场效应管电机驱动-MOS管H桥原理
mos管驱动的全桥电路原理
mos管驱动的全桥电路原理全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，可以实现电压、电流的变换和控制。
在全桥电路中，MOS管是常用的开关元件。
本文将详细介绍mos管驱动的全桥电路原理。
全桥电路由四个MOS管组成，分别是上侧的两个开关管和下侧的两个开关管。
这四个MOS管可以分别控制电流的通断，通过合理的控制，可以实现对电压和电流的精确控制。
在全桥电路中，MOS管的驱动是至关重要的。
驱动电路的设计和实现可以有效地提高全桥电路的效率和性能。
我们来了解一下MOS管的基本原理。
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，由源极、漏极和栅极组成。
当栅极与源极之间的电压达到一定阈值时，MOS管就会导通，形成一条通路，电流可以流过。
在全桥电路中，MOS管的驱动电路通常采用半桥驱动或全桥驱动。
半桥驱动只需两个驱动信号，可以实现两个MOS管的控制，而全桥驱动则需要四个驱动信号，可以同时控制四个MOS管。
半桥驱动的原理是通过两个晶体管和两个电阻器组成的电路，通过控制晶体管的导通和截止，来实现对两个MOS管的控制。
当晶体管导通时，相应的MOS管导通，反之，MOS管截止。
通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以控制MOS管的导通和截止，从而实现对电流和电压的控制。
全桥驱动则采用更加复杂的电路设计。
它由四个晶体管和四个电阻器组成，每个MOS管都与一个晶体管和一个电阻器相连。
通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以实现对四个MOS管的分别控制。
全桥驱动可以实现更加精确的控制，提高电路的稳定性和效率。
在mos管驱动的全桥电路中，还需要考虑保护电路的设计。
由于MOS管是一种敏感的元件，容易受到过电压、过电流等因素的影响，因此需要设计相应的保护电路，以保证电路的安全和稳定运行。
mos管驱动的全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，通过合理的驱动设计和实现，可以实现对电压和电流的精确控制。
在实际应用中，还需要考虑保护电路的设计，以确保电路的安全和稳定运行。
mos管组成的h桥电路
mos管组成的h桥电路MOS管组成的H桥电路听起来是不是有点儿高大上？其实也没啥复杂的，别被这些专业术语吓到，今天我们就用最简单的语言来聊聊这玩意儿，保证你听了之后，立马觉得自己就能设计一个H桥电路，绝对不输那些学霸。
好了，废话不多说，咱们开始吧！首先得说，H桥电路可不是什么新鲜玩意儿，很多时候它被拿来驱动直流电机，想象一下，咱们的电动车、电动工具啥的，不少都是用的这套技术。
为什么呢？因为H桥电路的结构特别好，能控制电机转动的方向，还能调节速度，简直是电机界的“百搭神器”。
它能精确地控制电流的流向，这就让电机能“听话”，做什么都能给你做得非常精确，不会乱跑，啥时候加速、啥时候减速都能自如掌控。
你可能会问，H桥电路到底长啥样呢？嗯，你可以把它想象成一个“字母H”的形状，中间是电机，四条腿分别接着MOS管，左右两边的MOS管负责控制电流的进出，听起来是不是简单多了？不过，事情哪有那么容易！这个“字母H”里可是有不少学问的，最关键的就是那些MOS管。
你要是把MOS管用得好，整个电路就能如鱼得水。
你要是用不好，就容易出事。
比如说，MOS管开关的时机不对，电流反向流动，那就不好了，电机要是转个不停，或者突然停下，搞不好会烧掉呢。
说到MOS管，你知道它是啥吗？简单说，MOS管就是一种半导体器件，用它来控制电流，就像开关一样。
想象你有个电灯开关，按下去，电流就通过，电灯亮了，松开，电流切断，电灯灭了。
MOS管也是这么工作的。
其实它比传统的机械开关厉害多了，开关速度快、效率高，最重要的是，它还能处理高电压和大电流。
就凭这一点，MOS管就已经是现代电子世界的“明星”了。
话说回来，H桥电路里，一般都是四个MOS管，两个在上，两个在下。
上面的MOS管负责给电机送电，下边的负责接地。
这样，当你想让电机顺时针转，就开上面左边的MOS管，闭上上面右边的MOS管，同时打开下面右边的MOS管，关闭下面左边的。
哇，这个电机就开始往右转了；如果你想让它逆时针转，你只需要调整下开关的方式，把左边和右边的MOS管调换一下，电机就能倒转。
[讲解]场效应管工作原理
![[讲解]场效应管工作原理](https://img.taocdn.com/s3/m/ac839259a88271fe910ef12d2af90242a895abea.png)
