电子技术及技能训练 习题1-11章
《电工与电子技术》习题册习题解答
《电工与电子技术》习题册习题解答习题与解答电工电子教研室第一章：直流电路一、单项选择题1.如题1图，已知U=220V，I＝－1A，则元件消耗的功率P为（C）A.220WB.0WC.－220WD.不能确定某2.直流电路如题2图所示，电流I应等于（A）A.7AB.4AC.3AD.1A某3.如题3图，Vi＝3V，则点1的电位φ1为（B）A.－6VB.1.5VC.3VD.－1.5V某4.直流电路如题4图所示，Uab＝(C)A.－1VB.0VC.1VD.2V5．理想电流源的外接电阻逐渐增大，则它的端电压（A）A．逐渐升高B．逐渐降低C．先升高后降低D．恒定不变6．设60W和100W的电灯在220V电压下工作时的电阻分别为R1和R2，则R1和R2的关系为（A）A.R1＞R2B.R1=R2C.R1＜R2D.不能确定某7．电路如题7图所示，开关S从断开状态合上以后，电路中物理量的变化情况是（A）A.I增加B.U下降C.I1减少D.I不变某8．题8图所示电路，如电阻R1增大，则电流表○A的读数（A）A.增大B.减小C.不变D.不定题8图2某9．一个由线性电阻构成的电器，从220V的电源吸取1000W的功率，若将此电器接到110V的电源上，则吸取的功率为（A）A.250WB.500WC.1000WD.2000W10．题10图示电路中，A、B端电压U＝（A）A.－2VB.－1VC.2V题10图D.3V11．题11图中电流I为（C）A.1AB.2AC.-1AD.-2A题11图某12．直流电路如题12图所示，Uab等于（C）A．－2VB．－1VC．1VD．2V13．把题13图1所示的电路用题13图2所示的等效电压源代替，该等效电压源的参数为(B)。
A.E0=1V,R0=2ΩB.E0=2V,R0=1ΩC.E0=2V,R0=0.5ΩD.E0=1V,R0=1Ω题13图14．将题14图电路化简为一个电压源US和电阻RS串联的最简等效电路，其中US和RS分别为（D）=2V，RS=1Ω=1V，RS=2Ω=2V，RS=0.5Ω=1V，RS=0.5Ω题15图15．在题15图示电路中，已知：E=9V，Ik=6mA，当电压源E单独作用时，通过RL的电流是1mA，那么当电压源E和电流源Ik共同作用时，通过电阻RL的3电流IL是(A)。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题（共100分, 120分钟）之樊仲川亿创作一、填空题：（每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的.这种半导体内的大都载流子为自由电子 , 少数载流子为空穴 , 不能移动的杂质离子带正电.P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的.这种半导体内的大都载流子为空穴 , 少数载流子为自由电子 , 不能移动的杂质离子带负电.2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的.三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极.3、PN结正向偏置时, 外电场的方向与内电场的方向相反 , 有利于大都载流子的扩散运动而晦气于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时, 外电场的方向与内电场的方向一致 , 有利于少子的漂移运动而晦气于多子的扩散 , 这种情况下的电流称为反向饱和电流.4、PN结形成的过程中, P型半导体中的大都载流子由P向N区进行扩散, N型半导体中的大都载流子由N向P区进行扩散.扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区 , 其方向由N 区指向P区. 空间电荷区的建立, 对大都载流子的扩散起削弱作用, 对少子的漂移起增强作用, 当这两种运动到达静态平衡时, PN结形成.5、检测二极管极性时, 需用万用表欧姆挡的R ×1K档位, 当检测时表针偏转度较年夜时, 与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极.检测二极管好坏时, 两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很年夜时, 说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时, 说明该二极管已经绝缘老化.7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线的反向击穿区.二、判断正误：（每小题1分, 共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电, 说明P型半导体呈负电性. （错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动发生空穴载流子. （对）3、用万用表测试晶体管时, 选择欧姆档R×10K 档位. （错）4、PN结正向偏置时, 其内外电场方向一致.（PN结反向偏置时, 其内外电场方向一致）（错）5、无论在任何情况下, 三极管都具有电流放年夜能力. （错）6、双极型晶体管是电流控件, 单极型晶体管是电压控件. （对）7、二极管只要工作在反向击穿区, 一定会被击穿. （错）8、当三极管的集电极电流年夜于它的最年夜允许电流I CM时, 该管必被击穿. （错）9、双极型三极管和单极型三极管的导机电理相同. （错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同, 因此可以互换使用. （错）三、选择题：（每小题2分, 共20分）1、单极型半导体器件是（C）.A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管.2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的.A、三价；B、四价；C、五价；D、六价.3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）.A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态.4、用万用表检测某二极管时, 发现其正、反电阻均约即是1KΩ, 