【CN110171842A】一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用【专利】

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【CN110038562A】一种催化剂及其制备方法和应用【专利】

【CN110038562A】一种催化剂及其制备方法和应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910339244.5(22)申请日 2019.04.25(71)申请人 中国科学技术大学地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号(72)发明人 崔一 曾杰 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人 赵青朵(51)Int.Cl.B01J 23/52(2006.01)B01J 35/02(2006.01)C07C 213/02(2006.01)C07C 215/76(2006.01)(54)发明名称一种催化剂及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种催化剂,包括:Au纳米球核心;包覆在所述Au纳米球表面的Pd纳米立方体壳体。

本发明以Au纳米球为核,以Pd纳米立方体为壳,构建出一种核壳结构的Au@Pd纳米催化剂,既实现了在Pd表面产生拉伸应力效应,又能够隔绝其他效应如电子效应的影响,使催化剂对4-硝基苯酚的还原反应活性大大提高。

本发明提供的催化剂可用作探究应力效应对金属纳米催化剂催化活性的影响。

本发明还提供了一种催化剂的制备方法和应用。

权利要求书1页 说明书6页 附图3页CN 110038562 A 2019.07.23C N 110038562A权 利 要 求 书1/1页CN 110038562 A1.一种催化剂,包括:Au纳米球核心;包覆在所述Au纳米球表面的Pd纳米立方体壳体。

2.根据权利要求1所述的催化剂,其特征在于,所述Au纳米球的直径为10~15nm;所述Pd纳米立方体的边长为15~20nm。

3.一种权利要求1所述的催化剂的制备方法,包括以下步骤:1)将十六烷基三甲基溴化铵、氯金酸、硼氢化钠和水混合,得到Au团簇混合液;2)将抗坏血酸、十六烷基三甲基氯化铵、氯金酸和水混合,得到混合液;将所述混合液和Au团簇混合液混合,得到Au纳米球混合液;3)将Au纳米球混合液、十六烷基三甲基溴化铵、氯钯酸和水混合,得到混合液;将所述混合液和抗坏血酸混合,得到催化剂。

【CN110028113A】一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法及其应用【专利】

【CN110028113A】一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法及其应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910315240.3(22)申请日 2019.04.18(71)申请人 桂林理工大学地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号(72)发明人 杨地 陈佳钰 李蕊 黄文露 冯艳艳 (51)Int.Cl.C01G 53/04(2006.01)B82Y 40/00(2011.01)H01G 11/24(2013.01)H01G 11/30(2013.01)H01G 11/86(2013.01)(54)发明名称一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法及其应用(57)摘要本发明公开了一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法及其应用。

将氯化镍、氯化钴和沉淀剂六次甲基四胺依次加入盛有蒸馏水的烧杯中搅拌至完全溶解。

然后,将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中于105℃反应6小时,待反应结束并冷却至室温后,将所得产物进行离心分离并且用蒸馏水、乙醇洗涤后于95℃下干燥12小时,即制得钴镍双金属氢氧化物纳米片。

本发明的钴镍双金属氢氧化物纳米片能够用作超级电容器的电极材料。

本发明制备方法简单,容易实现,所制得的镍钴双金属氢氧化物纳米片能够作为超级电容器的电极材料且具有很好的电容性能。

权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 110028113 A 2019.07.19C N 110028113A1.一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)将0.24 g氯化镍、0.48 g氯化钴和0.28 g六次甲基四胺依次加入至装有80 mL蒸馏水的烧杯中,搅拌直至固体完全溶解,制得混合溶液;(2)将步骤(1)制得的混合溶液转移至100 mL聚四氟乙烯内衬的反应釜中并于105 ℃反应6小时,待反应结束后冷却至室温,所得产物进行离心分离,用蒸馏水和乙醇分别洗涤3~5次,之后将所得产物于95 ℃下干燥12小时,即制得钴镍双金属氢氧化物纳米片。

【CN110075820A】一种AlSub2SubOSub3SubZrOSub2SubSiOSub2

【CN110075820A】一种AlSub2SubOSub3SubZrOSub2SubSiOSub2

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910339921.3(22)申请日 2019.04.25(71)申请人 陕西科技大学地址 710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学(72)发明人 刘长青 李旭 任森茂 伍媛婷 王秀峰 (74)专利代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215代理人 段俊涛(51)Int.Cl.B01J 21/08(2006.01)B01J 37/08(2006.01)B01J 35/10(2006.01)A62D 3/17(2007.01)A62D 101/26(2007.01)A62D 101/28(2007.01)

