第六章晶体

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2023年高考化学总复习第一部分考点指导第六章物质结构与性质 第4讲晶体结构与性质

2023年高考化学总复习第一部分考点指导第六章物质结构与性质 第4讲晶体结构与性质

- 1 - 第4讲 晶体结构与性质 课标要求 1.能说出晶体与非晶体的区别;能结合实例描述晶体中微粒排列的周期性规律;能借助分子晶体、共价晶体、离子晶体、金属晶体等模型说明晶体中的微粒及微粒间的相互作用。 2.能说明原子光谱、分子光谱、X射线衍射等实验手段在物质结构研究中的作用。 3.能举例说明物质在原子、分子、超分子、聚集态等不同尺度上的结构特点对物质性质的影响;能举例说明结构研究对于发现、制备新物质的作用。 素养目标 1.证据推理与模型认知:能举例说明对物质结构的认识是不断发展的,并能解释原因。 2.宏观辨识与微观探析:能从原子结构、分子、晶体层面推测晶体的结构特点,认识结构与性质之间的关系。 3.科学态度与社会责任:能从微粒的空间排布及相互作用的角度分析物质结构,并能举例说明配合物在生物、化学等领域的广泛应用,氢键对于生命的重大意义。 - 2 -

考点 考题 考点一:物质的聚集状态与晶体常识 2021山东等级考16题 2021全国甲卷35题 2021河北选择考17题

考点二:几种简单的晶体结构 2021全国甲卷35题 2021全国乙卷35题 2021山东等级考16题 2021山东等级考9题 2021湖南选择考18题 考点三:过渡晶体与混合型晶体 液晶 纳米材料 2019全国卷Ⅲ35题

考点四:配合物与超分子 2021全国乙卷35题 2020山东等级考17题 2020江苏高考21题

分析近五年全国卷试题,高考命题在本讲有以下规律: 1.从考查题型和内容上看,高考命题以非选择题呈现,考查内容主要有以下两个方面: (1)晶体类型的判断,晶体熔沸点大小的判断。 (2)晶体的密度、晶胞参数、核间距计算、晶体中原子的空间位置判断。 2.从命题思路上看,侧重以陌生物质的晶胞结构为情境载体考查晶体的密度、晶胞参数计算、晶体中原子的空间位置判断等。 3.从考查学科素养的角度看,注重考查宏观辨识与微观辨析、证据推理与模型认知、科学态度与社会责任的学科素养。

南京大学-晶体生长课件-Chapter 6-晶体生长理论

南京大学-晶体生长课件-Chapter 6-晶体生长理论
第六章 晶体生长理论模型
§6.1. 晶体生长理论简介
1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno) 发表了《论固体中自然含有的固体》,自此以来,开始了 晶体生长理论探索的篇章。经过各国科学家的精心研究,晶体生长理论已经有了长足的发展, 出现了各种各样的不同理论及模型。如晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论和负离子 配位多面体生长基元模型4个阶段,目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现代晶体 生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响,使人们越来越接近于揭开晶体生长的神 秘面纱。
从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型,晶体生长理论在不断地发展并趋 于完善,主要体现在以下几个方面:从宏观到微观,从经验统计分析到定性预测,从考虑晶体 相到考虑环境相,从考虑单一的晶体相到考虑晶体相和环境相。晶体生长的定量化,并综合考 虑晶体和环境相,以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向。
(1)布拉维法则:法国晶体学家A.Bravais于1850年利用群论推导出具有一定对称性的空间点阵 只有14种,分属于7大晶系;1866年,Bravais又论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系, 提出实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维法则阐明了晶 面发育的基本规,但是它只能预测同种晶体的一种形态, 即晶体的理想生长形态, 无法解释同种晶体 在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。布拉维法法则只给出了晶体内部结构与生长 形态之间的关系, 完全忽略了生长条件对生长形态的作用。
该定律给出了晶体生长形态具体求解方法虽然, 运动学理论能够通过定量计算给出晶体的生 长形态但有一个重要的假设, 即某一生长系统中驱动力场是均匀的这实质上忽视了环境相和生长 条件对晶体生长形态的作用另一方面, 应用运动学定律, 通过计算得出晶体的生长形态, 必须首先 得到法向生长速率与晶面取向的关系, 这实际上是十分困难的从而大大限制了理论的实际应用利 用该定律能够定量计算出晶体的生长形态。