说明该二极管（C）.A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化欠亨；D、无法判断.5、PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（A）而成.A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移.6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V, V B＝2.8V, V C＝4.4V, 说明此三极管处在（ A ）.A、放年夜区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区.7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）.A、较年夜；B、较小；C、为零；D、无法判断.8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）.A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波.9、三极管超越（C ）所示极限参数时, 肯定被损坏.A 、集电极最年夜允许电流I CM ；B 、集—射极间反向击穿电压U （BR ）CEO ；C 、集电极最年夜允许耗散功率P CM ；D 、管子的电流放年夜倍数β.10、若使三极管具有电流放年夜能力, 必需满足的外部条件是（ C ）A 、发射结正偏、集电结正偏；B 、发射结反偏、集电结反偏；C 、发射结正偏、集电结反偏；D 、发射结反偏、集电结正偏.3、图1-29所示电路中, 已知E =5V,t u ωsin 10i =V, 二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0, 反向阻断时电阻R =∞）, 试画出u 0的波形. 答：分析：根据电路可知, 当u i >E 时,二极管导通u 0=u i , 当u i <E 时, 二极管截止时, u 0=E .所以 第2章 检测题 （共100分, 120分钟） 一、填空题：（每空0.5分, 共21分）1、基本放年夜电路的三种组态分别是： 共发射极 放年夜电路、 共集电极 放年夜电路和 共基极 放年夜电路.2、放年夜电路应遵循的基来源根基则是： 发射结正偏； 集电 结反偏.3、将放年夜器 输出信号 的全部或部份通过某种方式回送到输入端, 这部份信号叫做 反馈 信号.使放年夜器净输入信号减小, 放年夜倍数也减小的反馈, 称为 负 反馈；使放年夜器净输入信号增加, 放年夜倍数也增加的反馈, 称为 正 反馈.放年夜电路中经常使用的负反馈类型有 电压串连 负反馈、 电流串连 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负图1-29 u/V ωt 0u iu 0 10 5反馈.7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧 , 它不单能够对直流信号发生负反馈作用, 同样可对交流信号发生负反馈作用, 从而造成电压增益下降过多.为了不使交流信号削弱, 一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较年夜射极旁路电容C E .8、放年夜电路有两种工作状态, 当u i＝0时电路的状态称为静态, 有交流信号u i输入时, 放年夜电路的工作状态称为动态.在动态情况下, 晶体管各极电压、电流均包括直流分量和交流分量.放年夜器的输入电阻越年夜 , 就越能畴前级信号源获得较年夜的电信号；输出电阻越小 , 放年夜器带负载能力就越强.二、判断下列说法的正确与毛病：（每小题1分, 共19分）1、放年夜电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系. （错）2、放年夜电路中的所有电容器, 起的作用均为通交隔直. （对）3、射极输出器的电压放年夜倍数即是1, 因此它在放年夜电路中作用不年夜. （错）4、分压式偏置共发射极放年夜电路是一种能够稳定静态工作点的放年夜器.（对）5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放年夜器. （对）6、晶体管的电流放年夜倍数通常即是放年夜电路的电压放年夜倍数. （错）7、微变等效电路不能进行静态分析, 也不能用于功放电路分析. （对）8、共集电极放年夜电路的输入信号与输出信号, 相位差为180°的反相关系.（错）9、微变等效电路中不单有交流量, 也存在直流量. （错）10、基本放年夜电路通常都存在零点漂移现象. （对）11、普通放年夜电路中存在的失真均为交越失真. （错）12、差动放年夜电路能够有效地抑制零漂, 因此具有很高的共模抑制比. （对）13、放年夜电路通常工作在小信号状态下, 功放电路通常工作在极限状态下. （对）14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在, 可判定为电流负反馈. （对）15、共射放年夜电路输出波形呈现上削波, 说明电路呈现了饱和失真. （错）16、放年夜电路的集电极电流超越极限值I CM,就会造成管子烧损. （错）17、共模信号和差模信号都是电路传输和放年夜的有用信号. （错）18、采纳适当的静态起始电压, 可到达消除功放电路中交越失真的目的. （对）19、射极输出器是典范的电压串连负反馈放年夜电路. （对）三、选择题：（每小题2分, 共20分）1、基本放年夜电路中, 经过晶体管的信号有（C）.A、直流成份；B、交流成份；C、交直流成份均有.2、基本放年夜电路中的主要放年夜对象是（B）.A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有.3、分压式偏置的共发射极放年夜电路中, 若V B点电位过高, 电路易呈现（B）.A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损.4、共发射极放年夜电路的反馈元件是（B）.A、电阻R B；B、电阻R E；C、电阻R C.5、功放首先考虑的问题是（A）.A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数.6、电压放年夜电路首先需要考虑的技术指标是（A）.A、放年夜电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率.7、射极输出器的输出电阻小, 说明该电路的（A）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷.8、功放电路易呈现的失真现象是（C）.A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真.9、基极电流i B的数值较年夜时, 易引起静态工作点Q接近（B）.A、截止区；B、饱和区；C、死区.10、射极输出器是典范的（C）.A、电流串连负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串连负反馈.