磁畴结构
磁性材料中的磁畴结构与磁各向异性研究

磁性材料中的磁畴结构与磁各向异性研究磁性材料是一类具有重要应用价值的材料,在电子、通信、医疗等领域都有广泛的应用。
而磁性材料中的磁畴结构与磁各向异性则是决定其性能与应用的重要因素。
本文将围绕磁畴结构与磁各向异性进行探讨,并介绍当前研究的进展。
首先,了解磁畴结构是理解磁性材料中磁性行为的基础。
在磁性材料中,存在着许多微小的区域,称为磁畴。
每个磁畴具有相同的磁矩方向,而不同磁畴之间的磁矩方向可以各不相同。
通过研究磁畴的结构和演变过程,我们能够了解材料的磁性转变机制。
传统的磁畴模型主要有Weiss磁畴模型、Néel磁畴模型和Bloch磁畴模型。
这些模型描述了不同材料中的磁畴形态,从而帮助人们理解磁性材料的磁性行为。
在磁畴结构的研究中,一直存在一个重要问题,即磁畴的尺寸。
由于磁畴一般非常小,直接观测磁畴非常困难。
因此,研究者们利用各种分析方法来间接探测磁畴的结构和演变规律。
例如,通过X射线和中子衍射技术,可以了解材料中的磁畴形态和尺寸分布。
此外,高分辨率的透射电子显微镜(TEM)也常用于磁畴结构的研究中。
这些技术的发展为我们深入了解磁畴结构提供了有效手段。
磁各向异性是磁性材料中另一个重要的性质。
它是指材料在不同方向上对磁场的响应差异。
磁各向异性的存在使得磁性材料具有特定的磁畴结构,并表现出不同的磁性行为。
磁各向异性通常由晶体结构和磁畴结构之间的相互作用决定。
目前,磁各向异性的研究主要集中在两个方面:一是探索磁各向异性的机制,二是开发能够实现调控磁性材料磁各向异性的方法。
在磁各向异性的机制研究方面,研究者们提出了许多理论模型。
最为常见的是磁晶各向异性模型,该模型认为晶格中存在一些偏压场,使得材料在特定方向上具有更高的磁化强度。
此外,还有自旋轨道各向异性模型,它考虑了自旋和轨道运动之间的相互作用。
这些理论模型帮助我们理解磁各向异性的来源和本质。
为了实现对磁各向异性的调控,研究者们开发了许多方法。
一个常用的方法是控制材料的微观结构和组成。
磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构

2020.01科学技术创新磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构王薪皓(上海宝钢磁业有限公司,上海201900)磁性材料在我们生活的很多层面随处可见,所以今后科学研究的重点应该始终放在强化磁性材料性能方面上来。
通过我们对磁性材料进行进一步的了解和分析,就性能来讲分为内禀磁性和技术磁性能,这两种性能与温度、饱和度以及其他因素密切相关。
与此同时,磁结构和材料中的晶体结构具有相当密切的联系,其中晶体结构的对称性和它相同,但是通常状况下受到其自身特点的影响对出现新的磁对称性。
晶体结构、磁性相互作用、自旋磁矩等都会对磁结构造成不同程度的影响,而不同的磁性包含不同的类型,存在不同的表现形式,并且能够和晶体结构融合成为种类多样的磁结构。
再者,技术磁性能包括剩余磁化强度、矫顽力、最大磁能积、温度系数等内容,材料的内禀磁性控制技术磁性能,还受微观结构的影响。
而磁性能的影响因素还包含了材料的尺寸、形状,晶粒大小、晶界、缺陷以及第二相等因素。
随着科学技术的不断发展,在20世纪出现了重大的科研成果,尤其是量子力学研究结果的问世,消除了大家对以往自然界认知的误解,与此同时也加深了人们对磁性发展的理解。
