PN结与二极管

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二极管的工作原理和参数

二极管的工作原理和参数

二极管的工作原理和参数一、工作原理二极管是由一片P型半导体和一片N型半导体构成的,它们通过PN结相连接。

在PN结的连接处,P型半导体的空穴和N型半导体的电子发生复合,形成一个带有正电荷的区域,称为耗尽区。

当在二极管的两端施加正向电压时,正电压将使PN结的耗尽区变窄,电子和空穴可以穿过PN结,电流得以通过,此时二极管处于导通状态;而当施加反向电压时,反向电压将使PN结的耗尽区变宽,阻止电子和空穴的穿越,电流无法通过,此时二极管处于截止状态。

二、主要参数1. 正向电压:当二极管处于导通状态时,施加在二极管两端的电压称为正向电压。

正向电压的大小决定了二极管导通时的电流大小。

2. 反向电压:当二极管处于截止状态时,施加在二极管两端的电压称为反向电压。

反向电压的大小决定了二极管截断时的电流大小。

3. 饱和电流:在正向电压作用下,当二极管导通时的电流称为饱和电流。

饱和电流的大小与二极管的材料和结构有关。

4. 截断电压:在反向电压作用下,当二极管截断时的电压称为截断电压。

截断电压的大小与二极管的材料和结构有关。

5. 正向压降:在正向电压作用下,二极管两端产生的电压降称为正向压降。

正向压降的大小与二极管的材料和结构有关。

三、应用由于二极管具有单向导电性质,所以在电子电路中有着广泛的应用。

以下是二极管在电子电路中的几个常见应用场景:1. 整流器:二极管的单向导电特性使其成为整流电路的关键元件。

通过将交流电信号输入到二极管的正向电压端,就可以实现将交流信号转换为直流信号的功能。

2. 信号检测器:二极管可以用作信号检测器,将输入的模拟信号转换为数字信号。

当输入的模拟信号超过二极管的正向压降时,二极管导通,输出数字信号为高电平;当输入的模拟信号低于二极管的正向压降时,二极管截止,输出数字信号为低电平。

3. 稳压器:二极管可以用作稳压器,通过将二极管连接在电路中,可以在一定程度上稳定电压。

例如,Zener二极管可以在反向击穿状态下,将超过其额定电压的电压转化为稳定的输出电压。

PN结与二极管性质

PN结与二极管性质

课题:PN结/二极管特性
科目:应用电子技术
教学对象:职业高中学生
课时:1个课时
一、教学内容分析
PN结与二极管性质是模拟电子技术中最最基础的内容。

模拟电子技术以三极管为主。

而三极管的本质就是PN结。

所以学好PN结与二极管他特性才能为以后的学习打好基础。

二、教学目标
知识与技能:理解PN结的基本原理与性质,理解二级管的工作原理与性质、熟练使用二极管
过程与方法:在初中的时候初步接触过发光二级管,发光二级管非常特殊的性质(例如:单项导电性)让人十分费解。