四、简答题：（共23分）1、共发射极放年夜器中集电极电阻R C起的作用是什么？（3分）答：R C起的作用是把晶体管的电流放年夜转换成放年夜器的电压放年夜.第4章检测题（共80分, 100分钟）一、填空题（每空分, 共25分）1、在时间上和数值上均作连续变动的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号.2、在正逻辑的约定下, “1”暗示高电平,“0”暗示低电平.3、数字电路中, 输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系, 所以数字电路也称为逻辑电路.在逻辑关系中, 最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑 .5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码.9、8421BCD码是最经常使用也是最简单的一种BCD代码, 各位的权依次为8、4、2、1 .8421BCD码的显著特点是它与二进制数码的4位等值0～9完全相同.11、逻辑代数的基本定律有分配律、结合律、交换律、反演律和非非律.12、最简与或表达式是指在表达式中或项最少,且与项也最少.13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图.卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间, 只允许一位变量的取值分歧.14、在化简的过程中, 约束项可以根据需要看作“1”或“0” .二、判断正误题（每小题1分, 共8分）1、输入全为低电平“0”, 输出也为“0”时, 必为“与”逻辑关系. （错）2、或逻辑关系是“有0出0, 见1出1”. （错）3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码.（错）4、二进制计数中各位的基是2, 分歧数位的权是2的幂. （对）5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位分歧. （错）6、B A B A •=+是逻辑代数的非非定律. （错）7、卡诺图中为1的方格均暗示一个逻辑函数的最小项. （对）8、原码转换成补码的规则就是各位取反、末位再加1. （对）三、选择题（每小题2分, 共12分）1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）.A 、逻辑加B 、逻辑乘C 、逻辑非2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）.A 、1011110B 、1100010C 、1100100D 、110001003、和逻辑式AB 暗示分歧逻辑关系的逻辑式是（ B ）.A 、B A + B 、B A •C 、B B A +•D 、A B A +4、数字电路中机器识别和经常使用的数制是（ A ）.A 、二进制B 、八进制C 、十进制 D 、十六进制5、[＋56]的补码是（ D ）.A 、00111000B B 、11000111BC 、01000111B D 、01001000B6、所谓机器码是指（ B ）.A 、计算机内采纳的十六进制码B 、符号位数码化了的二进制数码C、带有正负号的二进制数码D、八进制数四、简述题（每小题3分, 共12分）1、数字信号和模拟信号的最年夜区别是什么？数字电路和模拟电路中, 哪一种抗干扰能力较强？答：数字信号是离散的, 模拟信号是连续的, 这是它们的最年夜区别.它们之中, 数字电路的抗干扰能力较强.4、试述卡诺图化简逻辑函数的原则和步伐.答：用卡诺图化简时, 合并的小方格应组成正方形或长方形, 同时满足相邻原则.利用卡诺图化简逻辑函数式的步伐如下：①根据变量的数目, 画出相应方格数的卡诺图；②根据逻辑函数式, 把所有为“1”的项画入卡诺图中；③用卡诺圈把相邻最小项进行合并, 合并时就遵照卡诺圈最年夜化原则；④根据所圈的卡诺圈, 消除圈内全部互非的变量, 每一个圈作为一个“与”项, 将各“与”项相或, 即为化简后的最简与或表达式.五、计算题（共43分）1、用代数法化简下列逻辑函数（12分）①B AC(+=)BAF+②BCF++=ABAC③ABCF++A=B++BACCABABCC④DBBF++++=ACACCABDDC2、用卡诺图化简下列逻辑函数（12分）②(mABCDF∑=),9,8,7,6,5,3,2,1()13,12③∑==），、、、15 14, 12, 8, 7, 6, 1, 0() (m D C B A F ＝④∑∑+==）），、、、12 9, ,3(15 14, 8, 7, 5, 1, 0() (d m D C B A F ＝3、完成下列数制之间的转换（8分）①（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D ）16②（11101.1）2＝（）10＝（）8＝（）16 ③（）10＝（）8＝（）16第5章 检测题（共100分, 120分钟） 一、填空题（每空分, 共25分）1、具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 , 其中最基本的有 与门 、 或门 和非门.2、具有“相异出1, 相同出0”功能的逻辑门是 异或 门, 它的反是 同或 门.3、数字集成门电路按 开关 元件的分歧可分为TTL 和CMOS 两年夜类.其中TTL 集成电路是 双极 型, CMOS 集成电路是 单极 型.集成电路芯片中74LS 系列芯片属于 双极 型集成电路, CC40系列芯片属于 单极 型集成电路.4、功能为“有0出1、全1出0”的门电路是 或非 门；具有“ 有1出1, 全0出0 ”功能的门电路是或门；实际中集成的 与非 门应用的最为普遍.二、判断正误题（每小题1分, 共10分）1、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态. （对）2、3线—8线译码器电路是三—八进制译码器. （错）3、已知逻辑功能, 求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计. （错）4、编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数. （错）5、74LS138集成芯片可以实现任意变量的逻辑函数.