第六章一些复杂的晶体结构演示文稿

第六章一些复杂的晶体结构演示文稿
如在族状构造中的减金属离子除充填在空洞作 用外,还具有连接骨架的作用。这使得这些碱金属 离子也不同于仅仅具有充填空隙的碱金属离子。
第三十页,共85页。
6.2 矿物中的多型性
6.2.1 定义
氧化物成分相同的物质,能够形成若干种 迭置方式不同的层状构造晶体的现象。
1)多型体间的对称性存在差异
2)各个变体在平行于层内的方向上, 晶胞参数全部相等或有一定的对应关系
B2S-2H 结构中的反相畴界
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6.7 晶体结构的密堆积的定义
6.7.1 定义
由无方向性的金属键、离子键和范德华力等结 合的晶体中,原子、离子或分子等微观粒子总是趋 向于相互配位数高,能充分利用空间的堆积密度最 大的那些结构。
密堆积方式因充分利用了空间,而使体系的 势能尽可能降低,而结构稳定。
双式八面体带
各带以共顶方式连成网格
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各层以共顶方式连成网格
第二十页,共85页。
3、八面体族构造:
八面体族以共顶方式连接成层,碱金属离子占 领层间的配位位置,把各层连接起来。这种方式的 排列能形成较大的空洞。
六单位的红色 K0.33MoO3
第二十一页,共85页。
六单位的 Cs0.33MoO3
有公度的调制
调制波的尺寸与基本周期结构的周期是可以公度 的,也就是说它们是可以公约的,这就成为一个长周期 结构,称为有公度调制或称超结构
第五十四页,共85页。
第五十五页,共85页。
无公度调制结构
调制结构的周期与基本结构的周期之比为一无理数, 不可公约的,这种结构就是无公度调制结构。
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必须把球放在第二层的空隙上。这样,仅有半数 的三角形空隙放进了球,而另一半空隙上方是第

无机化学第六章分子结构与晶体结构

无机化学第六章分子结构与晶体结构

无机化学第六章分子结构与晶体结构无机化学是研究无机物质的组成、性质及其制备和应用的学科。

其中,分子结构与晶体结构是无机化学中非常重要的内容。

分子结构研究了无机物质中分子的组成、构型和性质,而晶体结构则研究了无机物质中晶体的组成和结构。

在无机化学中,分子结构是一个非常重要的概念。

无机物质中的分子可以是原子之间通过共价键结合而形成的,也可以是离子之间通过电磁相互作用力结合而形成的。

通过研究分子结构,可以了解无机物质中分子的形状、大小和化学性质等。

分子的几何结构对于无机化学反应的速度和机理具有重要的影响。

例如,一些反应物的分子结构决定了它们之间是否可以发生化学反应,以及反应的速率和产物的结构等。

在分子结构的研究中,常用的工具是谱学技术,如红外光谱、紫外-可见光谱和核磁共振谱等。

通过这些技术,可以探测到分子中不同的化学键和官能团,从而确定分子的组成和结构。

例如,红外光谱可以用来确定一个化合物中是否含有特定化学键,紫外-可见光谱可以用来测定分子中存在的共轭体系,核磁共振谱可以用来确定分子中的原子类型和它们之间的关系等。

