电子能谱XPS实验报告
X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS)
半导体工业
晶体缺陷分析、界面性质研究 等。
环境科学
大气污染物分析、土壤污染研 究等。
X射线光电子能谱分析的优缺点
1 优点
提供元素化学状态信息、非破坏性分析、高表面敏感性。
2 ห้องสมุดไป่ตู้点
样品需真空处理、分析深度有限、昂贵的设备和维护成本。
总结和展望
X射线光电子能谱分析是研究材料表面的有力工具。未来，随着仪器和技术的 不断进步，XPS将在更多领域发挥重要作用。
X射线光电子能谱分析方 法及原理(XPS)
X射线光电子能谱分析(XPS)是一种表面分析技术，通过测量材料的X射线光 电子能谱来研究材料的电子结构和化学组成。
X射线光电子能谱分析的基本 原理
XPS基于光电效应，探测材料与X射线相互作用所放出的光电子。通过测量光 电子能量和强度，可以推断材料表面元素的化学态。
X射线光电子能谱分析的仪器和实验设备
XPS仪器
包含X射线源、光电子能谱仪 和数据处理系统。
电子枪
产生高能电子束，用于激发材 料表面。
光电子能谱仪
测量光电子的能量和角度，用 于分析材料的电子结构。
X射线光电子能谱分析的样品准备方法
1 表面清洗
去除杂质和氧化层，以确保准确测量。
2 真空处理
在超高真空条件下进行实验，避免气体影响。
3 固定样品
使用样品架或夹具将样品固定在仪器中。
X射线光电子能谱分析的数据处理和解 析方法
峰面积计算
根据光电子峰的面积计算元素含量。
能级分析
通过分析光电子的能级分布，推断材料的化学状态。
谱峰拟合
将实验谱峰与已知标准进行拟合，确定元素的化学态和含量。
X射线光电子能谱分析的应用领域
X射线光电子能谱分析
X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS）是现代表面分析技术中的一种重要手段。
它通过利用X射线入射在样品表面，当X射线光子与样品表面原子相互作用时，光电子会由样品表面发射出来，在光电子能谱仪中被探测和分析。
XPS可以获得试样的化学组成、化学状态、电荷状态、表面价态等信息，是研究材料界面、表面电子结构和化学活性等问题的有效手段。
一、XPS原理XPS的工作原理基于电子的能量损失。
当单色X射线光子与样品表面发生相互作用时，光子会被表面原子中的一个或多个电子吸收，从而将其能量转移给被激发的电子，将其从价层挪到离子层。
这些被激发的电子称为光电子（photoelectrons），它们遵循能量守恒定律，其动能与入射X射线能量之差等于与样品表面接触的电子势垒（即逸出功）。
二、XPS仪器及实验流程XPS实验仪器由准直系统、透镜和光学系统、交变极化源、能量分辨系统和探测器等部分组成。
实验流程主要包括样品表面清洗、样品加载、真空抽气和光子能谱仪调试等步骤。
在实际实验中，需要对仪器进行校准，然后利用X射线束斑轨迹扫描测量样品的光电子能谱，分析得到有关样品表面化学状态和组分的信息。
三、XPS数据处理和解析对于XPS实验中得到的光电子能谱进行数据处理和解析，包括去噪、基线修正、能峰积分、峰位转换和峰型拟合等。
常见的XPS光电子峰是由不同价态原子轨道势能引起的能级分裂和化学键形成导致的电子态密度变化引起的能级位移等。
通过对峰的形状和位置进行拟合，可以得到样品中化学元素的表面分布和含量，以及化学键的结果和壳层电子转移等信息。
四、XPS应用领域XPS在材料科学、表面物理和化学等领域有广泛的应用。
在表面和界面科学中，XPS可以用于研究材料表面结构、表面吸附反应、薄膜生长和界面电子结构等。
在电化学和电子器件领域，XPS可以用于研究材料电子结构、光伏材料表面化学性质以及界面反应等。
XPS能谱分析方法及原理
过滤窗
样品室 能量分析器 检测器
真空系统 (1.33×10-5—1.33×10-8Pa)
磁屏蔽系统(～1×10-8T)
扫描和记录系统
XPS 的工作原理：
X-ray 样品
电离放出光电子
能量分析器
检测器 e-
（记录不同能量的电子数目） 光 电 hν(X-ray) 子 产 生 过 程 ： A(中性分子或原子)&缘体的荷电效应是影响结果的一个重要因素)
1.消除法： 用电子中和枪是目前减少荷电效应的最好方法； 另一种方法是，在导电样品托上制备超薄样品， 使谱仪和样品托达到良好的电接触状态。 2.校正法： 主要有以下几种方法： a.镀金法；b.外标法； c.内标法；d.二次内标法； e.混合法；f.氩注入法。
样品与谱仪间的接触 电位差ΔV等于样品与 谱仪的功能函数之差： фѕ-фѕp
(其中，Ek’为从样品出射光电子的动能；Ek为谱仪测量到的光电子的动能)