（错）6、组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单位. （错）7、74系列集成芯片是双极型的, CC40系列集成芯片是单极型的.（对）8、无关最小项对最终的逻辑结果无影响, 因此可任意视为0或1. （对）9、三态门可以实现“线与”功能. （错）10、共阴极结构的显示器需要低电平驱动才华显示. （错）三、选择题（每小题2分, 共20分）1、具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（B）.A、与非门B、或非门C、异或门 D、同或门2、下列各型号中属于优先编译码器是（C）.A、74LS85B、74LS138C、74LS148D、74LS483、七段数码显示管TS547是（B）.A、共阳极LED管B、共阴极LED管C、极阳极LCD管 D、共阴极LCD管4、八输入真个编码器按二进制数编码时, 输出真个个数是（B）.A、2个B、3个C、4个D、8个5、四输入的译码器, 其输出端最多为（D）.A、4个B、8个C、10个D 、16个6、当74LS148的输入端70~I I 按顺序输入11011101时, 输出02~Y Y 为（ B ）.A 、101B 、010C 、001D 、1107、一个两输入真个门电路, 当输入为1和0时, 输出不是1的门是（ D ）.A 、与非门B 、或门C 、或非门D 、异或门8、过剩输入端可以悬空使用的门是（ B ）.A 、与门B 、TTL 与非门C 、CMOS 与非门D 、或非门9、译码器的输出量是（ A ）.A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制10、编码器的输入量是（ C ）.A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制四、简述题（每小题3分, 共15分）1、何谓逻辑门？何谓组合逻辑电路？组合逻辑电路的特点？答：数字电路中的门电路, 其输入和输出之间的关系属于逻辑关系, 因此常称为逻辑门.若逻辑电路的输出仅取决于输入的现态, 则称为组合逻辑电路, 其中输出仅取决于输入的现态就是组合逻辑电路的显著特点.2、分析组合逻辑电路的目的是什么？简述分析步伐.答：分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能, 分析的步伐为四步：①根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式；②用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化简,获得最简逻辑表达式；③根据最简逻辑表达式, 列出相应的逻辑电路真值表；④根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明, 以理解电路的作用.五、分析题（共20分）1、根据表5-11所示内容, 分析其功能, 并画出其最简逻辑电路图.（8分）2、图5-33所示是u A、u B两输入端门的输入波形, 试画出对应下列门的输出波形.（4分）①与门②与非门③或非门④异或门解：对应输入波形, 可画出各门的输出波形如右图红笔所示.2、写出图5-34（8分）ttF F解：（a ）图逻辑函数表达式：（b六、设计题（共10分）1、画出实现逻辑函数C A C B A AB F ++=的逻辑电路.（5分）设计：本题逻辑函数式可化为最简式为C AB F +=, 逻辑电路为：2、设计一个三变量的判偶逻辑电路.（5分） 设计：本题逻辑函数式的逻辑电路为：*应用能力训练附加题：用与非门设计一个组合逻辑电路, 完成如下功能：只有当三个裁判（包括裁判长）或裁判长和一个裁判认为杠铃已举起并符合标准时, 按下按键, 使灯亮（或铃响）, 暗示此次举重胜利, 否则, 暗示举重失败.解：附加题显然是一个三变量的大都表决电路.其F(a )FC(b)中三个裁判为输入变量, 按键为输出变量.普通裁判同意为1分, 裁判长A同意为2分, 满3分时F为1, 同意举重胜利；缺乏3分F为0, 暗示举重失败.。
电子技术课后答案1~12章(7)
第7章 门电路与逻辑代数将十进制数75转换成二进制和16进制数。
分析 将十进制整数转换成二进制数采用除2取余法，转换成16进制数除了采用除16取余法，也可从所得的二进制数每4位一组直接转换为16进制数。
解 首先将十进制数75转换成二进制数。
将十进制整数75连续除以2，求得各次的余数，直到商为0为止，然后将先得到的余数列在低位、后得到的余数列在高位，即得相应的其他进制数。
转换过程可用短除法表示，如图所示。
所以：210)1001011()75(=将十进制数75转换成16进制数，可采用除16取余法：75除以16，得商4及最低位的余数11（16进制数B ），再将商4除以2，得商0及余数4，所以：1610)B 4()75(=将下列各数转换成十进制数：(101)2， (101)16。
分析 将其他进制数转换为十进制数采用多项式求和法。
解 将(101)2转换成十进制数，为：10100122)5()212021()101(=⨯+⨯+⨯=将(101)16转换成十进制数，为：101001216)257()161160161()101(=⨯+⨯+⨯=图 习题解答用图将二进制数110111、1001101分别转换成十进制数和16进制数。
解 将二进制数110111、1001101转换成十进制数，分别为：10100123452)55()212121202121()110111(=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯= 101001234562)77()21202121202021()1001101(=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯=将二进制数110111、1001101转换成16进制数，分别为：162)37()110111(= 162)D 4()1001101(=将十进制数92转换成二进制码及8421 码。
分析 十进制数与8421 码的转换按位转换即可。
解 将十进制数92转换成二进制码用短除法表示，如图所示。
