平板探测器X射线数字成像质量
DR平板探测器分类介绍
DR平板探测器分类介绍 从1995年RSNA上推出第一台平板探测器（Flat Panel Detector）设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分为直接和间接两类。 （一）间接能量转换 间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon，a-Si)再加TFT阵列构成。其原理为闪烁体或荧光体层经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，最后获得数字图像。在间接FPD的图像采集中，由于有转换为可见光的过程，因此会有光的散射问题，从而导致图像的空间分辨率极对比度解析能力的降低。换闪烁体目前主要有碘化铯(CsI，也用于影像增强器)，荧光体则有硫氧化钆(GdSO，也用于增感屏)，采用CsI+a-Si+TFT结构的有Trixell和GE公司等，而采用GdSO+a-Si+TFT有Canon和瓦里安公司等。 1、碘化铯( CsI ) + a-Si + TFT ：当有X 射线入射到CsI 闪烁发光晶体层时，X 射线光子能量转化为可见光光子发射,可见光激发光电二极管产生电流, 这电流就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷. 每个象素的储存电荷量和与之对应范围内的入射X 射线光子能量与数量成正比。发展此类技术的有法国Trixell 公司解像度143um2 探测器( SIEMENS、Philips、汤姆逊合资) 、美国GE 解像度200um2 探测器( 收购的EG & G 公司) 等。其原理见右图。Trixell公司（目前有西门子、飞利浦、万东、上医厂、长青、泛太平洋等厂家使用，成本约9.5万美金）用的是Csl柱状晶体结构的闪烁体涂层，此种结构可以减少可见光的闪射，但由于工艺复杂难以生成大面积平板，所以采用四块小板拼接成17″×17″大块平板，拼接处图像由软件弥补。GE、佳能（佳能、东芝、岛津使用）的平板是使用Csl或Gd2O2S:Tb涂层，因不是柱状晶体结构，所以能量损失较Trixell 严重。 2、硫氧化钆( Gd2O2S ) + a-Si + TFT ：利用増感屏材料硫氧化钆( Gd2O2S ) 来完成X 射线光子至可见光的转换过程。发展此类技术的公司有美国瓦里安公司、*** Canon 公司解像度160um2 探测器等。此类材料制造的TFT 平板探测器成像快速、成本较低，但一般灰阶动态范围较低（12 bit 以下），与其它高阶14 bit产品图像诊断质量相比较为不足。 3、碘化铯( CsI ) / 硫氧化钆( Gd2O2S ) + 透镜/ 光导纤维+ CCD / CMOS ：X射线先通过闪烁体或荧光体构成的可见光转换屏，将X射线光子变为可见光图像，而后通过透镜或光导纤维将可见光图像送至光学系统，由CCD采集转换为图像电信号。发展此技术的ssRay、Wuestec、新医科技等公司。其原理可见右图。新医科技的CCD DR为2K×2K，12Bit图像输出，无论在图像上还是在价格上均是取代CR的最佳产品。 4、CsI ( Gd2O2S ) + CMOS ：此类技术受制于间接能量转换空间分辨率较差的缺点，虽利用大量低解像度CMOS 探头组成大面积矩阵，尚无法有效与TFT 平板优势竞争。发展此类技术的公司有CaresBuilt、Tradix公司等。 （二）直接能量转换 直接FPD的结构主要是由非晶硒层(amorphous Selemium，a-Se)加薄膜半导体阵列(Thin Film
DR技术比较及平板探测器知识
平板探测器知识 （一）在数字化摄片中，X线能量转换成电信号是通过平板探测器来实现的，所以平板探测器的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。选择DR必然要考虑到平板探测器的选择。平板探测器的性能指标会对图像产生很大的影响，医院也应当根据实际需要选择适合自己的平板探测器。 DR平板探测器可以分为两种：非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器，从能量转换的方式来看，前者属于直接转换平板探测器，后者属于间接转换平板探测器。 非晶硒平板探测器主要由非晶硒层TFT构成。入射的X射线使硒层产生电子空穴对，在外加偏压电场作用下，电子和空穴对向相反的方向移动形成电流，电流在薄膜晶体管中形成储存电荷。每一个晶体管的储存电荷量对应于入射X 射线的剂量，通过读出电路可以知道每一点的电荷量，进而知道每点的X线剂量。由于非晶硒不产生可见光，没有散射线的影响，因此可以获得比较高的空间分辨率。 非晶硅平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管或电荷耦合器件 或互补型金属氧化物半导体构成它的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者CCD，或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。
