薄膜混合集成电路的制作工艺
集成电路制造工艺
Here we can see the loading of 300mm wafers onto the Paddle.
12 英 寸 氧 化 扩 散 炉 装 片 工 序
12英寸氧 化扩散炉 取片工序 （已生长 Si3N4）
Process Specialties has developed the world's first production 300mm Nitride system! We began processing 300mm LPCVD Silicon Nitride in May of 1997.
非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路。
数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ： 例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。
按应用领域分类
标准通用集成电路
通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大
的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会 需求量大，通用性强。 专用集成电路 根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的 集成电路简称ASIC（Application Specific Integrated Circuit)，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封 装形式多样。
• 现已进入到：
– VLSI – ULSI – GSI
小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） VLSI使用最频繁，其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中 把VLSI译为超大规模集成，更是包含了ULSI和GSI的意义。
柔性电路中的薄膜混合集成电路设计与制造
柔性电路中的薄膜混合集成电路设计与制造随着电子技术的发展和应用领域的不断拓展，传统硬质电路板逐渐无法满足一些特殊应用的需求，因此柔性电路逐渐成为这些领域的关键技术之一。
而在柔性电路中，薄膜混合集成电路设计与制造则是其中重要的一环。
薄膜混合集成电路是指将不同功能的电子器件集成在柔性的薄膜基底上，形成功能完备、紧凑而又具有灵活性的电路。
这种电路的设计与制造需要兼顾材料的柔韧性和电子器件的功能性，具有较高的技术难度。
首先，薄膜混合集成电路的设计是整个制造过程的核心。
在设计过程中，需要考虑到电路的功能、布局、电路元件的尺寸和位置等因素。
同时，由于薄膜基底的柔韧性，需要借助CAD软件进行电路的设计和模拟，确保电路的可靠性和性能满足要求。
设计人员还需要充分了解不同材料的特性和适用性，确保在薄膜混合集成电路中选用合适的材料和电子器件。
其次，制造薄膜混合集成电路需要重点考虑材料的选择和工艺的控制。
在选择材料时，首先需要选取具有良好柔韧性和导电性能的薄膜基底材料，如聚酰亚胺、聚酯等。
接下来，需要选择合适的陶瓷、金属等材料作为电子器件的载体。
同时，还需要注意不同材料的热膨胀系数的匹配，避免在温度变化时产生薄膜与器件之间的应力集中。
制造过程中的工艺控制也是关键因素之一。
在薄膜混合集成电路的制造中，采用的工艺通常包括薄膜的沉积、光刻、电镀、切割等。
这些工艺应严格控制，确保薄膜的质量和器件的可靠性。
此外，还需要采用适当的方法进行电子器件间的连接，如采用导电胶水、微焊等方式来实现。
最后，薄膜混合集成电路的质量控制和性能测试是制造过程中不可或缺的环节。
在制造过程中，需要进行质量检测，如薄膜的厚度、平整度、导电性能等的测试。
同时，还需要进行性能测试，如电阻、电容、电感等的测量，确保薄膜混合集成电路的性能指标符合设计要求。
总的来说，柔性电路中的薄膜混合集成电路设计与制造是一项综合性的工作，需要设计人员充分了解电路设计和材料特性，制造人员具备丰富的工艺经验和精密的操作技术。
hic厚膜和薄膜工艺流程
hic厚膜和薄膜工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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集成电路中的薄膜技术与工艺
集成电路中的薄膜技术与工艺1引言薄膜技术是集成电路(IC)制造中的一种关键技术。
它是指将层状材料以较薄的方法涂敷于芯片表面，形成各种不同的电路元器件与线路。
薄膜技术的应用范围十分广泛，包括电容器、电阻器、电感器、场效应晶体管等等。
同时，薄膜技术也是IC制造中非常重要的工艺之一，为芯片的高度集成提供了技术保障。
本文将就薄膜技术及其工艺进行详细介绍。
2薄膜技术薄膜技术是以各种材料为基础，采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和溶液沉积等方法将膜状材料涂敷于芯片表面的制造技术。
薄膜技术的制造精度高、制造的电路器件稳定性好，被广泛应用于各种电路元器件的制造中。
薄膜材料的种类众多，常用的薄膜材料有SiO2、SiNx、Ti、Al、Mo等。
这些材料经过各种化学或物理方法，形成较薄的均匀层状结构，提供制造各种高精度电路元器件的基础。
薄膜技术的应用范围广泛。
比如，在电容器制造中，利用薄膜技术在芯片表面涂上金属电极，然后将电介质材料(SiO2、SiNx等)涂敷在金属电极上，形成一定厚度的电介质层，最终形成高精度的电容器；在电阻器制造中，利用薄膜技术将SiO2沉积在金属线路上，然后控制SiO2的厚度，调节电阻器的阻值等等。
3薄膜制造方法薄膜技术的制造方法包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和溶液沉积等方法。