图 习题解答用图所以：210)1011100()92(=因为9的8421码为1001，2的8421码为0010，所以，将十进制数92转换成8421 码为：842110)10010010()92(=数码作为二进制码或8421码时，其相应的十进制数各为多少 解 数码作为二进制码时，其相应的十进制数为：10100358112)2345()2121212121()011001001010(=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯=数码作为8421码时，其相应的十进制数为：108421)929()011001001010(=二极管门电路如图（a ）、（b ）所示，输入信号A 、B 、C 的高电平为3V ，低电平为0V 。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的，其中KP 表示该器件的名称为，50 表示，7 表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN 结，外部一共有3 个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。
（×）损坏晶闸管的。
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
电子技术及实训题库(含参考答案)
电子技术及实训题库（含参考答案）一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。
用试验法测得三极管1端对地电压-6.2V，2端对地电压为-6V, 3端对地电压为-9V，则发射极(____)。
A、为3端；B、为1端；C、为2端；D、无法判断正确答案：C2.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A、基，集电；B、基，发射；C、集电，基D、发射，基；正确答案：C3.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。
A、未知B、相等；C、小；D、大；正确答案：D4.电容滤波电路的滤波效果和电容的大小关系是(____)。
A、不确定B、电容越大越好；C、电容适当就行；D、电容越小越好；正确答案：B5.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。
A、在10～20倍之间；B、略小于1倍C、在20～100倍之间D、越大越好；正确答案：B6.PN结加正向电压时，其正向电流是(____)。
A、多子漂移而成B、少子扩散而成；C、少子漂移而成；D、多子扩散而成；正确答案：D7.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。
A、反相；B、滞后90度；C、同相；D、不能确定正确答案：A8.稳压管的稳压区是其工作在（）。
A、反向截止；B、正向饱和C、反向击穿；D、正向导通；正确答案：C9.对放大电路进行动态分析的主要任务是(____)。
A、确定静态工作点Q；B、确定电压放大倍数Au、输入电阻、输出电阻；C、确定电流放大倍数；D、确定三极管的状态正确答案：B10.50倍的反相比例运算放大电路的输入信号是1V，输出电压是（）V。
A、-50；B、50；C、饱和电压D、1；正确答案：C11.射极输出器经常作为多级放大电路的（）。
A、输入级；B、偏置电路；C、中间级；D、输出级正确答案：D12.单相桥式整流电路中，每个二极管中的电流与输出电流I0的关系为(____)。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
电工电子技术基础_习题解答
第1章习题1-1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
（√）2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
（√）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。
（√）4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（×）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。
（×）6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用。
（√）7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。
（√）8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。
（×）9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。
（√）10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。
（×）11．电容器并联总电容量增加；电容器串联总电容量减小。
（√）12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小。
（√）1-2 计算题1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？解：根据I=Q/t, 有（1）I=6000C/60s=100A（2）I=6000C/1s=6000A2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B、C、D各点的电位谁高谁低？图1-30 题2图解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B＞C＞D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1）铝导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω （2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：2636m m 23.31073.810100283.0=⨯⨯⨯=--铝S 4 有两只灯泡，额定功率都为40 W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：（1）工作电压为36VR =U 2/P =32.4Ω （2）工作电压为12VR =U 2/P =3.8Ω（3）串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有2.4348364.3211=⨯==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V额定电压为36V 的灯泡过压，灯丝会烧断。
电子技术基础l练习习题答案(1).