另一方面,晶体结构是无机化学研究中另一个重要的概念。

晶体是由无机物质中的原子或分子通过空间周期性排列而形成的有序固体。

每个晶体都具有特定的晶体结构,它由不同的结构单元(如晶胞、晶体结构的点阵和对称元素等)组成。

通过研究晶体结构,可以了解晶体中原子或分子的排列方式和相互作用力,从而揭示晶体的物理性质和化学性质。

晶体结构的研究常用的工具是X射线衍射技术。

通过将X射线束照射到晶体上,晶体会对X射线进行衍射,形成衍射图样。

通过解析衍射图样,可以获得晶体中的结构信息,如晶胞参数、晶体中原子或分子的位置和结合方式等。

通过对不同晶体的比较,还可以了解晶体中的关键结构要素和构建规律。

分子结构和晶体结构是无机化学研究中重要的内容,它们互相关联并相互作用。

通过研究分子结构,可以预测分子的性质和反应行为,为无机化学反应的控制和优化提供理论依据。

上海交通大学_材料科学基础第六章

上海交通大学_材料科学基础第六章
• 可解释纯金属与二元合金结晶时的差别
纯金属结晶,液-固共存,f =0,说明结晶为恒温。 二元系金属结晶两相平衡,f =2-2+1=1,说明有一个可变因素(T),表明 它在一定(T)范围内结晶。 二元系三相平衡,f =2-3+1=0,此时温度恒定,成分不变,各因素恒定。
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相率的应用
• 相律是检验、分析和使用相图的重要工具。利用它可以分 析和确定系统中可能存在的相数,检验和研究相图。
6.1.1 相平衡条件和相律
• 相平衡的条件:通过一些数学推导和系统平衡条件dG=0可 得:处于平衡状态下的多相(P个相)体系中,每个组元(共 有C个组元)在各相中的化学势(chemical potential)都彼此 相等。
• 相平衡(phase equilibrium)是一种动态平衡。
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第六章 单组元相图 及纯晶体的凝固
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本章要求掌握的内容
• 应掌握的内容:
– 纯金属凝固的过程和现象 – 结晶的热力学、动力学、能量、和结构条件 – 过冷度对结晶过程和结晶组织的影响;过冷度、临界过冷度、有效过
冷度、动态过冷度之间的区别。 – 几个重要概念:过冷度,临界晶核半径,临界形核功,形核率,均匀
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6.2.2 晶体凝固的热力学条件
自由能
G H TS
dG Vdp SdT
在等压时,dp=0, 所以可推导得:
dG S dT
由于熵S恒为正值,所以自由能是随温度增高而减小。
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在一定温度下,从一相转变为另一相的自由能变化为
G H TS
令液相转变为固相后的单位体积自由能变化为 GV ,则

第六章 金属晶体的结构

第六章 金属晶体的结构

立 方 F
二、 α-Fe型(A2)晶体 Fe原子按A2堆积(体心立方堆积)
每个原子的配位数为8 1套等同点 结构基元:Fe 空间点阵型式:立方I 每个晶胞中有2个Fe原子, 其坐标分别为: (0,0,0) (1/2,1/2,1/2)
晶 胞

立 方 I
三、 Mg型(A3)晶体
Mg原子按A3堆积(六方最密堆积) 每个原子的配位数12 2套等同点 结构基元:2个Mg 空间点阵型式:六方P 每个晶胞中有2个Mg原子, 其坐标分别为: (0,0,0), (1/3,2/3,1/2) 或 (0,0,0),(2/3,1/3,1/2)
2 layers
3 layers
把第三层 放在与第 一层一样 的位置 ABA Hexagonal close-packing (HCP)
把第三层 放在堵住 头二层漏 光的三角 形空隙上 ABC Cubic close-packing (CCP)
(1)ABCABC……, 即 每三层重复一次, 这种结构 称为A1 (或A1)型, 从中可以 取出立方面心晶胞;
(2)ABABAB……, 即每 两层重复一次, 称为A3 (或A3) 型, 从中可取出六方晶胞。
这两种最密堆积是金属单质晶体的典型结构.
A3堆积:ABAB……
A3最密堆积形成的六方晶胞
A3最密堆积形成后, 从中可以划分 出什么晶胞?
六方晶胞.
每个晶胞含2个原子(即8×1/8+1), 组成一个结构基元. 抽象成六方简单格子. 六方晶胞的c轴垂直于密置层:
6.2.3 非最密堆积结构
非最密堆积方式中最重要的是立方体心堆积A2 , 还有A4和少数的A6、A7、A10、A11、A12等.
A2 立方体心密堆积

7第六章晶体讲义的典型结构类型

离子坐标: Cl- 000
Cs+ 1/2 1/2 1/2
类似的晶体:CsBr,CsI, NH4Cl等
Cl-离子 Cs+离子
氯化铯晶体结构
闪锌矿型结构
化 学 式:β-ZnS
返回目录
晶体结构 空间格子
立方晶系,a=0.540nm;Z=4,3Li44L36P
立方面心格子,S2-离子呈立方最紧密堆积,位于 立方面心的结点位置,Zn2+离子交错地分布于
石墨与金刚石属同质多像变体。
• 可制作高温坩锅,发热体和电 极,机械工业上可做润滑剂等, 是多用途的材料。
• 同结构晶体:人工合成的六 方氮化硼(HBN)等 。
AX型晶体
NaCI型结构
矿物名称:石盐。
返回目录
化学式为:NaCI
CI- Na+
NaCl晶体的结构
氯化钠晶体结构
如何算出的?
结构描述:
7第六章晶体的典型 结构类型
第六章
矿物晶体典型结构类型
目录
• 第一节 结构的表征 • 第二节 结构类型 • 金刚石、石墨、石盐、氯化铯、
萤石、闪锌矿、刚玉、石英
• 1、结构的表征
返回目录

