF来标识。一个通用的bad block map building 算法流程如下所示:
使用过程中产生的bad block 是没有被工厂标识的, 这些块是在客户处产生的。 因为NAND Flash有一个使用寿命而且它最终会磨损。 每一个块是独立的单元, 每一个块都能被擦除和烧录并且不受其它块寿命的影响。一个好的块一般能被烧录100000到1000000次。 如果一个块在擦除一个块或烧录一个页时操作失败, 那么此块将被标识成bad block 并且以后不再访问。 如果你对bad block 进行擦除, 那么非“FFh”字节也会被擦除。 如果发生了这样的事情, 在没有对块进行测试的特定条件下, 对那些bad block 进行重新标识是非常困难。 所以如果存储bad block 列表的bad block table丢失, 重新发现并标识那些bad block 是相当困难的。 因此, 在擦除bad block 之前推荐先收集正确的bad block 信息, 在器件擦除后, 那