[讲解]场效应管工作原理场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN 型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。
如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极，N端接负极)时，二极管导通，其PN结有电流通过。
这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。
同理，当二极管加上反向电压(P端接负极，N端接正极)时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
1/11页对于场效应管(见图7)，在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态(图7a)。
当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b)，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。
场效应管原理
场效应管原理场效应管引言•场效应管，也称为晶体管，是一种重要的电子元件。
•它具有广泛的应用领域，如功率放大、开关、频率倍增等。
基本知识•在理解场效应管之前，首先需要了解它的基本结构和工作原理。
结构场效应管一般由四个区域组成： - 栅极（G）：栅极是控制场效应管导通能力的部分。
- 源极（S）：源极是场效应管输出信号的出口。
- 漏极（D）：漏极是场效应管输出信号的入口。
- 通道（channel）：通道是栅极和漏极之间的导电路径。
工作原理•场效应管的工作原理是通过调节栅极电压来控制通道中的电流。
•通常情况下，通道中的电流（漏极电流）与栅极电压之间呈现一定的关系。
类型及特点场效应管根据不同的硅材料和工艺制造方法，可以分为多种类型，常见的有： - N沟道型场效应管（NMOS）：通道中的电流随着栅极电压的增大而增大。
- P沟道型场效应管（PMOS）：通道中的电流随着栅极电压的减小而增大。
特点： - 高输入阻抗：场效应管的输入阻抗很高，对输入信号源的负载影响较小。
- 低输出阻抗：场效应管的输出阻抗很低，能够提供很大的输出电流。
- 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适用于高频应用。
- 体积小、重量轻：场效应管相对于其他电子元件来说体积小，重量轻，有利于电路的迷你化和轻便化。
应用领域场效应管广泛应用于各个领域，包括但不限于以下几个方面： 1. 电子电路中的开关：场效应管可以实现电信号的开关控制。
2. 电子电路中的放大：场效应管具有放大功能，可用于信号放大电路。
3.功率放大器：场效应管可以作为功率放大器，提供较大的输出功率。
4. 高频应用：场效应管的快速开关速度使其在高频应用中得到广泛应用。
5. 传感器驱动电路：场效应管可用于控制和驱动各种传感器。
总结•场效应管是一种重要的电子元件，具有广泛的应用领域。
•它通过栅极电压来控制通道中的电流，实现信号的开关和放大功能。
•场效应管的特点包括高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度、体积小、重量轻等。
场效应管h桥电路
场效应管h桥电路（原创实用版）目录1.场效应管 h 桥电路的概述2.场效应管 h 桥电路的工作原理3.场效应管 h 桥电路的应用4.场效应管 h 桥电路的优缺点正文一、场效应管 h 桥电路的概述场效应管 H 桥电路，是一种常用的放大电路，它的主要构成部分是四个场效应管。
这种电路具有很好的电压放大特性，被广泛应用于各种电子设备中，如音频放大器、无线通信设备等。
二、场效应管 h 桥电路的工作原理场效应管 H 桥电路的工作原理主要基于场效应管的电压放大特性。
在电路中，四个场效应管分为两组，分别是输入端和输出端，每组各有两个场效应管。
输入端的两个场效应管分别接受输入信号，输出端的两个场效应管则提供放大后的信号输出。
当输入信号发生变化时，输入端的两个场效应管会根据输入信号的电压变化而开关，从而改变输出端的两个场效应管的导通状态。
这样就实现了对输入信号的放大。
三、场效应管 h 桥电路的应用场效应管 H 桥电路广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压放大。
例如，在音频放大器中，场效应管 H 桥电路可以对音频信号进行放大，从而使音频信号能够驱动扬声器发出更大的声音。
在无线通信设备中，场效应管 H 桥电路可以用于放大信号，从而增强信号的传输距离。
四、场效应管 h 桥电路的优缺点场效应管 H 桥电路具有许多优点，例如，它的电压放大特性非常好，可以提供较大的电压增益。
此外，它还具有输入阻抗高、输出阻抗低等优点。
然而，场效应管 H 桥电路也存在一些缺点。
