模拟电子技术期末复习填空题[1]1

模拟电子技术课程期末复习填空题200例 用于2010级电子信息科学与技术专业 袁放成编 1 模拟电子技术课程期末复习填空题 1、BJT三极管内部有 2 个PN结，JFET三极管内部有 2 个PN结,MOS场效应管共有 4 种类型。 2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导gm将 增大 。 3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 弱 。电子型半导体称为 N 型半导体。 4、二极管最主要的特性是 单向导电性 。温度升高时，二极管的反向饱和电流 不变 。 5、PN结加正向电压，空间电荷区将 变窄 ；PN结加反向电压，空间电荷区将 变宽 。

6、稳压管通常工作在 反向击穿 区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压 不变 。 7、BJT三极管是 电流 控制器件，除共射连接外还有 共集 和 共基 连接方式。场效应管是 电压 控制器件。 8、P型半导体是在本征半导体中掺入了 受主 原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是 自由电子 。 9、杂质半导体的导电性能决定于 杂质的浓度 。 10、PN结反偏电压越大其势垒电容越 小 。 11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 价元素的原子，其多数载流子是 。 12、二极管的伏安特性方程为 。 13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结 偏，集电结 偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是 。 14、P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素的原子，其多数载流子是 。 15、二极管正向导通时的交流电阻较小，其交流电阻可由公式rd≈ 计算；二极管的整流作用是利用了PN结的 特性。 16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结 偏，集电结 偏。 17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流ICEO变化的趋势是 。 18、N型半导体是在本征半导体中掺入了 原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是 。 19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在 电容。 20、一般二极管 作稳压二极管使用；稳压二极管 作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。 21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是 电流，集电结电流是 电流（填“正向”或“反向”）。 22、按结构不同场效应管分为 型和 型两大类。 23、温度升高时，杂质半导体中的 （填“少子”或“多子”）浓度明显增加。 24、二极管在温度升高时，正向特性曲线 移；反向特性曲线 移。 25、稳压管是利用了二极管的 特性制成的。 26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，UGS=0V时能够工作在恒流区的FET 是 和 。 27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为 型三极管(填“PNP”或“NPN”)。 28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太 时，易产生饱 和失真，输出电压波形被削去 ；饱和失真时集电结 偏。 模拟电子技术课程期末复习填空题200例 用于2010级电子信息科学与技术专业 袁放成编 2 29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流IDSS= mA，夹断电 UGS(off)= V。

图1 30、图2所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。

图2 31、在NPN型单管共射放大电路中，当信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图3所示，则该电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。

图3 32、图4所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。

图4

33、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图5所示，说明电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。 模拟电子技术课程期末复习填空题200例 用于2010级电子信息科学与技术专业 袁放成编 3

图5

34、图6所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。

图6 35、在PNP型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7所示，说明电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。