与晶体结构有关的因素有: 晶体化学组成,
晶体中质点的相对大小,极化性能。

并非所有化学组成不同的晶体,都有不同
结构表现:C原子组成层状排列, 层内C原子成六方环状排列,每 个碳原子与三个相邻的碳原子 之间的距离为0.142nm,层与层 之间的距离为0.335nm。
石墨晶体结构
键型:层内为共价键,层间为分子键, 还有自由电子存在-金属键。
性质:碳原子有一个电子可以在层内移 动,平行于层的方向具有良好的导电性 。石墨的硬度低,熔点高,导电性好。

第六章 偏振-晶体中的光传播


1. 光轴平行于晶体表面,自然光垂直入射
光轴
· ·
e
· ·
晶体
·e · o o · ·
( o, e 光在方向上虽 没分开,但速度不 同。)
2. 光轴平行于晶体表面,且垂直于入射面, 自然光斜入射 ·
sin i c no sin ro o
sin i c ne sin re e
oΔ t e Δ t
E — 电场强度,B — 克尔常数
克尔效应引起的相位差为:
k
2

ne no l 2 l
BV
2
d2
k 时,
( d 是两极板间距,V是电压 )
克尔盒相当于半波片, P2 透光最强 。 18
例如,硝基苯 B 1.44 10 m2/V2, 若 l = 3 cm, d =V 2cm, 4 λ= 600 nm 的黄光,则产生 k= 的电 0.8 10 压 V。 克尔盒的应用 : 高速光开关,电光调制器,„ 克尔盒的缺点 : „ 2. 泡克尔斯 (Pockels)效应 无对称中心的晶 体,20个晶类(都 是压电晶体) (纵向的,横向的)

3 no rV
——
线性电光效应
20
§4 一.
旋光 一些物质的旋光现象
使线偏振光的振动面发生旋转 ( 左旋 ,右 旋 ) 旋转的角度: = d 旋光物质
d 例如:石英,对钠光,=21.7º /mm
— 旋光率
松节油,-3.7/cm
胆zan相液晶,很大的旋光率,~ 4 104 /mm
四. 光弹性效应 ( 应力双折射效 F 应 ) S
· ·
有机玻璃
d F

P1

第六章晶体生长

3 2 Gc 162 cv / 3gV
(6.11)
由此可得到
Gc f ( ) Gc
(6.12)
Gc , 流体介质与基底平面完全不 当 θ =180° ,cosθ =-1 时 ,f(θ )=1, Gc
浸润 , 基底对成核不起任何催化作用。
0 , 介质与基底是完全浸润 , 即在基底 当θ =0°,cosθ =1 时 ,f(θ )=0, Gc
第 六 章
晶 体 生 各种功能晶体的生产、薄膜及纳米材料的制 备、各种地质体的成矿作用以及生命体系等等都与晶体生长相关。晶体生长最早是一 门工艺。直到 1878 年吉布斯提出的 " 论复相物质的平衡 ", 晶体生长才从实验走 向理论研究。但由于晶体生长过程是非平衡过程 , 理论发展得比较慢。最早的工作 是以晶体形态和晶面花纹与晶体结构的关系来间接推测生长过程和微观机理 , 如布 拉维法则 (BravsLaw) 、 完 整 光 滑 界 面 的 二 维 成 核 生 长 模 型 ( 又称
忽略了其他方面的作用 , 例如 , 所形成的晶芽可以自由地在母相中平动和转动 , 结果会减少晶芽的形成能 , 等等。 2.1.2 非均匀成核 在相界表面上 , 诸如在外来质点、容器壁以及原有晶体表面上形成晶核 , 称为 非均匀成核。在非均匀成核的体系中 , 其空间各点成核的概率自然地也就不同了。 在自然界里 , 如雨雪、冰雹等的形成都是属于非均匀成核。在钢铁工业中铸镜、机 械工业中的铸件 , 制盐、制糖工业结晶等也都是属于非均匀成核。在单晶生长、特 别是薄膜外延生长等方面 , 一般也都是非均匀成核。 下面讨论在基底表面上成核情况。在基底表面上成核概率比在体系中的自由空间 的成核概率来得大 , 基底表面对成核起到了催化作用。在基底表面上成核 , 常把基 底作为一平面 , 并将晶核形状作为球冠状 , 它的表面与基底表面形成浸润角θ , 如图 6.2 所示。