(54)发明名称一种Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种Al2O3/ZrO2/SiO2三复合可见光催化剂及其制备方法,它涉及一种可见光催化剂及其制备方法。本发明可解决可见光催化剂对太阳能的利用率低,对染料污染物的吸附效率低、催化活性差,降解率低,以及现有的制备方法复杂、成本高的问题。本发明的制备方法包含以下步骤:(1)以柠檬酸、氧氯化锆、硝酸铝及去离子水为原料配制铝锆复合前驱体溶液;以乙醇为溶剂配制正硅酸乙酯乙醇溶液;将前驱体溶液与正硅酸乙酯乙醇溶液混合均匀调节pH得到铝锆硅前驱体溶液;(2)将铝锆硅前驱体溶液烘干,高温煅烧即可得。

权利要求书1页 说明书3页 附图2页

CN 110075820 A2019.08.02

CN 110075820 A1.一种Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以柠檬酸、氧氯化锆、硝酸铝及去离子水为原料配制铝锆复合前驱体溶液;以无水乙醇为溶剂配制正硅酸乙酯乙醇溶液;将前驱体溶液与正硅酸乙酯乙醇溶液混合均匀调节pH=7得到铝锆硅前驱体溶液;(2)将所得铝硅锆前驱体溶液烘干,高温煅烧后即可得到Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂。2.根据权利要求1所述Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,柠檬酸与氧氯化锆的质量比为0.5:1-10:1,硝酸铝与氧氯化锆的质量比为0.5:1-4:1,去离子水与柠檬酸的质量比为5:1-10:1。3.根据权利要求1所述Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,正硅酸乙酯与无水乙醇的体积比1:2-1:5。4.根据权利要求1或2或3所述Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,氧氯化锆与正硅酸乙酯的摩尔比为0.1:3-1.5:3。5.根据权利要求1所述Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,烘干温度为60-80℃,烘干时间为12-36h。6.根据权利要求1所述Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,煅烧温度为500-900℃,煅烧时间为1.5-2.5h。7.由权利要求1-6任一项所述制备方法制得的一种Al2O3/ZrO2/SiO2复合可见光催化。

【CN110033951A】一种氧化物硫化物核壳结构的复合材料及制备方法与应用【专利】

【CN110033951A】一种氧化物硫化物核壳结构的复合材料及制备方法与应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910289488.7(22)申请日 2019.04.11(71)申请人 山东大学地址 250061 山东省济南市历下区经十路17923号

(72)发明人 刘久荣 刘伟 高梦娇 汪宙 吴莉莉 王凤龙 

(74)专利代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221代理人 王磊

(51)Int.Cl.H01G 11/24(2013.01)

H01G 11/30(2013.01)

H01G 11/46(2013.01)

H01G 11/86(2013.01)

(54)发明名称一种氧化物@硫化物核壳结构的复合材料及制备方法与应用(57)摘要本公开提供了一种氧化物@硫化物核壳结构的复合材料及制备方法与应用,NiMoS4纳米片层附着在NiMoO4纳米棒表面形成以NiMoO4纳米棒为核、以NiMoS4纳米片为壳的NiMoO4纳米棒@NiMoS4纳米片的复合材料。其制备过程为,将NiMoO4纳米棒与硫源通过水热法进行硫化改性获得NiMoO4纳米棒@NiMoS4纳米片复合材料。本公开通过氧化物与硫化物的结合,发挥二者的协同作用,从而得到具有更高性能的电极材料。