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
电子技术基础(第五版)习题册参考答案
(２) 硅管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为发射极、 集电极、
基极ꎮ
(３) 锗管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为集电极、 基极、 发
射极ꎮ
(４) 锗管ꎬ ＮＰＮ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为基极、 发射极、 集
电极ꎮ
６. 答: 第 (１) 种情况能正常工作ꎬ 因为 Ｉ Ｃ < Ｉ ＣＭ 、 Ｕ ＣＥ <
８. Ｃꎻ ９. Ｃꎻ １０. Ｂꎻ １１. Ｃꎻ １２. Ｃꎻ １３. Ｂꎻ １４. Ａꎻ
１５. Ｂꎻ １６. Ｃꎻ １７. Ｃꎻ １８. Ｄꎻ １９. Ａꎻ ２０. Ａꎻ ２１. Ａꎻ
２２. Ｂꎻ ２３. Ａꎻ ２４. Ｂꎻ ２５. Ｂꎻ ２６. Ａꎻ ２７. Ｃꎻ ２８. Ｄꎻ
２９. Ｃꎻ ３０. ＡＣꎻ ３１. Ｂꎻ ３２. Ｂꎻ ３３. Ａꎻ ３４. Ｄꎻ ３５. Ｃꎻ
附录 习题册参考答案
第一章 半导体二极管
§ １—１ 半导体的基本知识
一、 填空题
１. 导体ꎻ 绝缘体ꎻ 半导体
２. 半导体
３. 热敏ꎻ 光敏ꎻ 掺杂
４. 正ꎻ 负ꎻ 负ꎻ 正
５. 单向导电ꎻ 导通ꎻ 截止
６. 高
二、 判断题
１.
× ꎻ ２.
× ꎻ ３. √
三、 选择题
１. Ｃꎻ ２. Ａꎻ ３. ＢＤꎻ ４. Ｃꎻ ５. Ａꎻ ６. Ｂ
＝
＝ ０ ０５ ( ｍＡ) ＝ ５０ ( μＡ)
Ｒ Ｂ ３００
Ｉ ＣＱ ≈β Ｉ ＢＱ ＝ ５０ × ０ ０５ ＝ ２ ５ ( ｍＡ)
Ｕ ＣＥＱ ＝ Ｖ ＣＣ － Ｉ ＣＱ Ｒ Ｃ ＝ １５ － ２ ５ × ３ ＝ ７ ５ ( Ｖ)
电子技术及实训习题+参考答案
电子技术及实训习题+参考答案一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.工作在放大区的某三极管，基极电流从40微安减小到20微安时，集电极电流从2毫安变为1毫安，其电流放大系数β约为(____)。
A、25B、10；C、50；D、100；正确答案：C2.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的控制能力。
A、基，发射；B、集电，基C、基，集电；D、集电，发射；正确答案：C3.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。
A、在10～20倍之间；B、越大越好；C、在20～100倍之间D、略小于1倍正确答案：D4.当输入电压不变，放大电路带上负载与不带负载时相比，输出电压的值(____)。
A、增大；B、无法确定C、不变；D、减小；正确答案：D5.将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。
B、减小；C、不变；D、增大；正确答案：B6.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。
A、相位差90度；B、0度；C、相位相反；D、不能确定正确答案：C7.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。
A、越小越好B、越大越好C、在10～20之间；D、在20～100之间；正确答案：D8.三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A、工艺结构B、射极电流；C、基极电流；D、集电极电流；正确答案：A9.在单相全波整流电路中，整流二极管承受的最大反向电压等于变压器二次电压U2（有效值）的(____)倍。
A、1；B、2.828；C、1.414；D、2正确答案：B10.由漂移形成的电流是反向电流，其大小而与外电场（）。
B、无关；C、关系密切；D、不知正确答案：B11.二极管的正向电阻越小，反向电阻越大说明其质量越(____)。
A、差；B、一般C、无法确定；D、好；正确答案：D12.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。
A、越小越好B、在10～20之间；C、越大越好；D、在20～100之间正确答案：D13.单相工频半波整流电路中，二极管导通的时间是(____)。
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电子技术及技能训练习题（1—11章）习题1单项选择题（1）二极管加正向电压时，其正向是由（）。
A 多数载流子扩散形成B 多数载流子漂移形成C 少数载流子漂移形成（2） PN结反向击穿电压的数值增大，（）。
A 其反向电流增大B 其反向电流减小C ：其反向电流基本不变（3）稳压二极管是利用PN结的（）。
A 单向导电性B 反向击穿性C 电容特性（4）变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
A 正向运用B 反向运用（5）当晶体管工作在放大区时，（）。
