压控振荡器
压控振荡器
压控振荡器一.基本原理信号的频率取决于输入信号电压的大小，因此称为“压控振荡器”。
其它影响压控振荡器输出信号的参数还VCO（Voltage ControlledOscillator）（压控振荡器）是指输出信号的频率随着输入信号幅度的变化而发生相应变化的设备，它的工作原理可以通过公式（5-1）来描述。
(5-1）其中，u(t)表示输入信号，y(t)表示输出信号。
由于输入信号的频率取决与输入信号的电压的变化，因此称为“压控振荡器”。
其他影响压控振荡器输出信号的参数还有信号的幅度Ac ，振荡频率fc，输入信号灵敏度kc，以及初始相位。
压控振荡器的特性用输出角频率ω0与输入控制电压uc之间的关系曲线(图1)来表示。
图中,uc为零时的角频率ω0,0称为自由振荡角频率；曲线在ω0,0处的斜率K0称为控制灵敏度。
使振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制，就可构成一个压控振荡器。
在通信或测量仪器中，输入控制电压是欲传输或欲测量的信号（调制信号）。
人们通常把压控振荡器称为调频器，用以产生调频信号。
在自动频率控制环路和锁相环环路中，输入控制电压是误差信号电压，压控振荡器是环路中的一个受控部件。
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。
对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。
晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC 压控振荡器居二者之间。
在MATLAB中压控振荡器有两种：离散时间压控振荡器和连续时间压控振荡器，这两种压控振荡器的差别在于，前者对输入信号采用离散方式进行积分，而后者则采用连续积分。
本书主要讨论连续时间压控振荡器。
为了理解压控振荡器输出信号的频率与输入信号幅度之间的关系，对公式（5-1）进行变换，取输出信号的相角Δ为对输出信号的相角Δ求微分，得到输出信号的角频率ω和频率f分别为：ω=2πf c+2πk c u(t) (5-3）(5-4）从式(5-4)中可以清楚地看到，压控振荡器输出信号的频率f与输入信号幅度u(t)成正比。
晶体管振荡器与压控振荡器实验心得
晶体管振荡器与压控振荡器实验心得首先，我进行了晶体管振荡器的实验。
晶体管振荡器是利用晶体管的放大特性和反馈原理实现的，其主要组成部分为晶体管、电感、电容和电阻等元件。
在构建振荡器电路时，我需要根据晶体管的工作参数选择合适的电感、电容和电阻值，以达到所需的振荡频率和稳定性。
在实验中，我首先调整电路中的元件参数，使得整个电路处于极限稳定状态。
然后，我给电路加上适当的直流电源，通过调整电源电压和电流的大小，使得晶体管工作在合适的工作点附近。
这样，我就实现了一个稳定的振荡器电路。
实验中，我还观察到晶体管振荡器的输出信号，并使用示波器进行测量和分析。
我熟悉了示波器的操作方法，正确设置了示波器的扫描速度和垂直灵敏度，以获得清晰的波形图。
通过观察波形，我可以判断振荡器的频率、幅度和稳定性是否符合预期。
在调整振荡器频率时，我注意到改变电路中的电感和电容值会对振荡器的频率产生影响。
我通过增大或减小电感和电容的数值，来调整振荡器的频率，使其符合预期要求。
同时，我还了解到电路中的电阻对振荡器的阻尼效果起到重要作用。
通过调整电阻的大小，我可以改变振荡器的阻尼程度，从而得到不同形态的振荡信号。
另一方面，我进行了压控振荡器的实验。
压控振荡器是一种利用压控元件来调节振荡频率的电路。
压控振荡器的基本结构与晶体管振荡器类似，但其中的电阻被压控元件取代。
在实验过程中，我使用压敏电阻、电容和电感等元件来构建压控振荡器电路。
与晶体管振荡器不同，压控振荡器的频率是通过改变压控元件的电压来调节的。
在实验中，我使用函数信号发生器提供变化的直流电压，并通过改变电压大小来调节振荡器的频率。
我同时观察到了振荡器的输出信号，并使用示波器进行测量和分析。
通过实验数据的收集和分析，我对压控振荡器的频率特性和稳定性有了更深入的理解。
总之，通过晶体管振荡器和压控振荡器的实验，我对这两种振荡器的工作原理和特性有了更深入的了解。