权利要求书1页 说明书7页 附图5页

CN 110033951 A2019.07.19

CN 110033951 A1.一种氧化物@硫化物核壳结构的复合材料,其特征是,NiMoS4纳米片附着在NiMoO4纳米棒表面形成以NiMoO4纳米棒为核、以NiMoS4纳米片层为壳的NiMoO4纳米棒@NiMoS4纳米片的复合材料。2.如权利要求1所述的复合材料,其特征是,NiMoS4纳米片的尺寸为10~50nm;或,NiMoO4纳米棒直径为50~100nm,长度为0.5~1μm。3.一种核壳结构的复合材料的制备方法,其特征是,将NiMoO4纳米棒与硫源通过水热法进行硫化改性获得NiMoO4纳米棒@NiMoS4纳米片复合材料,所述硫源为含有二价硫离子的无机物。4.如权利要求3所述的制备方法,其特征是,硫化改性的反应体系中硫源的浓度为5×10-3~20×10-3mol/L;或,硫化改性的水热法条件为,温度为100~140℃,反应时间为6~12h;或,NiMoO4和硫源的摩尔比为1:5~20;或,所述硫源为Na2S·9H2O。5.如权利要求3所述的制备方法,其特征是,合成NiMoO4纳米棒的方法,以镍盐、钼酸盐作为原料进行水热反应获得NiMoO4纳米棒;优选的,所述镍盐和钼酸盐中,Ni2+、MoO42-摩尔比为0.5~2:1;优选的,所述镍盐为Ni(NO3)2·6H2O、NiCl2·6H2O或Ni(CH3COO)2·4H2O,所述钼酸盐为Na2MoO4·2H2O;优选的,水热反应的条件为,温度120~180℃,反应时间为3~8h;优选的,水热反应的体系中Ni2+浓度为0.02~2mol/L,MoO42-的浓度为0.02~2mol/L。6.一种权利要求1或2所述的复合材料或权利要求3~5任一所述的制备方法获得的复合材料在制备超级电容器中的应用。7.一种正极材料,其特征是,包括权利要求1或2所述的复合材料或权利要求3~5任一所述的制备方法获得的复合材料。8.一种超级电容器,其特征是,以权利要求1或2所述的复合材料或权利要求3~5任一所述的制备方法获得的复合材料作为正极材料的活性材料。9.如权利要求8所述的超级电容器,其特征是,超级电容器的电极材料的制备方法为,将活性材料与乙炔黑、粘结剂混合均匀后,加入溶剂,混匀后涂抹至泡沫镍极片,烘干;优选的,粘结剂为PVDF粘接剂;优选的,活性材料、乙炔黑和粘结剂的质量比为70~80:10~20:9~11;优选的,烘干条件为,80~120℃真空干燥10~16小时;或,电解液为1~3mol/L的KOH溶液;或,负极材料的活性材料为还原氧化石墨烯。10.一种权利要求8或9所述的超级电容器在太阳能能源系统、风力发电系统、新能源汽车、智能分布式电网系统、分布式储能系统、移动通信基站、卫星通信系统、无线电通信系统、城市轨道交通系统、电梯、通风系统、空调、给排水系统、航空航天装备、电动玩具、混合动力电动车、脉冲电源系统或应急电源中的应用。

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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请号 201910306815.5
(22)申请日 2019.04.17
(71)申请人 华中科技大学
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路
1037号

(72)发明人 韩宏伟 梅安意 李圣 
(74)专利代理机构 华中科技大学专利中心
42201
代理人 曹葆青 李智

(51)Int.Cl.
C01G 19/02
(2006.01)

H01L 31/0216
(2014.01)

H01L 33/12
(2010.01)

H01L 33/14
(2010.01)

B82Y 30/00
(2011.01)

(54)发明名称
一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制
备方法及应用
(57)摘要
本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半
导体材料的制备方法及应用,将四价锡盐和二价
锡盐按照预设摩尔比例溶于水中,加入沉淀剂进
行沉淀;进行离心分离和去离子水清洗;将产物
置于水热反应装置中,加入矿化剂,并加水分散
经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。
所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能
电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光
电器件中的载流子传输层或者缓冲层,由于混合
价态锡基氧化物组分可调,从而具有载流子迁移
率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能
可调的优点,同时本发明制备方法工艺简单,反
应条件温和,在光电器件领域对器件的灵活设计
与性能优化有着明显的促进作用,有很大的工业
化应用前景。

权利要求书1页 说明书3页 附图3页
CN 110171842 A
2019.08.27

C
N
1
1
0
1
7
1
8
4
2
A
1.一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法,其特征在于,所述锡基氧化物为
Sn4+xSn2+yO2-z,Sn的价态为+4价或者+2价,分子式中x>0,y>0,z>0,且满足2x+y=z;
所述锡基氧化物半导体材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中,加入沉淀剂进行沉淀;
步骤2:将步骤1的产物进行离心分离和去离子水清洗;
步骤3:将步骤2的产物置于水热反应装置中,加入矿化剂,并加水分散经水热反应得到
锡基氧化物半导体材料纳米晶。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括将所述步骤1的产物进行烘烤,
得到干燥后的锡基氧化物半导体材料纳米晶。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述四价锡盐为四氟化锡、四氯化锡、
硫酸锡、硝酸锡、醋酸亚锡或所述任意一种盐的水合物。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二价锡盐为氟化亚锡、氯化亚锡、
硫酸亚锡、硝酸亚锡、醋酸亚锡或所述任意一种盐的水合物。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述四价锡盐和所述二价
锡盐的摩尔比例为x:y,通过改变所述摩尔比例可以合成不同的锡基氧化物,其中,x>0,y>
0。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述沉淀剂为碱性水溶性化合物,包
括氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钙、氢氧化钡。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述矿化剂为碱性水溶性化合物,包
括氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钙、氢氧化钡。
8.一种根据权利要求1至7任一项所述的制备方法所制备的锡基氧化物的应用,其特征
在于,用于光电器件中的载流子传输层或者缓冲层。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述光电器件为太阳能电池、发光二极管、
光电探测器和场效应管。

权 利 要 求 书
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CN 110171842 A

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