南开考研光学专业习题与解答第六章

第六章 晶体的光学性质例题 6.1一束钠黄光以50o入射角入射到方解石平板上,设光轴与板表面平行并垂直入射面,问在晶体中o 光和e 光间的夹角是多少?解 光进入晶体后发生双折射.对于o 光,n o =1.658,折射角为1i ,由折射定律10sin 658.150sin i =解得015.27=i .对于e 光,n e =1.486,折射角为2i ,同理求得001231)486.150sin (sin ==-i . 因此晶体中o 光和e 光的夹角为05.35.2731=-.6.2 线偏振光垂直射入一块方解石晶体,光的振动方向与晶体的主平面成20o角,计算两束折射光(e 光和o 光)的相对振幅和强度.解 线偏振光进入晶体后分解为振动面垂直与主平面的o 光和振动面平行于主平面的e 光,这两光的振幅分别为A A A o 34.020sin 0==,A A A e 94.020cos 0==.二者之比为36.0=eoA A . 两光的强度之比为)(13.020)()(0222θθθe o e o e e o o e o n n tg n n A n A n I I ===. 式中θ为e 光法线速度与光轴的夹角,e 光的折射率与其传播方向有关.题中未给计算题6.1解图 AAo Ae计算题6.2解图定e 光的传播方向,其折射率未知.当光轴与晶体表面平行时,有15.013.0486.1658.12020)(0202=⨯===tg n n tg n n I I e o e o e o θ. 6.3两完全相同的方解石晶体A 、B 前后排列(如计算题6.3图),强度为I 的自然光垂直于晶体A 的表面并通过这一系统, A 、B 主截面之间夹角为θ,(图中θ=0),求θ = 00,450,900,1800时,由B出射的光线的数目和每个的强度(忽略反射、吸收等损失).解 入射自然光强度为I ,进入晶体A后发生双折射,从晶体A 分解出的两束光的强度分别为I I o 21=,I I e 21=. 这两束光进入晶体B 后又各自被分解为o 光和e 光,自晶体B 出射的四束光强度与两块晶体主截面之间夹角θ有关,一般情况下,这四束光的强度分别为 θθ22cos 21cos I I I o oo ==,θθ22sin 21sin I I I o oe ==,θθ22sin 21sin I I I e eo ==,θθ22cos 21cos I I I e ee==.两晶体主截面夹角θ不同,出射的四束光强度也不同.当00=θ时,是计算题6.3解图(a )所示的情况,两束强度都为I/2. 当045=θ时,分解出的四束光强度相等,都等于I/4.当090=θ时,A晶体中的o 光在B晶体中完全是e 分量,A晶体中的e 光在B晶体中完全是o 分量,因此A中的两束光在B中不再分解,B 后仍为两束光,每束的强度为I/2.当0180=θ时,有,21I I I ee oo ==计算题6.3图0==eo oe I I .这时第一块晶体中分解出的o 光和e 光,进入第二块晶体中不再分解,仍然为第二块晶体中的o 光和e 光.但是,由于两块晶体的光轴对称于表面的法线(如解图d ),e 光在两块晶体中偏折方向相反,故出射后两束光的传播方向重合,两束合并为一束,强度为I .6.4两个理想、正交的偏振片A 、B 之间加入一理想的偏振片C ,且C 以角速度ω旋转,强度为I 0的单色自然光垂直入射到偏振片A 上,试求偏振片B 后的出射光强. 解 强度为0I 的自然光,经过理想偏振片A后,变为强度为2/0I 的线偏振光,题中给出偏振片C透振方向与A透振方的夹角为ωt ,与B透振方向的夹角为(π/2-ωt )(见计算题6.4解图).由马吕斯定律,B后线偏振光的强度为)2/(cos cos 220t t I I ωπω-=).2(sin 41sin cos 20220t I tt I ωωω==出射光强与偏振片C透振方向的方位有关.当23,,2,0πππω=t 时,出射光强为零;当47,45,43,4ππππω=t 时,出射光强最大,为041I .(b )θ=1800(a )θ=00计算题6.3解图BA CB(a )计算题6.4解图6.5两尼可耳棱镜的透振方向夹角为60o,在两尼科耳棱镜之间加入一四分之一波片,波片的光轴 方向与两尼科耳棱镜600夹角的平分线平行,强度为I 0的单色自然光沿轴向通过这一系统.(1) 指出光透过λ/4波片后的偏振态;(2) 求透过第二个尼可耳棱镜的光强度和偏振性质(忽略反射和介质的吸收). 解 (1)两尼可耳棱镜N1、N2的透振方向和波片光轴的相对方位表示在计算题6.5解图中.自然光经过尼可耳棱镜,成为线偏振光,强度为I 0/2.线偏振光的振动方向与光轴夹角为300,进入晶体后分解为o 光和e 光,由于λ/4波片C使o 光和e 光产生π/2的相位差,所以过C后成为椭圆偏振光.(2)尼可耳棱镜N2前是椭圆偏振光,它是由振幅分别为Ae 和Ao 、相位差为π/2的两线偏振光合成,由计算题6.5解图可得 030sin A A o =,030cos A A e =.o A 和e A 在N2的透振方向上投影,产生干涉.两相干线偏振光的振幅分别为00260cos 30sin A A o =, 00230cos 30cos A A e =.由于投影引起π的附加相位差,故两相干光的相位差为(π+π/2).过N2后的相干光强为.16585)30cos ()60cos 30sin ()2/cos(2022022002222222222I A A A A A A A A A I e o e o e o ==+=+=+++=ππ 出射光为线偏振光.6.6 在两正交尼可耳棱镜之间插入一方解石λ/4波片,晶轴与尼可耳棱镜的透振方向成35o角。