A 发射结和集电结均反偏； B发射结正偏，集电结反偏； C发射结和集电结均正偏；简答题（1）什么是PN结？PN结有什么特性？（2）为什么二极管可以当做一个开关来使用？（3）三极管有哪3种工作状态？各有什么特点？（4）三极管的电流分配关系是怎样的？你如何理解三极管的电流放大作用？（5）三极管共射放大电路中直流β和交流β的含义是什么？它们之间有何关系？（6）场效应管和三极管在性能上有哪些区别？在使用场效应管时，应注意哪些问题？分析题（1）二极管电路如图所示，试判断图中的二极管VD1～VD6是导通还是截止，并求出AO 两端的电压U AO值（设二极管是理想状态。
）。
图题（6）中的图（2）测得放大电路中三极管中的各极电位分别为U1＝－9V，U2＝－6V，U3＝－，试识别管脚，标上e，b，c，并判断三极管是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？（3）现有3只三极管：甲管＝240，I CEO＝400；乙管＝8，I CEO＝2；丙管＝60，I CEO＝5，其他参数大致相同，分析哪个三极管放大用效果比较好。
习题2选择判断题(1) 在基本放大电路中，基极偏置电阻R b的作用是( )A.放大电流B.调节偏流I BC.防止输入信号交流短路D.把放大了的电流转换成电压（2）对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是（）A．输出电压与输入电压相位相同B．输入电阻，输出电阻适中C．电压放大倍数大于1 D．电流放大倍数大于1（3）.由NPN型晶体管组成的共射基本放大电路中，若静态工作点I CQ选择过高，容易使电路输出信号产生（）失真。
A.双向B.饱和C.截止D.交越（4）对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（）A.输入电阻高B.输出电阻小C.电流放大倍数小于1D.电压放大倍数小于1且近似等于1(5) 放大电路的负反馈是使( )A.净输入量增大B.输出量增大C.放大倍数增大D.提高放大电路的稳定性简答题（1）什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？（2）多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？（3）反馈有哪些类型？负反馈对放大电路有什么影响？（4）功率放大电路和电压放大电路的主要差别是什么？（5）如图1所示的电路能否正常放大信号？为什么？图1 习题（5）中的图计算题（1）一晶体管共射极基本放大电路，已知R B＝20k，R C＝2k，V CC＝12V，U BE＝，β=50，试确定静态工作点，并计算A u、R O、R i。
（2）分压式偏置放大电路如图2所示,已知电路中R b1＝，R b2＝，R C ＝2k ，R e ＝1K ，R L ＝2k ，且R S ＝0，V CC ＝12V ，U BE ＝，＝30。
求的A u 、R O 、R i图2 习题（2）中的图 图3 习题（3）中的图 （3）在如图3所示的射极输出器中，计算电路的静态工作点和输入电阻、输出电阻以及电压放大倍数。
已知R S ＝500，V CC ＝15V ，＝80，R B ＝150k ，R L ＝，R E ＝2k 。
习题3选择判断题（1）理想运算放大器的输入、输出电阻是（ ）A.输入电阻高，输出电阻低B.输入电阻低，输出电阻高C.输入电阻及输出电阻均低D.输入电阻及输出电阻均高（2）理想运放的开环放大倍数为（ ）。
A. ∞ B . 0 C. 不定（3）由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（ ）。
A. 反相放大器B. 差分放大器C. 电压比较器（4）理想运放的两个重要结论是（ ）。
A. 虚短与虚地B. 虚断与虚短C. 断路与短路（5）（ ）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A. 同相B. 反相C. 双端(6) 各种电压比较器的输出状态只有（ ）。
A. 一种B. 两种C. 三种判断下列说法的正确与错误：）（1）电压比较器的输出电压只有两种数值。
（ ）（2）“虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。
（ ）（3）“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。
（ ）（4）集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。
（ ）（5）集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。
（ ）（6）各种比较器的输出只有两种状态。
（ ） 计算题（1）在如图1所示的运算放大器电路中，Ω===k R R R 1021，u i1＝2V ，u i2＝－3V ，试求输出电压u o 的值。
（2）在图2中，R 1＝R 2＝R 3＝R 4＝10 k ，u i1＝10V ，u i2＝20V ，求输出电压u o 。
-+∇∞ou 1R 2R 3R 1i u 2i u R图1 习题（1）图 图2 习题（2）图-+∞R FR 1R 2R 3R 4u i u o图3 习题（3）图 图4 习题（4）题（3）证明如图3所示的运算放大器的电压放大倍数为：⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==431F1R R R R U U A i o uf （4）在如图4所示的电路中，求：求出当R 1＝10k ，R f ＝100k 时，u o 与u i 的运算关系。