20世纪磁学领域的重大发现就是自发磁化的量子力学理解和磁畴结构的发现。
量子力学的理论研究使得人们对微观磁性的探索更加深入。
然而,由于磁畴构造具有自身的独特性,受到内禀结构以及微观结构的影响,存在很多复杂的构造,加大了相关人员研究的难度。
鉴于它的重要性,相关人员已经展开深入的认识和调研,但是对其探索的层面还是远远不够的,国内已有的磁畴构造研究成果还尚未深入到实践方面,且对磁结构、磁畴结构和磁性能的探究仍停留在一定的水平。
磁畴结构是铁磁质的重要组成因素,主要用来说明铁磁质的磁化机理。
受到排列方式的影响,如果铁磁体产生磁化就具备磁性。
虽然磁畴中的原子磁矩各个各的效能,但从方向来讲具有强烈的一致性。
磁畴结构从里向外包含多种因素,磁畴的边界、内部构造以及磁畴壁。
11第五章:磁畴理论3讲解

2 a 2r a r 一对原子磁矩夹角由 0 时 Eex 2 AS 2 cos 2 AS 2 cos0 2 AS 1 cos 2 AS 2 sin
2 2
2
2
AS 2 2 AS 2 a 2 r 2
(当不大时)
①、应力分布只有大小变化,而无性质变化。
x
0 2 x 0 sin x, 2 l
0 2
x
0
o l
同样晶体内会形成1800 壁。由于σ随位置x不同而变化,故畴壁能密度 ( )也随x变化,且其最小值出现于σ的最小值处,1800壁 2 K1 3s 2 应位于σ(x)分布最小的位置。 但1800壁仅占据σ(x)分布最小位置的一部分(∵畴壁的多少或畴的多少 应由Eω+Eσ 能量极小值决定。)
磁性物理学
第五章:磁畴理论
5-4 磁畴结构计算
二、非均匀铁磁体的磁畴结构的计算
非均匀铁磁体的磁结构受材料内部存在不均匀性分布及其引起的内部退 磁场作用的影响,其主畴结构虽然与均匀体一样也与样品形状有关,但主要 还是受不均匀性的影响。 1、掺杂与空隙(空穴)对磁畴的影响 (1)、对畴结构的影响 非磁性掺杂物或空隙会使磁畴结构复杂化,在铁氧体中,这种情况比 较显著。 在材料与掺杂物或空隙的接触面上,不论后者形状如何,均会有磁极 出现,因而产生退磁场Hd。
考虑球形单晶颗粒:
a 单畴颗粒
b 各向异 性较弱
c 磁晶各向异性 较强的立方晶体
d 磁晶各向异性 较强的单轴晶体
b、c、d是尺寸大于临界尺寸的颗粒的几种最简单的磁畴结构
临界尺寸是单畴与其他畴结构的分界点。因此这个尺寸的能量既可按单 畴结构计算,也可按上图(b、c、d)三图之一来计算,只是在临界尺寸时, 两种结构的能量应该相等。(由此可推算出球形颗粒的临界半径) 单畴球形颗粒的能量: 单畴颗粒中,磁矩沿易磁化方向平行排列,故Fk最低,且H = 0,σ= 0, 又无交换能问题。
磁畴结构

104
17
L
封闭畴形式能量的计算
考虑到L>>d,采用封闭畴形式样品表面单位面积内的畴壁面积:
S
1 d
L
d
1
4
d 2
1
L d
闭流畴的体积:v
2 d
1 2
d
d 2Βιβλιοθήκη d 2因而样品表面单位面积下方柱体的总能量为:
E
E
Ek
L d
K1d 2
E 0 d
给出平衡值:
d 2 L
K1
d
d 2
d 2
样品表面单位面积下的总能量 E 2 LK1
L d
(γ是畴壁单位面积能量)
半无限大样品片状磁畴的退磁能密度上节已知,现在要考虑上下表
面,约乘以 2。后一项是畴壁的能量,磁畴的宽度是d, 单位长度分为
1/d 个畴,所以单位表面积下的畴壁总面积是 L/d ,
E 0 d
给出平衡数值 d 104
MS
L
17
所以片状畴单位体积的总能量为:
F