实际测量时，利用标准样品的基准谱线来校正 被测谱线的结合能，称为内标法： Eb(测)=Ek(标)+Eb(标)-Ek(测)
（其中， Ek(标)和Eb(标)已知， Ek(测)可由谱仪测出）
XPS 的发展：
• XPS理论首先是由瑞典皇家科学院院士、乌普萨拉大学 物理研究所所长 K· Siebahn 教授创立的。 原名为化学分析电子能谱: ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。 • 1954年研制成世界上第一台双聚焦磁场式光电子能谱仪。 • XPS是一种对固体表面进行定性、定量分析和结构鉴定 的实用性很强的表面分析方法。 • 现今世界上关于XPS的刊物主要有： Journal of Electron Spectroscopy. Related Phenomena.
xps能谱
作为X射线光电子谱仪的激发源，希望其强度大、单色 性好。 同步辐射源是十分理想的激发源，具有良好的单色性， 且可提供10 eV~10 keV连续可调的偏振光。
在一般的X射线光电子谱仪中，没有X射线单色器，只 是用一很薄(1~2m)的铝箔窗将样品和激发源分开，以 防止X射线源中的散射电子进入样品室，同时可滤去相 当部分的轫致辐射所形成的X射线本底。
2.0 3.6 5.3
0.3 0.4 0.3
XPS X射线光电子谱基本原理
绝热近似
不同方法求得的Ne1s和Ne2s轨道结合能对比
计 算 方 法
Koopmans定理 SCF理论方法 直接计算方法 SCF理论方法 考虑相对论校正 考虑相对论校正及相关作用校正 实验测量值
EB(eV) 1s 2s
981.7 868.6 869.4 870.8 870.2 52.5 49.3 49.3 48.3 48.4
状态‛。
XPS X射线光电子谱基本原理
突然近似
按照这个假设前提，Koopmans认为轨道电子的结合 能在数值上等于中性体系该轨道自洽单电子波函数的本 征值的负值，即
E
KT B
( n, l , j ) E
SCF
(n, l , j )
其中：表示用自洽场方法求得的ESCF(n, l, j)轨道电子能量 的 本征值， n, l, j为轨道的三个量子数。 表示EaSCF 用
绝热近似
实测的XPS谱是同电离体系的终态密切相关的，
Koopmans定理所假设的离子轨道冻结状态是
不存在的。 绝热近似认为，电子从内壳层出射，结果使原 来体系的平衡势场破坏，离子处于激发态。这 时轨道电子结构将作出调整，电子轨道半径会
XPS
第五章电子能谱分析1.概述2.X射线光电子能谱的基本原理3.X射线光电子能谱仪及实验技术4.X射线光电子能谱谱图解析5.X射线光电子能谱的应用武汉科技大学材料与冶金学院张海军教授一、概述表层元素组成与离子¾电子能谱分析是一种研究物质表层状态的表面分析技术。
基本原理是用单色射线照射样品，使样品中原子¾其基本原理或分子的电子受激发射，然后测量这些电子的能量分布。
¾通过与已知元素的原子或离子的不同壳层的电子的能量相比较，就可确定未知样品表层中原子或离子的组成和状态。
十个纳米左右。
¾表层的信息深度大约为十个纳米左右电子能谱分析种类根据激发源的不同和测量参数的差别，常用的电子能谱分析是：¾X射线光电子能谱分析(XPS)---X-ray photoelectron spectroscopy;¾俄歇电子能谱分析(AES)---Auger electron spectroscoy;¾紫外光电子能谱分析(UPS)---ultraviolet photoelectron spectrocopy;¾二次离子质谱法（SIMS)---secondary ion mass specrometry;¾激光微探针质谱法(LMMS)---laser microprobe mass spectrometry.二、X射线光电子能谱基本原理¾XPS是由诺贝尔物理奖获得者K. Siegbahn教授领导的研究小组创立的，并于1954年研制出了世界上第一台光电子能谱仪。
¾硫代硫酸钠的XPS谱图上出现两个完全分离的S2p峰，并且两峰的强度相等；而在硫酸钠的XPS谱图中只有一个S2p 峰。
硫代硫酸钠（Na2S2O3）中的两个硫原子（+6价和-2价）周围的化学环境不同，从而造成了二者内层电子结合能有显著的不同。
光电效应物质受光作用放出电子的现象称为e hv A A e +−+→+1 ljm+±==l1 ljm+±==l在电子能谱研究中，通常用主量子数n，角量子数l，和内量子数j来表征内层电子的运动状态。
XPS--电子能谱分析法
2．直接谱与微分谱
直接谱：俄歇电子强 度[密度(电子数)]N(E) 对其能量E的分布[N(E) －E]。 微分谱：由直接谱微 分而来，是dN(E)/dE 对E的分布[dN(E)/dE－ E]。