? 不同平板探测器的比较 评价平板探测器成像质量的性能指标主要有两个：量子探测效率和空间分辨率。DQE决定了平板探测器对不同组织密度差异的分辨能力；而空间分辨率决定了对组织细微结构的分辨能力。考察DQE和空间分辨率可以评估平板探测器的成像能力。 （1）影响平板探测器DQE的因素 在非晶硅平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。 首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE 会产生影响。目前常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 其次将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响。在碘化铯(或者硫氧化钆)+薄膜晶体管(TFT)这种结构的平板探测器中，由于TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大，因此可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上，中间没有可以光子损失，因此DQE也比较高；在碘化铯+CCD(或者CMOS)这种结构的平板探测器中，由于CCD(或者CMOS)的面积不能做到与闪烁体涂层一样大，所以需要经过光学系统折射、反射后才能将全
平板探测器知识
（一）在数字化摄片中，X线能量转换成电信号是通过平板探测器来实现的，所以平板探测器的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。选择DR必然要考虑到平板探测器的选择。平板探测器的性能指标会对图像产生很大的影响，医院也应当根据实际需要选择适合自己的平板探测器。 DR平板探测器可以分为两种：非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器，从能量转换的方式来看，前者属于直接转换平板探测器，后者属于间接转换平板探测器。 非晶硒平板探测器主要由非晶硒层TFT构成。入射的X射线使硒层产生电子空穴对，在外加偏压电场作用下，电子和空穴对向相反的方向移动形成电流，电流在薄膜晶体管中形成储存电荷。每一个晶体管的储存电荷量对应于入射X射线的剂量，通过读出电路可以知道每一点的电荷量，进而知道每点的X线剂量。由于非晶硒不产生可见光，没有散射线的影响，因此可以获得比较高的空间分辨率。 非晶硅平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管或电荷耦合器件或互补型金属氧化物半导体构成它的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者CCD，或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。
? 不同平板探测器的比较 评价平板探测器成像质量的性能指标主要有两个：量子探测效率和空间分辨率。DQE决定了平板探测器对不同组织密度差异的分辨能力；而空间分辨率决定了对组织细微结构的分辨能力。考察DQE和空间分辨率可以评估平板探测器的成像能力。 （1）影响平板探测器DQE的因素 在非晶硅平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。 首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE会产生影响。目前常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 其次将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响。在碘化铯(或者硫氧化钆)+薄膜晶体管(TFT)这种结构的平板探测器中，由于TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大，因此可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上，中间没有可以光子损失，因此DQE也比较高；在碘化铯+CCD(或者CMOS)这种结构的平板探测器中，由于CCD(或者CMOS)的面积不能做到与闪烁体涂层一样
平板探测器原理