E L
2MS
18 103J m2, L 102 m
片状畴结构 d 2.3105m = 23 μm,
E 15.8 102J m-2
封闭畴可能
而不分畴时的退磁能:比上面大近10倍。
Ed
0
2
NM
2 S
L
0
2
M
2 S
L
12.8103
J
m2
片状畴的变异
片状磁畴有相当大的退磁能,特别在材料厚度大于10 m时。一些变形结构的能量比片状磁畴的更低。
以一个圆片样品为例来定性分析一下影响磁畴结构的主要 因素。
磁性材料的微观结构与磁性性能

磁性材料的微观结构与磁性性能磁性材料是一类非常重要的功能性材料,广泛应用于电子、信息、医学等领域。
了解磁性材料的微观结构与磁性性能之间的关系对于设计和合成新型磁性材料具有重要意义。
本文将从磁性材料的微观结构和磁性性能两个方面进行论述。
一、磁性材料的微观结构磁性材料的微观结构主要包括晶体结构和磁畴结构两个方面。
晶体结构是磁性材料的基本组织单元。
晶体结构的对称性和晶格参数决定了磁性材料的一些基本特性。
例如,铁磁材料的晶体结构通常是体心立方晶格,而铁氧体则是面心立方晶格。
晶体结构的不同可以导致不同的原子间距和原子位置的排列方式,进而影响磁性材料的磁性性能。
磁畴结构是磁性材料中磁性原子排列的集体行为。
磁畴是一组有序排列的相邻磁性原子,彼此具有相同的磁矩方向。
磁畴通常具有一定的大小和形状,且在无外加磁场的情况下磁性材料会分化成多个磁畴。
在铁磁材料中,磁畴的形成是由于自发磁化的存在。
而在顺磁材料中,则是由外加磁场引起的。
二、磁性材料的磁性性能磁性材料的磁性性能包括饱和磁化强度、居里温度、剩余磁化强度等。
饱和磁化强度是指磁性材料在饱和状态下磁化的最大电流强度。
饱和磁化强度越高,表示材料在外加磁场下更容易实现饱和磁化,具有更高的磁化能力。
居里温度是指磁性材料由铁磁性向顺磁性转变的温度。
居里温度越高,表示材料在高温下仍能保持铁磁性,具有较好的磁性稳定性。
剩余磁化强度是指磁性材料在去除外加磁场后仍保留的磁化强度。
剩余磁化强度的大小与材料的磁畴结构有关,磁畴间的相互作用对剩余磁化强度起到重要影响。
三、微观结构与磁性性能的关系磁性材料的微观结构直接影响磁性材料的磁性性能。
首先,晶体结构的对称性和晶格参数决定了磁性材料的磁矩间相互作用方式。
例如,铁磁材料的晶体结构的体心立方晶格,使得磁矩更容易在晶格间跳跃,从而增强了磁性材料的磁性。
其次,磁畴结构的形成和演化直接决定了磁性材料的磁性性能。
磁畴之间的相互作用可以通过磁畴壁的移动和转变来改变。
第27讲8-7磁畴结构畴壁

总能量最小时的畴壁能γω和畴壁厚度δ 分别为:
γω =2π√[A1(K1+3λsσ/2)] δ=π√[A1/(K1+3λsσ/2)] 可见畴壁厚度与材料的K1, A1,λs,σ等 参量有关。K1越大,δ越小,γω越大
64
在Fe-Ni合金中,K1很小,如果内应力 也很小的话,则畴壁厚度可相当地大,畴壁 内相邻原子间磁矩的角度φ仅有0.18-1.8 左右,磁矩的分布近似具有连续性,这种 畴壁称为连续性的畴壁模型
35
铁磁质单晶体磁化过程 H
36
铁磁质单晶体磁化过程 H
37
铁磁质单晶体磁化过程 H
38
铁磁质单晶体磁化过程 H
39
铁磁质单晶体磁化过程 H
40
铁磁质单晶体磁化过程 H
41
铁磁质单晶体磁化过程 H
42
铁磁质单晶体磁化过程 H
43
铁磁质单晶体磁化过程 H
44
铁磁质单晶体磁化过程 H
66