图:俄歇电子能谱示例 (银原子的俄歇能谱)
3．化学位移与伴峰
原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称 化学位移)，也可能引起其强度的变化，这两种变化的交 叠，则将引起俄歇峰(图)形状的改变。 原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该 (元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况 如：原子发生电荷转移(如价态变化)引起内层能级变化， 从而改变俄歇跃迁能量，导致俄歇峰位移； 又如：不仅引起价电子的变化(导致俄歇峰位移)，还造成 新的化学键(或带结构)形成以致电子重新排布的化学环境 改变，将导致谱图形状的改变(称为价电子谱)等。
1．俄歇电子产额
俄歇电子产额或俄歇跃迁几率 决定俄歇谱峰强度，直接关系 到元素的定量分析。俄歇电子 与特征X射线是两个互相关联和 竞争的发射过程。对同一K层空 穴，退激发过程中荧光X射线与 俄歇电子的相对发射几率，即 图13-1 俄歇电子产额与原子序数的关系 荧光产额(K)和俄歇电子产额 由图可知，对于K层空穴Z<19，发射俄歇 ( K )满足 电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射
弹性散射(损失能量)而产生的能量损失峰， X射线源(如Mg靶的K1与K2双线)的强伴线 (Mg靶的K3与K4等)产生的伴峰，俄歇电 子峰等。
谱峰分裂
能谱峰分裂有多重态分裂与 自旋-轨道分裂等。 如果原子、分子或离子价(壳) 层有未成对电子存在，则内 层芯能级电离后会发生能级 分裂从而导致光电子谱峰分 裂，称之为多重分裂。 图13-8所示为O2分子X射线 光电子谱多重分裂。电离前 O2分子价壳层有两个未成对 电子，内层能级(O1s)电离 后谱峰发生分裂(即多重分 裂)，分裂间隔为1.1eV。
全方位解析X射线光电子能谱分析(XPS)
全方位解析X射线光电子能谱1引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法，特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。
目前常用的表面成分分析方法有：X射线光电子能谱（XPS）, 俄歇电子能谱(AES)，静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。
AES分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究，而XPS的应用面则广泛得多，更适合于化学领域的研究。
SIMS和ISS由于定量效果较差，在常规表面分析中的应用相对较少。
但近年随着飞行时间质谱（TOF-SIMS）的发展，使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。
本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。
X射线光电子能谱（XPS）也被称作化学分析用电子能谱（ESCA）。
该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。
由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献，1981年，Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。
三十多年的来，X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。
XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析，业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。
XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析，而扩展到现代迅猛发展的材料学科。
目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%，是一种最主要的表面分析工具。
在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。