本次课程可以先着手对发光二级管进行研究,然后学习PN结的性质。

最后再引出其他类型的二极管(例如:稳压二极管)和二级管的其他性质。

三、学习者特征分析
学习者是从初中刚升到高中,从基础宽泛的课程升到专业紧凑的课程,可能有诸多不适应,一定要衔接好过渡过程,多引用初中简单易懂的内容。

四、教学策略选择与设计
本课程为基础原理内容,能练习的范围比较少,主要是以理解牢记为主。

可以不停的对内容的反复记忆加深同学的理解。

五、教学重点及难点
重点:PN结的基本性质与特点难点:PN结的基本性质与特点。

pn结工作原理

pn结工作原理

pn结工作原理
PN结是由P型半导体和N型半导体材料结合而成的一种二极
管结构。

其工作原理主要涉及了P型半导体的空穴(正电荷
载流子)和N型半导体的自由电子(负电荷载流子)之间的
扩散和漂移过程。

当PN结处于正向偏置时,P型半导体的空穴向结区域扩散,
而N型半导体的自由电子向结区域漂移。

扩散过程中,空穴
和自由电子发生复合消失,形成电荷中性的正负离子。

这样,在结区域的一侧积累了正离子,而在另一侧积累了负离子,形成了电场。

这个电场阻碍了进一步的电荷扩散,称为势垒。

势垒形成后,电流可以通过PN结,这就是二极管正向导通的原理。

当PN结处于反向偏置时,P型半导体的空穴向结区域扩散,
N型半导体的自由电子向结区域漂移。

扩散过程中,空穴和自由电子快速发生复合消失,形成电荷中性的正负离子。

由于没有形成有效的电场,电流几乎不能通过PN结,这就是二极管
反向截止的原理。

PN结的工作原理可用以下过程概括:
1. 正向偏置:空穴和自由电子在结区域发生复合消失,形成电场势垒,电流通过。

2. 反向偏置:快速复合消失形成电荷中性,电流几乎不能通过。

最后的原理可以用言简意赅的句子来总结:PN结的工作原理
是通过正向偏置形成势垒,阻碍电荷扩散,使电流通过;而反向偏置时,电荷快速复合消失,电流几乎不能通过。

2-1PN结及二极管

2-1PN结及二极管
半导体的电阻率为10-3~109 cm。典型的半 导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 特点:导电能力可控(受控于光、热、杂质等)
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2
2.1.1 半导体及PN结
1.本征半导体
(1)本征半导体的共价键结构 (2)空穴的移动 (3)电子空穴对
本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 99.9999999%,常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。
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17
② PN结反偏时 ——截止
外在加一的定反的向温电度压条有件一下部,分由降本落征在激P发N结决区定,的方少向子与浓 P度N结是内一电定场的方,向故相少同子,形加成强的了漂内移电电场流是。恒内定电的场,对基多子 扩本散上运与动所的加阻反碍向增电强压,的扩大散小电无流关大,大这减个小电。流此也时称P为N结 区反的向少饱子和在电内流电。场的作用下形成的漂移电流大于扩散 电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。
PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=势垒区=阻挡层
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两种载流子的运动 动态平衡时
PN结 总电流I=0
空间电荷区宽度稳定
两种运动:
扩散(浓度差)
两种电流:
扩散电流
漂移(电场力) 漂移电流
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(2) PN结的单向导电性
在PN结两端外加电压通常叫做偏置。
如果外加电压使PN结中: P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压 ,简称正偏;
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3
(1)本征半导体的共价键结构
硅(锗)的原子结构
简化模型
价电子 (束缚电子)
硅晶体的空间排列 共价键结构平面示意图