例如，它的电流放大能力较弱，不能提供较大的电流增益。
此外，它的制作工艺较为复杂，需要精确控制场效应管的尺寸和掺杂浓度等参数。
h桥电路的原理及应用介绍
H桥电路的原理及应用介绍一、H桥电路原理H桥电路是一种常见的电子电路结构，因其形状类似于英文字母“H”，故得名为H桥。
H桥电路主要用于控制直流电机或其他电机的方向和速度。
它由四个开关器件（如晶体管或场效应管）组成，形成了一个H形的电路结构。
在H桥电路中，当两个开关器件处于导通状态，而另外两个处于截止状态时，电机就会正向旋转；反之，当另外两个开关器件导通时，电机就会反向旋转。
通过控制这四个开关器件的开关状态，可以控制电机的旋转方向和速度。
二、H桥电路结构典型的H桥电路结构如下图所示：图：H桥电路结构示意图在图中，当Q1和Q4导通，而Q2和Q3截止时，电流从左至右流过电机，使电机正向旋转；反之，当Q1和Q4截止，而Q2和Q3导通时，电流从右至左流过电机，使电机反向旋转。
三、H桥电路工作模式根据开关器件的控制方式，H桥电路有三种工作模式：双极性模式、单极性模式和斩波模式。
双极性模式：在这种模式下，电机在正转和反转时都以全速运行。
这种模式适用于需要高转矩的应用。
单极性模式：在这种模式下，电机只能在一个方向上全速运行，而在反方向上停止。
这种模式适用于需要快速反转的应用。
斩波模式：在这种模式下，电机的平均电压和电流被调节在一定的范围内。
这种模式适用于需要精确控制电机速度的应用。
四、H桥电路驱动方式H桥电路的驱动方式主要有两种：直接驱动和隔离驱动。
直接驱动：在这种方式下，控制信号直接驱动开关器件。
这种方式简单、成本低，但要求控制信号的电流驱动能力较强。
隔离驱动：在这种方式下，使用隔离器件（如光耦合器）将控制信号与开关器件隔离，以避免相互影响。
这种方式适用于高速、大功率应用。
五、H桥电路的应用领域H桥电路广泛应用于各种需要控制直流电机方向和速度的场合，如电动玩具、汽车电子、无人机等。
它还可以用于控制其他类型的负载，如电磁阀、加热器等。
六、H桥电路在电机控制中的应用在电机控制中，H桥电路主要用于直流电机的方向和速度控制。
h桥mos管沟道续流原理
h桥mos管沟道续流原理[h桥mos管沟道续流原理]引言：在电子领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常常见且重要的器件。
在许多应用中，H桥电路被广泛使用，其中MOSFET的沟道续流原理是其核心。
本文将详细介绍H桥MOSFET沟道续流原理，并逐步解释其工作过程。
第一部分：H桥电路的基本概念H桥电路是一种常见的电路配置，常用于电机驱动、电源逆变器等应用中。
它由四个开关器件（通常四个MOSFET）组成，形成一个类似字母"H"的形状。
其中，两个对角线上的MOSFET称为上桥臂，另外两个则是下桥臂。
通过适当地控制这四个MOSFET的导通与截止，可以实现对电流的双向控制，从而实现电机的正转、反转或制动等操作。
第二部分：MOSFET的基本结构和工作原理MOSFET是一种可以控制电流的器件，它由沟道和栅极组成。
栅极用于控制沟道的通断，沟道则实现电流的流动。
MOSFET的沟道分为两种类型：N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）。
N沟道MOSFET通常用于正向电流驱动，P沟道MOSFET则可用于负向电流驱动。
第三部分：H桥MOSFET沟道续流原理H桥MOSFET沟道续流是指电流在MOSFET的导通状态下，从一个桥臂流向另一个桥臂的现象。
这在电机反向转动或制动时是非常重要的。
以下将详细解释沟道续流的原理。
步骤一：正向电流驱动当控制H桥电路使得上桥臂MOSFET导通，而下桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是正向电流。
在这种情况下，上桥臂MOSFET的沟道中的电流开始流动，同时下桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向正向转动。
步骤二：反向电流驱动当控制H桥电路使得下桥臂MOSFET导通，而上桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是反向电流。
这时，电流会沿着下桥臂MOSFET的沟道流动，同时上桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向反向转动。
h桥电机驱动电路
h桥电机驱动电路H桥电机驱动电路H桥电机驱动电路是一种常用的电路设计，用于控制直流电机的运转方向和速度。
它通过使用四个电晶体来控制电机的正反转，并且可以通过改变电晶体的导通方式来控制电机的速度。
本文将详细介绍H桥电机驱动电路的工作原理、组成和应用。
1. 工作原理H桥电机驱动电路由四个电晶体组成，其中两个电晶体用于控制电机的正转，另外两个电晶体用于控制电机的反转。