CVD是将制造层状材料所需的原料气体通过化学反应，在芯片表面进行反应，产生需要的薄膜材料的过程。
CVD方法具有高制造精度和高稳定性的特点。
具体操作上，将适量的气体原料(比如SiCl4)引入反应室，然后加热至高温，待原料在高温下分解并反应，使沉积到芯片表面，形成所需的薄膜材料。
PVD是用强流电子束、离子束或溅射法将薄膜材料通过物理方式沉积到芯片表面的方法。
PVD方法具有沉积速度快、晶体结构致密的特点。
这种方法经常被用于金属材料的制造过程中。
具体操作上，通过一定的电场作用，加速金属原子并喷向芯片基板表面，经过一系列物理化学反应，形成所需的金属薄膜。
新型光电器件中的薄膜混合集成电路设计与制造
新型光电器件中的薄膜混合集成电路设计与制造近年来，随着科技的快速发展和人们对智能设备的需求不断增加，新型光电器件在各个领域都得到了广泛的应用。
而其中，薄膜混合集成电路的设计与制造是实现光电器件功能实现的关键。
薄膜混合集成电路是以薄膜技术为基础，将不同材料的薄膜层结合在一起，形成功能多样的电子器件。
与传统的硅基集成电路相比，薄膜混合集成电路具有体积小、重量轻、能耗低、灵活性高等优势，适用于各种新型光电器件的设计与制造。
在薄膜混合集成电路的设计中，首先需要确定设计的目标和需求。
根据不同的光电器件应用，设计人员需要明确电路的功能和性能要求，如信号放大、滤波、数字转换等。
同时，还需要考虑到电路的功耗、面积、可靠性等因素，以便在设计过程中做出合理的权衡。
在设计过程中，针对不同功能模块，可以采用不同的薄膜材料和工艺。
例如，对于放大器模块，可以选择高迁移率的有机半导体材料，并利用有机薄膜的湿式沉积或真空蒸镀技术，制备薄膜材料层。
对于滤波器模块，可以利用薄膜堆叠技术，将多层不同材料的薄膜组合在一起，形成复合滤波器结构。
这些不同的薄膜材料和工艺的选择，可以实现电路的功能多样性和系统的集成度。
设计完成后，接下来是薄膜混合集成电路的制造过程。
制造的关键在于薄膜层的制备和器件的加工。
对于薄膜层的制备，可以采用不同的方法，如溅射、蒸镀、柔性印刷等。
这些方法能够通过控制沉积的条件和参数，实现薄膜的均匀性和质量要求。
对于器件的加工，可以采用光刻、薄膜退火、干法刻蚀等工艺，用以形成电路的图形和器件的结构。
此外，薄膜混合集成电路的封装和测试也是制造过程中的关键环节。
封装是将电路连接到外部世界的接口，常用的封装方式包括COB（Chip on Board）和CSP （Chip Scale Package）等。
测试是验证电路性能和功能的过程，主要通过特定的测试设备和方法来进行，如电流-电压（I-V）测试、频响测试等。
这些环节的成功实施能够保证薄膜混合集成电路的质量和可靠性。
集成电路制造工艺PPT课件
掺杂工艺（Doping）
掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域 中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结 、电阻、欧姆接触。
掺入的杂质主要是： 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺主要包括：扩散（diffusion)、离
子注入(ion implantation)。
亮场版和暗场版
曝光的几种方法
接触式光刻：分辨率较高， 但是容易造成掩膜版和光刻 胶膜的损伤。
接近式曝光：在硅片和掩膜 版之间有一个很小的间隙 (10～25mm)，可以大大减 小掩膜版的损伤，分辨率较 低。
投影式曝光：利用透镜或反 射镜将掩膜版上的图形投影 到衬底上的曝光方法，目前 用的最多的曝光方式。（特 征尺寸：0.25m)
❖等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离 基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择 性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。
❖反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)： 过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀 。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各 向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺 中应用最广泛的主流刻蚀技术。
–激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格 位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到 杂质的作用。
–消除损伤
❖ 退火方式：
–炉退火
–快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激 光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨 加热器、红外设备等)。
氧化（Oxidation）
❖ 氧化：制备SiO2层 ❖ SiO2 是 一 种 十 分 理 想 的 电 绝 缘 材 料 ， 它 的 化 学 性
薄膜混合集成电路实习报告
现代的电镀槽是一个复杂的系统，槽内加有各种特殊的添加剂，以便控制电镀相中的酸度和薄膜的亮度，促进孔和缝隙内的电镀过程，以及生成均匀的较厚的薄膜。在薄膜电路应用方面，采用电镀法来制造组合金属掩模和提高互连的导电性。电解淀积而成肋磁性薄膜，用于制造电子计算机的存储器。在许多光学用途上，因电镀槽复杂、不易控制，妨碍了电镀薄膜的应用。
2．把许多互洼的元器件制造在每一个基片上，以构成“薄膜集成电路”，从而实现电路集成化。在许多情况下，耳把其他的元器件，如晶体管、二极管或“硅集成电路”，加接到同十基版。如此构成的电路J称做“混合电路”。电路集成化有许多优点，即成本低、再现性好和性能高．特别是可靠性高.