我掌握了实验操作技能，并了解了振荡器的调节方法和影响因素。
压控振荡器
压控振荡器压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator，简称VCO）是一种电路，可以根据输入电压的变化而生成相应频率的信号。
VCO广泛应用于通信系统、雷达、无线电发射器等领域，是现代电子设备中不可或缺的组成部分。
方案一：基于电感-电容（LC）谐振电路的压控振荡器设计1.电路原理在LC谐振电路中，电感和电容的组合能够形成一个谐振回路。
当LC 电路中的电感和电容数值合适时，谐振电路会产生一个稳定的频率。
我们可以通过改变电容的值来改变谐振频率，从而实现压控振荡。
可将VCO分为两大模块，即振荡器电路和调谐电路。
振荡器电路：包括LC电路、放大器和反馈网络。
LC电路是谐振结构的核心，放大器用于提供振荡电路的增益，反馈网络将部分振荡输出信号输入到放大器的输入端。
2.电路实现首先，需要确定振荡器的工作频率范围和中心频率。
选择合适的电感和电容数值，使得振荡器在预期频率范围内正常工作。
接下来，设计放大器的增益和反馈网络的增益，以保证正反馈的存在，使振荡器能够自持振荡。
3.压控调谐（VCT）技术压控振荡器要能够实现频率的可调，需要采用压控调谐（Voltage Control Tuning，简称VCT）技术。
常见的VCT技术包括改变电容值、改变电感值和改变电源电压。
在本方案中，我们采用改变电容值的方法来实现压控调谐。
4.控制电路为了实现对电容值的控制，需要设计一个控制电路。
控制电路可以根据输入的电压信号来改变电容值，从而实现对振荡器频率的调节。
控制电路通常由一个比较器和一个电压-电容转换电路组成。
比较器将输入信号与参考电压进行比较，输出响应的电平控制电容值的改变。
5.特性和性能压控振荡器的性能指标包括频率稳定度、调谐范围、调谐灵敏度、输出功率等。
频率稳定度是指振荡器频率的稳定性，调谐范围是指振荡器的工作频率范围，调谐灵敏度是指输入电压变化与频率变化的关系，输出功率是指输出信号的幅值。
总结方案一是基于LC谐振电路的压控振荡器设计。
压控振荡器(VCO)工作原理
3．15压控振荡器一.实验目的1.了解压控振荡器的组成、工作原理。
2.进一步掌握三角波、方波与压控振荡器之间的关系。
3.掌握压控振荡器的基本参数指标及测试方法。
二.设计原理电压控制振荡器简称为压控振荡器，通常由VCO(V oltage Controlled Oscillator)表示。
是一种将电平变换为相应频率的脉冲变换电路，或者说是输出脉冲频率与输入信号电平成比例的电路。
它被广泛地应用在自动控制，自动测量与检测等技术领域。
压控振荡器的控制电压可以有不同的输入方式。
如用直流电压作为控制电压，电路可制成频率调节十分方便的信号源；用正弦电压作为控制电压，电路就成为调频振荡器；而用锯齿电压作为控制电压，电路将成为扫频振荡器。
压控振荡器由控制部分、方波、三角波发生器组成框图如下：反相器 1反相器 2模拟开关方波、三角波发生器三角波方波3-15-11.方波、三角波发生器我们知道，方波的产生有很多种方法，而用运算放大器的非线性应用电路---电压比较器是一种产生方波的最简单的电路之一。
而三角波可以通过方波信号积分得到。
电路如图所示：C3-15-2设t=0,Uc=0,Uo 1=+Uz,则Uo=-Uc=0,运放A 1的同相端对地电压为：U+’=212211R R R U R R R U o z +++此时，Uo 1通过R 向C 恒流充电，Uc 线性上升，Uo 线性下降，则U+’下降，由于运放反相端接地，因此当U+’下降略小于0时，A 1翻转，Uo1跳变为-Uz 见土中t=t 1时的波形。
根据式可知，此时Uo 略小于-R 1×U 2/R 2。
在t=t 1时，Uc=-Uo=R 1×U 2/R 2,Uo1=-Uz.运放A 1的同相端对地电压为：212211'R R UoR R R UzR U ++++=+此时，电容C 恒流放电，Uc 线性下降，Uo 线性上升,则U+’也上升。
当U+’上升到略大于0时，A 1翻转，Uo 跳变为Uz ，如此周而复始，就可在Uo 端输出幅度为R 1×U 2/R 2的三角波。
压控振荡器的指标
压控振荡器（VCO）的主要指标包括：