图8.17 边长为 1cm*1cm* 1cm的方 块形单晶 铁的可能 畴结构, 正面是 (001晶各向异性能Ek、、磁弹性能Eσ均为零, 方块形状决定的退磁场能就是总能量:
Etotal=Ed= V (NMs2μ0) /2 式中V是磁体的体积。方块状铁磁体的退 磁因子接近球体的退磁因子,即N=1/3, 设 Ms=1.73×10-6A/m,V=5×10-7m3, 代入上式 Ed=0.313J
第八章 磁性物理
本章提要
在其他章节中,对物质的导电性能等进行 了介绍。本章将介绍物质的磁性。着重介绍物 质的磁性来源,原子磁矩的计算,各种材料中 原子磁矩的计算原则。进一步介绍物质磁性的
铁磁性的分子场理论,物质铁磁性的来源,亚 铁磁性的超交换理论。也介绍了铁磁性物质内 部的能量和磁畴的形成。
磁性物理第五章:磁畴理论四节剖析讲解

3.42M
2 s
10-7
E封
2 LKu1
Ku1
若K 若K
u1 u1
3.42 107 3.42 107
M M
2 s
2 s
E片 E片
E封利于出现片形畴 E封利于出现封闭畴
如:⑴、Co金属(六角晶体)
Ku1 5.1105 J / m2 , M s 1.4210-6 A / m
E片 E封
1.42 1.22
L D/2
D
D
在这种情况下,Fd与Fk均不需要考虑,只需考虑畴壁 能与磁致伸缩能。
磁致伸缩能的产生: 材料自居里点冷下来时,发生自发形变,若λ>0,则沿
自发磁化强度的方向上将发生伸长,这样主畴与封闭畴均 要在其自发磁化强度的方向上伸长,由于主畴与封闭畴的 Ms彼此成900,所以形变方向互相牵制。换言之,由于主 畴的阻挡,封闭畴不能自由变形。 ——因此封闭畴就好像 受到压缩而增加了能量。这项能量由磁致伸缩引起,故称 磁致伸缩能Eσ (磁弹性能)。
如图,单位面积上有1 个主畴即 D
有 1 个主畴壁,每个主畴壁面积为: D
S' L D D 1 L D, 2 2
所以主畴壁总面积为:L D D
又因为上下表面共 2 个封闭畴,每个封闭畴体积:
D
D
V 1 D D 1 D2
2 2
4
1
特定体积内封闭畴中各向异性能为:
D/2
各种各样的表面精细畴结构或附加次级畴。 表面畴的形成与分布和晶体表面取向有关,故其形式
较为复杂。 1、树枝状畴 在K1>0的立方单晶材料的表面,有时会出现从畴壁界
线出发,向两边主畴作斜线伸展的一种附加畴——树枝状 畴。
磁性材料的磁畴结构与磁性机制

磁性材料的磁畴结构与磁性机制磁性材料是一类具有特殊物性的材料,其在外加磁场下会表现出磁性行为。
磁性材料的磁性机制与材料的磁畴结构密不可分。
磁畴结构是指磁性材料中的微观磁区分布,而磁性机制则是指磁畴结构的形成和变化机制。
本文将探讨磁性材料的磁畴结构和磁性机制,以及它们在材料研究和应用中的重要性。
磁畴结构是磁性材料中的微观磁区分布。
在无外加磁场时,磁畴结构是随机的,各个磁畴的磁矩方向相互无序。
而在外加磁场作用下,磁畴结构会发生变化。
在一定的磁场强度下,磁性材料会形成具有一定方向的磁畴,磁畴内的磁矩呈现一定的方向性。
磁畴之间的磁矩方向则相互正交或者平行排列。
这种有序的磁畴结构使得磁性材料具有磁化的能力。
磁性机制是指磁畴结构的形成和变化机制。
根据磁畴结构的稳定性,磁性机制可以分为磁畴壁移动和磁畴翻转两种主要模式。
在磁性材料中,磁畴壁是磁畴之间的过渡区域,其中磁矩方向逐渐从一个磁畴变为另一个磁畴的方向。
磁畴壁的移动是磁畴结构变化的一种重要机制。
磁畴壁的移动可以由外加磁场的作用、温度的变化或者应力的施加等因素引起。