还有其他一些次要的理由，也说明薄膜对电子技术的重要性。这些理由是：所制成的元器件不但精密，而且性能稳定；可以达到规定的温度系数；在原来的位置上可对完成的网络进行功能调整。此外，薄膜也适用于分布参数网络。
在金届的电解淀积过程中，电解液中的金属离子向所加电场的阴极移动。离子接受电子而淀积在阴极上成为金属原于。淀积而成的薄膜，其特性决定于电流密度、电解液的搅拌和温度、金属高于的扩散速率以及电极的形状和结构。电解液中的杂质亦可随同金属被吸附或淀积，从而影响薄膜的特性。如果原子不断地从一边覆盖到另一边，就会形成一个壁层，使金属无法继续淀积在阴极的表面上。淀积过程先是从少数有利的位置(显然是表面缺陷处)开始，附着于这些部位的金属高子再沿着表面向扭结处、边缘、台阶或其他断开处移动(在并入金属晶格之前)。晶体就是这样在表面上一层一目地纵横生长起来，宜到生长晶面彼此相通为止。相邻的晶体具有不同的取向，从而形成了多晶结构。如果电解液的浓度在生长中的晶核附近降低，与横向生长相比，这有利于向外生长。相反，离子浓度在表面周围较高，则有利于横向生长。
薄膜混合集成电路的制作工艺
薄膜混合集成电路的制作工艺摘要本文主要介绍了薄膜混合集成电路工艺以及薄膜形成的技术由于薄膜技术在电电子领域的推广，是电子元件在小型化，高功能，高可靠，批量生产，低成本方面占有很大优势。
似的薄膜技术在电子元件制造领域占有相当重要的地位。
而薄膜在薄膜电阻，薄膜电容，薄膜声表面波器件应用尤为广泛。
关键词薄膜混合集成电路的工艺基片薄膜的制备薄膜元器件引言在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。
所装的分立微型元件、器件，可以是微元件、半导体芯片或单片集成电路。
按无源网路中元件参数的集中和分布情况，薄膜集成电路分为集中参数和分布参数两种。
前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。
1．薄膜混合集成电路1.1薄膜集成电路在抛光的陶瓷基片（99.5%氧化铝）、微晶玻璃基片或者Si基片上溅射电阻薄膜和导电薄膜，经电镀，光刻，形成具有部分无源元件和导体电路的基片。
然后贴装芯片和各种片状元件，键合互连形成特定功能的电路模块。
1.2薄膜混合集成电路的工艺1.3基片1.3.1基片的选择原则基片是微波电磁场传输媒质，又是电路的支撑体。
其主要性能指标：（1）高频损耗tgδ，随温度T和工作频率fo升高而增加，在微波频段工作的材料，其高频吸收能量P=2πfV2εrtgδ。
（2）介电常数ε＝0.22εrA/t，εr大时电路尺寸可以小，有利集成; 但频率太高时，有时为了减小加工难度，选εr较小的材料。
（3）表面光洁度形响到电路损耗，薄膜的附着力，和线条的分辨率，划痕等缺陷。
（4）基片平整度（基片上最高点与最低点的距离叫平整度）基片翘度：最高点与最低点的距离除的基片的长度，经研磨和抛光，翘度可小于0.0001in/in。
（5）化学稳定性。
基片对酸碱的耐性，对金属膜是否相互作用。
如微晶玻璃就应避免Ti/Pt/Au系统。
（6）CTE基片的热膨胀系数应与管壳材料，元器件材料相匹配，以避免产生应力，影响可靠性。
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。