图7

36、在图8所示的电路中，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，输入

电压UI =12V，电阻R=100，在稳定条件下IL的数值最大不应超过 mA 。

图8

37、两个电流放大系数分别为1和2的晶体管复合，其复合管的值约为 。 38、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路频带较宽（填 “共射”、或“共基”或“共集”）。 39、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路功率放大较强（填“共射”、或“共基”或“共集”）。 40、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路带负载能力较强（填“共射”、或“共基”或“共集”）。 41、在BJT多级放大电路中，已知第一级电压放大倍数为10，第二级电压放大倍数为（-10），第三级电压放大倍数为1，总的电压放大倍数为 ，第一级是 组态放大电路，第二级是 组态放大电路，第三级是 组态放大电路。 42、若三级放大电路中第一、第二及第三级的增益分别为30dB，20dB，10dB,则其总电压增益为 dB。 43、复合晶体管还称为 管，其主要作用是 。 44、若差分放大电路反相输入端和同相输入端的输入信号分别是uI1=20mV,uI2=30mV,则该 模拟电子技术课程期末复习填空题200例 用于2010级电子信息科学与技术专业 袁放成编 4 差分放大电路的共模输入电压uIC= mV,差模电压uId= mV。 45、在差分放大电路中，发射极耦合电阻Re对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差分放大器的共模抑制比KCMR＝ 。 46、产生零点漂移的主要原因 ，在电路结构上采用 放大器能够有效抑制零点漂移。 47、差分放大电路的主要功能是对差模信号 ，对共模信号 。 48、集成运放通常将 电路放置于输出级，其主要原因是 。 49、集成运放通常将 电路放置于输入级，其主要原因是 。 50、作低频放大器，应优先使用 集成运放；作内阻为100kΩ信号源的放大器，应优先使用 集成运放；作宇航仪器中所用放大器，应优先使用 集成运放（填:高压型、大功率型、高精度型、通用型、高速型、低功耗型、高阻型）。 51、恒流源电路在集成运放中除了为各级放大电路提供静态电流外，还可作为共射电路或共基电路的 负载以提高 。 52、当放大电路的输入信号频率等于截止频率时，放大电路的电压放大倍数的大小约下降到中频时的 ，即增益下降 dB 。 53、场效管的高频特性比晶体管的高频特性要 （填“好”或“差”）。 54、放大电路在提高放大倍数的同时，其频带宽度将变 。 55、晶体管极间电容越 ，则其高频特性越好。 56、影响放大电路低频特性的电容是 电容；影响放大电路高频特性的电容是 电容。 57、BJT三极管的特征频率fT越大，说明其高频特性越 ；fT与电流放大倍数的上限频率f的关系近似为 。 58、已知某放大电路如图9所示，电路中D1和D2管的作用是消除 。

图9

59、功率放大电路的两个主要性能参数是 和 。 60、功率放大电路的转换效率是指 。 61、如图10所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态功耗为 ；电路的最大输出功率约为 。 模拟电子技术课程期末复习填空题200例 用于2010级电子信息科学与技术专业 袁放成编

5 图10 62、互补功率放大器，设置静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现 的不良现象。 63、在多级耦合放大电路中阻容耦合具有 优点。 64、在多级耦合放大电路中变压器耦合具有 优点。 65、在多级耦合放大电路中光电耦合具有 优点。 66、理想运算放大器的差模输入电阻等于_ _，开环增益等于______。 67、同相比例运放电路中引入了 负反馈网络。 68、电压比较器以阈值来分类有 电压比较器和 电压比较器。 69、放大电路中引入 负反馈，可以实现电压—电流转换。 70、放大电路中引入 负反馈，可以实现电流—电压转换。 71、电压比较器电压传输特性的三要素是 ； ； 。 72、反相比例运放电路，引入了 负反馈网络。

73、设一阶有源滤波电路的电压传递系数为)20001/(20)fjfAu（，则此滤波器为 滤波器，其通带放大倍数为 ，截止频率为 Hz。 74、在信号处理电路中，当有用信号频率低于100Hz时，可选用 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。 75、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ= 、静态时的电源功耗PDC= 。 这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 。 76、当集成运放工作于线性状态时可用 和 两个特点来分析运放电路，而工作于非线性状态只能运用 这个特点来分析电路。 77、负反馈对放大电路的主要影响 、 、 、 。

78、按滤波电路的元器件分类滤波器可分 滤波器和 滤波器；按滤 波电路中有无放大电路分 滤波器和 滤波器。 79、交流电流并联负反馈放大电路，可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻；交流电压串联负反馈放大电路可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻。

80、直流电源的主要技术指标稳压系数定义rS为 。 81、PWM开关电源是指 开关电源。 82、集成芯片LM7805是 电路。 83、集成芯片LM7812是 电路。 84、直流电源的主要技术指标电压调整率定义为 。 85、开关电源中DC-DC电路是 电路。 86、集成电路LM317是 电路。