平板探测器原理 从1995年RSNA上推出第一台平板探测器（Flat Panel Detector）设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分为直接和间接两类。 （一）间接能量转换 间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon，a-Si)再加TFT阵列构成。其原理为闪烁体或荧光体层经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，最后获得数字图像。在间接FPD的图像采集中，由于有转换为可见光的过程，因此会有光的散射问题，从而导致图像的空间分辨率极对比度解析能力的降低。换闪烁体目前主要有碘化铯(CsI，也用于影像增强器)，荧光体则有硫氧化钆(GdSO，也用于增感屏)，采用CsI+a-Si+TFT结构的有Trixell和GE公司等，而采用GdSO+a-Si+TFT有Canon和瓦里安公司等。 1、碘化铯( CsI ) + a-Si + TFT ：当有X 射线入射到CsI 闪烁发光晶体层时，X 射线光子能量转化为可见光光子发射,可见光激发光电二极管产生电流, 这电流就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷. 每个象素的储存电荷量和与之对应范围内的入射X 射线光子能量与数量成正比。发展此类技术的有法国Trixell 公司解像度143um2 探测器( SIEMENS、Philips、汤姆逊合资) 、美国GE 解像度200um2 探测器( 收购的EG & G 公司) 等。其原理见右图。Trixell公司（目前有西门
子、飞利浦、万东、上医厂、长青、泛太平洋等厂家使用，成本约9.5万美金）用的是Csl柱状晶体结构的闪烁体涂层，此种结构可以减少可见光的闪射，但由于工艺复杂难以生成大面积平板，所以采用四块小板拼接成17″×17″大块平板，拼接处图像由软件弥补。GE、佳能（佳能、东芝、岛津使用）的平板是使用Csl或Gd2O2S:Tb涂层，因不是柱状晶体结构，所以能量损失较Trixell 严重。 2、硫氧化钆( Gd2O2S ) + a-Si + TFT ：利用増感屏材料硫氧化钆( Gd2O2S ) 来完成X 射线光子至可见光的转换过程。发展此类技术的公司有美国瓦里安公司、*** Canon 公司解像度160um2 探测器等。此类材料制造的TFT 平板探测器成像快速、成本较低，但一般灰阶动态范围较低（12 bit 以下），与其它高阶14 bit产品图像诊断质量相比较为不足。 3、碘化铯( CsI ) / 硫氧化钆( Gd2O2S ) + 透镜/ 光导纤维+ CCD / CMOS ：X射线先通过闪烁体或荧光体构成的可见光转换屏，将X 射线光子变为可见光图像，而后通过透镜或光导纤维将可见光图像送至光学系统，由CCD采集转换为图像电信号。发展此技术的ssRay、Wuestec、新医科技等公司。其原理可见右图。新医科技的CCD DR为2K×2K，12Bit 图像输出，无论在图像上还是在价格上均是取代CR的最佳产品。 4、CsI ( Gd2O2S ) + CMOS ：此类技术受制于间接能量转换空间分辨率较差的缺点，虽利用大量低解像度CMOS 探头组成大面积矩阵，尚无法有效与TFT 平板优势竞争。发展此类技术的公司有CaresBuilt、Tradix公司等。
GE数字乳腺机平板探测器故障维修一例
收稿日期:2009-10-19 GE 数字乳腺机平板探测器故障维修一例 孔德炎 (杭州师范大学附属医院,浙江杭州310015) 1中图分类号2TH774 1文献标识码2B 1文章编号21002-2376(2010)01-0068-01 乳腺X 线摄影是目前公认的诊断乳腺疾病最为有效、可靠的影像检查方法之一。直接全数字X 线摄影机是利用光导性将X 线的光能量直接转换成电信号通过计算机作为信号数字形成图像,这种成像方式可减少能量损失,有效地利用了X 线的能量,故此系统与传统乳腺机相比,具有较高的空间分辨率和极高的量子效率,增加不同组织的密度对比,可对较小病灶和低对比病灶进行更好的探测。 故障现象:开机后系统提示未检测到数字平板(探测器)。 故障分析:该机的基本工作原理是系统开机后初始化各个子系统,包括机械、X 线高压发生器、平板探测器等,主计算机接受到各个子系统返回的正常信息后进入主程序执行正常操作界面。一旦系统有错误产生就提示错误信息停机。 从报错信息看,判定为主机与数字平板的通讯出错。该机的主机与数字平板通讯是采用2根光纤连接双向通讯,传输的信号有主机对平板探测器的控制信号和平板探测器所采集的图像原始数据。通讯错误发生提示了主机或平板探测器至少有一个产生了故障。 故障检修:首先查看主机与平板探测器的光纤。打开机架的右侧外壳,找到主机和平板探测器的光纤连接器,发现从主机发送过来的光纤能看到有红色激光产生,而平板探测器的发送端看不到有激光产生,因此考虑平板探测器损坏的可能性比较大。平板探测器不产生发送信号原因有2个:一是平板探测器的供电不正常,不能提供平板探测器正常工作所需要的电源;二是平板探测器本身损坏。于是再检查平板探测器的供电单元,测量平板探测器电源接口处的电压,发现在主机和平板探测器建立通讯的时候,探测器供电单元送出5次大约持续5s 左右的供电电源,电压和维修手册给出的一致。 