在X射线源上，已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源；传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源；X射线的束斑直径也实现了微型化，最小的束斑直径已能达到6 m 大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。
图像XPS技术的发展，大大促进了XPS在新材料研究上的应用。
在谱仪的能量分析检测器方面，也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器，使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。
XPS
常用Perkin-Elmer公司的X射线光电子谱手册 定性分析原则上可以鉴定除氢、氦以外的所有元素。 分析时首先通过对样品(在整个光电子能量范围 )进行 全扫描，以确定样品中存在的元素；然后再对所选 择的峰峰进行窄扫描，以确定化学状态。
谱图特点
• • • •
主量子数n越小，峰强度越大 主量子数相同时，角量子数L大的峰强度越大 对于两个自旋分裂峰，内量子数J大的峰比小的峰强 通过确定化学位移则可研究元素在固体微区的存在形态
对于气态原子或分子，光电离过程的能量守恒关系：
h b k r
hv：X光子的能量； Ek：光电子的能量； Eb：电子 的结合能； Er：原子的反冲能量。其中Er很小，可 以忽略。则上式可写成
b h k
测定了发射的光电子动能Ek，即可确定结合能Eb
对于固态样品，能量分配为： 1、内层电子跃迁到费米能级，即克服该电子的结合 能； 2、电子由费米能级进入真空成为静止电子，即克服 功函数Ø s； 3、自由光电子的动能Ek。
通常采用被激发电子所在能级来标志光电子。
图
Ag的光电子能谱图（MgK激发）
化学位移现象起因及规律
内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有 一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。 当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的 结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的 氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其 XPS峰将向结合能的增加方向位移。
h Eb Ek s
当试样置于仪器中的试样架上时，试样材料与 仪器试样材料的不同而产生接触电势 ΔE，即两者的 功函数不同所致。若仪器功函数Φsp〉Φs， ΔE将对激 发电子产生加速作用，使自由电子所具有的动能增 大。功函数随试样改变，而仪器功函数为定值，若 照射光能量和仪器功函数为已知时，测定光电子动 能即可得到该电子的结合能，进而确定原子种类， 即定性的依据。
碘的xps光谱
碘的xps光谱全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：碘是一种常见的元素，它在自然界中广泛存在，并且在生物体内扮演着重要的角色。
碘具有丰富的化学性质，因此可以在不同的化学环境中表现出不同的特性。
在科学研究中，人们常常使用X射线光电子能谱（XPS）来研究物质的表面成分和化学状态。
本文将着重介绍碘的XPS光谱，探讨碘在不同化学环境中的表现，并分析其在材料科学和生物医学中的应用。
我们需要了解什么是XPS光谱。
XPS是一种表面分析技术，通过照射物质表面的X射线束，可以使表面原子和分子中的电子被激发出来，具有很高的分辨率和灵敏度。
通过测量这些激发的电子的能量和强度，可以获得物质表面的元素成分、化学状态、结构等信息。
XPS 技术在材料科学、表面化学、纳米技术等领域得到了广泛应用。
碘的XPS光谱主要可以分为两个部分：碘的3d电子能级和碘的M4,5电子能级。
碘的3d电子能级是碘原子内层电子，具有较高的结合能，能够提供碘原子在物质表面的元素成分信息。
碘的M4,5电子能级则可以提供碘原子在不同化学环境中的化学状态信息，如碘化物、碘酸盐等。
碘的XPS光谱在不同化学环境中表现出不同的特性。
在碘化物中，碘的3d电子能级呈现出明显的分裂，可以通过XPS光谱确定碘的化学键类型和结合形式；而在碘酸盐中，碘的M4,5电子能级会出现在不同位置，可以用来表征碘的氧化态和化学环境。
通过对碘XPS光谱的分析，可以研究不同化学环境中碘的存在形式和反应机制，为材料的制备和性能调控提供重要参考。
碘的XPS光谱在材料科学和生物医学中有着广泛的应用。
