板式PECVD作业指导书
PECVD作业指导书
CENTROTHERM管式PECVD操作说明书按压START真空泵启动按钮，启动真空泵。
（图
图6.1.2
打开并检查气源。
打开压缩空气阀，N2阀，NH3阀，
6kg /cm2—7kg /cm2。
其他气体4 kg /cm2—10kg /cm2范围
开启SIH4阀（图4）
图（4）阀（图6）
图（6）开总电源。
用手扳住电柜外部的红色按钮，机器上指示灯
图（8）
VAT控制器灯亮，可确定总电源已开启（图8）。
启动CMI程序。
开总电源后计算机自动启动。
输入密码后自动进入Windows桌面。
用鼠标左键双击“CMI”图标，启动CMI。
进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ，TUBE=READY ，TGA FREE=YES
SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK（整体界面图9）
选择工艺程序，生产。
插片。
用小车承载石墨舟，在插片房中插满硅片。
向机器进车。
向机器推入装完片的石墨舟小车。
计算机
在“LOTS”里输入自己名字的拼音缩写，在舟号里输入舟的号码。
选择对应的工艺文件。
设备自动进行工艺生产。
(整体界面图10)
图（10）。
PECVD作业指导书
保密级别C文件种类作业指导书文件编号LW－PT3－015－A0编制部门工艺技术部编制/日期修订/日期审核/日期批准/日期PECVD作业指导书1..目的指导生产2 适用范围电池制造部PECVD工序OTB设备。
3 定义无4 职任、权限适用于PECVD工序OTB设备的车间作业人员5 工作流程图无6 正文6.1 操作目的在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜。
6.2 设备及工具OTB设备、载片盒、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪6.3 材料与工艺气体HF清洗后合格的多晶硅片、硅烷、氨气、氩气、氮气、压缩空气。
6.4 车间洁净管理进入车间必须穿戴工作服，操作时戴洁净的手套、口罩。
并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
6.5准备工作6.5.1 设备准备确认设备正常运行,工艺真空度要求、工艺温度、冷却水压力、特气压力及流量正常. 6.5.2 原材料准备检查RANA湿法刻蚀后的硅片,将合格硅片传送至DEPX加载位置，准备生产；不合格片不能投入.6.5.3 工装工具准备备齐用于工艺生产的载片盒、隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、椭片仪等。
6.6 机械装片机械手自动传送至DEPX24006.6.1 自动装舟自动上片，机械手依次装满3×4的石英舟，然后，进入载入室进行抽真空等步骤。
6.6.2 LMS传送系统磁悬浮轨道的自动传送，使石英舟在整个真空环境下与底部导轨无接触的传输完成整个工艺过程。
手动取片盒：首先将一排的3个载片盒依次取出，然后放到指定位置或传送至下道工序印刷。
注意事项：取片盒时一定要轻，防止硅片掉出片盒，增加不必要的碎片，保持载片盒的竖直取放和移动。
将合格硅片随流程单一起转下工序，严禁不合格硅片转入下道工序。
将合格硅片与随工单一起转下工序。
常见不合格硅片有崩边、缺角、裂纹、碎片、变色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。
6.7 操作控制6.7.1 绒面硅片经PECVD镀膜后减反射膜厚度目标平均值为88±2nm，表面折射率平均目标值应为 2.08±0.03。
PECVD操作指导书
版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate1.目的：规范操作，为生产车间操作规范化提供依据2.范围：适用于PECVD设备使用工序.3. 职责：3.1.1负责PECVD设备的开机和关机程序。
3.1.2负责PECVD设备的日常维护。
3.1.3负责发现作业过程中其设备出现问题怎样解决。
4. 名词定义：无5. 设备使用程序：5.1 使用环境及工作条件5.1.1 环境温度＜25℃5.1.2 相对湿度＜75%5.1.3 净化等级1000级~10000级5.1.4 电源三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管5.1.5 供水水压0.2MPa~0.4MPa5.1.6 供气SiH4NH3N2O2CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa5.1.7 配排风排毒装置5.2对环境及能源的影响PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。
5.3安全版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。
唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。
所有气路管道不允许有任何泄漏点。
5.4使用前的准备5.4.1 接通整机电源；5.4.2 接通本机水路；5.4.3 接通各路气路。