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141 第六章 自由电子论和电子的输运性质 习题

1. 一金属体积为V,电子总数为N,以自由电子气模型 (1)在绝热条件下导出电子气的压强为

.320VUP

其中 .5300FNEU (2)证明电子气体的体积弹性模量 .910350VUPK 【解 答】 (1)在绝热近似条件下,外场力对电子气作的功W等于系统内能的增加dU,即 ,PdVWdU 式中P是电子气的压强.由上式可得

.VUP 在常温条件下,忽略掉温度对内能的影响,则由《固体物理教程》(6.5)式得

.325353322200VNmNNEUUF 由此得到 VUP0.323232530353222VUVNmN

(2)由《固体物理教程》(2.11)式可知,体积弹性模量K与压强P和体积V的关系为 .VKVP 将 VP.910353232530383222VUVNmN 代入体积弹性模量K与压强P和体积V的关系式,得到 .9100VUK 2.二维电子气的能态密度 ,2mEN 证明费米能 ],1ln[2TmknBFBeTkE 其中n为单位面积的电子数. 【解 答】 由已知条件可得单位面积金属的电子总数

.1020TkEEBFedEmdEEfENn 142

作变量变换 ,TkEExBF 则有 TkExxBTkExBBFBFedxeTmkedxTmkn1122

,1ln1ln22TkEBTkExBBFBFeTmkeTmk 即 TkEBFe1=TmknBe2. 由上式解得

1ln2TmknBFBeTkE 3.金属膨胀时,价带顶能级 发生移动 VVEEC1 证明

.321FEE 【解 答】 解法一: 金属中自由电子的费米能

,32323232223222AVVNmnmEF



可认为是能带顶,式中 .323222NmA 当金属体积膨胀后,体积由V变成了VVV,费米能变成了 32VVAEF

32321VVVA .32132VVVA 费米能的变化量 .32VVEEEEFFFF 与已知条件比较可得 .321FEE 解法二: 143

由《固体物理教程》(5.103)式可知,自由电子的能态密度 .23212322EmVEN



电子总数 .232323220FEEmVdEENNF



金属膨胀后,能态密度增大,费密能级降低,但电子总数不变,即

.232323220FEEmVdEENNF 由以上两式解得 ,322323VVEVVAEEEFFF

.321FEE 4.由同种金属制做的两金属块,一个施加30个大气压,另一个承受一个大气压,设体积弹性模量为21110mN,电子浓度为328105m,计算两金属块间的接触电势差. 【解 答】两种金属在同一环境下,它们的费密能相同,之间是没有接触电势差的.但当体积发生变化,两金属的导电电子浓度不同,它们之间将出现接触电势差.设压强为0时金属的费密能为FE,金属1受到一个大气压后,费密能为1FE,金属2受到30个大气压后,费密能为2FE,则由《固体物理教程》(6.25)式可知,金属1与金属2间的接触电势差