当电机需要正转时，对应的两个电晶体导通，使电流流过电机，使其正转。
当电机需要反转时，其他两个电晶体导通，使电流流动方向相反，使电机反转。
为了控制电机的速度，可以通过改变电晶体的导通方式来改变电机的驱动电流。
常见的方法是使用PWM (Pulse Width Modulation) 技术，在一个周期内改变电晶体导通的时间比例，从而改变电机的转速。
较短的导通时间比例会使电机转速增加，而较长的导通时间比例会使电机转速降低。
2. 组成H桥电机驱动电路由以下几个主要组成部分构成：2.1 电源电源提供所需的电压和电流，以驱动电机正常运行。
通常使用直流电源作为电机的电源，其电压根据电机的驱动要求而定。
2.2 控制信号输入端H桥电机驱动电路需要控制信号来控制电机的转向和速度。
这些控制信号通常来自于微控制器、单片机或其他控制设备。
控制信号输入端接收这些信号，并根据信号的不同导通对应的电晶体，从而控制电机的运行。
2.3 逻辑电路逻辑电路用于控制电晶体的导通和截止状态。
它接收控制信号，并根据信号的逻辑状态来控制电晶体的导通和截止。
2.4 电晶体H桥电机驱动电路使用四个电晶体，通常为MOSFET (金属氧化物半导体场效应管) 或者IGBT (绝缘栅双极性晶体管)。
这些电晶体用于控制电机的正反转和速度。
2.5 保护电路为了保护电机和电路，H桥电机驱动电路通常还会包含一些保护电路，例如过流保护、过温保护和反向电压保护等。
这些保护电路能够有效防止电机损坏和电路故障。
3. 应用H桥电机驱动电路广泛应用于各种领域和场合，例如机器人控制、汽车电动系统、工业自动化等。
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精心整理
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。
下图就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成，所以它叫P-NMOS管H桥。
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桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。
场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。
正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低电平（U=0）时，Q1、Q4关闭，Q2、Q3导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机正转。
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控制臂1置低电平、控制臂2置高电平时，Q2、Q3关闭，Q1、Q4导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机反转。
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当控制臂1、2均为低电平时，Q1、Q2导通，Q3、Q4关闭，电机两端均为高电平，电机不转；
当控制臂1、2均为高电平时，Q1、Q2关闭，Q3、Q4导通，电机两端均为低电平，电机也不转，
所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。
（另外还有4个N型场效应管的H桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。
）
下面是由与非门CD4011组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H桥的控制臂需要0V或7.2V电压才能使场效应管完全导通，PWM输入0V或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V或7.2V，前提是CD4011电源电压为7.2V。
切记！！
故CD4011仅做“电压放大”之用。
之所以用两级与非门是为了与MC33886兼容。
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两者结合就是下面的电路：调试时两个PWM输入端其中一个接地，另一个悬空（上拉置1），电机转为正常。
监视MOS管温度，如发热立即切断电源检查电路。
CD4011的14引脚接7.2V，７引脚接地。
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使用时单片机PWM输出信号：1路为PWM方波信号，另一路为高电平（置1）。
反转亦然。