1. 频率：振荡器的输出信号的重复率，以赫兹（Hz）为单位，即每秒所包含的周期数。
频率稳定性是振荡器的基本性能指标之一，参考额定输出频率通常以百万分率（parts per million，ppm）或十亿分率（parts per billion，ppb）计。
2. 调谐范围：调节输出频率的变化范围，即振荡器的最大调谐频率和最小调谐频率的差值。
压控振荡器要有足够大的调谐范围才能满足输出频率达到所需要的值。
3. 调谐增益：即压控振荡器的灵敏度，是指单位的输入电压与输出频率的变化，一般用Kv表示，单位是Hz/V。
在实际应用上讲，压控器的灵敏度越高，噪声响应在控制线路上越强，结果干扰输出频率就越大，就会使压控振荡器的噪声性能降低。
所以需要寻找VCO的增益和噪声性能的平衡。
除此之外，压控振荡器的中心频率指的是频率调节范围的中间值，即振荡器频率的最大值和最小值的中间值，中心频率的大小取决于振荡器的结构和元器件参数，而且还随着工艺和温度相应改变。
以上内容仅供参考，如需了解更多信息，建议咨询专业人士。
压控振荡器
射频通信电路
7.4.2 变容二极管压控振荡器
变容二极管——势垒电容随外加电压而变化 工作时的基本要点
① 二极管反向偏置，
外加电压变化时二极管应始终保持不导通
~
② 结电容
C j 与外加电压的变化规律
C j0
n
Cj
VD 1 VB
结果： 将晶体呈电感的范围从
fq ~ f p
fS ~ f p
则振荡器的可调频率范围 也相应展制带宽——允许控制电压变化的最大速率 （5）工作电压——振荡器工作电压和控制电压
（6）噪声——主要是相位噪声小
构成VCO的一般方法 ① LC振荡器——改变回路电抗元件值，实现频率控制 需用压控电抗元件 优点：带有选频回路，频谱较纯，相位噪声较小
② 多谐振荡器——用改变电容充放电电流大小或各级的
(VD 0)
射频通信电路
变容二极管压控振荡器典型电路举例
交流通路图
电路分析：
PNP管，电源＋5V 偏置电阻： 4.7k ,16k ,3.3k 旁路电容： 0.01 F , 0.001 F
变容二极管控制电压 VC （ 正电压）
电路特征： ① 晶体管共基组态 ② 两只二极管串联 ③ 振荡频率由四个 电抗元件共同决定
射频通信电路
石英晶体压控振荡器 交流通路图
电路原理： ① 并联型晶体振荡器——晶体呈感性
② 晶体的负载电容为： C1 // C2 // C j
③ 控制电压 v c 改变 C j ，从而改变晶体振荡器的频率
射频通信电路
晶体压控振荡器的压控特点——可调频率变化范围很小 原因：晶体呈感性的区域（ f q ~ f p ）很小 展宽频率范围方法——串联电感
压控振荡器的电路设计1
压控振荡器的电路设计1压控振荡器的电路设计1压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator，VCO）是一种能够根据控制电压的变化产生频率变化的电子电路。
它在通信系统、频率合成器、频率调谐器等领域有着广泛的应用。
本文将详细介绍压控振荡器的电路设计。
首先，我们需要确定所需的压控振荡器的频率范围、频率稳定度、功率要求等参数。
然后，根据这些参数选择适合的振荡器拓扑结构。
常见的压控振荡器拓扑结构有基准电流型、拉锁型、环型和美国电工和电子工程师协会（IEEE）标准204A型等。
在本文中，我们将以基准电流型压控振荡器为例进行设计。
基准电流型压控振荡器的电路由负电流源、反馈电路、振荡器核心以及控制电压端口组成。
首先，我们需要设计负电流源。
负电流源的作用是为反馈电路提供稳定的偏置电流。
常见的负电流源电路包括电流镜电路和欧陆电流镜电路等。
在本文中，我们将使用电流镜电路。
电流镜电路可以通过调整电阻的大小来控制输出电流的大小。
接下来是反馈电路的设计。
反馈电路的作用是将振荡器输出信号的一部分反馈到振荡器核心，以维持其振荡。
在基准电流型压控振荡器中，常用的反馈电路是LC谐振电路。
谐振频率可以通过选择合适的电感和电容器来调整。
然后是振荡器核心的设计。
振荡器核心一般由放大器和相移网络组成。
放大器负责放大信号，相移网络则用于改变相位。
常用的放大器有差动放大器和共射放大器等。
在本文中，我们将选择共射放大器。
相移网络则是通过选择电阻和电容器来实现。