.12121FFEEeVV 由上边第3题可知

.32,322211VVEEEVVEEEFFFFFF 由《固体物理教程》(2.10)式可知,固体的体积变化V与体积弹性模量K和压强P的关系为 ,VVKP 所以 .3232212121PPKEKPKPEEEFFFF 两金属的接触电势差 .33322132222121PPnmeKPPeKEVVVF 将 ,10110.931kgm ,10602.119Ce ,10055.134sJ ,10,/105211328mNKmn ,10251mNP 2521030mNP 代入两金属的接触电势差式子,得 .1058.95伏V 5.若磁场强度B沿z轴,电流密度沿x轴,金属中电子受到的碰撞阻力为PP,/是电子的动量,试从运动方程出发,求金属的霍尔系数. 144

【解 答】 电子受的合力

.BvmvBvPdtPdF (1) 由于电子受的阻力与它的速度成正比,所以电场力与阻力平衡时的速度是最高平均速度,此时电子的加速度变为0,(1)式化成

.Bvmev (2) 因为电流的方向沿x轴,平衡后,电子沿z轴方向和y轴的速度分量为0.因此,由(2)式得 ,xxmev (3)

.0xyvmBeme (4) 由以上两式得 .xxymBeBv (5) 称为霍耳电场,其方向与磁场和电流方向的关系如图6.3所示.

图6.3 霍尔电场 将电流密度 xxj (6) 和(5)式一并代入霍耳系数

BjRxyH (7) 得到 meRH (8) 将《固体物理教程》(6.85)式代入上式,并取mm得 .1neRH 6. 试证金属的热导率 2102223FBmETknlk

其中l是费密面上电子的平均自由程. 【解 答】 由《固体物理教程》(6.63)式可知,金属中导电是电子的弛豫时间满足以下关系

.cos1,1kkk

电子的波矢k在空间内的分布十分密集,上式可用积分表示 145

.cos1,1kkk 00233.sin2cos1,21cos1,21dkdkkkkdkk 令 ,,21,023kdkkkEW

则dEW,是能量为E的电子在单位时间内被散射到立体角 ddsin2 内的几率.如果散射是各向同性的,与,EW无关,则

.4sincos1210EWdEW 上式说明,1就是能量为E的电子在单位时间内总的散射几率,也就是说是电子的平均自时间. 由《固体物理教程》(6.126)式可知,金属的热导率

,322TmnkkFB 式中F是费密面上的电子的平均自由时间.电子的平均自由时间F和平均速度Fv 与平均自由程l的关系是 .FFvl 而平均速度由下式求得

.2102FFEmv 于是得到 2102223FBmETknlk. 7.设沿xy平面施加一电场,沿z轴加一磁场,试证,在一级近似下,磁场不改变电子的分布函数,并用经典力学解释这一现象. 【解 答】 在只有磁场和电场情况下,《固体物理教程》(6.47)式化成

.0fffBvek 由上式可解得 .0fBveffk 考虑到外界磁场和电场对电子的作用远小于原子对电子的作用,必有 ,0ffBvek fk0fk. 于是有相当好的近似 .00fBveffk





因为

,000vEfEEffkk 所以 146

.0000vEfefEfBveff 可见在一级近似下,磁场对分布函数并无贡献.由经典理论可知,电子在磁场中运动受到一洛伦兹力Bve,该力与电子的运动方向v垂直,它只改变电子的运动方向,并不增加电子的能量,即不改变电子的能态.也就是说,从经典理论看,磁场不改变电子的分布函数.

8.0f是平衡态电子分布函数,证明

.00EfTETETTTfF 【解 答】 金属中导电电子处于平衡态时,其分布函数

110TkEEBFef. 令 ,,yexTkEETkEEBFBF 则有

TxTEExxyyfTfFF00

22111TkEETETkyyBFFB TEETETkyyFFB21 .0TETETTEfF 9.立方晶系金属,电流密度j与电场和磁场B的关系是 20BBBBj, 试把此关系改写成 .20jBBjBbjBaj 【解 答】 立方晶系金属的电流密度j与电场和磁场B的关系是 20BBBBj 对大多数金属来说,1410F秒,如果取mm,则有

.,,1022200mememeFFF 因此电流密度的主项 0j 也即电场的主项 j0 式中

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