二极管pn结电容

二极管pn结电容

二极管pn结电容二极管是一种常见的电子元器件,它由PN结组成。

PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。

在PN结的空间区域,由于P型半导体和N型半导体之间的杂质浓度不同,形成了内建电场。

这个内建电场会导致PN结具有一些特殊的电性质,其中之一就是二极管的PN结电容。

PN结电容是指在二极管的PN结中存在的电容效应。

当二极管处于正向偏置状态时,PN结电容存在,而当二极管处于反向偏置状态时,PN结电容几乎可以忽略不计。

正向偏置是指将P型半导体端连接至正电压,而将N型半导体端连接至负电压的情况。

在这种情况下,由于P型半导体的空穴浓度较高,N型半导体的电子浓度较高,电子和空穴会向PN结区域扩散。

这样,PN结中的空间区域将被电子和空穴填满,电子和空穴会形成互相扩散的电流。

这个现象被称为正向偏置电流。

当二极管处于正向偏置状态时,PN结电容会起到一个重要的作用。

由于PN结的电场会阻碍电子和空穴的扩散,因此会形成一个电势垒。

这个电势垒会对电流的流动产生一定的阻碍,从而形成二极管的正向压降。

而PN结电容则会储存一部分电荷,这些电荷会随着电流的变化而发生变化,从而形成PN结电容。

反向偏置是指将P型半导体端连接至负电压,而将N型半导体端连接至正电压的情况。

在这种情况下,由于P型半导体的空穴浓度较高,N型半导体的电子浓度较高,空穴会向N型半导体端扩散,而电子会向P型半导体端扩散。

这样,PN结中的空间区域将被电子和空穴排斥,形成一个很宽的耗尽区。

在这个耗尽区中,由于电子和空穴没有互相扩散,因此几乎不会有电流流过。

这个现象被称为反向偏置。

当二极管处于反向偏置状态时,PN结电容几乎可以忽略不计。

由于PN结中没有电流流过,因此PN结电容不会储存电荷,也不会发生电荷的变化。

二极管的PN结电容是由于PN结中的内建电场而产生的。

当二极管处于正向偏置状态时,PN结电容会储存电荷,发生电荷的变化;而当二极管处于反向偏置状态时,PN结电容几乎可以忽略不计。

第2章_2_PN结

第2章_2_PN结

2.反向偏压作用 2.反向偏压作用
外加偏压几乎全落在空 间电荷区上. 间电荷区上.方向与空间 电荷区内建电场一致, 电荷区内建电场一致,使 空间电荷区变宽,相应 势垒高度也由qV 势垒高度也由qVD增至 q(VD+V)。 +V)。 由于电场增强,加强了 载流子的漂移运动,打 破了原先已达成的扩散 电流和漂移运动之间的 平衡。
2.3.4 pn结电容 pn结电容
PN结在交流条件下呈现出电容效应,限制了PN PN结在交流条件下呈现出电容效应,限制了PN 结的高频应用。
1. pn结势垒电容 pn结势垒电容
(1)pn结势垒电容定性分析 pn结势垒电容定性分析 随着外界电压的变化,出现了载流子电荷在势垒 区中的存入和取出,此现象相当于一个电容的充 放电。这种与势垒区相联系的电容称为势垒电容, 记为C 记为CT。势垒电容大小与结上所加直流偏压有关, 是一个可变电容。 dQ CT = dV
由于少子浓度很低,扩散长度为一定值, 所以当反偏时空间电荷区边界处少子梯度 较小,相应的反向电流也小。 当反向电压很大时,空间电荷区边界处少 子浓度趋于零后不再变化,该处少子浓度 梯度趋于常数,电流就基本保持不变。 所以PN结反偏时表现为电流较小,而且随 所以PN结反偏时表现为电流较小,而且随 外加电压的增加电流趋于饱和。
I = A(
qDnnp0 Ln
qDPP 0 kT n + )(e −1) = IS (ek pn结饱和电流 Np0和pn0分别为P区和N区平衡时的少子电子浓度和 分别为P区和N 少子空穴浓度。 Ln 和 Lp分别为电子和空穴的扩散长度。
Ln = Dnτ n
PN结在平衡状态下,在N型半导体中电子是多子, PN结在平衡状态下,在N 空穴是少子,在P 空穴是少子,在P型半导体中空穴是多子,电子 是少子 当形成PN结后,其交界面两侧的电子和空穴浓度 当形成PN结后,其交界面两侧的电子和空穴浓度 存在较大差异,这就导致P型区的空穴向N 存在较大差异,这就导致P型区的空穴向N型区扩 散,N型区的电子向P型区扩散。P 散,N型区的电子向P型区扩散。P区边界处因只 剩下失去了空穴的离化受主杂质而带负电,N 剩下失去了空穴的离化受主杂质而带负电,N区 边界处因只剩下失去了电子的离化施主杂质而带 正电,这些离化的杂质位于晶格之中不能运动, 它们就在P 它们就在P 结附近形成了一个带电区域,称为空 间电荷区。

pn结发光二极管(led)的原理

pn结发光二极管(led)的原理一、简介发光二极管(LED)是一种基于半导体工艺的元件,具有体积小、响应时间短、节能环保等优点,被广泛应用于各种电子设备中,如数码相机、手表、显示器、照明设备等。