最后是控制电压端口的设计。
控制电压端口用于输入控制电压，从而改变振荡器的频率。
常见的控制电压端口设计包括电压到电流转换电路和电流到电压转换电路等。
在本文中，我们将使用电流到电压转换电路。
电流到电压转换电路的原理是通过选择电阻和电容器来将变化的电流转换为电压。
在完成了振荡器的拓扑结构设计后，我们需要进行参数选择和电路元件的选择。
参数选择包括电容器和电感器的选择、电阻的选择以及电流源的选择等。
《压控振荡器设计》课件
设计软件与工具
制版软件
用于绘制电路板图，如 AutoCAD、Eagle等。
仿真软件
用于方案设计和电路仿真 ，如Multisim、SPICE等 。
调试工具
用于测试和调试电路，如 示波器、信号发生器等。
文档编写软件
用于整理技术文档，如 Microsoft Office系列软 件等。
03
压控振荡器的性能分析
性关系。
相位噪声测试结果
在100MHz偏移处，相位噪声为90dBc/Hz，表现出良好的性能。
温度稳定性测试结果
在-55℃至85℃的温度范围内，压控 振荡器的频率变化小于±2MHz，表 现出良好的温度稳定性。
06
压控振荡器的应用案例
应用场景一：无线通信系统
总结词
无线通信系统是压控振荡器最广泛的应用领域之一，用于产生和调节信号频率 。
详细描述
在无线通信系统中，压控振荡器作为关键元件，用于生成和调节信号频率。它 可以根据外部电压或控制信号的变化来改变输出信号的频率，从而实现信号的 调制和解调。
应用场景二：雷达系统
总结词
雷达系统利用压控振荡器产生高频电磁波，用于目标探测和 定位。
详细描述
雷达系统通过发射和接收高频电磁波来探测目标并确定其位 置。压控振荡器在雷达系统中作为发射信号的源，其输出信 号的频率和相位可以通过外部控制信号进行调节，以满足不 同探测需求。
优化策略
减小元件误差
选用高精度元件，减小误差对振荡器性能 的影响。
优化电路布局
合理布置元件位置，减小分布参数对振荡 器性能的影响。
调整元件参数
根据测试结果，对元件参数进行适当调整 ，优化振荡器性能。
采用负反馈技术
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
压控振荡器作为无线收发机的重要模块，它不仅为收发机提供稳定的本振信号，还可以倍频产生整个电路所需的时钟信号。
它的相位噪声、调节范围、调节灵敏度对无线收发机的性能有很大影响。
文章首先介绍了振荡器的两种基本理论：负反馈理论和负阻振荡理论。
分别从起振、平衡、稳定三个方面讨论了振荡器工作所要满足的条件，并对这些条件以公式的形式加以描述。
接着介绍了两种类型的压控振荡器：环形振荡器和LC振荡器。
对这两种振荡器的结构、噪声性能和电源的敏感性方面做出了分析和比较，通过分析可以看出LC压控振荡器更加适合于应用在射频领域。
紧接着介绍了CMOST艺可变电容和电感的物理模型，以及从时变和非时变两个方面对相位噪声进行了分析。
最后本文采用csm25Rf工艺并使用Cade nee SpectreRF仿真器进行仿真分析，设计了一个COMS LC压控振荡器，频率变化范围为2.34GHz-2.49GHz,振荡的中心频2.4GHz,输出振幅为±480mV相噪声为100kHz频率偏移下-91.44dBc/Hz ，1MHz频率偏移下-116.7dBc/Hz，2.5V 电源电压下功耗为18mW关键词：LC压控振荡器；片上螺旋电感；可变电容；相位噪声，调谐范围。
ABSTRACTVoltage-control-oscillator is the crucial components of wireless transceiver, it provides local signal and clock for the whole circuit, its performance parameter, such as: phase noise, tuning ran ge, power con sumpti on, have great effect on wireless tran sceivers.Firstly, two oscillator theorems: n egative-feedback theorem and n egative-resista