在材料科学领域，碘的XPS光谱可以用来表征材料表面的化学成分和结构，为表面改性和功能化提供理论指导。
在生物医学领域，碘化物和碘酸盐等碘化合物被广泛应用于造影剂、药物和抗菌剂等领域，通过碘的XPS光谱可以研究其在生物体内的代谢和分布情况，为临床诊断和治疗提供支持。
碘的XPS光谱是一种研究碘元素表面化学性质的重要手段，通过对碘的XPS光谱的分析，可以深入了解碘在不同化学环境中的行为和性质，为材料科学和生物医学领域的研究和应用提供有力支持。
XPS原理及分析
XPS原理及分析X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy，简称XPS）是一种常用的表面分析技术，它可以通过测量材料中逸出的光电子能谱，获得关于材料的元素组成、化学状态和电荷状态等信息。
本文将详细介绍XPS的基本原理和在材料分析中的应用。
一、XPS原理简介XPS基于光电效应，利用高能X射线照射样品，当X射线能量足够高时，可以将样品表面的原子或分子的内层电子击出，形成光电子。
这些光电子的能量与原子或分子的电子结构和化学状态相关。
通过测量光电子能量和强度，可以分析样品表面化学成分、原子的化学键性质、表面缺陷等信息。
二、XPS仪器和实验过程XPS实验通常采用准直束X射线源，将高能量的单色X射线照射到样品表面，使样品的表面原子被击出。
击出的光电子经过分析器进行能量分辨，并通过光电倍增管等探测器检测产生的电荷信号。
最后，通过电子学系统进行信号放大和处理，得到光电子能谱。
三、XPS应用领域1. 表面化学分析：XPS可以确定材料的元素组成、化学价态和化学键状态，揭示材料表面的化学变化和物理性质。
广泛应用于催化剂、合金材料和半导体器件等领域的研究和开发。
2. 薄膜表征：通过XPS可以分析薄膜的组成和结构，了解材料的生长机制和质量。
在光电子器件、涂层和导电膜等领域有重要应用。
3. 反应动力学研究：XPS可以实时观察反应过程中表面物种的变化，研究反应机理和动力学性质。
被广泛应用于催化反应、电化学反应等领域。
4. 界面分析：XPS可以研究材料与其他材料之间的界面相互作用，揭示材料的界面化学和电子结构特性。
在纳米材料、生物界面等研究中具有重要价值。
四、XPS的局限性1. 表面敏感性：XPS只能分析样品表面几纳米到十几纳米的深度，对于较厚的材料或易氧化的表面容易受到误差。
2. 低解析度：XPS在能量分辨率和空间分辨率上存在限制，无法观察到低能区域和微小尺度的结构。
3. 非定量分析：由于XPS信号强度与元素的浓度和电子逃逸深度有关，因此XPS分析结果需要进行定量校正。
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实验报告
电子能谱实验
实验报告
一、 实验名称 电子能谱实验 二、 实验目的
（1） 了解X 光电子能谱（XPS ）测量原理、仪器工作结构及应用； （2） 通过对选定的样品实验，初步掌握XPS 实验方法及谱图分析。
三、 实验原理
在现代材料分析中，表面问题是材料研究中很重要的部分。
尤其是在微型材料、超薄 材料、薄膜材料和材料的表面处理等，都离不开表面科学。
而X 光电子能谱（简称XPS ）则是一项重要的表面分析方法。
一定能量的X 光作用到样品上，将样品表面原子中的不同能级的电子激发成为自由电子，这些电子带有样品表面信息，具有特征能量，研究这类电子的能量分布，即为X 光电子能谱分析。
（1）光电发射
在具体介绍XPS 原理时，先介绍光电发射效应。
光电发射是指，在轨道上运动的电子收到入射的光子的激发而由发射出去成为自由电子的过程。
对于固体样品光电发射的能量关系如下：
'b k sa E h E νφ=--（固体）（1）
其中b E 为相对于费米能级的结合能，h ν为光子的能量，'k E 为光电子的动能，sa φ为样品的功函数。
光电发射示意图如下：
原子能级结合能b E 对于原子来说是特征的，具有特异性，可以用它来标识原子及原子能级。
由样品发射的光电子最终将会被探测器俘获，对于探测器有如下能量关系：
b k sp E h E νφ=--（探测器）（2）
式中，sp φ为探测器的功函数。
如下图所示：
（二）化学位移
XPS 在进行定量分析的时候，有一项很重要的应用就是化学态分析，其中包括化学位移和化学能移。
化学位移是指由于原子处于不同的化学环境而引起的结合能的位移（b E ∆）。
如化合过程+X+Y=X Y -，X 、Y 因电子的转移引起结合能的变化。
相应的电子能谱也会发生改变，通过这种方法，还可以区别同一类原子处于何种能态，这为表面分析提供了很大的便利。
（三）X 光电子能谱仪原理示意图
如下图所示，由X 射线源发出的X 射线入射到样品表面，激发出自由光电子。
光电子经过半球形能量分析器后被探测器吸收。