PN结发光二极管是LED的一种,其基本原理是通过注入电流,激发半导体材料中的电子跃迁至高能级,当它们回到低能级时,释放出能量,以光的形式释放出来。

二、工作原理1.结构:PN结发光二极管主要由半导体材料制成。

通常,它包含一个P区(注入区)和一个N区(发射区),中间由一层薄薄的PN结连接。

在P区,电子被注入并被激发;在N区,这些被激发的电子可以通过释放能量形成光子而发光。

2.注入电流:PN结发光二极管需要注入一定量的电流来激发电子跃迁。

这个电流大小可以通过调整电路中的电阻和电压来控制。

一般来说,注入的电流越大,产生的光越强。

3.发光颜色:PN结发光二极管的颜色取决于其使用的半导体材料。

常见的有红、绿、蓝、白等颜色的LED。

不同的半导体材料可以产生不同波长的光,从而实现颜色的调节。

4.闪烁:PN结发光二极管通常不会出现闪烁现象。

但如果电流过大或电压不稳定,可能会导致闪烁。

因此,在应用LED时,需要注意电流和电压的稳定性。

三、优点与缺点优点:1.节能:LED的能耗低,与传统的白炽灯和荧光灯相比,可以节省大量的能源。

2.长寿命:LED的寿命长,通常在数万小时以上,比传统灯具的寿命要长得多。

3.环保:LED不含汞等有害物质,不会对环境造成污染。

4.快速响应:LED的响应时间短,可以在瞬间内改变亮度或颜色。

缺点:1.成本较高:LED的生产成本相对较高,因此在一些低端应用中,其价格仍然是一个问题。

2.视角较小:LED的视角相对较小,这可能会在一些需要大视角照明的地方有所限制。

四、应用领域PN结发光二极管(LED)广泛应用于各种领域,以下是一些常见的应用领域:1.数码显示:LED被广泛应用于数码产品如手机、平板电脑、电视等的显示屏中。

PN结二极管

4 、将两种载流子扩散电流密度相加,得到理想p-n结 电流电压方程。
8.1 pn结电流 理想电流电压关系
1、边界条件
边界条件的确定
p区内:
np
ni
exp
EFn EFi kT
pp
ni
exp
EFi EFp kT
np
xp
pp
xp
ni 2
exp
eVa kT
ni2 pp0np0 pp xp np0
2Vt
I p0 p0 In0 n0
Ip0为空穴扩散电流的直流成分 In0为电子扩散电流的直流成分
8.2 pn结的小信号模型
等效电路
电中性的p区与 n区内的阻值
扩散电阻
势垒电容
扩散电容
8.2 pn结的小信号模型
8.3产生复合电流
反偏产生电流JR
空间电荷区内:
8.3产生复合电流
正偏复合电流:
n区注入p区的电子和从p区注入n区的空穴 在势垒区内复合了一部分,形成复合电流。
8.3产生复合电流
总正偏电流
8.3产生复合电流
J小时复合主导 J大时扩散主导
一般状况下,二极管 的电流电压关系:
I
Is
exp
eVa nkT
1
n为理想因子。 正偏电压较大:n≈1 正偏电压较小:n≈2 过渡区内:1<n<2
8.4结击穿
齐纳击穿和雪崩击穿
8.4结击穿
电流倍增
Mn为倍增因子
8.4结击穿
低浓度雪崩,高浓度隧穿
8.6隧道二极管
8.6隧道二极管
EFn
EFp
EFn
EFp
EFn EFn EFn
EFp EFp EFp

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全
二极管是一种最常用的电子器件之一,它具有方便、可靠、低成本等优点,在电子领域被广泛应用。

常用的二极管型号和参数有很多,下面我将介绍一些常见的二极管型号及其参数。

1.PN结二极管:
型号:1N4148
参数:正向电压降:0.7V,反向最大电压:75V,最大连续电流:
300mA
2.快恢复二极管:
型号:1N4937
参数:正向电压降:1.2V,反向最大电压:600V,最大连续电流:1A 3.高速二极管:
型号:BAT54
参数:正向电压降:0.55V,反向最大电压:30V,最大连续电流:350mA
4.整流二极管:
型号:1N4007
参数:正向电压降:1V,反向最大电压:1000V,最大连续电流:1A 5.功率二极管:
型号:1N5408
参数:正向电压降:1.2V,反向最大电压:1000V,最大连续电流:3A 6.双向导通二极管:
型号:BAT54S
参数:正向电压降:0.55V,反向最大电压:30V,最大连续电流:650mA
7. Zenner二极管:
型号:1N4742A
参数:正向电压降:1.2V,反向最大电压:12V,最大电流:1W
8.稳压二极管:
型号:1N5231B
参数:正向电压降:0.7V,反向最大电压:4.7V,最大连续电流:0.5W
9.光电耦合二极管:
型号:PC817
参数:正向电压降:1.2V,反向最大电压:80V,最大连续电流:50mA 10.电容二极管:
型号:BB001
参数:正向电压降:1.2V,反向最大电压:6V,最大连续电流:50mA。

pn结光电二极管工作原理

pn结光电二极管工作原理一、介绍光电二极管是一种将光能转化为电能的器件,是半导体材料的一种应用。

其中,pn 结光电二极管是应用最为广泛的一种光电二极管。

该器件结构简单,性能可靠,因此在许多领域中都得到了广泛的应用。

本文将深入探讨pn结光电二极管的工作原理。

二、pn结的形成1. 半导体材料介绍光电二极管是由半导体材料制成的,而半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一种材料。