于是基本断定为平板探测器本身损坏。请GE 的工程师维修确定了平板探测器损坏,需要更换整个平板探测器,为了节约支出我们决定自己先修修看。 小心地打开探测器组件,发现整个探测器由三部分组成:第一层为数字平板,第二层为平板的电源分配和数字信号收集线路板。第三层为数字信号处理和通讯板。根据故障现象,首先判断为第三层数字信号处理和通讯板故障。把数字信号处理和通讯板拆下,目测没有发现有明显损坏的元件。查看整个板的元件,由二次电源产生电路、可编程逻辑电路CPLD 及FPGA 、可启动的FLASH 芯片、光纤通讯模块等组成,整个电路板都是用来处理小信号的。分析该板的原理应该是整个平板探测器得电后,由FLASH 芯片启动执行程序,初始化各个芯片,然后把初始化完成后的信息通过光纤接口电路送回主机。根据以上观察分析和以前的维修经验,认为该线路板可以离线测试。于是我们单独为该板外加了一路供逻辑电路用的714V 电源作离线测试。分别测得板上所有2次电源电压都正常;晶体振荡电路及时钟分配器也有输出;再测可启动的FLASH 芯片的地址信号,发现在上电的瞬间地址总线有波形测到,这说明整个板载系统复位正常,并且已经启动。于是再查输入输出接口,发现接口芯片的TX 端在上电的瞬间有波形输出,并且TX+、TX-两端有1105V 的电压存在,而此时光模块却没有发光,到此时我们重点怀疑光模块损坏。把光模块从电路板上拆下,对应该模块的数据手册作离线测试,结果证实该模块确实损坏了。从市场购得该模块后装机,机器恢复正常。 结论:该机器由于平板探测器侧光纤模块损坏而导致了平板探测器与主机的通讯中断,机器报探测器错误。原厂工程师只能修理到整个探测器,并且不允许工程师打开探测器修理。作为用户的工程师对于这些故障,是自己学习和提高的一个好机会,只要做到胆大心细,运用自己所学的知识,很多故障是可以自己解决的。 68 Medical Equipmen t Vol 123,No 11
CCD探测器及平板探测器
CCD探测器 CCD探测器产品特点 1) 反射式单CCD，大面阵设计像素矩阵4K×4K，1700万像素，极限空间分辨率可达到4.6lp/mm。 2) 17×17英寸成像面积,完全满足临床检查需要。 3) CCD防X射线辐射设计,图像质量长期可靠一致，使用成本大幅降低。 主要技术参数 有效视野：17英寸x17英寸/ 17英寸x14英寸像素填充系数：100% 像素矩阵：4kx4k，3kx3k像素尺寸：108um /140um 电源要求：220V AC 10A 50Hz 一、电荷耦合器件(ChargeCoupledDevices),简称CCD。 CCD的最基本单元MOS电容器是构成CCD的最基本单元是，它是金属—氧化物—半导体（MOS）器件中结构最为简单的。 CCD原理： 1、信号电荷的产生：CCD工作过程的第一步是电荷的产生。CCD可以将入射光信号转换为电荷输出，依据的是半导体的内光电效应（也就是光生伏特效应）。 2、信号电荷的存储:CCD工作过程的第二步是信号电荷的收集，就是将入射光子激励出的电荷收集起来成为信号电荷包的过程。 3、信号电荷的传输（耦合）：CCD工作过程的第三步是信号电荷包的转移，就是将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个像元，直到全部电荷包输出完成的过程。
图示为CCD成像区的一小部分（几个像素）。图像区中这个图案是重复的。 4、信号电荷的检测：CCD工作过程的第四步是电荷的检测，就是将转移到输出级的电荷转化为电流或者电压的过程。 输出类型主要有以下三种：；1）电流输出；2）浮置栅放大器输出；3）浮置扩散放大器输出。 测量过程由复位开始，复位会把前一个电荷包的电荷清除掉。 电荷输送到相加阱。此时，V out是参考电平。在这个期间，外部电路测量参考电平。 二、CCD的基本原理 1、CCD的工作过程示意图
平板探测器
从1995年RSNA上推出第一台平板探测器（Flat Panel Detector）设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分为直接和间接两类。 （一）间接能量转换 间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon，a-Si)再加TFT阵列构成。其原理为闪烁体或荧光体层经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，最后获得数字图像。在间接FPD的图像采集中，由于有转换为可见光的过程，因此会有光的散射问题，从而导致图像的空间分辨率极对比度解析能力的降低。换闪烁体目前主要有碘化铯(CsI，也用于影像增强器)，荧光体则有硫氧化钆(GdSO，也用于增感屏)，采用CsI+a-Si+TFT结构的有Trixell和GE公司等，而采用GdSO+a-Si+TFT有Canon和瓦里安公司等。 