若设备停止工作时，应该将反应管内部抽成真空，停止加热，其目的是为了防止真空管路过热，会使压力传感器严重零漂，影响压力测量。
待温度低于250℃再停水，并关断NH3、SiH4等气体的手动阀。
PECVD岗位说明书
将硅片与舟很好的接触； 5.5.5 工艺运行，发生报警现象，立即通知设备人员，不要私自处理； 5.5.6 各线小车不可以通用，以免造成撞舟； 5.5.7 注意工艺圆点大小，工艺圆点尺寸大于 1.6mm 则停止使用该舟，记录并通知设备
5.2.8 插满一面后，将吸笔挂好，双手按住小推车把手，缓慢用力将舟放平,右手扶住小车底部，
缓慢转动小推车台面，将舟旋转 180 度，然后双手按住小车把手将舟倾斜 40 度，将另一面 插满，其间手不得接触硅片；
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 4 / 11
5.2.9 片子插完后，双手按住小车把手将舟放平； 5.2.10 对石墨舟内片子进行确认，检查硅片是否与舟璧贴合，有无漏等现象； 5.2.11 确认电极孔的完好，无异物，同时确认电极孔的一端朝向炉内放置
b.冷却水压力、压差、流量、温度确认，真空泵工作状态确认；
c.自动上料机械臂状态确认，能否正常上下舟；
d.确认机器是否有其它报警现象；
e.作业环境洁净度要求：10 万级 温度：21~25 度 湿度 45--55%； f.发现报警等异常及时反馈给设备； 5.1.4 5S 及岗位工艺卫生: a.正确配戴好、口罩、手套， 每班上班后立即清理岗位现场及设备卫生，以保证车间的洁净度； b.禁止直接用手接触硅片或石英吸笔头，取出四盒后放于插片台，其他硅片应全部放在洁净柜
5.2.5 将放置有石墨舟的小推车缓慢推入净化工作台，注意小推车和石墨舟勿与工作台撞击;
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 3 / 11
5.2.6 双手按住小推车把手，向下缓慢用力将舟倾斜 40 度，并检查舟的放置是否平稳；
PECVD作业指导书
PECVD作业指导书PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）被广泛应用于半导体、微电子和涂层行业，用于制备高品质的薄膜材料。
本文将介绍PECVD的基本原理，工作过程以及在不同领域的应用。
一、基本原理PECVD是一种基于化学气相沉积的薄膜制备技术，其核心原理是利用等离子体激活气体分子，在较低的温度下生成和沉积薄膜。
其主要步骤包括气体进样、气体激活、离子束加速和沉积薄膜。
通常，PECVD系统由真空室、进气系统、高频发生器和沉积室等部分组成。
二、工作过程1. 气体进样：待沉积的薄膜材料会以气体形式通过进气系统输入到PECVD系统中。
常用的气体包括硅烷、氨气、二甲基酮等。
2. 气体激活：高频发生器产生的高频电场作用下，原质子分解为阳极、阴极和自由电子，形成等离子体。
等离子体释放出的电子和原子之间发生碰撞，激活气体分子。
3. 离子束加速：在等离子体激活气体的作用下，离子在电场的作用下被加速，形成离子束。
离子束的能量和速度决定了薄膜生长的速度和质量。
4. 沉积薄膜：离子束撞击基片表面，使原子重新排列并沉积在基片上，形成薄膜。
具体沉积过程中，离子以电子作为中间体，通过吸附、解离和重组等反应形成化学键。
三、应用领域1. 半导体工业：PECVD被广泛应用于半导体器件的制造中。
例如，可以使用PECVD在晶圆上沉积硅氮氧化物作为绝缘层，或者沉积多晶硅用于构建晶体管等。
2. 微电子工业：PECVD可以在平板显示器、光伏电池和传感器等微电子器件的制造过程中发挥重要作用。
例如，PECVD可用于制备SiNx和SiOx薄膜用于光学薄膜和阻隔层。
3. 涂层工业：PECVD还被应用于不同类型的涂层，例如防反射涂层、耐磨涂层和阻隔膜等。
通过控制沉积参数，可以调节薄膜的光学、电学和机械性能，以满足不同的应用需求。
总之，PECVD作为一种重要的化学气相沉积技术，在半导体、微电子和涂层领域发挥着重要作用。
PECVD作业指导
操作规范: 操作规范
一、 操作前准备工作 正确穿戴方法及要求： 正确穿戴方法及要求： 穿戴方法及要求 必须穿戴：工作帽、工作服、布鞋、一次性口罩、 必须穿戴：工作帽、工作服、布鞋、一次性口罩、乳胶手套 二、 操作要求及步骤 工艺流程如下： 工艺流程如下：
从洁净 柜取片
插片
放舟
工艺
卸舟
冷却 卸片
操作步骤： 操作步骤： 1、来料检查 、 、戴上一次性手套 （1） 戴上一次性手套。 ） 戴上一次性手套。 、 、检查流程卡上的信息 （2） 检查流程卡上的信息，看批次、数量等是否正确。 ） 检查流程卡上的信息，看批次、数量等是否正确。 、 、目视检查待镀膜的硅片 （3） 目视检查待镀膜的硅片，将缺角片，裂纹片等不良硅片挑出。 ） 目视检查待镀膜的硅片，将缺角片，裂纹片等不良硅片挑出。 、 、将硅片放到洁净柜等待插片。 （4） 将硅片放到洁净柜等待插片。 ） 将硅片放到洁净柜等待插片 、 2、插片 、 用吸笔吸起硅片，贴着石墨舟的槽壁滑入槽内，由三个工艺点定位， 用吸笔吸起硅片，贴着石墨舟的槽壁滑入槽内，由三个工艺点定位，硅片与槽 吸起硅片
文件名：PECVD 操作规范及注意事项 文件号： 版本号： 编制: 审核:
页数： 发布日期： 批准：
Quality is the conformance to standards.