探测器将光电子的所携带的信息转化为电信号，由示波器收集并在电脑中显示出来。
XPS 测量原理示意图
X 光电子能谱仪结构示意图
具体的构造方框图如下：
光电发射过程、能量关系、化学位移等。
（四）X 光电子能谱仪的特点
X 光电子能谱仪采用的是X 光作为入射光源，是一种对样品具有非破坏性的分析手段。
能进行化学态分析，并且有明确的化学位移。
同时，它还具有表面灵敏度高的特点，对样品要求不高，有机物、无机物，样品导电、不导电都可以进行测量分析。
四、 实验步骤
（1） 制备样品并放入靶台（实验采用Al 靶，X 光能量为1486.6eV ）； （2） 进行宽城扫描；
（3） 对特定的能谱区域进行窄程扫描； （4） 报告测量结果；
（5） 标定谱峰能量位置，并进行元素标定。
五、 实验结果及分析
（1） 谱峰识别
进行宽程扫描之后，得到一系列的谱峰。
通过查询Al 的ακX 射线的元素结合能，可以 标定各谱峰，见下表。
谱峰位置（eV ） 284.56
532.08
99.19
99.89
101.85
（2） 化合物和含量分析
由图中具体的谱峰面积可以进行化合物组分和含量的分析，见下表。
由此可知，样品为单质硅，但是表面被污染，污染物有O 和C 。
（3） 对Si 的谱峰进行了窄程扫描，可以认为地进行分波。
所分波的总数为四，有峰 强高度依次为Si2p3、Si2p1、Si ScanB3、背景。
六、 习题
（1） 比较XPS 和AES 原理和分析方法上主要的特征。
答：1.XPS 通过X 射线照射样品，将样品表面原子中不同能级的电子激发成自由电子。
这些电子带有样品表面信息，具有特征能量，并且动能与激发源的能量有关。
而AES 的入射源为电子。
入射的电子和样品作用，可以激发出原子内层的电子。
外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量又使核外另一个电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。
而俄歇电子的能量分布谱即为AES 。
与XPS 的很大不同是，俄歇电子的动能与入射源能量无关。
2.XPS 旨在研究这类电子的能量分布，从而进行元素种类的标定，元素含量的定量测量，原子化学态的分析，并能够分析表面状态和薄膜厚度。
AES 分为两种谱——积分谱和微分谱。
与XPS 相似，通过对图谱进行标定和定量分析，能够标定元素种类和计算元素的含量，并且能够分析化学态。
另外，XPS 和AES 所给出的都是样品表面的二维信息。
（2）在XPS 实验中，怎样区分谱图上的光电子峰和俄歇峰。
在XPS 实验中，通过切换Mg 靶和Al 靶能够对光电子峰和俄歇峰进行区分。
（3）用Al ακ（hv=1486.6eV ）和Mg ακ（hv=1253.6eV ）激发Cu2p 的光电子动能相同吗？Cu2p 3/2和Cu2p 1/2的结合能分别约为933eV 和953eV ，请计算功能值。
信号电子（动能大于200eV ）的非弹性散射平均自由程λ满足经验公式=0.1*E /[(ln )]k k a E b λ+（单位nm ），其中E k 为逸出光电子的动能（以eV 为单位），取常数10, 2.3a b ==-。
定义逸出深度
3d λ=，请计算上述Cu2p 光电子的逸出深度，并作比较。
答：1.因为光源能量不同，因此各自激发的Cu2p 光电子的动能不同。
2.由于题中未给定Cu 样品的功函数，因此认为是指对单原子进行求解，即功函数为0. 根据公式可以'b k sa E h E νφ=--计算得出：
3.对于Cu2p 轨道，光电子的逸出深度由给定的公式计算出结果如下表：
从中可知，随着入射光源能量的减小，光电子的逸出深度迅速衰减。
（4） 为什么说XPS 是一种表面分析方法？试列举出2种表面分析方法，并作比较。
答：1.如（3）中所计算的逸出深度，只有几个纳米的大小，这意味着大于逸出深度的电子无法逃出样品而被仪器探测到。
因此它是一种表面分析技术。
XPS 所给出的信息都是关于表面原子的信息。
2.其他表面分析方法有AES （已在题目（1）中进行了比较）。
STM 也是一种广泛的应用的表面分析方法。
通过量子遂穿原理，STM 仪器利用加有偏压的针尖采集样品表面的信息。
STM 可以非常直观地观察样品表面的原子排布情况，这是和XPS 和AES 最大的不同点。
（5）解释XPS 中的化学位移，如何测定样品的化学位移。
答：由于原子处于不同的化学环境而引起的结合能的位移称为化学位移。
化学位移在XPS 谱图中表现为在化学位移为零的能量峰附近会出现一个额外的峰值。
通过计算机标定即可测得该额外的峰值的偏移量，偏移量的大小即为化学位移的大小。