nce theorem , are presented and the conditions of startup, equilibrium, stabilization required for oscillator are discussed respectively.Secon dly , we in troduce two types of VCO : ring VCO and LC VCO ,and made a comparis on betwee n them , it is obvious that LC VCO are suit for RF applicati on. The physical model for MOS varactor and pla nar spiral in ductor are prese nt.At last, a COMS LC VCO with csm25rf technology is presented , the VCO operates at2.34GHz to 2.49 GHz, and its oscillation frequency is 2.4GHz. The amplitude is 二480 mV. The phase noise at 100 kHz offset is -91.48dBc/Hz, and -116.7dBc/Hz at 1MHz. The power consumption of the core is 18mW with 2.5V power supply.Key Words: LC VCO ；on-chip spiral in ductor；MOS-varactor；phase no ise turni ng range.目录第一章绪论. (1)1.1 研究背景 (1)1.2 LC 压控振荡器的研究现状. (2)1.2.1 片上电感和可变电容. (2)1.2.2 相位噪声理论和降噪技术. (2)1.3 论文研究的主要内容 (3)第二章LC 振荡器的基本原理 (5)2.1 振荡器概述 (5)2.2 反馈理论. (5)2.2.1 巴克豪森准则 (5)2.2.2 平衡条件 (6)2.2.3 稳定条件. (7)2.3 负阻理论 (8)2.3.1 起振条件. (8)2.3.2 平衡条件. (8)2.3.3 稳定条件. (9)2.4 常见的振荡器 (11)2.4.1 环形振荡器. (11)2.4.2 LC 振荡器 (11)第三章压控振荡器的实现 (13)3.1 环形振荡器 (13)3.2 LC 压控振荡器. (14)3.2.1 COMS 变容管的实现 (14)3.2.2 COMS 工艺中的电感 (17)3.3 LC 压控振荡器的实现. (21)3.3.1 LC 交叉耦合振荡器 (21)3.3.2 压控振荡器的数学模型. (22)3.3.3 LC 压控振荡器的实现 (23)3.4 振荡器的相位噪声 (24)3.4.1 相位噪声的知识. (24)3.4.2 非时变模型. (26)3.4.3 时变模型 (28)3.4.4 降低相位噪声的方法. (32)第四章2.4GHz LC 压控振荡器设计方案 (34)4.1 电路结构的选择 (34)4.2 谐振器的设计 (34)4.2.1 片上电感. (34)4.2.2 MIM 电容 (35)4.2.3 压控变容器(Varactor) . (35)4.2.4 谐振器电路设计. (35)4.3 负电阻产生电路设计 (36)4.4 外围电路 (36)4.5 电源电路 (38)第五章仿真结果分析 (39)5.1 电路模拟结果 (39)5.1.1 LC 压控振荡器V-f 曲线 (39)5.1.2 瞬态仿真曲线. (40)5.1.3 频谱分析曲线. (40)5.1.4 相位噪声仿真曲线. (41)5.2 VCO的性能总结 (42)结束语. (43)致谢. (44)参考文献. (45)第一章绪论1.1研究背景随着集成电路技术的发展，电路的集成度逐渐提高，功耗变的越来越大，于是低功耗的CMOS技术优越性日益显著。
人们对CMOS工艺的研究大量增多，发现CMOS技术比其他工艺更适用于按比例缩小原理。
在过去的30年里正如摩尔预测的那样，每个芯片上的晶体管的数量每18个月就翻一番。