质量是完全符合相应的标准。 质量是完全符合相应的标准。
When our product meets the requirement of the standard set， set， it is of good quality and our product can be use for it’s it’ intended function.
PECVD镀膜作业指导书
承认确认作成3、 4、1.确认小车完好2.确认石墨舟完好3.核对物卡数量4.放置硅片5.小车放置区域6.石墨舟向前倾斜7.准备吸片8.插片9.注意事项10.检查硅片11.放置空篮12.空花篮劳动防护用品：13.空花篮放置区14.一面装片完成15.石墨舟复位16.旋转180°改定履历年月日改定内容123454.确认流程单数量与实际数量一致且硅片表面无异常，无崩边缺角。
7.装卸片时吸笔要保证干净.8.硅片顺着槽壁滑进槽内，由工艺点定位，注意速度和角度。
9.检查插片是否漏片，是否贴合槽壁。
工序目的：使用部品材料： 吸笔，花篮，小车，石墨舟制作晶体硅电池的减反射膜及钝化 1、PE机10.插片顺序应从左到右，从上到下。
12.石墨舟倾斜度根据操作员高度，台架高度来调整，合适的角度利于操作。
定位置管理说明格式编号：HCZY 011．穿戴好劳保用品。
2.保证小车运转平稳。
3.确认石墨舟叶片完好，螺丝紧固，在小车放置平稳。
5.硅片放置平稳，确保非扩散面贴向槽壁。
页码信息：HCBZZZ040 总 4 页01PECVD镀膜操作作业指导书文书编号版 本修改日期第 1 页年 月 日 年 月 日作成日期1.应遵守的要点及注意事项设备名/设备编号： 2、使用夹具、 工具：每舟规定资料及判定标准管理要点测定法目测无杂物5.双手扶着石墨舟缓慢调整倾斜，避免手臂接触石墨舟。
2.改定色彩均匀管理項目3pcs/舟沉积面确认承认频度样品数电极头11.插片时硅片扩散面朝外，非扩散面贴着槽壁。
13.石墨舟必须复位扶正水平时方可旋转。
备 考3.目测单晶硅片。
作业手顺·遵守事项●作业手顺扩散硅片手套（PVC),口罩，网孔布鞋。
样式编号：AAAE02。
PECVD作业指导书08
目的:制定设备保养的具体要求、执行步骤和标准设备\工具:吸尘器，tools，眼罩环境\安全要求: 见文末1.控制方案:2.控制标准: 3处理方案: 操作规程:一.Plasma SourceQuartz tube: 石英管，inner conductor: 内置铜导管，high density plasma area: 高密度等离子体区域，coaxial outerconductor: 同轴外导体，magnet system: 外加磁场系统，thin film deposition plasma: 薄膜敷层等离子体，depositionshield: 敷层防护槽，gas supply: 气体供应，substrates: 载片Deposition Shield 沉积敷层护槽Front Deposition Shield 前部沉积敷层护板●Cooling Water Supply (Inlet)冷却水入口❍Cooling Water Supply (Outlet) 冷却水出口⏹Gas Supply (NH3) 氨气供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口❑SiH4 Gas Shower 硅烷输出口❒Cooling Water System 冷却水系统♦Magnet System 磁性系统线性等离子体源的基本构造Removing the Quartz Tubes 拆卸石英管当设备运行工艺一段时间后，由于工艺腔内部会产生1到2簿膜层，然而这些簿膜层将会直接影响到敷层的效率，因此我们在用石英管30-40小时后更换，装卸步骤如下：(1)首先停止工艺，关闭泵，vent三个腔体，打开所有的盖子；(2)拆除微波产生器外部的盖子；(3)拔出每一侧与微波产生器相连的铜制天线；(4)向上轻提将侧部的敷层护板拆除；检修频次：40小时或工艺需要工艺要求更换(5)用设备提供的半月形工具先嵌人卡口互锁插头的孔中然后在向顺时针旋转；(6)将卡口互锁插头拔出；(7)最后将石英管及其配件沿竖直方向托出；(8)用吸尘器将它的源头和法栏处的微粒杂质吸出；2．