磁畴翻转是磁畴结构变化的另一种机制。
磁畴翻转指的是在一定的条件下,磁性材料中的磁畴从原有的方向变为相反的方向。
磁畴翻转通常发生在磁畴壁附近,磁场强度的改变和磁畴壁的形态对磁畴翻转有着重要的影响。
磁畴翻转的机制与材料的微观结构和物理性质密切相关,不同的磁性材料具有不同的磁畴翻转特性。
磁畴结构和磁性机制对于磁性材料的性能和应用有着重要的影响。
首先,磁畴结构的不同会导致磁性材料的磁性能差异。
例如,在一些磁性材料中,磁畴结构的变化可以引起材料的磁滞行为和磁导率的变化。
其次,磁性机制的研究可以为设计和合成新型磁性材料提供指导。
通过了解不同材料的磁畴翻转机制,可以优化材料的磁性能,满足不同应用领域对磁性材料性能的需求。
磁性材料的磁畴结构和磁性机制也为磁性存储器、磁传感器、磁记录等磁学设备的研发提供了重要的基础。
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一.畴壁及畴壁分类: 畴壁及畴壁分类 壁的结构和畴壁能: 二.Bloch壁的结构和畴壁能 壁的结构和畴壁能 壁的结构和畴壁能: 三.Neel壁的结构和畴壁能: 壁的结构和畴壁能 四.十字壁 五.畴壁的动态性质 在讨论磁畴结构之前,我们先分析畴壁的性质,因为 畴壁的性质往往影响着磁畴的结构。 畴壁的性质往往影响着磁畴的结构
磁晶各向异性能平均密度可以近似表示为: γ k ≈ K1 Na δ=Na 为畴壁厚度,畴壁能密度为 π2 γ = γ ex + γ k ≈ AS 2 2 + K1 Na Na 求能量极小值的条件
∂γ AS π = − 2 2 + K1a = 0 a N ∂N
2 2
得到: N = S Aπ3 = Sπ A a K1a K1a
比较严格的采用变分法给出1800Bloch壁计算结果是:
z=
A1 ∫
θ
0
dθ f (θ )
2
这里: Fk = f (θ )
π
γ = 2 A1
−
∫π
2
f (θ )dθ
A1 =
ξ AS 2
a
见姜书P244 见姜书
六角晶系单轴各向异性: 六角晶系单轴各向异性
转角曲线,中间快 δ
Fk ≐ K1 sin 2 θ
立方晶系,易磁向〈100〉 立方晶系,易磁向〈100〉
畴
180畴壁 畴壁
180壁 180壁 和90壁 90壁
90壁
立方晶系,易磁向 立方晶系 易磁向〈111〉,有180壁 ,71壁和109壁 易磁向
71 °
109° °
二. Bloch壁的结构特性和畴壁能 壁的结构特性和畴壁能
畴壁的概念最早是Bloch提出的,Neel 分析了它的结构: , : 在大块晶体中,当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁 在大块晶体中 当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁 畴内的方向时,转动的仅仅是平行于畴壁的分量, 畴内的方向时,转动的仅仅是平行于畴壁的分量,垂直于畴壁 的分量保持不变,这样就避免了在畴壁的两侧产生磁荷, 的分量保持不变,这样就避免了在畴壁的两侧产生磁荷,防止 了退磁能的产生。这种结构的畴壁称作Bloch壁。 了退磁能的产生。这种结构的畴壁称作 壁 Bloch1800壁的 结构:为保证自 发磁化强度在畴 壁法线方向的分 量连续,畴壁应 取如图方式。
畴壁厚度稳定值处 交换能和磁晶各向 异性能数值相等。 异性能数值相等。
代入铁之数据,估算数值:
A = 2.16 × 10−21 J, S = 1, a = 2.86 × 10−10 m, K1 = 4.81 × 104 J ⋅ m −3 ∴ N ≈ 135,
δ = Na ≈ 3.87 × 10−8 m, γ w ≈ 3.785 × 10−3 J ⋅ m −2
从上述结果可以看出,厚度对两种畴壁能的影响是 不同的。当大块材料的尺度减小时,Bloch形式的壁在材 料表面的退磁能将变得十分突出,相反,如采用 Neel壁 形式退磁能反而会比较低。
D
D
Neel 1955 年计算结果
Dietze等1961计算结果
见姜书p252 见姜书
上图给出二种畴壁能与厚度的关系,交叉点即为畴壁由 交叉点即为畴壁由 布洛赫型向涅耳型转化的临界厚度。Neel 给出的临界厚度 布洛赫型向涅耳型转化的临界厚度 和狄切和托马斯给出的有所不同。后者给出的临界厚度是:
Dc = 3.9 A1 MS
代入Fe的相关数据估算出的临界厚度为:325×10-10m. 实际在该临界厚度附近有一过渡区,会出现一种十字壁 (cross-tie wall)的形式。例如实验表明Fe-Ni 合金薄膜的情 形如下 Neel wall cross-tie wall D~20 nm Bloch wall 100 nm
A1 δ =π K1
γ = 4 A1K1
立方晶系: 立方晶系
K1>0 时,
γ (180) = 2 A1K1
按照变分理论计算,畴壁 厚度不是一个收敛解,当 θ→900时,厚度趋于无穷, 1800壁不能存在,而要分为相 隔无限远的两个900壁,但理论 上的这个困难并不是真实的, 考虑到磁致伸缩能的影响后, 两个分离的90壁必然连成一片, 成为一个180壁。 (以上详见姜书p242-250)
1800畴壁厚度和畴壁能估算 设畴壁厚度为N个原子间距 a。假定单层单位 单层单位畴壁面积上 单层单位 有1/a2个原子,原子自旋均匀转向,则单位畴壁面积的交换能 的面密度为: (A为交换积分 )
2 1 2 π 2 π γ ex ≈ AS ( N ) 2 = AS 2 2
N
aNaຫໍສະໝຸດ ∵ TC = 1043K, k B = 1.38 × 10−23 J ⋅ K −1 , bcc, S =1 ∴ A = 0.15k BTC ≐ 2.16 × 10−21 J
∵ K1 = 4.81 × 10 J ⋅ m
4 −3
各文献所取数值不尽相同。 各文献所取数值不尽相同。
A1 =
ξ AS 2
a
K1 = 4.2 × 104 J ⋅ m −3
畴壁厚度和畴壁能的估算 畴壁厚度主要取决于交换能与各向异性能的平衡。 畴壁厚度主要取决于交换能与各向异性能的平衡。交换 作用能要求相邻原子层间转角越小越好,以致畴壁厚度无限 大,然而畴壁中磁化强度对易磁化方向的偏离又带来各向异 性能的增加,后者要求畴壁越窄越好,两者的综合考虑决定 了畴壁的厚度。 畴壁能的讨论一般使用单位面积畴壁能 单位面积畴壁能的概念,即单位 单位面积畴壁能 畴壁面积的能量,它和单位体积能量不同,与畴壁厚度密切 与畴壁厚度密切 相关。 相关
该值和前面表中数值有别, 该值和前面表中数值有别,但量级是相同的。 这是一个下面常用的数值。 γ 180 = 2γ 0 ≈ 1.7 × 10−3 J ⋅ m −2 这是一个下面常用的数值。
三. Neel壁的结构和畴壁能 壁的结构和畴壁能