1、碘化铯( CsI ) + a-Si + TFT ：当有X 射线入射到CsI 闪烁发光晶体层时，X 射线光子能量转化为可见光光子发射,可见光激发光电二极管产生电流, 这电流就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷. 每个象素的储存电荷量和与之对应范围内的入射X 射线光子能量与数量成正比。发展此类技术的有法国Trixell 公司解像度143um2 探测器( SIEMENS、Philips、汤姆逊合资) 、美国GE 解像度200um2 探测器( 收购的EG & G 公司) 等。其原理见右图。Trixell公司（目前有西门子、飞利浦、万东、上医厂、长青、泛太平洋等厂家使用，成本约9.5万美金）用的是Csl柱状晶体结构的闪烁体涂层，此种结构可以减少可见光的闪射，但由于工艺复杂难以生成大面积平板，所以采用四块小板拼接成17″×17″大块平板，拼接处图像由软件弥补。GE、佳能（佳能、东芝、岛津使用）的平板是使用Csl或Gd2O2S:Tb涂层，因不是柱状晶体结构，所以能量损失较Trixell 严重。 2、硫氧化钆( Gd2O2S ) + a-Si + TFT ：利用増感屏材料硫氧化钆( Gd2O2S ) 来完成X 射线光子至可见光的转换过程。发展此类技术的公司有美国瓦里安公司、*** Canon 公司解像度160um2 探测器等。此类材料制造的TFT 平板探测器成像快速、成本较低，但一般灰阶动态范围较低（12 bit 以下），与其它高阶14 bit产品图像诊断质量相比较为不足。 3、碘化铯( CsI ) / 硫氧化钆( Gd2O2S ) + 透镜/ 光导纤维+ CCD / CMOS ：X射线先通过闪烁体或荧光体构成的可见光转换屏，将X射线光子变为可见光图像，而后通过透镜或光导纤维将可见光图像送至光学系统，由CCD采集转换为图像电信号。发展此技术的ssRay、Wuestec、新医科技等公司。其原理可见右图。新医科技的CCD DR为2K×2K，12Bit图像输出，无论在图像上还是在价格上均是取代CR的最佳产品。
平板DR探测器结构及其成像原理(天地智慧)
平板DR探测器原理(天地智慧医疗) 从 1995年RSNA上推出第一台平板探测器（Flat Panel Detector）设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分(天地智慧医疗)为直接和间接两类。 （一）间接能量转换(天地智慧医疗) 间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶 硅层(amorphous Silicon，a-Si)再加TFT阵列构成。其原理为闪烁体或荧光体层经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，最后获得数字图像。在间接FPD的图像采集中，由于有转换为可见光的过程，因此会有光的散射问题，从而导致图像的空间分辨率极对比度解析能力的降低。换闪烁体目前主要有碘化铯(CsI，也用于影像增强器)，荧光体则有硫氧化钆(GdSO，也用于增感屏)，采用CsI+a-Si+TFT结构的有Trixell、瓦里安和GE公司等，而采用GdSO+a-Si+TFT有Canon等。 1、碘化铯 ( CsI ) + a-Si + TFT ：当有 X 射线入射到 CsI 闪烁发光晶体层时，X 射线光子能量转化为可见光光子发射,可见光激发光电二极管产生电流, 这电流就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷. 每个象素的储存电荷 量和与之对应范围内的入射 X 射线光子能量与数量成正比。发展此类技术的有法国 Trixell 公司解像度 143um2 探测器 ( SIEMENS、Philips、汤姆逊合 资 ) 、美国 GE 解像度 200um2 探测器 ( 收购的 EG & G 公司 ) 等。其原理见右图。Trixell公司（目前有西门子、飞利浦、等厂家使用，成本约9.5万美金）用的是Csl柱状晶体结构的闪烁体涂层，此种结构可以减少可见光的闪射，但由于工艺复杂难以生成大面积平板，所以采用四块小板拼接成17″×17″大块平板，拼接处图像由软件弥补。 GE、佳能（佳能、东芝、岛津使用）的平板是使用Csl或Gd2O2S:Tb涂层，因不是柱状晶体结构，所以能量损失较Trixell 严重。(天地智慧医疗) 2、硫氧化钆 ( Gd2O2S ) + a-Si + TFT ：利用増感屏材料硫氧化钆 ( Gd2O2S ) 来完成 X 射线光子至可见光的转换过程。发展此类技术的公司有 Canon 公司解像度 160um2 探测器等。此类材料制造的 TFT 平板探测器成像快速、成本较低，但一般灰阶动态范围较低（12 bit 以下），与其它高阶14 bit产品图像诊断质量相比较为不足。 3、碘化铯 ( CsI ) / 硫氧化钆 ( Gd2O2S ) + 透镜 / 光导纤维 + CCD / CMOS ：X射线先通过闪烁体或荧光体构成的可见光转换屏，将X射线光子变为可见光图像，而后通过透镜或光导纤维将可见光图像送至光学系统，由CCD采集转换为图像电信号。发展此技术的IDC、深圳蓝韵、北京万东、深圳安健等公司。深圳蓝韵的KeenRayCCD DR探测器的像素为4K×4K，16Bit图像输出，无论在图像上还是在价格上均是取代CR的最佳产品。(天地智慧医疗)