它的导电性介于金属和非金属之间,具有较高电阻率的特点。

常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等。

2. pn结的形成原理pn结是通过掺杂半导体材料形成的。

掺杂是在半导体材料中引入杂质,使其导电性发生变化的过程。

对于pn结,我们需要在一个半导体材料中掺入两种不同导电性质的杂质。

掺入五价元素(如磷)的区域称为n型区域,具有自由电子;掺入三价元素(如硼)的区域称为p型区域,具有空穴。

当n型和p型区域相互接触时,形成了pn结。

三、pn结的基本特性1. 内建电场pn结形成后,由于n型区域和p型区域的电荷分布不均匀,会形成内建电场。

内建电场的存在导致n型区域中的自由电子向p型区域运动,而p型区域中的空穴则向n型区域运动,最终形成一个电子亏损区和空穴亏损区。

能带图是描述半导体材料中电子能量分布的图表。

在pn结中,n型区域的导带和p 型区域的价带会有重叠,导带中的电子可以向价带中的空穴复合。

在内建电场作用下,电子会从n型区域向p型区域运动,而空穴则从p型区域向n型区域运动,从而减小了重叠的程度。

四、pn结光电二极管的工作原理1. 光的能量转换光线射到pn结的表面时,部分光子会穿过表面并进入光敏区域。

光子激发了光敏区域内的电子,使其跃迁到导带中,形成自由电子和空穴对。

在内建电场的作用下,自由电子会被推向n型区域,而空穴则被推向p型区域。

这导致了在pn结两侧产生了一个正负电荷的信号。

2. 电流的生成当光子入射光敏区域时,会导致pn结两端产生电势差。

这个电势差可以驱动自由电子在n型区域和空穴在p型区域中运动。

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0.2006
V(V)
I(mA)
0.1006
0.0506
0.0206
0.0106
3、Pn结正向压降随温度的变化
实验室起始温度:TS=℃
工作电流:IF=μA
起始温度时的正向压降VF=mv
△V/mv
T/℃
△V/mv
T/℃
六、数据处理:
1、用坐标纸或计算机分别作出晶体二极管的伏安特性曲线图[正向,反向];
3、坐标纸或计算机作出Pn结正向压降随温度变化的曲线图。
七、实验结论与讨论:
八:问答题
1、为什么测量反向伏安特性曲线要进行电流修正?
2、在上述实验中,为何要将电压表内接,若将电流表内接有何不便?已知电流表内阻约为98 。
3、在正向特性曲线中,为何要将电压表的最后二位调为零?能否将反向特性曲线实验中的电压表最后一位读数都调为零?(结合实验数据回答)
指导教师批阅意见:
成绩评定:
预习(20)
操作及记录(40)
报告(40)
总分
数据处理20
结果与讨论10
回答问题10
指导教师签字:
年月日
备注:
注:1、报告内的项目或内容设置,可根据实际情况加以调整和补充。
2、教师批改学生实验报告时间应在学生提交实验报告时间后10日内。
已知电流表内阻约为983在正向特性曲线中为何要将电压表的最后二位调为零
得分
教师签名
批改日期
深圳大学实验报告
课程名称:大学物理实验B(1)
实验项目名称:Pn结与二极管
学院:
专业:
组号:指导教师:
报告人:学号:班级:
实验时间:
实验报告提交时间:
教务处制
实验目的
实验原理:
三、实验仪器:
四、实验内容和步骤:.
1、测定正向特性曲线
2、测定反向特性曲线
3、测绘Pn结正向压降随温度变化的曲线。
五、数据记录:
1、二极管的正向特性
V(V)
I(mA)
1.9999
V(V)
I(mA)
2、二极管的反向特性
V(6
1.6006
1.4006
1.2006
1.0006
0.8006
0.6006
0.4006
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