畴壁内原子自旋取向变化的方式除去Bloch方式以外, 还在薄膜样品中发现了另一种 Neel 壁的变化形式,前者壁 内的自旋取向始终平行于畴壁面转向,多发生在大块材料中, 后者壁内的自旋取向始终平行于薄膜表面转向,在畴壁面内 后者壁内的自旋取向始终平行于薄膜表面转向 产生了磁荷和退磁场,但在样品表面没有了退磁场。
1 2 µ0 Dδ M S 2 2 γ d = µ0 NM δ = 2 2 π (D + δ )
N≈ D D +δ
Neel壁单位面积畴壁内的退磁场能为:
这里同样要考虑平均值
M = M s sin θ =
2M s
π
Neel壁单位面积畴壁的总能量可以写作:
π 2 K1 2 µ0 Dδ M S 2 γ = γ ex + γ k + γ d = A1 + δ + 2 δ 2 π (D + δ ) ∂γ = 0 给出平衡值δ。 D ↓, γ ↓ ∂δ
四. 十字壁
在薄膜厚度300~900 ×10-10m的80%FeNi合 金中发现了一种十字壁。 这是因为出现Neel壁后引 发了体磁荷,它的退磁场 又影响了原子磁距的取向, 因此出现了十字壁以减小 Neel壁两侧面上磁荷的影 响,使Neel壁又分成许多 磁荷正负相间的小段,而 小段和小段之间由Bloch 壁分开。
A1 γ = c2 A1K1 δ = c1 K1 其中c1,c2 是与晶体结构和磁畴结构有关的常数。
该表与姜书p249表4-7相同,但已经换算为SI单位制
J﹒m-3 ﹒
摘自B.A.LiLLey, Phil. Mag.,41,792,1950 见宛书 见宛书p243 摘自
附录:Fe 的相关数据之估算
2 2
1 2
带回表达式中,有: δ = Na = Sπ
A K1a
K1 A K1 A K1 A γ =πS +πS = 2π S a a a
以上半定量分析中可以看出: 畴壁能处于极小值的条件是交换能 密度等于磁晶各向异性能密度。 密度等于磁晶各向异性能密度。在 畴壁各处都应满足此要求, 畴壁各处都应满足此要求,因而磁 晶各向异性能小的区域, 晶各向异性能小的区域,相邻层电 子自旋的转角小, 子自旋的转角小,磁晶各向异性能 大的区域, 大的区域,相邻层电子自旋的转角 显然均匀转角的假定是不对的。 大,显然均匀转角的假定是不对的。
+MS
MS
−MS
Bloch 壁
+MS
MS
−MS
Neel 壁
从图可以看出:随着材料厚度的变薄,Bloch壁在样品表 面产生的退磁场能会变得很大,相反,Neel壁的退磁场能会 变得比较小,所以薄膜中会出现Neel壁。具体计算如下:
布洛赫壁 在薄膜厚度为D的两面有露出的磁极,产生退磁能。畴 壁可以看成是椭圆截面的柱体,长轴为D ,短轴为畴壁宽度 δ ,产生的单位畴壁面积退磁能近似等于 该表达式和姜书 2 1 2 µ0 δ 2 M s2 γ d = N µ0 M ⋅ δ ≈ 2 p251有区别,但 有区别, 有区别 2 π D +δ 结论是一致的。 结论是一致的。 其中N为长轴方向的退磁因子 M要取平均值
Bloch1800畴壁中原子层电子自旋方向的转变形式:
为满足没有内部磁极因而没有退磁场这一要求, 900畴 相邻两畴自发磁化强度夹角的平分面。 壁取向应为相邻两畴自发磁化强度夹角的平分面。 相邻两畴自发磁化强度夹角的平分面
Bloch型90壁中的自旋取向沿锥面旋转,以保持垂直于 以保持垂直于 畴壁平面的分量不变,避免了在畴壁两侧产生退磁能。 畴壁平面的分量不变 即:畴壁中的原子磁矩取向始终保持与畴壁法线夹角不变 畴壁中的原子磁矩取向始终保持与畴壁法线夹角不变。 畴壁中的原子磁矩取向始终保持与畴壁法线夹角不变
≐ 1.5 × 10 J ⋅ m