PerkinElmer 0822 平板探测器
PerkinElmer 平板探测器型号 XRD 0822 AO XRD 0822 AP XRD 1611 XP XRD 1620 XN CS XRD 1621 XN XRD 1622 AO XRD 1622 AP XRD 1642 AP XRD 0820系列X射线数字平板探测器维修 德国PerkinElmer XRD 0820系列X射线数字平板探测器维修电路板维修XRD 0822 系列X射线数字平板探测器 XRD-EP电源维修EL448197 IXS160BP500P063 X10071-b00303 VJT1011283 X射线检测技术和返修技术领先厂商VJ Technologies伟杰科技苏州 RD0822 平板X射线探测器珀金埃尔默公司 XRD-0820-ES XRD-0840-ES主板电路板维修XRD 0820 NA/CN/MN ES DEXELA 2315MAM DEXELA 2315MAM CL DEXELA 2923MAM CL Dexela 2321(In Development) Dexela 2321(In Development) Dexela 2321 DEXELA 1313 Literature XRD 0822 AO， AP XRD 1611 xP XRD 1622 AP3 XRD 1622 AO， AP XRD 1642 AP XRpad 3025 XRpad 4336 XRpad 4343 XRD 4343 RF XRD Series Product Note
XRD Accessories DEXELA NDT DEXELA Standard Products DEXELA MAM GigE DEXELA 2315 MAM CL DEXELA 2923 MAM CL DEXELA 1313 DEXELA 2321 大连PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器 XRD 8英寸（20厘米）平板X射线探测器丹东奥龙射线丹东市中讯安防 XRD 0822 平板X射线探测器（FPDs）是PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）公司出品的8英寸（20厘米）非晶硅的平板X射线探测器。 YXLON MG系列X射线系统 型号: MG-XXX YXLON的MG系列通用型高能量和高剂量X射线系统，采用最先进的40KHz高频技术设计，射线输出非常稳定，更可精确快速调节能量。该系列X射线系统不单成为拍片和实时成像的理想光源，还能更可靠的用于层析扫描(CT)和剂量测定。基本特性：-能量输出范围： 100KV/160KV/225KV/320KV/450kV/600KV-MGC41微处理器控制，LED显示，亮度可调节-带有10米以上连接... YXLON MG系列X射线系统 XRD 0822 平板X射线探测器提供两种型号： 0822 AO ：A / D转换 14比特，提供超过78分贝的动态范围，帧速率高达30帧/秒。 0822 AP ：增强型。具有16位的对比分辨率，16比特。提供超过88分贝的动态范围，通过几个读出模式帧速率高达100帧/秒。 两个探测器支持能量水平从60 kV 到15 MV，和一些屏蔽和闪烁选项。 一个碳纤维入口窗口支持的一个扩展的能量范围为20 kV——- 15 MV。 快速的系统集成是通过以太网实现数据通信，集成触发器和同步电路对x射线控制和全面的软件图书馆对图像采集和处理。 北京PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器长春PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器大连PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器齐齐哈尔PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器沈阳PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器天津PerkinElmer（珀金埃尔默.美国）XRD 0822平板X射线探测器 泰雷兹650D 美国瓦里安1313D PerkinElme 法国泰雷兹650F XRD 0822系列X射线数字平板探测器是基于8英寸非晶硅传感器的二维光电二极管阵列，具有200微米像素尺寸，成像区域200mm*200mm，X射线通过闪烁屏转换为光电子并被光电二极管转化为数字信号，