（5）试设计一个运算放大器电路，满足y ＝5X 1―2X 2―X 3要求。
（6）试求如图5所示的集成运算放大器的输出电压。
-+∞Ωk 150Ωk 50Ωk 50Ωk 150ou +-2V 图5 习题（6）图习题4单项选择题（1） 三端稳压电源输出电压可调的是（ ）A. 78XX 系列B. 79XX 系列C. CW317(2) 稳压二极管构成的稳压电路，其接法是（ ）A．稳压管与负载电阻串联 B．稳压管与负载电阻并联C．限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联D．限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联(3) .电容滤波器的滤波原理是根据电路状态改变时，其( )A. 电容的数值不能跃变B. 通过电容的电流不能跃变C. 电容的端电压不能跃变D. 电容的容抗不能跃变填空题(1) 串联型直流稳压电路是由采样电路、基准电压、调整电路和四部分组成。
(2) 稳压管具有稳定电压的作用，在电子电路中，稳压管通常工作于状态。
(3) 直流稳压电路按电路结构可分为型和型直流稳压电路。
(4) 稳压电源要求和发生变化时，输出电压基本不变。
（5）稳压管电路如图1所示，已知Ui=23V，D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和9V，正向压降均为，则输出电压U O为（）RD Z1U i U OD Z2图1 题（5）中的图图题（5）中的图简答题（1）在串联型稳压电源中与在开关型稳压电源中调整管工作状态有什么不同？（2）当电源电压变化时，稳压电源的输出电阻大小对输出电压变化大小有什么影响？（3）电容滤波，对负载有什么要求？电容如何选择？分析题（1）分析如图2所示电路的错误，说明原因并改正。
（2）如果将图1电路中的D Z1、D Z2并联，分析能得到哪几种输出结果。
（3）分析L4960和L4962的相同之处与不同之处。
习题5简述8421BCD码与4位二进制数的主要区别。
将下列的二进制数转换成十进制数。
（1） l10l （2） 10110 （3） 11111 （4） 100000将下列的十进制数转换成二进制数。
（1）8 （2） 22 （3） 31 （4） 123完成下列的数制转换。
（1）（59）10＝（）2＝（）16（2）（11011）2＝（）16＝（）10（3）（963）10＝（）8421BCD（4）（1000 0101 0010）8421BCD＝（）10某逻辑函数的真值表如表所示，试写Y的表达式。
表（5）题的表用真值表验证下列等式。
（1）ABC＝A＋B＋C（2）ABC＝A B C求下列函数的对偶式。
Y1＝AB＋DY2＝A B＋B C用代数法证明下列逻辑等式。
（1） AB（A＋BC）＝AB（2）（A＋B＋C）（A＋B＋C）＝A＋B（用两次对偶方法）（3） A＋A CB+＝A＋B C（4）BA+＝AB＋A BAB用代数法化简下列逻辑表达式。
（1） Y1＝AB＋A B＋A B（2） Y2＝A＋B＋C＋A B C（3）Y3＝（A＋B）（A＋B）（4） Y4＝A B＋A C＋BC＋A C D逻辑函数卡诺图如图所示，将其化简为最简与或表达式。
图题（10）图5-11用卡诺图化简下列函数。
Y1＝A B C＋A B C＋A CY2＝ABC＋AB C＋A B C＋A BCF1（A、B、C、D）＝∑m（0、2、4、5、6、7、8、10）F2（A、B、C、D）＝∑m（0、1、4、5、6、8、9、10、11、12、13、14、15）习题6单项选择题（1）下列门电路属于双极型的是( )A. OC门B. PMOSC. NMOSD. CMOS(2) 七段显示译码器的输出Ya～Yg为0010010时可显示数( )。
A. 9 B 5 C. 2 D. 0(3) 将TTL与非门作非门使用，则多余输入端应做( )处理。
A．全部接高电平 B．部分接高电平，部分接地C．全部接地 D．部分接地，部分悬空(4) 下列电路中，不属于组合逻辑电路的是( )A．译码器 B．全加器 C．寄存器 D．编码器（5）下列各型号中属于优先编译码器是（）。
A．74LS85 B．74LS138 C．74LS148 D．74LS48填空题(1) 将TTL的与非门作非门使用，则多余输入端应做 ( )处理。
(2) TTL门的输入端悬空，逻辑上相当于接（）电平。
(3) 常用的七段数码显示器有 ( ) 和 ( ) 两种。
(4) 限定符号HPRI表示 ( )编码。
(5) 用来比较两个数字大小的逻辑电路称为 ( )。
简答题（1）不同系列的TTL门电路，在其开关特性和功耗方面有哪些主要差别？（2）CMOS门电路使用应注意哪些问题？（3）和一般门电路相比，OC门、三态门有哪些主要特点？（4）组合逻辑电路分析一般有哪些步骤?（5）优先编码器和二进制编码器、二—十进制编码器相比，有哪些区别？分析题（1）输入波形如图1所示，试画出下列输出波形。
图1 习题 (1)的图Y1＝BA Y2＝AB Y3＝A B＋A B（2）电路如图2所示，试分析其逻辑功能。
图2 题 (2) 的图（3）电路如图3所示，试写出其逻辑表达式，并分析逻辑功能。
图3 题 (3) 的图（4）集成电路的图形符号（逻辑符号）如图3所示，试通过解读图形符号来分析其逻辑功能。