Removing the Deposition Shields 拆卸敷层防护槽有时候当等离子体源经过长时间的工作后，也由于沉积过多并附着在敷层防护槽上，在这种情况下对防护槽的清洁也是非常重要的，因此我们需要将防护槽卸下来通常通过喷沙处理和超声波清洗并与酒精结合处理；特殊的T型工具（左）和维护操作过程开关比较（右）拆卸敷层防护槽的步骤：(1)先用真空吸尘器将槽内的敷层颗粒及杂质除去；(2)再用设备的T型工具固定住防护槽的一字栓后顺时针旋转90度；(3)沿竖直方向拔出防护槽；(4)清洁防护槽及其备件；(5)再次之后可用酒精将剩余的杂质祛除；检修频次：季度是否变形，完好度的判断更换，清洁，如果要更换敷层防护槽子可根据的拆除敷层防护槽的操作顺序相反进行操3 Cleaning the Plasma Source 清洁等离子体源作设备中的等离子体源也要定期的进行维护和清洁。
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板式PECVD作业指导书
一、目的：
建立正确操作PECVD机的规范，以保证PECVD的质量及保护机器和人身安全。
二、范围：
本指导书适用于板式PECVD设备的操作规程。
三、职责
3.1、工艺技术人员
3.1.1负责板式PECVD工序生产工艺运行的正常性、稳定性。
3.1.2负责部门内工艺运行原始资料的累积，保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理
工艺异常。
3.1.3负责应对板式PECVD设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急
方案。
3.2、设备技术人员
3.2.1负责板式PECVD设备开关机、故障分析、设备维护及检修。
3.2.2如有工艺需求，积极配合工艺人员调整设备硬件设置。
3.3、生产人员
3.3.1负责依照作业指导书要求，按标准进行生产作业，掌握正确的操作方法，确保操作安全、人身
安全。
3.3.2 细心总结操作经验，发现新问题或改善建议，及时向工艺技术员汇报。
3.3.3 负责对板式PECVD设备进行标准、规范化操作，并配合、协助设备的日常维护工作。
四、PECVD工艺标准操作流程
4.1准备工作
生产人员穿戴好防尘服，戴好口罩及防尘手套，做好准备工作，确保吸笔干净，传输处于手动状态。
手动模式
4.2 领取硅片自动模式
4.2.1生产人员到去PSG车间与PECVD车间中间的传递窗口领取
硅片，并检查流程单，每次取一盒；
4.2.2将硅片放置于工作台上规定区域，按批次分类放好。
4.3 上料
4.3.1将硅片篮H面朝上拿在手里，确保硅片的扩散面朝上；
4.3.2 取下真空吸笔进行插片，食指堵住真空吸笔上的小孔；
4.3.3将吸笔置于硅片如图所示位置；
4.3.4将硅片顺着硅片篮水平取出，轻轻放置于石墨框四
方格区域内；
4.3.5 待石墨框放满之后，在确定没有漏放以及不合格放置的
硅片后，按下传输按钮。
如图：
4.4 下料
4.4.1将石墨框中镀好膜的硅片从石墨框中取出，放入硅片盒中；
4.4.2取完一框后，按下传输按钮，等待下一框；
4.4.3待硅片全部取出装与硅片盒中后,盒子中的垫片统一规定
用硬的泡沫垫片。
将硅片盒连同流程单送入丝网印刷工序，并
与丝网印刷段生产人员完成交接。
五、异常的处理
5.1上片过程中，员工要密切关注每一片硅片的表面状况，出现碎片、缺角片及裂纹片时要及时拿下来， 不得将其继续镀膜，若发现硅片表面状况或颜色有异常，及时通知技术人员处理。
5.2下片或测试时若发现颜色异常片或是膜厚折射率超出工艺控制要求，首先停止上料，再通知技术员进行处理；
传输按钮
5.3 镀膜过程中如果出现报警或是卡盘等问题，首先停止上料，再通知设备人员进行处理。
六、其他注意事项
6.1 生产过程中，严禁裸手接触硅片、吸笔。
6.2确保手套的洁净度，每400片更换一次手套，如果出现沾污或是接触过皮肤、头发等带有油脂的物品，请更换手套。
七、相关文件及记录：(无)。