MOS管的沟道尺寸也从1960年的25u。
下降到现在的0.18 um。
物理尺寸的缩小让芯片具有比以前更优的性价比。
等比例缩小原理的优点远不止在面积上，它还提高了CMOS器件的速度，现在CMOS工艺的晶体管的本征速度已经可以和双极器件相比较了。
据报道0.18um的CMOS工艺的N沟道晶体管的截止频率己经达到了60GHz。
原来只能用于标准数字集成电路的CMOS工艺也能用来设计高性能的模拟电路，甚至是射频电路。
CMOS工艺用于模拟电路的设计优点是显而易见的：可在单块芯片上集成完整的收发器系统，即同一芯片上既集成模拟前端器件，又集成数字解调器。
如果采用BiCMOS工艺实现同样功能的芯片，不仅模拟电路部分的所需面积增加，而且还需给数字电路部分预留更大的芯片空间，这势必增加芯片生产的复杂性和消耗更多的硅晶圆。
近年来，无线通信系统和宽带接收机的迅猛发展，特别是手提无线设备（如无绳电话，对讲机，GPS）的普及，使得射频前端芯片设计向小型化，低成本，低功耗等方向发展。
COMS工艺技术的不断进步，是越来越多的射频单元电路，如低噪声放大器，上/下频混频器，中频滤波器，本地振荡器，功率放大器等等，能够集成到单片COMS收发芯片上。
另外，加上基带信号处理，尤其是数字信号处理，早已能够在COMS工艺上实现。
因此有可能在COMS工艺上实现从前端到后端的整个无线通信系统。
单片COMS实现的无线接收机是近几年学术界研究的热点问题，例如，Berkeley的Paul R.Gray的“用于无线电话的1.9 GHz，宽频中频，两次变频接收机”项目⑴；UCLA的Asad A. Abdi研究的“在1um CMOS工艺上实现的，单片扩频无线接收机” [2,3];以及目前比较热门的GSM，DECT, Bluetooth，WLAN等接收系统。
个人无线通信设备的迅猛发展导致了各种各样不同的通信协议标准的产生。
在无线收发机的所有单元电路中，COMS全集成的电感电容压控振荡器（LC-VCO ）是在近几年间的学术界和工业界研究中得到关注最多的射频单元电路，压控振荡器最重要的指标要求是低相位噪声，低功耗，宽调谐范围等。
采用高品质因数的片上螺旋电感和大电容系数比（C max/C min）的累积型MOS可变电容实现的压控振荡器是在COMS硅衬底上实现高性能压控振荡器的最佳选择。
1.2 LC压控振荡器的研究现状振荡器电路的实现方式主要有两种：电感电容谐振振荡器和环形振荡器。
环形振荡器的振幅比较大，但其开关非线性效应很强，使得它受电源/地的噪声影响很明显。
虽然环形振荡器也能够工作到1-2GHZ，但是出于其相位噪声性能比电感电容谐振振荡器差很多，故而在1GHz以上的振荡器很少采用环形振荡器结构。
1.2.1片上电感和可变电容电感电容谐振压控振荡器的电路结构来源于印刷线路板（PCB）上采用分立器件实现的振荡器电路，早期它们大多采用分立的电感，电容及分立三极管器件。
有源器件（三极管和MOS管）非常适合于硅工艺集成，然而电感和可变电容面的集成临巨大的挑战。
早期半集成化的压控振荡器很多都采用键合线（Bondwire）电感来实现高Q值电感，并采用反偏二极管的PN结电容来实现压控可变电容。
随着CMOS工艺的不断进步，基于片上螺旋电感的电感电容压控振荡器被广泛采用。
片上螺旋电感最主要的问题在于品质因数不是太高，一般nH级的电感在1-2GHZ频率上的Q为4-8。
片上螺旋电感的品质因数主要受到三种寄生效应的影响：第一，金属线的高频趋肤和邻近效应造成串联电阻的急剧增加；第二，金属对硅衬底的寄生电容降低了电感的自激振荡频率；第三，磁场在硅衬底中形成的涡流降低了电感感值，且增加了串联损耗电阻。
为了能够提高工作频段上的电感的Q 值，近十年间许多人提出了很多解决办法，例如，采用多层金属并联降低串联电阻；地屏蔽层减小电场在硅衬底上的损耗；差分电感等等。
可变电容作为可调单元广泛用于射频的压控振荡器的谐振电路中。
在CMOS工艺上实现可变电容主要有四种结构：PN结电容，普通MOS管电容，反型MOS 管电容和累积型MOS管电容。
PN结电容是在N阱上做一层P+有源区，从而实现一个P+/n-well结电容；另外一类可变电容的实现方法是利用MOS管工作在不同的区域（强反型区、耗尽区和累积区）从而改变电容值。